JPH05502079A - 静電動作可能な超小形ポンプ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称 起生形ポンプ 本発明は、請求項１の前文部分に記載するように、重ねて配置され、相互に接続 する少なくとも第１のポンプボディと第２のポンプボディを含んで構成される起 生形ポンプに関し、前記ポンプボディの少なくとも一方のポンプボディは、少な くとも部分的に半導体材料で構成され、２つのポンプボディは、互いに絶縁され た導電性領域を有する。

Ａ、　Ｒｉｃｈｔｅｒ及びＨ，ＳａｎｄｍａｉｅｒによるｒＡｎ　Ｅｌｅｃｔｒ ｏｈｙｄｒｏｄｙｎａｍｉｃＭｉｃｒｏｐｕｍｐｏＪ　ＩＥＥＥ　ｈ（ＥＭＳ− ９０，１９９０年２月１２日−１４日、Ｎａｐａ　Ｖａｌｌｅｙ。

Ｃａ１ｉｆｏｒｎｉａ、　［Ｊ、Ｓ、Ａ、にこのような起生形ポンプが開示され ている。

専門家会議で配布された上記技術刊行物により公知のこの起生形ポンプは、本件 出願人のドイツ特許出願Ｐ３９２５７４９．５−３２において開示された起生形 ポンプと同一のものである。この公知の起生形ポンプは、電気流体力学噴射ポン プであり、汲み上げ方向に離れて位置するそのポンプボディは、表面を金属被覆 されたグリッド形半導体電極として構成される。このポンプにおいて、２つのグ リッド形電極の一方が、汲み上げられるガス又は液体内にイオンを注入するもの であり、絶縁が必要である。汲み上げられるガス又は液体に対するイオンの運動 により、汲み上げ効果か生じてこの公知の静電ポンプはどんな運動部品も必要と せずに機能できるー。

しかしながら、前記公知のポンプは、水溶液或いは他の導電性媒体の汲み上げ又 は供与には適さない。

別個の作動原理による起生形ポンプの作動については、Ｆ、　Ｃ，Ｕ。

ｖａ口ｄｅ　Ｐｏ１ｆ也による、１９８９年６月２５日−３０日のスイス国モン トレーでの５ｏｌｉｄ−３ｔａｔｅ　５ｅｎｓｏｒｓ　ａｎｄ　Ａｃｔｕａｔｏ ｒｓ　＆　Ｅｕｒｏｓｅｎｓｏｒｓ　ｍ第５回国際会議の会議報告ｒＴｒａｎｓ ｄｕｃｅｒｓ　’８９　ＪのｒＡ　Ｔｈｅｒｍｏｐｎｅ−ｕｍａｔｉｃ　Ｍｉｃ ｒｏｐｕｍｐ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　Ｍｉｃｒｏ−Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　Ｔｅ ｃｈｎｉｑｕｅｓＪ　により知られている。このポンプの場合、加熱抵抗器がダ イアフラムで閉塞されたガス充填チャンバ内に配置される。ガスの容積は、加熱 抵抗器を加熱・冷却することにより増減できる。このように、チャンバのダイア フラムは電気的に作動できる。汲み上げられた液体を含んだチャンバは、加熱抵 抗器から離れて向き合うダイアフラム側に配置され、このチャンバは出口側と同 様に入口側で逆止弁により閉塞される。これはダイアフラムの運動によりチャン バ内に入れられた液体が汲み上げられることを意味する。この公知のポンプは、 ５つの異なるサンドイッチ構造で構成されており、これらのサンドイッチ構造は 、起生形ポンプを形成するために結合する前に個別の製造工程で製造しなければ ならない。このため、この起生形ポンプは、高額の製造費用がかかる。更にまた 、この起生形ポンプは、比較的大きな寸法と約２ワツトのパワー消費量を有する か、その搬送能力は約数マイクロリットル７分と低い。

