JPH0549747B2 - - Google Patents
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- JPH0549747B2 JPH0549747B2 JP61071487A JP7148786A JPH0549747B2 JP H0549747 B2 JPH0549747 B2 JP H0549747B2 JP 61071487 A JP61071487 A JP 61071487A JP 7148786 A JP7148786 A JP 7148786A JP H0549747 B2 JPH0549747 B2 JP H0549747B2
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- treatment
- cvd
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- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
[産業上の利用分野]
本発明は、連続ラインにおける化学気相蒸着
(以下、CVDと称す)法による高珪素鋼帯の製造
方法に関する。
[従来の技術]
電磁鋼板として高珪素鋼板が用いられている。
この種の鋼板はSiの含有量が増すほど鉄損が低減
され、Si:6.5%では、磁歪が0となり、最大透
磁率もピークとなる等最も優れた磁気特性を呈す
ることが知られている。
従来、高珪素鋼板を製造する方法として、圧延
法、直接鋳造法及び滲珪法があるが、このうち圧
延法はSi含有量4%程度までは製造可能である
が、それ以上のSi含有量では加工性が著しく悪く
なるため冷間加工は困難である。また直接鋳造
法、所謂ストリツプキヤステイングは圧延法のよ
うな加工性の問題は生じないが、未だ開発途上の
技術であり、形状不良を起し易く、特に高珪素鋼
板の製造は困難である。
これに対し、滲珪法は低珪素鋼を溶製して圧延
により薄板とした後、表面からSiを浸透させるこ
とにより高珪素鋼板を製造するもので、これによ
れば加工性や形状不良の問題を生じることなく高
珪素鋼板を得ることができる。
[発明が解決しようとする問題点]
この滲珪法は、五弓、阿部により提案され、三
谷、大西らにより詳しく検討されたものである
が、従来提案された方法はいずれも浸透処理時間
が30分以上と長く、事実上連続ラインには適用で
きないという根本的な問題がある。また処理温度
も1230℃程度と極めて高いことから浸透処理後の
薄鋼板の形状が極めて悪く、加えて処理温度が高
過ぎるためエツジ部が過加熱によつて溶解するお
それがあり、連続ラインでの安定通板が期待でき
ない。
また、滲珪法では蒸着反応により鋼板面のFe
がFeCl2等の形で放散され、これによつて板厚が
減少する。しかしこの種の処理では、雰囲気ガス
濃度分布の不均一性等の原因で蒸着(膜厚)が不
均一になり易く、この結果板厚の減り方にバラツ
キを生じ、板厚が幅方向、長手方向で不均一にな
り易いという問題がある。
本発明はこのような従来技術の欠点を改善する
ためになされたもので、滲珪法を用い、連続ライ
ンにおいて短時間でしかも高品質の高珪素鋼帯を
安定して製造することができる方法の提供を目的
とする。
[問題点を解決するための手段]
このため本発明は鋼帯を、SiCl4をmol分率で
5〜35%含んだ無酸化性ガス雰囲気中で、化学気
相蒸着法により1023〜1200℃の温度で連続的に滲
珪処理し、次いで、SiCl4を含まない無酸化性ガ
ス雰囲気中でSiを鋼帯内部に略均一に拡散させる
拡散処理を施し、続く冷却過程の途中において、
鋼帯を600〜200℃で圧延により塑性加工するよう
にしたことをその基本的特徴とする。
また本発明は、上記拡散処理−冷却及び圧延に
よる塑性加工後、絶縁被膜コーテイングを施し、
次いで焼付処理するようにしたことを他の基本的
特徴とする。
以下、本発明の詳細を説明する。
本発明において、母材たる鋼帯(出発薄鋼帯)
の成分組成は、特に限定はないが、優れた磁気特
性を得るため以下のように定めるのが好ましい。
3〜6.5%Si−Fe合金の場合
C:0.01%以下、Si:0〜4.0%、Mn:2%
以下、その他不可避不純物は極力低い方が望ま
しい。
センダスト合金の場合
C:0.01%以下、Si:4%以下、Al:3〜8
%、Ni:4%以下、Mn:2%以下、Cr,Ti
などの耐食性を増す元素5%以下、その他の不
可避不純物は極力低い方が望ましい。
鋼帯は熱間圧延−冷間圧延により得られるもの
に限らず、直接鋳造・急冷凝固法により得られた
ものでもよい。
なお、上述したように鋼帯はCVD処理により
板厚が減少するものであり、このため最終製品板
厚に対し減少板厚分を付加した板厚のものを用い
る必要がある。
本発明は、このような鋼帯にCVD法による滲
珪処理−拡散処理を施すことにより高珪素鋼帯を
得るものである。
第1図は本発明法を実施するための連続処理ラ
インを示すもので、1は加熱炉、2はCVD処理
炉、3は拡散処理炉、4は冷却炉である。
鋼帯Sは加熱炉1でCVD処理温度またはその
近傍まで無酸化加熱された後、CVD処理炉2に
導かれ、SiCl4を含む無酸化性ガス雰囲気中で
CVD法による滲珪処理が施される。SiCl4を含む
無酸化性ガスとは、中性或いは還元性ガスを意味
し、SiCl4のキヤリアガスとしてはAr,N2,He,
H2,CH4等を使用することができる。これらキ
ヤリアガスのうち、排ガスの処理性を考慮した場
合、H2,CH4等はHClを発生させその処理の必
要性が生じる難点があり、このような問題を生じ
ないAr,He,N2が望ましく、さらに材料の窒化
を防止するという観点からすればこれらのうちで
も特にAr,Heが最も好ましい。
CVD処理における鋼帯表面の主反応は、
5Fe+SiCl4→Fe3Si+2FeCl2↑
である。Si1原子が鋼帯面に蒸着してFe3Si層を形
成し、Fe2原子がFeCl2となり、FeCl2の沸点1023
℃以上の温度において気体状態で鋼帯表面から放
散される。したがつて、Si原子量が28.086、Fe原
子量が55.847であることから、鋼帯は質量減少
し、これに伴い板厚も減少することになる。ちな
みに、Si3%鋼帯を母材とし、CVD処理でSi6.5%
鋼帯を製造すると、質量は8.7%減少し、板厚は
約7.1%減少する。
従来法においてCVD処理に時間がかかり過ぎ
るのは、そのCVD処理条件に十分な検討が加え
られていなかつたことによるものと考えられる。
本発明者等が検討したところでは、CVD処理を
迅速に行うための要素には次のようなものがある
ことが判つた。
雰囲気ガス中のSiCl4濃度の適正化。
処理温度の適正化。
SiCl4の鋼帯表面への拡散及びFeCl2の鋼帯表
面からの放散の促進。
このため本発明ではCVD処理における雰囲気
ガス中のSi濃度及び処理温度を規定するものであ
る。
まず、CVD処理における無酸化性ガス雰囲気
中のSiCl4濃度をmol分率で5〜35%に規定し、
このような雰囲気中で鋼帯を連続的にCVD処理
する。
雰囲気中のSiCl4が5%未満であると期待する
Si富化効果が得られず、また、例えば鋼帯のSiを
1.0%富化するために5分以上も必要となる等、
処理に時間がかかり過ぎ、連続プロセス化するこ
とが困難となる。
一方、SiCl4を35%を超えて含有させても界面
における反応が律速になり、それ以上のSi富化効
果が期待できなくなる。
またCVD処理では、SiCl4濃度が高いほど所謂
カーケンダールボイドと称する大きなボイドが生
成し易い。このボイドはSiCl4濃度が15%程度ま
ではほとんど見られないが、15%をこえると生成
しはじめる。しかし、SiCl4濃度が35%以下では、
ボイドが生成してもCVD処理に引き続き行われ
る拡散処理によりほぼ完全に消失させることがで
きる。換言すればSiCl4濃度が35%を超えるとボ
イドの生成が著しく、拡散処理後でもボイドが残
留してしまう。第13図はSicl420%の雰囲気で
