JPH0549253U - 半導体ウェーハの研磨機 - Google Patents

半導体ウェーハの研磨機

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JPH0549253U
JPH0549253U JP10597591U JP10597591U JPH0549253U JP H0549253 U JPH0549253 U JP H0549253U JP 10597591 U JP10597591 U JP 10597591U JP 10597591 U JP10597591 U JP 10597591U JP H0549253 U JPH0549253 U JP H0549253U
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JP
Japan
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carrier plate
polishing
polishing liquid
wafer
recess
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JP10597591U
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毅 木村
憲治 富沢
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Mitsubishi Materials Corp
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Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 研磨液がウェーハと研磨布の間に均等に供給
されるウェーハの研磨機を提供することである。 【構成】 研磨液がキャリヤープレートを押圧する軸を
経由せずに供給され、そして好ましくは、キャリヤープ
レートが軸と自在ジョイントを介して押圧されるように
構成した。 【効果】 ウェーハの押圧が自在ジョイントを介して行
われても、研磨液が円滑に供給され、厚さが一様で、且
つ平坦度が良好なウェーハが得られる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は半導体ウェーハ研磨機に関するものである。更に詳しくは、GaAs 、GaP、InP及びSi等の半導体ウェーハを鏡面に研磨する半導体ウェーハ 研磨機に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェーハ(以下単にウェーハと言う)は種々のデバイス用基板として使 用される。デバイスメーカーに供給される鏡面ウェーハに仕上げるまでの加工工 程をGaAsを例に取り説明する。先ず、液体封止チョクラルスキー法等により 引き上げられた円柱状のGaAs単結晶を外周研削して所定の径に仕上げ、続い て内周刃スライサーによって所定の厚さのウェーハに切り出す。次に外周の面取 りを行い、後の加工工程及びデバイスプロセスにおける破損を防ぐためウェーハ 端部の強度を増す。次にスライス時のソーマークの除去及びウェーハの厚さを揃 えるためにラッピングが行われ、その後エッチングによって表面の加工変質層が 除去され研磨工程に引き継がれる。デバイス及びデバイスプロセスの要件により 異なる工程を経由するが、最終的にウェーハはキャリヤープレートに貼付され、 片面仕上げ研磨がウェーハ加工の最終工程となる。
【0003】 ウェーハの厚さの一様性及び研磨面の平坦度は半導体デバイス用基板として、 特に厳しい規格が設定されている。良好なウェーハを得るためには、研磨時に各 ウェーハと研磨布との間に研磨材の懸濁した研磨液が均等に供給されることは、 研磨圧、回転速度等と共に極めて重要であり、従来より研磨液供給に関する研究 がなされている。
【0004】 特開平2−152770号公報には、回転機構を有する定盤上に研磨布が設け られ、該研磨布と当接し、定盤の回転により摺動回転する複数の研磨プレートに 取付られた複数のウェハを研磨するウェハ研磨装置において、定盤の中心に研磨 液供給管を設けると共に、複数の研磨プレートの中心に研磨液供給管を設けたこ とを特徴とするウェハ研磨装置が開示されている。 これを図10により説明すれば次の通りである。円形の研磨布2は大きな円盤 状の研磨定盤3の面に貼設されている。ウェーハ1は円盤状のキャリヤープレー ト4にワックス9により貼付され、キャリヤープレート4がキャリヤープレート 受け5に回動自在に上から支持されている。キャリヤープレート受け5と係合し 、押圧する軸6は研磨定盤3の回転軸3aと異なる軸位置に固定され、回転する キャリヤープレート受け5を支持する。キャリヤープレート4の下に位置する研 磨定盤3が回転軸3aを中心に強制的に回転される。そうするとキャリヤープレ ート4は軸6を中心として倣い回転し、ウェーハ1は研磨布2上を摺動するよう になっている。この際、ウェーハ1と研磨布2との間には軸6を介して所定の負 荷が課せられる。 研磨液供給管7は研磨定盤3の中央上部と、キャリヤープレ ート受け5と係合し押圧する軸6の中央部に貫通して設けられ、研磨液8は研磨 定盤3の中央及びキャリヤープレート4の中央において供給される。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