Ｍ、ＥｓａｓｈｉによるｒＮｏｒｍａｌｌｙ　Ｃ１ｏｓｅｄ　Ｍｉｃｒｏｖａｌ ｖｅ　ａｎｄ　ＭｉｃｒｏｐｕｍｐＦａｂｒｉｃａｔｅｄ　ｏｎ　ａ　５ｉｌｉ ｃｏｎ　Ｗａｆｅｒ　Ｊ　、５ｅｎｓｏｒｓ　ａｎｄ　Ａｃｔｕａｔｏｒｓ　第 ２０巻、　１９８９年、１６３頁−１６９頁に、上記起生形ポンプの作動原理と は別の圧電型作動原理によるダイアフラム型超小形ポンプの作動か開示されてい る。この公知のポンプは本質的に、プレート型バルブシートガラス構造と接続す るダイアフラム構造と接着継手を介して接続する圧電型作動部材を含んで構成さ れる。このポンプは、圧電型作動要素を制置するために約１００■の高い動作電 圧を必要とするだけではなく、２０Ｘ２０Ｘ１０ｍｍの寸法を有し、使用する場 合において過大なスペースを占める。

Ｔ、　０ｈｎｓｔｅｉｎｉ：よるｌｌｌｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ　５ｉｌｉｃ ｏｎ　Ｍｉｃｒｏｖａｌｖｅ」。

Ｐｒｏｃｅｅｄｉｒ＋ｇｓ　ｒＥＥＥ、１９９０年２月１１日−１４日、Ｎａｐ ａ　Ｖａｌｌｅｙ。

Ｃ’ａｌｉｆｏｒｎｉａ、　ｔｌ、ｓ、Ａ、には、電気的に制御可能な方法でガ スの流れを調節するための静電動作可能なシリコンマイクロバルブが開示されて いる。このマイクロバルブは、上部に誘電体層が配置された注入開口を育するシ リコン基板で構成され、前記誘電体層は可動カバープレートと一体である。カバ ープレートは第１！極表面を取り囲み、第１電極表面は、誘電体層内において第 ２電極表面と向き合う位置に配置される。適宜な制御電圧を印加すると、常開の バルブは閉状態になる。

この公知技術に比較して、本発明は既に述べたような起生形ポンプを、高度の小 形化かでき且つ低いパワー消費量を育するポンプとして、大量の連続製造に適し た技術で製造できるように、更に改良するための課題に基づいてなされた。

請求項１の前文部分の起生形ポンプにおいて、この課題は請求項１の特徴部分に 開示された特徴により解決される。

本発明による起生形ポンプにおいて、２つのポンプボディの少なくとも一方のポ ンプボディか、少なくとも１つの、好ましくは複数の、逆上弁を配置した薄い可 撓性ダイアフラム状領域を有する。各逆上弁は、薄い可撓性ダイアフラム状領域 と一体に形成されて、カバープレートと共に注入開口を有する。前記カバープレ ートは前記注入開口と向き合う位置に配置されて、前記注入開口を覆い、前記カ バープレートの狭側部の１つは、薄い可撓性ダイアフラム状領域と一体である。

薄い可撓性ダイアフラム状領域が、２つのポンプボディの一方のポンプボディの 導電性領域を少なくとも部分的に有するのに対して、他方のポンプボディの導電 性領域は、薄い可撓性ダイアフラム状領域の表面寸法に比例して、前記薄い可撓 性ダイアフラム状領域かられずかに離れて配置される。

このように創作された本発明による起生形ポンプの一体化されたダイアフラム− バルブ−ポンプ構造は、半導体技術分野における製造技術により製造することか できる。

本発明による起生形ポンプに特有の利点は、２つのポンプボディのうち少なくと も一方のポンプボディの背面が電気絶縁された時に、このポンプは水溶液或いは 導電性溶液、とりわけ医薬、バイオテクノロジーの分野で生産される種類の液体 を汲み上げ、また、供与するのに使用できることから明らかである。このため、 本発明によるポンプは、任意の液体医薬を投与するための体内適用方式に関して 特に重要である。この適用方式は、本発明により達成されたポンプの起生形化の 程度に基づいて初めて可能となる。