CVD処理した直後の鋼帯断面を示すもので、蒸
着層にはボイドがみられる。第14図はこの鋼帯
を1200℃×20minの拡散処理した後の断面を示す
ものであり、CVD処理直後のボイドはほぼ完全
に消失している。これに対し第15図はSiCl440
%でCVD処理し、その後拡散処理した鋼帯の断
面を示すもので、ボイドが層状に残留しているこ
とが判る。
CVD処理温度は1023〜1200℃の範囲とする。
CVD処理反応は鋼帯表面における反応であるか
ら、この処理温度は厳密には鋼帯表面温度であ
る。
CVD処理による反応生成物であるFeCl2の沸点
は1023℃であり、この温度以下ではFeCl2が鋼帯
表面から気体状態で放散されず、鋼帯表面に液体
状に付着して蒸着反応を阻害してしまう。本発明
者らが行つた基礎実験の結果では、このFeCl2の
沸点を境に、単位時間当りのSiの富化割合が著し
く異なり、1023℃以下では蒸着速度が小さいため
連続プロセスへの適用は困難である。このため処
理温度の下限は1023℃とする。
一方、上限を1200℃と規定する理由は次の通り
である。Fe3Siの融点は、第4図に示すFe−Si状
態図から明らかなように1250℃であるが、発明者
等の実験によれば、1250℃より低い1230℃程度で
処理した場合でも、鋼帯表面が部分的に溶解し、
また、鋼帯エツジ部分が過加熱のため溶解する。
このように1250℃以下でも鋼帯が溶解するのは、
鋼帯表面ではFe3Si相当のSi濃度14.5%以上にSi
が蒸着されているためであると推定される。これ
に対し処理温度が1200℃以下であれば鋼帯表面は
溶解は全く認められず、また、エツジの過加熱
も、鋼帯中心部の平均温度を1200℃とすること
で、1220℃程度におさえることが可能であり、微
量な溶解で済むことが実験的に確認できた。以上
の理由から、CVD処理温度は1023℃〜1200℃と
規定する。
以上のようにしてCVD処理された鋼帯Sは、
引き続き拡散炉3に導かれSiCl4を含まない無酸
化性ガス雰囲気中で拡散処理される。すなわち、
CVD処理直後では、鋼帯表面近くはSi濃度が高
く、中心部分では母材Si濃度のままであり、これ
を均熱・拡散処理し均一Si濃度とする必要があ
る。
この拡散処理は、鋼帯表面を酸化させない為
に、無酸化雰囲気中で行う必要が有り、また高温
で行うほど処理時間が少なくて済む。
この拡散処理は、一定温度で行つてもよいが、
第4図のFe−Si状態図から判るように、拡散の
進行とともに鋼帯表層部のSi濃度が減少しその融
点が上がることから、拡散の進行に伴い鋼帯を溶
解させない程度に徐々に昇温させる(例えば複数
段階で昇温させる)ことにより、拡散を促進させ
ることができる。例えば6.5%Si鋼の場合、エツ
ジ部の過加熱を考慮しても1400℃までの昇温が可
能である。
このような拡散処理後、鋼帯Sは冷却炉4で冷
却され、しかる後捲取られるが、本発明ではこの
冷却途中で、温間状態で圧延による塑性加工を行
う。第3図はこのための冷却炉の具体的な構造例
を示すもので、冷却炉4の途中には中間室8が設
けられ、この中間室8にスキンパスミル9が配設
されている。このような設備によれば、拡散炉3
を出た鋼帯Sは冷却炉4の前部冷却室41で温間
状態まで冷却された後、中間室8のスキンパスミ
ル9で圧延され、最終冷却されることなく温間状
態でそのまま捲取られるか、或いは引き続き後部
冷却室42で室温まで冷却された後捲取られる。
上述したようにCVD処理では蒸着反応により
鋼帯面のFeがFeCl2の形で放散され、その分板厚
が減少することになるが、CVD処理炉2内での
雰囲気ガス濃度分布の不均一によりSi蒸着が不均
一になり易く、このためCVD処理−拡散処理後
の鋼帯Sの幅方向、長手方向で板厚にバラツキで
生じている。そこで本発明では温間状態にある鋼
帯Sに圧延(スキンパス圧延または通常圧延)を
施すことにより、板厚を均一化するものであり、
かかる圧延により形状矯正と表面粗さの調整も合
せて行うことができる。なお、圧延はスキンパス
圧延のような軽圧下ではなく、板厚の減少を目的
としてより大ききな圧下量(通常の圧延)で行つ
てもよい。本発明は高珪素鋼帯を製造対象とする
もので、このため鋼帯Sの温度が200〜600℃の温
間状態で圧延を行う。第16図は拡散処理後のSi
濃度が6.5%の鋼帯の圧延温度と圧延による伸び
との関係を示すもので、鋼帯温度が200℃未満で
は所望の塑性加工性が得られないことが判る。
鋼帯Sは通常、常温ないし300℃までの温間状
態で捲取られ、一般にSi含有量が多く(例えば
4.0%以下)、板厚が比較的厚い鋼帯は温間で捲取
ることが好ましい。したがつて、鋼帯Sは熱間状
態から冷却炉4で上記温度域まで冷却された後圧
延による塑性加工が施され、そのまま温間状態で
捲取られるか、或いは室温で捲取る場合には、上
記圧延後、冷却炉後段で室温まで最終冷却され、
しかる後捲取られる。
なお、実ラインにおいてはミルの上流に板厚
計、プロフイル計を設け、これによる板厚、板形
状の検出に基づきミルが制御される。
CVD処理速度を鋼帯の連続処理を可能ならし
めるまで高めるには、上述したように雰囲気ガス
中のSiCl4濃度と処理温度の適正化を図ることが
必要であるが、これに加え鋼帯表面へのSiCl4拡
散とFeCl2の鋼帯表面からの放散とを促進するこ
とによりCVD処理速度をより高めることが可能
となる。
従来では、CVD処理で反応ガスを大きく流動
させると、蒸着層にボイドが発生し、また蒸着層
の純度も低下するとされ、このためガス流動は必
要最小限にとどめるという考え方が定着してい
た。しかし本発明者等の研究では、このようにガ
ス流動が抑えられることにより、反応ガスの母材
界面への拡散移動、及び反応副生成物の界面表層
からの離脱がスムースに行われず、このため処理
に長時間を要すること、さらにはガス流動が抑え
られるためCVD処理炉内の反応ガス濃度に分布
を生じ、この結果蒸着膜厚の不均一化を招くこと
が判つた。
そして、このような事実に基づきさらに検討を
加えた結果、CVD処理炉において吹込ノズルに
より雰囲気ガスを被処理材に吹付け、或いはフア
ン等により雰囲気を強制循環させることにより
SiCl4の鋼帯表面への拡散及び反応生成物たる
FeCl2の鋼帯表面からの放散を著しく促進し、高
い蒸着速度でしかも蒸着膜の不均一化を抑えつつ
CVD処理できることが判つた。
このようなCVD処理性の向上は、吹付ノズル
により雰囲気ガスを鋼帯表面に吹付ける方法が特
に有効である。第5図はこのノズル吹付方式によ
る実施状況を示すもので、CVD処理炉2内に鋼
帯Sに面して吹付ノズル5が配置され、鋼帯表面
にSiCl4を含む雰囲気ガスが吹付けられる。第6
図イ及びロは、吹付ノズル5による吹付状況を示
すもので、イに示すように鋼帯面に対して直角
に、或いはロに示すように斜め方向から吹付ける
ことができる。
このようなノズル吹付による単位時間当りのSi
富化割合は、ガスの鋼帯表面に対する衝突流速の
増大に比例して大きくなるが、流速を過剰に大き
くしても界面における反応律速となるためそれ以
上のSi富化効果は期待できない。一般的には、
5Nm/sec以下の流速で十分な効果が得られる。
また本発明では、上記拡散処理−冷却及び圧延
による塑性加工後、鋼帯に連続的に絶縁被膜コー
テイングを施し、焼付処理後捲取るようにするこ
とができる。第2図はこのための連続処理ライン
を示すもので、6はコーテイング装置、7は焼付
炉である。
電磁鋼板は通常積層状態で使用され、この場合
積層される各鋼板はそれぞれ絶縁される必要があ
る。このため電磁鋼板には絶縁皮膜コーテイング
が施される。Si含有量が4.0%以上の鋼帯は、常
温状態ではぜい性材料であり、ほとんど塑性変形
しない。このため絶縁皮膜コーテイングをCVD
処理ラインと別ラインで行つた場合、コイルの捲
戻し、捲取り時に鋼帯が破断するおそれがある。
そこで、本発明は拡散処理−冷却及び圧延による
塑性加工後、鋼帯Sにコーテイング装置6で絶縁
塗料を塗布し、次いで塗装焼付炉7で焼付処理す
る。絶縁塗料としては、無機系、有機系の適宜な