特開平2−152770号公報に開示されたウェハ研磨装置は、図10に示し たように研磨液8をキャリヤープレート4の中央において供給するためには、研 磨液供給管7を軸6の中央部を貫通させ、キャリヤープレート受け5とキャリヤ ープレート4の中央に開口しなければならない。そのため軸6とキャリヤープレ ート受け5の係合部に貫通孔を設けるために、装置の構造上大きな制約を受ける と言う問題が生じていた。特に軸6とキャリヤープレート受け5の係合を自在ジ ョイントにより行い、軸6からの押圧力がウェーハ1と研磨布2の間に均等に負 荷されるような機構を有する装置においては、従来の研磨液供給管7の適用は不 可能であった。
【0006】 本考案は上記の課題に鑑み、研磨液がキャリヤープレートを押圧する軸を経由 せずにウェーハと研磨布の間に均等に供給されるウェーハの研磨機を提供するこ とを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本考案は、軸を中心に回転する研磨定盤に貼設された研磨布に、押圧固定軸を 中心に回転するキャリヤープレートに、少なくも2枚以上貼付けられた半導体ウ ェーハを研磨液の存在下に押圧摺動して研磨する半導体ウェーハ研磨機において 、キャリヤープレートには上面の中央部でない位置に研磨液の流入する凹部、及 び凹部より下面に貫通し研磨液を吐出する管が設けられている半導体ウェーハの 研磨機を構成した。 又は、キャリヤープレートはキャリヤープレート受けを介して押圧され、キャ リヤープレート受けには上面の中央部でない位置に研磨液の流入する凹部、及び 凹部より下面に貫通する孔が設けられ、キャリヤープレートには孔に対向し、上 面より下面に貫通して研磨液を吐出する管が設けられている半導体ウェーハの研 磨機を構成した。 又は、キャリヤープレートはパッキンを介在し、且つキャリヤープレート受け を介して押圧され、キャリヤープレート受けには上面の中央部でない位置に研磨 液の流入する凹部、及び凹部より下面に貫通する孔が設けられ、パッキンには孔 に対向し、上面より下面に貫通する空隙部が設けられ、キャリヤープレートには 空隙部に対向し、上面より下面に貫通し研磨液を吐出する管が設けられている半 導体ウェーハの研磨機を構成した。 そして好ましくは、キャリヤープレート又はキャリヤープレート受けが押圧固 定軸と自在ジョイントにより係合するように構成した。
【0008】
【作用】
研磨液がキャリヤープレートを押圧する軸を経由せずに、研磨液がウェーハと 研磨布の間に均等に供給される。
【0009】
【実施例】
本考案の第1の実施例を図1〜図5により説明する。図1は研磨機の側断面部 分図、図2はウェーハの貼付されたキャリヤープレートの平面図、図3はキャリ ヤープレート受けの平面図、図4はパッキンの平面図、図5はウェーハの貼付さ れたキャリヤープレートの側断面図である。 円形の研磨布2は直径780mmの円盤状の研磨定盤3の面に貼設されている 。ウェーハ1は直径76mm、厚さ0.7mmで、円盤状のキャリヤープレート 4にワックス9により4枚貼付され、キャリヤープレート4がキャリヤープレー ト受け5と一体化して回動するように上から支持されている。キャリヤープレー ト4とキャリヤープレート受け5との間には円環状のパッキン12が挿入されて いる。
【0010】 キャリヤープレート受け5と係合し、押圧する軸6は研磨定盤3の回転軸3a と異なる軸位置に固定され、自在ジョイント13により回転するキャリヤープレ ート受け5を支持する。自在ジョイント13はキャリヤープレート受け5の上面 中央に設けられた凹部(不図示)と軸6との間がベアリング方式になっており、 これにより高速回転可能とし、高能率に研磨を進行させるためである。キャリヤ ープレート4の下に位置する研磨定盤3が回転軸3aを中心に強制的に回転され る。そうするとキャリヤープレート4は軸6を中心として倣い回転し、ウェーハ 1は研磨布2上を摺動するようになっている。この際、ウェーハ1と研磨布2と の間には軸6を介して所定の負荷が課せられる。軸6は4本が一般的であるが、 1軸乃至2軸の機構でもよい。
【0011】 研磨液8を供給する研磨液供給管7はキャリヤープレート受け5の上方に設け られ、キャリヤープレート受け5の上面に円周状に刻設された溝10に対向して いる。キャリヤープレート受け5には上面の溝10より下面に貫通して複数の孔 11が設けられている。孔11に対向して円環状のパッキン12には中央の欠円 部があり、流通空間14を形成している。キャリヤープレート4の中央に研磨液 の吐出する孔15が設けられている。