本発明による起生形ポンプの更に別の重要な利点は、その製造工程によりセンサ と電気制証要素を一体化して１つのマイクロシステムを形成できることから明ら かである。

本発明による起生形ポンプの更に好ましい改良は、従属項に開示される。

以下に、本発明の好ましい実施例を、添付図面を参照して詳細に説明する。

第１図は、本発明による起生形ポンプの第１の実施例を示す縦断面図である。

第２図は、ダイアフラム内のバルブ構造の斜視図であり、複数のこのようなバル ブ構造が第１図のポンプ内に含まれる。

第３図から第６図は、本発明による起生形ポンプの第２の実施例から第５の実施 例の縦断面図である。

第１図に示される本発明による液体又はガスを汲み上げる起生形ポンプの実施例 の全体を参照符号ｌで示す。この実施例は、第２のポンプボディ３の上面に配置 されて、この第２のポンプボディ３にしっかりと接続される第１のポンプボディ ２を含んで構成される。ポンプボディ２，３はともにシリコンからなる。ポンプ ボディ２，３の上面には、約１〜５マイクロメータの厚さの窒化シリコン層４， ５が設けられる。各ポンプボディ２，３には、後部エツチング開口の写真平版の 限定により形成され、また、この後の異方性エツチングにより形成される後部リ セス６．７が夫々設けられる。周知のように、このシリコンの異方性エツチング は、例えば約３０％の水酸化カリウム溶液を使用して行われる。円錐台形状の後 部リセス６．７により、薄い可撓性ダイアフラム状領域８．９がポンプボディ２ ，３内に定められる。本実施例の場合、前記の薄い可撓性ダイアフラム状領域は 、シリコンダイアプラム１０．１１とこのシリコンダイアフラムの上面に位置す る窒化シリコン層４．５で構成される。

窒化シリコン層４．５として以下に述べる各署は、夫々、第２図から明らかなよ うに、１００から３００ｎｍ厚さの熱酸化層４ａ、４００から１１０００ｎ厚さ の第１窒化シリコン下層４ｂ及び４００から２０００ｎｍ厚さの第２窒化シリコ ン下層４Ｃからなる連続層を含んで構成されるのが好ましい。

フィールド状配列で配置される複数の逆止弁１２．１３が、夫々、薄い可撓性ダ イアフラム状領域８．９内に配置される。その構造は、第２図を参照して下記に 詳細に説明する。

第１のポンプボディ２の背面は、中間耐熱ガラス層１４により静電接着で、第２ のポンプボディ３の上面酸化層５ａに接続される。

ポンプボディ２，３は互いに接着することもできる。電気絶縁するために、第２ のポンプボディ３にはその後部に熱酸化層１５が設けられる。この熱酸化層１５ は、第２のポンプボディ３の窒化シリコンｌ１ｆ５とともに第２のポンプボディ ３を完全に取り囲む電気絶縁体を形成する。２つの交流電圧電位か、第１のオー ム接点１６を介して第１のポンプボディ２に、第２のオーム接点１７を介して第 ２のポンプボディ３に印加される。印加された交流電圧により発生した静電力の ため、ポンプｌの薄い可撓性ダイアフラム状領域８，９は互いに向き合う面を振 動させる。印加された交流電圧の周波数は、２つのダイアフラム状領域８．９の 初めの基本機械振動と一致するように選択するのか好ましい。ダイ了フラムか持 ち上かり、結果的に適当な周波数と電圧値を選択することによりポンプｌの汲み 上げ量を正確に調整できることになる。

第２図は、第１図によるポンプｌに設けられた逆止弁１２の斜視図である。第２ 図に詳細に示されるように、逆止弁１２は窒化シリコン層４とノリコンダイアフ ラム１０を含んで構成される薄い可撓性ダイアフラム状領域８内に位置する。逆 止弁１２は、窒化シリコン層４の下端面に配置される例えば２５　Ｘ　６０マイ クロメータの横断面を有する注入開口１８を有する。注入開口１８は、異方性エ ツチングで製造される後部リセス１９を介して、第１のポンプボディ２の後部リ セス６と連通ずる。

窒化シリコン層４の中央平面には、平坦リセス２０が注入開口１８を中心として 配置される。薄い可撓性ダイアフラム状領域８を上面側から見た時に本質的にＵ 形状である境界リセス２１は、垂直方向に平坦リセス２０まで下方に延伸して、 カバープレート２２を形成する。カバープレート２２は、窒化シリコン層４と一 つの狭側部２３で一体になるのに対して、他の狭側部２４．２５．２６は境界リ セス２１に面している。このように、カバープレート２２は注入開口１８の上方 で中心を合わせて位置し、注入開口１８から例えば１マイクロメータのわずかな 距離だけ離れて位置する。カバープレート２２には固有の弾性かあるため、背面 から流体圧力が作用する場合、カバープレート２２はその固有の弾性により、注 入間口１８から離れる方向に曲がる結果、注入開口１８が開くのに対し、流体圧 力か窒化シリコン層４上面から作用する場合、カバープレート２２は注入開口１ ８に上から接触して注入開口は閉じる。従って、カバープレート２２は注入開口 １８とともに逆止弁１２を形成する。