ものを用いることができる。無機系塗料として
は、例えばリン酸マグネシウム、無水クロム酸、
シリカゾル等が、また有機系塗料としてはプラス
チツク樹脂等が用いられる。塗料はロールコータ
方式、スプレー方式等により鋼帯Sに塗布され、
無機系塗料の場合には約800℃程度、有機系塗料
の場合には200〜300℃程度で焼付処理する。
なお前記加熱炉1では無酸化加熱が行われるも
のであり、このため電気間接加熱、誘導加熱、ラ
ジアントチユーブ間接加熱、直火還元加熱等の加
熱方式を単独または適当に組み合せた加熱方法が
採られる。なお、間接加熱方式を採る場合、加熱
に先立ち電気洗浄等の前処理が行われる。前処理
を含めた加熱方式として例えば次のようなものを
採用できる。
前処理−〔予熱〕−電気間接加熱(または誘導
加熱)
前処理−〔予熱〕−ラジアントチユーブ加熱−
電気間接加熱(または誘導加熱)
〔予熱〕−直火還元加熱−電気間接加熱(ま
たは誘導加熱)
前処理−〔予熱〕−ラジアントチユーブ間接加
熱(セラミツクラジアントチユーブ方式)
〔予熱〕−直火還元加熱
また、冷却炉4での冷却方式に特に限定はな
く、ガスジエツト冷却、ミスト冷却、放射冷却等
の各種冷却方式を単独または組合せた形で採用す
ることができる。
本発明は、6.5%Si鋼帯のような珪素含有量が
極めて高い鋼帯の製造に好適なものであることは
以上述べた通りであるが、従来、圧延法で製造す
る場合に変形が多く歩留りが悪かつたSi:2〜4
%程度の高珪素鋼帯も容易に製造できる利点があ
る。
[実施例]
Γ実施例 1
小型のCVD処理炉−拡散処理炉を用い、CVD
処理性に対するSiCl4濃度及びCVD処理温度の影
響を調べた。その結果を第7図及び第8図に示
す。
図中、Aが雰囲気法、すなわちノズル吹付を行
わないでCVD処理した場合、またBがノズル吹
付法、すなわち第5図に示すように雰囲気ガスを
鋼帯面に0.5m/Sの流速で吹き付けつつCVD処
理した場合を示す。なお、Si富化割合とは、母材
当初のSi濃度に対するCVD処理−拡散処理後の
Si増加分を示す。
これによれば、SiCl4濃度5%以上、CVD処理
温度1023℃以上において大きなSi富化効果が得ら
れている。また同じ条件でも、吹付ノズルにより
雰囲気ガスを吹付ける方法の場合、単に雰囲気中
で鋼帯を通板せしめる場合に較べ格段に優れたSi
富化効果(CVD処理性)が得られていることが
判る。
第9図は同様のCVD処理炉−拡散処理炉を用
い、雰囲気法Aとノズル吹付法Bの蒸着時間と鋼
帯中Si濃度(拡散処理後のSi濃度)との関係を、
Si:3%、板厚0.5mmの鋼帯をSiCl4濃度21%、処
理温度1150℃でCVD処理した場合について調べ
たものである。なお、ノズル吹付法では、スリツ
トノズルにより鋼帯に対し垂直方向から
0.2Nm/secの流速で雰囲気ガスを吹付けた。同
図から判るように、6.5%Si鋼とするために雰囲
気法Aでは7分かかるのに対し、ノズル吹付法B
では1.5分で処理することができた。
第10図はこのようにして得られた鋼帯の磁気
特性を示すもので、いずれの場合も良好な結果が
得られている。
第11図はノズル吹付法における衝突ガス流速
と鋼帯のSi富化割合(拡散処理後の割合)との関
係を示すものであり、所定レベルまでは衝突ガス
流速に比例して鋼帯のSi富化割合が増大してい
る。
Γ実施例 2
第1図に示す連続プロセスに第3図のスキンパ
スミルを組み込んだプロセスラインにおいて、板
厚0.33mmのSi3.5%含有鋼帯を母材とし、25mpm
のラインスピードにより、目標板厚0.30mm、幅
900mmのSi6.5%含有鋼帯を製造した。この際、次
の4条件によりそれぞれ鋼帯を製造した。
A) CVD処理を、Ar80%、、SiCl420%の雰囲
気中で実施し、スキンパス圧延を実施しない。
B) Aと同様のCVD処理を行いスキンパス圧
延を実施する。
C) CVD処理を、Ar80%、SiCl420%の反応ガ
スをノズル吹付法で鋼帯に対し、0.3Nm/sec
のガス流速で衝突させることにより実施し、ス
キンパス圧延を実施しない。
D) CVD処理をC)と同様に行い、スキンパ
ス圧延を実施した。
第1表は、これらの各ケースのサンプルについ
て、板厚偏差(目標板厚に対する増減)及び表面
粗さを測定した結果を示したもので、スキンパス
圧延を実施することにより板厚が精度良く均一化
していることが判る。
[Industrial Field of Application] The present invention relates to a method for producing a high-silicon steel strip by chemical vapor deposition (hereinafter referred to as CVD) in a continuous line. [Prior Art] High-silicon steel sheets are used as electromagnetic steel sheets.
It is known that this type of steel sheet exhibits the best magnetic properties, with the iron loss decreasing as the Si content increases, and at 6.5% Si, the magnetostriction becomes 0 and the maximum magnetic permeability reaches its peak. . Conventionally, methods for producing high-silicon steel sheets include the rolling method, direct casting method, and silicon extrusion method. Of these, the rolling method can produce Si steel sheets with a Si content of up to about 4%, but Cold working is difficult because the workability deteriorates significantly. In addition, although the direct casting method, so-called strip casting, does not have workability problems like the rolling method, it is still a technology under development and is prone to shape defects, making it particularly difficult to manufacture high-silicon steel sheets. be. On the other hand, the silicon permeation method produces high-silicon steel sheets by melting low-silicon steel, rolling it into thin sheets, and then infiltrating Si from the surface. A high-silicon steel plate can be obtained without causing any problems. [Problems to be Solved by the Invention] This infiltration method was proposed by Goyumi and Abe, and was studied in detail by Mitani and Onishi, but all of the previously proposed methods require a long infiltration treatment time. The fundamental problem is that it is long, over 30 minutes, and cannot be applied to continuous lines. In addition, the processing temperature is extremely high at around 1230°C, so the shape of the thin steel sheet after penetration treatment is extremely poor.In addition, because the processing temperature is too high, the edges may melt due to overheating. Stable plate threading cannot be expected. In addition, in the silicon extrusion method, Fe on the steel plate surface is