【0012】 次に研磨の動作に付いて説明する。 ウェーハ1をキャリヤープレート4にワックス9により4枚貼付し、研磨液8 を研磨液供給管7より50ml/min供給し、研磨定盤3を40rpmで回転 するとウェーハ1は研磨布2上を摺動し研磨され、その間キャリヤープレート4 は約40rpmで倣い回転する。パッキン12を介しキャリヤープレート受け5 が回転する。
【0013】 研磨液8は研磨液供給管7からキャリヤープレート受け5の溝10に流下し、 孔11を通過してパッキン12中央の流通空間14に出て、しかる後キャリヤー プレート4の孔15から流出し、ウェーハ1と研磨布2に供給され研磨が行われ 、図5に示す研磨前のウェーハ1aは研磨後のウェーハ1bと一様に研磨が進み 、平滑な平坦度の良い研磨面が得られる。
【0014】 本考案の第2の実施例を図6及び図7により説明する。図6は研磨機の側断面 部分図、図7はウェーハの貼付されたキャリヤープレートの平面図である。 第1の実施例と同一又は類似の点は説明を省略する。本実施例は、キャリヤー プレート4とキャリヤープレート受け5との間にパッキン12が挿入されていな い。
【0015】 キャリヤープレート受け5の上面には溝10が、又上面より下面に貫通して複 数の孔11が中央から離れた位置に設けられている。孔11に対向してキャリヤ ープレート4に研磨液の吐出する孔15が複数設けられている。
【0016】 研磨の際、研磨液8は研磨液供給管7からキャリヤープレート受け5の溝10 に流下し、孔11を通過し、しかる後キャリヤープレート4の孔15から流出し 、ウェーハ1と研磨布2に供給され研磨が行われる。孔15が中央から離れた位 置に複数あり複数のウェーハ1に研磨液8が均等に供給され、平滑な平坦度の良 い研磨面が得られる。
【0017】 本考案の第3の実施例を図8及び図9により説明する。図8は研磨機の側断面 部分図、図9はウェーハの貼付されたキャリヤープレートの平面図である。 第1の実施例と同一又は類似の点は説明を省略する。本実施例は、キャリヤー プレート4がキャリヤープレート受け5を介さず直接軸6により押圧される。
【0018】 キャリヤープレート4の上面には溝10aが、又上面より下面に貫通して研磨 液の吐出する孔15が設けられている。孔15の開口部は大きくほぼ四角形をし てウェーハ1を囲うように形成されている。
【0019】 研磨の際、研磨液8は研磨液供給管7からキャリヤープレート4の溝10aに 流下し、孔15から流出し、ウェーハ1と研磨布2に供給され研磨が行われる。 孔15が大きくほぼ四角形でありウェーハ1を囲うように形成されていて、4枚 のウェーハ1に研磨液8が均等に供給され、平滑な平坦度の良い研磨面が得られ る。
【0020】 GaAsの直径76mm、厚さ0.7mmのウェーハを使用し、上記3実施例 の研磨機により各20枚研磨を行った。ウェーハの全面の平均研磨量は30μm であった。
【0021】 研磨面各20枚のT.T.V.、Taper及びL.T.V.の平均値は次の 範囲にあり良好であった。 ウェーハを基準平面に吸着した状態でのウェーハ高さの最大値と最小値の差( T.T.V.)は1.2〜2.7μm、基準平面に吸着した状態でのウェーハ高 さの最小自乗平面の傾き(Taper)は0.5〜1.2μm、基準平面に吸着 した状態でのウェーハの任意の径15mm角内領域におけるウェーハ高さの最大 値と最小値の差(L.T.V.)は0.6〜1.1μmであった。
【0022】
【考案の効果】
以上説明したように本考案により、研磨液がキャリヤープレートを押圧する軸 を経由せず、ウェーハと研磨布の間に均等に供給され、厚さが一様で、且つ平坦 度が良好なウェーハが得られる。そしてウェーハの押圧が自在ジョイントを介し て行うことも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施例の研磨機の側断面部分図である。
【図2】第1の実施例のウェーハの貼付されたキャリヤ
ープレートの平面図である。
【図3】第1の実施例のキャリヤープレート受けの平面
図である。
【図4】第1の実施例のパッキンの平面図である。
【図5】第1の実施例のウェーハの貼付されたキャリヤ
ープレートの側断面図である。
【図6】第2の実施例の研磨機の側断面部分図である。
【図7】第2の実施例のウェーハの貼付されたキャリヤ
ープレートの平面図である。
【図8】第3の実施例の研磨機の側断面部分図である。
【図9】第3の実施例のウェーハの貼付されたキャリヤ
ープレートの平面図である。
【図10】従来の研磨機の側断面部分図である。
【符号の説明】
1...ウェーハ、 2...研磨布、 3...研磨
定盤、3a...回転軸、4...キャリヤープレー
ト、 5...キャリヤープレート受け、 6...