第１図及び第２図に示される本発明によるポンプ１を製造するには、まず、第１ の窒化層４ｂを熱的に酸化したシリコンウェーハの酸化層４ａに形成した後に、 注入開口１８を形成するための窓形状リセスを写真平版エツチング処理で、前記 第１の窒化Ｍ４ｂにエツチングする。充分なマスクにより、犠牲層が注入開口１ ８内及び後に平坦リセス２０となる領域内に形成され、前記犠牲層は４００から ２ＱＯＯｎｍ、好ましくは１１０００ｎの厚さを有し、例えば、ＰＢＳＧ又は金 属て構成される。この構造は、第２図に示される第２の窒化層４Ｃにより被覆さ れる。付加的な写真平版処理において、境界リセス２１か定められてエツチング される。付加的なエツチング処理において、犠牲層は選択エツチング処理により 取り除かれるか、窒化層はこのエツチング処理でエツチングされない。この後、 後部リセス６か、また、それに続いて後部リセス１９が二段階の写真平版処理及 びエツチング処理により定められてエツチングされる。半導体ポンプボディの絶 縁が必要な場合、このような絶縁はシリコンの熱酸化により得ることができる。

絶縁を得るための他の可能性としては、化学蒸着或いはスパッタリングによる絶 縁材料の塗布がある。

上記記載の方法から逸脱するか、犠牲層を選択的にエツチングする方法ステップ は、また、後部リセス１９及び注入開口１８のエツチング後に行うことができる 。

中間耐熱ガラス層１４を貼り付けることによって、第１のポンプボディ２の背面 は静電接着により第２のポンプボディ３の上面の窒化シリコン層５に接続される 。

第１図に示される構造の本発明による静電ポンプを低い交流電圧で作動するには 、２つのダイアフラム状領域８と９との間の相互距離を、前記ダイアフラム状領 域８及び９の横方向寸法よりはるかに小さくする必要がある。シリコンウェーハ は、通常、約５００マイクロメータの厚さを有する。しかしながら、本発明によ る第１図に示された実施例のポンプｌを低電圧で作動可能にするには、第１のポ ンプボディ２の厚さを少なくとも５から２０マイクロメータの好ましい厚さに低 減する必要かある。

以下に、本発明による第２実施例から第５実施例を第３図から第６図を参照して 詳細に説明する。以下に記載する相違点以外については、これらの実施例は、第 １図及び第２図による実施例と一致するので、同一または頭領の部分或いは製造 方法を新たに説明することは省略する。

第３図に示される本発明によるポンプの第２実施例において、第１のポンプボデ ィ２は、横方向通路が下部表面に設けられる意思外は、第１図及び第２図各々に よる第１実施例の第１のポンプボディ２と全く同一である。

しかしなから、第２のポンプボディ３は、ここでは平坦なシリコンボディ２８で あって、このシリコンボディ２８はその上部に酸化耐熱ガラス層５ａが設けられ 、また、単に第１のポンプボディ２のダイアフラム状領域８に対する逆電極の機 能を果たすだけである。ポンプが、慣性により連続して流れる状態を維持する液 体を搬送するのに使用される場合、第１のポンプボディ２の薄い可撓性ダイアフ ラム状領域８か振動する時は、汲み上げ効果を達成するのに少なくとも第２の逆 止弁セットは省略できることは当業者には自明である。

一方、第４図の第３実施−例では、第２ポンプボデイ３は第１図による第１実施 例の第２ポンプボデイ３と実質的に同一である。

しかし、第４図の本発明によるポンプ１の第３実施例では、第１電極領域２９に 代えられている。この剛性の逆電極領域２９は、第４図の実施例においては、後 部リセス３０が、第１のポンプボディ２のシリコンウェーハの背面に対する後部 リセス３０の深さか５から２０マイクロメータの所望の電極間隔とのみ一致する ように、異方性エツチング処理によって前記第１のポンプボディ２内にエツチン グされることにより形成される。本実施例においては、シリコンウェーハの厚さ は、電極間隔の大きさと無関係なので、従って、約５００マイクロメータという 本来のシリコンウェーハ厚さに維持できる。