is dissipated in the form of FeCl 2 etc., which reduces the plate thickness. However, in this type of treatment, the vapor deposition (film thickness) tends to become non-uniform due to non-uniformity in the atmospheric gas concentration distribution, etc., and as a result, there is variation in the way the plate thickness is reduced, and the plate thickness is There is a problem that it tends to become non-uniform in the direction. The present invention has been made in order to improve the drawbacks of the prior art, and provides a method that can stably produce high-quality high-silicon steel strips in a short period of time on a continuous line using the silicon extrusion method. The purpose is to provide. [Means for Solving the Problems] Therefore, the present invention provides a steel strip that is heated to 1023 to 1200°C by chemical vapor deposition in a non-oxidizing gas atmosphere containing 5 to 35% of SiCl 4 in terms of mol fraction. The steel strip is subjected to a continuous silicon leaching treatment at a temperature of
Its basic feature is that the steel strip is plastically worked by rolling at 600-200℃. In addition, the present invention provides an insulating film coating after the above-mentioned diffusion treatment, cooling, and plastic working by rolling.
Another basic feature is that it is then subjected to a baking process. The details of the present invention will be explained below. In the present invention, a steel strip as a base material (starting thin steel strip)
The component composition of is not particularly limited, but is preferably determined as follows in order to obtain excellent magnetic properties. For 3-6.5% Si-Fe alloy C: 0.01% or less, Si: 0-4.0%, Mn: 2%
Below, it is desirable that other unavoidable impurities be as low as possible. For Sendust alloy: C: 0.01% or less, Si: 4% or less, Al: 3-8
%, Ni: 4% or less, Mn: 2% or less, Cr, Ti
It is desirable that the content of elements that increase corrosion resistance, such as 5% or less, and other unavoidable impurities be as low as possible. The steel strip is not limited to one obtained by hot rolling-cold rolling, but may be one obtained by direct casting or rapid solidification. As mentioned above, the thickness of the steel strip is reduced by CVD treatment, and therefore, it is necessary to use a steel strip whose thickness is the final product thickness plus the reduced thickness. The present invention obtains a high-silicon steel strip by subjecting such a steel strip to a silicon exfoliation treatment and diffusion treatment using a CVD method. FIG. 1 shows a continuous treatment line for carrying out the method of the present invention, in which 1 is a heating furnace, 2 is a CVD treatment furnace, 3 is a diffusion treatment furnace, and 4 is a cooling furnace. After the steel strip S is heated in a heating furnace 1 to a temperature at or near the CVD treatment temperature, it is led to a CVD treatment furnace 2 and heated in a nonoxidizing gas atmosphere containing SiCl4.