軸、7...研磨液供給管、8...研磨液、9...
ワックス、10...溝、11...孔、12...パ
ッキン、12...パッキン、13...自在ジョイン
ト、14...流通空間、15...孔、

Claims (5)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 軸を中心に回転する研磨定盤に貼設され
    た研磨布に、押圧固定軸を中心に回転するキャリヤープ
    レートに少なくも2枚以上貼付けられた半導体ウェーハ
    を研磨液の存在下に押圧摺動して研磨する半導体ウェー
    ハ研磨機において、 該キャリヤープレートに上面の中央部でない位置に研磨
    液の流入する凹部、及び該凹部より下面に貫通し研磨液
    を吐出する管が設けられていることを特徴とする半導体
    ウェーハの研磨機。
  2. 【請求項2】 該キャリヤープレートに上面の中央部で
    ない位置に研磨液の流入する凹部、及び該凹部より下面
    に貫通し研磨液を吐出する管が設けられていることに代
    え、 該キャリヤープレートはキャリヤープレート受けを介し
    て押圧され、該キャリヤープレート受けには上面の中央
    部でない位置に研磨液の流入する凹部、及び該凹部より
    下面に貫通する孔が設けられ、該キャリヤープレートに
    は該孔に対向し、上面より下面に貫通して研磨液を吐出
    する管が設けられていることを特徴とする請求項1に記
    載された半導体ウェーハの研磨機。
  3. 【請求項3】 該キャリヤープレートに上面の中央部で
    ない位置に研磨液の流入する凹部、及び該凹部より下面
    に貫通し研磨液を吐出する管が設けられていることに代
    え、 該キャリヤープレートはパッキンを介在し、且つキャリ
    ヤープレート受けを介して押圧され、該キャリヤープレ
    ート受けには上面の中央部でない位置に研磨液の流入す
    る凹部、及び該凹部より下面に貫通する孔が設けられ、
    該パッキンには該孔に対向し、上面より下面に貫通する
    空隙部が設けられ、該キャリヤープレートには該空隙部
    に対向し、上面より下面に貫通し研磨液を吐出する管が
    設けられていることを特徴とする請求項1に記載された
    半導体ウェーハの研磨機。
  4. 【請求項4】 該キャリヤープレートが該押圧固定軸と
    自在ジョイントにより係合することを特徴とする請求項
    1に記載された半導体ウェーハの研磨機。
  5. 【請求項5】 該キャリヤープレート受けが該押圧固定
    軸と自在ジョイントにより係合することを特徴とする請
    求項2及び3に記載された半導体ウェーハの研磨機。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000317812A (ja) * 1999-03-26 2000-11-21 Applied Materials Inc ポリシングスラリーを供給するキャリヤヘッド
JP2011230209A (ja) * 2010-04-26 2011-11-17 Sumco Corp 研磨液分配装置及びこれを備えた研磨装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5343297A (en) * 1976-09-30 1978-04-19 Nec Corp Device for grinding both surfaces
JPH01135474A (ja) * 1987-11-20 1989-05-29 Mitsubishi Metal Corp 研磨装置
JPH0215864B2 (ja) * 1983-11-18 1990-04-13 Mitsubishi Electric Corp

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5343297A (en) * 1976-09-30 1978-04-19 Nec Corp Device for grinding both surfaces
JPH0215864B2 (ja) * 1983-11-18 1990-04-13 Mitsubishi Electric Corp
JPH01135474A (ja) * 1987-11-20 1989-05-29 Mitsubishi Metal Corp 研磨装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000317812A (ja) * 1999-03-26 2000-11-21 Applied Materials Inc ポリシングスラリーを供給するキャリヤヘッド
JP2011230209A (ja) * 2010-04-26 2011-11-17 Sumco Corp 研磨液分配装置及びこれを備えた研磨装置

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