A silicone treatment is applied using the CVD method. A non-oxidizing gas containing SiCl 4 means a neutral or reducing gas, and carrier gases for SiCl 4 include Ar, N 2 , He,
H2 , CH4, etc. can be used. Among these carrier gases, when considering the processability of exhaust gas, H2 , CH4 , etc. have the disadvantage of generating HCl and needing to be disposed of, whereas Ar, He, and N2 , which do not cause such problems, are Among these, Ar and He are most preferable from the viewpoint of preventing nitridation of the material. The main reaction on the steel strip surface during CVD treatment is 5Fe+SiCl 4 →Fe 3 Si+2FeCl 2 ↑. Si1 atoms are deposited on the steel strip surface to form a Fe 3 Si layer, Fe2 atoms become FeCl 2 , and the boiling point of FeCl 2 is 1023
It is emitted from the steel strip surface in a gaseous state at temperatures above ℃. Therefore, since the Si atomic weight is 28.086 and the Fe atomic weight is 55.847, the mass of the steel strip decreases, and the thickness of the steel strip decreases accordingly. By the way, Si3% steel strip is used as the base material, and Si6.5% is reduced by CVD treatment.
When producing steel strips, the mass decreases by 8.7% and the plate thickness decreases by about 7.1%. The reason why CVD processing takes too long in conventional methods is thought to be because sufficient consideration has not been given to the CVD processing conditions.
The inventors of the present invention have studied the following and found that the following factors are necessary for performing CVD processing quickly. Optimization of SiCl 4 concentration in atmospheric gas. Optimization of processing temperature. Promotion of diffusion of SiCl 4 to the steel strip surface and dissipation of FeCl 2 from the steel strip surface. For this reason, the present invention specifies the Si concentration in the atmospheric gas and the processing temperature in the CVD processing. First, the concentration of SiCl 4 in the non-oxidizing gas atmosphere in the CVD process is defined as 5 to 35% in terms of mol fraction,
The steel strip is continuously subjected to CVD treatment in such an atmosphere. Expect less than 5% SiCl4 in the atmosphere
For example, the Si enrichment effect cannot be obtained, and
It takes more than 5 minutes to enrich 1.0%, etc.
Processing takes too much time, making it difficult to make it a continuous process. On the other hand, even if SiCl 4 is contained in excess of 35%, the reaction at the interface becomes rate-determining, and no further Si enrichment effect can be expected. Furthermore, in the CVD process, the higher the SiCl 4 concentration, the more likely large voids called Kirkendahl voids are generated. These voids are hardly seen until the SiCl 4 concentration is around 15%, but begin to form when it exceeds 15%. However, when the SiCl4 concentration is below 35%,
Even if voids are generated, they can be almost completely eliminated by the diffusion process that is performed following the CVD process. In other words, when the SiCl 4 concentration exceeds 35%, voids are significantly generated and remain even after the diffusion treatment. Figure 13 shows an atmosphere of 20% Sicl 4 .
This shows a cross-section of the steel strip immediately after CVD treatment, and voids can be seen in the deposited layer. Figure 14 shows a cross section of this steel strip after being subjected to diffusion treatment at 1200°C for 20 minutes, and the voids immediately after the CVD treatment have almost completely disappeared. In contrast, Fig. 15 shows SiCl 4 40
This shows a cross section of a steel strip that has been subjected to CVD treatment at 10% and then diffusion treatment, and it can be seen that voids remain in layers. The CVD treatment temperature is in the range of 1023 to 1200°C.
Since the CVD treatment reaction is a reaction on the steel strip surface, the treatment temperature is strictly the steel strip surface temperature. The boiling point of FeCl 2 , a reaction product from CVD treatment, is 1023℃, and below this temperature FeCl 2 does not dissipate from the steel strip surface in a gaseous state, but adheres to the steel strip surface in a liquid state and inhibits the vapor deposition reaction. Resulting in. According to the results of basic experiments conducted by the present inventors, the enrichment rate of Si per unit time differs markedly at the boiling point of FeCl 2 , and the deposition rate is low below 1023°C, making it difficult to apply it to a continuous process. Have difficulty. Therefore, the lower limit of the processing temperature is set at 1023°C. On the other hand, the reason why the upper limit is specified as 1200°C is as follows. The melting point of Fe 3 Si is 1250°C, as is clear from the Fe-Si phase diagram shown in Fig. 4, but according to experiments by the inventors, even when processed at about 1230°C, which is lower than 1250°C, The steel strip surface is partially melted,
Additionally, the edge of the steel strip melts due to overheating.
The reason why the steel strip melts even below 1250℃ is because
On the surface of the steel strip, the Si concentration is 14.5% or more, which is equivalent to Fe 3 Si.
It is presumed that this is due to the fact that it is vapor-deposited. On the other hand, if the processing temperature is below 1200℃, no melting will be observed on the surface of the steel strip, and overheating of the edges will be reduced to around 1220℃ by setting the average temperature at the center of the steel strip to 1200℃. It was experimentally confirmed that it is possible to suppress the amount of dissolution, and only a small amount of dissolution is required. For the above reasons, the CVD treatment temperature is specified as 1023°C to 1200°C. The steel strip S subjected to CVD treatment as described above is
Subsequently, the material is introduced into a diffusion furnace 3 and subjected to a diffusion treatment in a non-oxidizing gas atmosphere containing no SiCl 4 . That is,
Immediately after CVD treatment, the Si concentration is high near the surface of the steel strip, while the central portion remains at the base metal Si concentration, which must be soaked and diffused to achieve a uniform Si concentration. This diffusion treatment must be performed in a non-oxidizing atmosphere in order not to oxidize the surface of the steel strip, and the higher the temperature, the shorter the treatment time. This diffusion treatment may be performed at a constant temperature, but
As can be seen from the Fe-Si phase diagram in Figure 4, as the diffusion progresses, the Si concentration in the surface layer of the steel strip decreases and its melting point increases, so as the diffusion progresses, the Si concentration gradually increases to the extent that the steel strip does not melt. Diffusion can be promoted by heating (for example, heating in multiple steps). For example, in the case of 6.5% Si steel, it is possible to raise the temperature to 1400°C even if overheating of the edges is taken into account. After such a diffusion treatment, the steel strip S is cooled in a cooling furnace 4 and then rolled up. In the present invention, during this cooling, plastic working by rolling is performed in a warm state. FIG. 3 shows a specific structural example of a cooling furnace for this purpose. An intermediate chamber 8 is provided in the middle of the cooling furnace 4, and a skin pass mill 9 is disposed in this intermediate chamber 8. According to such equipment, the diffusion furnace 3
The steel strip S exiting the cooling furnace 4 is cooled to a warm state in the front cooling chamber 41, then rolled in a skin pass mill 9 in the intermediate chamber 8, and rolled up as it is in the warm state without final cooling. Alternatively, it may be subsequently cooled to room temperature in the rear cooling chamber 42 and then rolled up. As mentioned above, in the CVD process, Fe on the steel strip surface is dissipated in the form of FeCl 2 due to the vapor deposition reaction, and the thickness of the steel strip decreases. This tends to cause non-uniform Si vapor deposition, which causes variations in the thickness of the steel strip S in the width direction and longitudinal direction after the CVD treatment and diffusion treatment. Therefore, in the present invention, the steel strip S in a warm state is rolled (skin pass rolling or normal rolling) to make the plate thickness uniform.
Shape correction and surface roughness adjustment can also be performed by such rolling. Note that the rolling may be performed not with a light reduction such as skin pass rolling, but with a larger reduction (normal rolling) for the purpose of reducing the plate thickness. The object of the present invention is to manufacture a high-silicon steel strip, and therefore rolling is performed in a warm state where the temperature of the steel strip S is 200 to 600°C. Figure 16 shows Si after diffusion treatment.
This shows the relationship between the rolling temperature and elongation due to rolling of a steel strip with a concentration of 6.5%, and it can be seen that the desired plastic workability cannot be obtained when the steel strip temperature is less than 200°C. Steel strip S is usually rolled at room temperature to 300℃, and generally has a high Si content (for example,
4.0% or less), it is preferable to wind up relatively thick steel strips in a warm manner. Therefore, the steel strip S is cooled from a hot state to the above-mentioned temperature range in the cooling furnace 4, then subjected to plastic working by rolling, and then rolled up in the warm state, or when rolled up at room temperature. , After the above rolling, it is finally cooled down to room temperature in the latter stage of the cooling furnace.
Afterwards, it is rolled up. In the actual production line, a plate thickness gauge and a profile gauge are installed upstream of the mill, and the mill is controlled based on the detection of plate thickness and plate shape by these gauges. In order to increase the CVD processing speed to the point where continuous processing of steel strips is possible, it is necessary to optimize the SiCl 4 concentration in the atmospheric gas and the processing temperature as described above. By promoting the diffusion of SiCl 4 into the steel strip and the diffusion of FeCl 2 from the surface of the steel strip, it becomes possible to further increase the CVD processing speed. Conventionally, it has been believed that large flow of reactant gas during CVD processing will cause voids to occur in the deposited layer and reduce the purity of the deposited layer, so the idea has been to keep the gas flow to the minimum necessary. However, in the research conducted by the present inventors, due to the gas flow being suppressed in this way, the diffusion movement of the reaction gas to the base material interface and the separation of reaction by-products from the interface surface layer do not occur smoothly. It was found that the process required a long time, and furthermore, because the gas flow was suppressed, the concentration of the reactant gas in the CVD processing furnace was distributed, resulting in non-uniformity in the thickness of the deposited film. Based on these facts, we conducted further studies and found that by blowing atmospheric gas onto the treated material using a blowing nozzle in the CVD processing furnace, or by forcing the atmosphere to circulate using a fan, etc.
Diffusion of SiCl 4 onto the steel strip surface and reaction products
It significantly promotes the dissipation of FeCl 2 from the surface of the steel strip, achieving a high deposition rate while suppressing the non-uniformity of the deposited film.
It was found that CVD treatment was possible. A method in which atmospheric gas is sprayed onto the steel strip surface using a spray nozzle is particularly effective for improving CVD processability. Figure 5 shows the implementation status of this nozzle spraying method, in which a spray nozzle 5 is placed in the CVD treatment furnace 2 facing the steel strip S, and atmospheric gas containing SiCl 4 is sprayed onto the surface of the steel strip. . 6th
Figures A and B show the spraying conditions by the spray nozzle 5, and the spray can be applied perpendicularly to the steel strip surface as shown in A, or obliquely as shown in B. Si per unit time by such nozzle spraying
The enrichment rate increases in proportion to the increase in the flow velocity of gas impinging on the steel strip surface, but even if the flow velocity is increased excessively, the reaction rate at the interface becomes rate-determining, so no further Si enrichment effect can be expected. In general,
A sufficient effect can be obtained with a flow rate of 5 Nm/sec or less. Further, in the present invention, after the above-mentioned diffusion treatment, cooling, and plastic working by rolling, the steel strip can be continuously coated with an insulating film, and can be rolled up after the baking treatment. FIG. 2 shows a continuous processing line for this purpose, in which 6 is a coating device and 7 is a baking furnace. Electrical steel sheets are usually used in a laminated state, and in this case, each of the laminated steel sheets needs to be insulated. For this reason, electrical steel sheets are coated with an insulating film. A steel strip with a Si content of 4.0% or more is a brittle material at room temperature and hardly undergoes plastic deformation. For this reason, insulating film coating is applied by CVD.
If this is done on a separate line from the processing line, there is a risk that the steel strip will break during unwinding or unwinding of the coil.
Therefore, in the present invention, after plastic working by diffusion treatment, cooling, and rolling, an insulating paint is applied to the steel strip S in a coating device 6, and then a baking treatment is performed in a paint baking furnace 7. As the insulating paint, appropriate inorganic or organic paints can be used. Examples of inorganic paints include magnesium phosphate, chromic anhydride,
Silica sol etc. are used, and as the organic paint, plastic resin etc. are used. The paint is applied to the steel strip S using a roll coater method, spray method, etc.
Inorganic paints are baked at about 800°C, and organic paints are baked at about 200-300°C. Note that the heating furnace 1 performs non-oxidation heating, and for this reason, a heating method such as electric indirect heating, induction heating, radiant tube indirect heating, direct fire reduction heating, etc., may be used alone or in an appropriate combination. . Note that when using an indirect heating method, a pretreatment such as electric washing is performed prior to heating. For example, the following heating method including pretreatment can be adopted. Pretreatment - [Preheating] - Electric indirect heating (or induction heating) Pretreatment - [Preheating] - Radiant tube heating -
Electric indirect heating (or induction heating) [Preheating] - Direct flame reduction heating - Electric indirect heating (or induction heating) Pretreatment - [Preheating] - Radiant tube indirect heating (ceramic radiant tube method) [Preheating] - Direct flame reduction heating Further, there is no particular limitation on the cooling method used in the cooling furnace 4, and various cooling methods such as gas jet cooling, mist cooling, radiation cooling, etc. can be employed alone or in combination. As mentioned above, the present invention is suitable for manufacturing steel strips with extremely high silicon content, such as 6.5%Si steel strips, but conventionally, when manufacturing by rolling method, there are many deformations. Si with poor yield: 2 to 4
It has the advantage of being able to easily produce steel strips with a high silicon content of about 10%. [Example] ΓExample 1 Using a small CVD processing furnace-diffusion processing furnace, CVD
The effects of SiCl 4 concentration and CVD treatment temperature on processability were investigated. The results are shown in FIGS. 7 and 8. In the figure, A is the atmosphere method, that is, CVD treatment without nozzle spraying, and B is the nozzle spraying method, that is, as shown in Figure 5, atmospheric gas is sprayed onto the steel strip surface at a flow rate of 0.5 m/S. This shows the case of CVD treatment. Note that the Si enrichment ratio is the difference between the initial Si concentration of the base material after CVD treatment and diffusion treatment.
Shows the increase in Si. According to this, a large Si enrichment effect is obtained when the SiCl 4 concentration is 5% or more and the CVD treatment temperature is 1023° C. or more. Also, even under the same conditions, the method of spraying atmospheric gas with a spray nozzle produces much better Si than the method of simply threading the steel strip in the atmosphere.
It can be seen that an enrichment effect (CVD processability) is obtained. Figure 9 shows the relationship between the deposition time and Si concentration in the steel strip (Si concentration after diffusion treatment) for atmosphere method A and nozzle spraying method B using a similar CVD treatment furnace-diffusion treatment furnace.
This study investigated the case where a steel strip with Si: 3% and a plate thickness of 0.5 mm was subjected to CVD treatment at a SiCl 4 concentration of 21% and a treatment temperature of 1150°C. In addition, in the nozzle spraying method, a slit nozzle is used to spray the steel strip from the perpendicular direction.
Atmospheric gas was blown at a flow rate of 0.2 Nm/sec. As can be seen from the figure, it takes 7 minutes to obtain 6.5% Si steel using the atmosphere method A, while the nozzle spraying method B
I was able to process it in 1.5 minutes. FIG. 10 shows the magnetic properties of the steel strips obtained in this way, and good results were obtained in all cases. Figure 11 shows the relationship between the collision gas flow velocity and the Si enrichment ratio of the steel strip (the ratio after diffusion treatment) in the nozzle blowing method. The enrichment rate is increasing. Γ Example 2 In a process line that incorporates the skin pass mill shown in Figure 3 into the continuous process shown in Figure 1, a steel strip containing 3.5% Si with a thickness of 0.33 mm is used as the base material, and a 25 mpm
With line speed, target plate thickness 0.30mm, width
A 900 mm steel strip containing 6.5% Si was produced. At this time, steel strips were manufactured under the following four conditions. A) CVD treatment is performed in an atmosphere of 80% Ar and 20% SiCl 4 without skin pass rolling. B) Perform the same CVD treatment as in A and perform skin pass rolling. C) CVD treatment was performed on the steel strip using a nozzle spraying method with a reactive gas of 80% Ar and 20% SiCl 4 at 0.3 Nm/sec.
The rolling process is carried out by colliding the gas at a gas flow rate of D) CVD treatment was performed in the same manner as in C), and skin pass rolling was performed. Table 1 shows the results of measuring the plate thickness deviation (increase/decrease from the target plate thickness) and surface roughness for the samples in each of these cases, and shows that the plate thickness is accurate and uniform by skin pass rolling. It is clear that it has changed.
【表】
Γ実施例 3
第1図に示す連続プロセスで板厚0.35mm、板幅
900mm、Si:3.5%含有鋼帯を母材とし、ラインス
ピード25mpmでSi:6.5%含有鋼帯を製造した。
なお、CVD処理炉では、吹付ノズル方式により、
ArをキヤリアガスとしたSiCl4濃度20mol%の雰
囲気ガスを、鋼板に対し0.3Nm/secのガス流速
で吹き付けた。
第12図はこの場合の熱サイクルを示すもの
で、本実施例では拡散処理時に1200℃から1320℃
の2段昇熱を実施した。この結果、W10/50:
0.55W/Kgという極めて低鉄損の良質な6.5%Si鋼
帯を製造できた。
[発明の効果]
以上述べた本発明によれば連続ラインにおいて
短時間でCVD処理を行うことができ、また1200
℃以下の温度でCVD処理を行うため鋼帯の形状
不良やエツジ部溶解等の問題を生じさせることが
なく、しかも均一な板厚の鋼板を得ることがで
き、このためラインの長大化を招くことなく高品
質の高珪素鋼板を能率的に製造することができ
る。[Table] ΓExample 3 The continuous process shown in Fig. 1 resulted in a plate thickness of 0.35 mm and a plate width of 0.35 mm.
Using a 900 mm steel strip containing 3.5% Si as a base material, a steel strip containing 6.5% Si was manufactured at a line speed of 25 mpm.
In addition, in the CVD processing furnace, the spray nozzle method
An atmospheric gas with a SiCl 4 concentration of 20 mol % using Ar as a carrier gas was blown onto the steel plate at a gas flow rate of 0.3 Nm/sec. Figure 12 shows the thermal cycle in this case. In this example, the temperature was 1200℃ to 1320℃ during the diffusion process.
A two-stage heating process was carried out. This results in W 10/50 :
We were able to produce high-quality 6.5% Si steel strip with an extremely low core loss of 0.55W/Kg. [Effects of the Invention] According to the present invention described above, CVD treatment can be performed in a short time on a continuous line, and
Since CVD treatment is performed at temperatures below ℃, there are no problems such as poor shape of the steel strip or melting of edges, and it is possible to obtain steel sheets with uniform thickness, which can lead to longer lines. High-quality high-silicon steel sheets can be efficiently manufactured without any problems.
第1図及び第2図はそれぞれ本発明法を実施す
るための連続処理ラインを示す説明図である。第
3図は第1図及び第2図における冷却炉の具体的
構成例を示す説明図である。第4図はFe−Si系
状態図である。第5図及び第6図イ,ロはノズル
吹付方式によるCVD処理状況を示すもので、第
5図は全体説明図、第6図イ及びロはそれぞれノ
ズル吹付方法を示す説明図である。第7図は
CVD処理におけるガス中SiCl4濃度と鋼帯Si富化
割合との関係、第8図はCVD処理温度と鋼帯Si
富化割合との関係をそれぞれ示すものである。第
9図は本発明におけるSi蒸着時間と鋼帯中Si濃度
との関係を、雰囲気法及びノズル吹付法で比較し
て示したものである。第10図は本発明法により
得られた鋼帯の磁気特性を雰囲気法によるものと
ノズル吹付法によるもので比較して示したもので
ある。第11図はノズル吹付法によるCVD処理
において、雰囲気ガスの鋼帯に対する衝突ガス流
速と鋼帯Si富化割合との関係を示すものである。
第12図は本発明実施例における熱サイクルを示
すものである。第13図ないし第15図は本発明
材及び比較材たる鋼帯断面の金属組織を示す顕微
鏡拡大写真であり、第13図はSiCl4:20%の雰
囲気でCVD処理した直後の組織、第14図はそ
の鋼帯を拡散熱処理した後の組織、第15図は
SiCl4:40%でCVD処理し、その後拡散処理した
後の組織を示している。第16図は拡散処理後の
鋼帯の圧延温度と圧延による伸びとの関係を示す
ものである。
図において、1は加熱炉、2はCVD処理炉、
3は拡散処理炉、4は冷却炉、6はコーテイング
装置、7は焼付炉、9はスキンパスミル、Sは鋼
帯である。
FIGS. 1 and 2 are explanatory diagrams showing continuous processing lines for carrying out the method of the present invention, respectively. FIG. 3 is an explanatory diagram showing a specific example of the configuration of the cooling furnace shown in FIGS. 1 and 2. FIG. FIG. 4 is a phase diagram of the Fe-Si system. 5 and 6A and 6B show the CVD treatment situation using the nozzle spraying method. FIG. 5 is an overall explanatory diagram, and FIGS. 6A and 6B are explanatory diagrams showing the nozzle spraying method, respectively. Figure 7 is
The relationship between the SiCl 4 concentration in the gas and the steel strip Si enrichment ratio in CVD treatment, Figure 8 shows the relationship between the CVD treatment temperature and the steel strip Si enrichment rate.
This shows the relationship with the enrichment ratio. FIG. 9 shows a comparison of the relationship between the Si vapor deposition time and the Si concentration in the steel strip in the present invention using the atmosphere method and the nozzle spraying method. FIG. 10 shows a comparison of the magnetic properties of steel strips obtained by the method of the present invention, those obtained by the atmosphere method and those obtained by the nozzle blowing method. FIG. 11 shows the relationship between the flow velocity of the atmospheric gas colliding with the steel strip and the Si enrichment ratio of the steel strip in the CVD treatment using the nozzle spraying method.
FIG. 12 shows a thermal cycle in an embodiment of the present invention. Figures 13 to 15 are microscopically enlarged photographs showing the metal structures of cross-sections of steel strips of the present invention material and comparative material. The figure shows the structure of the steel strip after diffusion heat treatment, and Figure 15 shows the structure of the steel strip after diffusion heat treatment.
The structure is shown after CVD treatment with SiCl 4 :40% and subsequent diffusion treatment. FIG. 16 shows the relationship between the rolling temperature of the steel strip after the diffusion treatment and the elongation due to rolling. In the figure, 1 is a heating furnace, 2 is a CVD processing furnace,
3 is a diffusion treatment furnace, 4 is a cooling furnace, 6 is a coating device, 7 is a baking furnace, 9 is a skin pass mill, and S is a steel strip.
Claims (1)
無酸化性ガス雰囲気中で、化学気相蒸着法により
1023〜1200℃の温度で連続的に滲珪処理し、次い
で、SiCl4を含まない無酸化性ガス雰囲気中でSi
を鋼帯内部に略均一に拡散させる拡散処理を施
し、続く冷却過程の途中において鋼帯を600〜200
℃で圧延により塑性加工することを特徴とする連
続ラインにおける高珪素鋼帯の製造方法。 2 鋼帯を、SiCl4をmol分率で5〜35%含んだ
無酸化性ガス雰囲気中で、化学相蒸着法により
1023〜1200℃の温度で連続的に滲珪処理し、次い
で、SiCl4を含まない無酸化性ガス雰囲気中でSi
を鋼帯内部に略均一に拡散させる拡散処理を施
し、続く冷却過程の途中において鋼帯を600〜200
℃で圧延により塑性加工し、次いで絶縁皮膜コー
テイング及び焼付処理することを特徴とする連続
ラインにおける高珪素鋼帯の製造方法。[Claims] 1. A steel strip is processed by chemical vapor deposition in a non-oxidizing gas atmosphere containing 5 to 35% SiCl 4 by mole fraction.
Continuous silicon exfoliation treatment at a temperature of 1023-1200℃, then Si in a non-oxidizing gas atmosphere without SiCl4
During the subsequent cooling process, the steel strip is heated to a temperature of 600 to 200
A method for producing a high-silicon steel strip on a continuous line, characterized by plastic working by rolling at °C. 2 A steel strip is processed by chemical phase deposition in a non-oxidizing gas atmosphere containing 5 to 35% SiCl 4 by mole fraction.
Continuous silicon exfoliation treatment at a temperature of 1023-1200℃, then Si in a non-oxidizing gas atmosphere without SiCl4
During the subsequent cooling process, the steel strip is heated to a temperature of 600 to 200
1. A method for producing a high-silicon steel strip in a continuous line, characterized by plastic working by rolling at ℃, followed by insulation coating and baking treatment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7148786A JPS62227080A (en) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | Manufacture of high silicon steel strip in continuous line |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7148786A JPS62227080A (en) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | Manufacture of high silicon steel strip in continuous line |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62227080A JPS62227080A (en) | 1987-10-06 |
| JPH0549747B2 true JPH0549747B2 (en) | 1993-07-27 |
Family
ID=13462061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7148786A Granted JPS62227080A (en) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | Manufacture of high silicon steel strip in continuous line |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62227080A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH697933B1 (en) * | 2005-11-03 | 2009-03-31 | Tetra Laval Holdings & Finance | Method and apparatus for coating plastic films with an oxide layer. |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5142222B2 (en) * | 1971-06-03 | 1976-11-15 | ||
| JPS4893522A (en) * | 1972-03-13 | 1973-12-04 | ||
| JPS5011942A (en) * | 1973-06-08 | 1975-02-06 | ||
| GB1520404A (en) * | 1975-09-29 | 1978-08-09 | Xerox Corp | Liquid development of electrostatic charge patterns |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP7148786A patent/JPS62227080A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62227080A (en) | 1987-10-06 |
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