本発明によるポンプｌの第４実施例を示す第５図の実施例は、第１のポンプボデ ィに関する限り第４図の第３実施例と一致する。

第２のポンプボディ３はその薄い可撓性ダイアフラム状領域９内に窒化シリコン 層５だけを構成し、窒化シリコン層５内には周囲を窒化ソリコン層５で取り囲ま れるように金属電極層３１が埋め込まれる。前記窒化シリコン層５内の金属電極 層は、逆止弁１３の領域内に電極開口３２を存して、カバープレート２２の運動 か、印加された制御電圧に依存しないようにする。

本発明によるポンプ１の第５実施例は、第２のポンプボディ３に面した第１のポ ンプボディ２の背面が、後部リセス１９を無視して略平坦である点に関して、第 ５図による第４実施例とは相違する。第４図の第３実施例の場合の第１のポンプ ボディ２の後部スペーソングリセス３０の代わりに、第２のポンプボディ３には 前部スペーシングリセス３−３か設けられる。前部スペーシングリセス３３は、 異方性エツチングにより、また、第２のポンプボディの薄い可撓性ダイアフラム 状領域９を、前記第２のポンプボディの背面に向かって所望の電極間隔だけ移動 させることにより形成される。第４図による実施例と同様に、第６図による第５ 実施例は、ウェーハ厚さが所望の電極間隔に依存しないという利点がある。

第１図から第６図に示されるポンプ構造とは別に、高いポンプ圧力の場合或いは バルブに作用する圧力を低減する必要かあると考えられる場合には、２個より多 いポンプボディを重ねて配置することができる。

全てのポンプボディの優先材料として使用するのに好ましいシリコンの代わりに 、一方のポンプボディたけをシリコンから或いは他の半導体材料から作り、他方 のポンプボディを他の適宜な材料から作ることもできる。とりわけ、第３図によ る実施例では、電極として使用するために適用されるどんな材料も、第２のポン プボディ３に使用できる。

実施例に示されるように、２つのポンプボディ２．３のうちポンプボディ３の導 電性半導体領域だけが、完全に取り囲む絶縁層５．１５によって汲み上げられる 液体から電気絶縁される。完全な電位絶縁か必要な場合は、同様の方法で第２の ポンプボディを絶縁することもできることはいうまでもない。

国際調査報告 国際調査報告

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．重ねて配置され、互いに接続する第１及び第２のポンプボディ（２、３）を 少なくとも含んで構成され、前記ポンプボディ（２、３）の少なくとも一方のポ ンプボディ（２）が、少なくとも部分的に半導体材料で構成され、前記ポンプボ ディ（２、３）が、互いに電気絶縁された導電性領域を有する超小形ポンプにお いて、 ２つのポンプボディ（２、３）の少なくとも一方のポンプボディが、薄い可撓性 ダイアフラム状領域（８、９）を有し、少なくとも１つの逆止弁（１２、１３） が前記薄い可撓性ダイアフラム状領域（８、９）内に配置され、前記逆止弁は前 記薄い可撓性ダイアフラム状領域（８、９）と一体に形成されてカバープレート （２２）とともに注入開口（１８）を有し、前記カバープレートは、前記注入開 口を覆い、その狭側部（２３、２４、２５、２６）のうちの１つの狭側部（２３ ）の位置で前記薄い可撓性ダイアフラム状領域と一体であり、 前記薄い可撓性ダイアフラム状領域（８、９）は、少なくともポンプボディの導 電性領域部分を有し、他方のポンプボディの導電性領域は、薄い可撓性ダイアフ ラム状領域の表面寸法と比例して、薄い可撓性ダイアフラム伏領域からわずかに 離れて配置されること を特徴とする超小形ポンプ。 ２．ポンプボディ（２、３）の少なくとも一方のポンプボディの導電性領域が、 その周囲を電気絶縁層（５、１５）で取り囲まれること を特徴とする請求項１に記載の超小形ポンプ。 ３．薄い可撓性ダイアフラム状傾域（８）を有し、部分的に半導体材料で構成さ れる第１のポンプボディ（２）が、内部に逆止弁を形成された上面誘電体層（４ ）及び異方性エッチングにより製造されて薄い可撓性ダイアフラム状領域（８） を形成する後部リセス（６）を備えること を特徴とする請求項１または２に記載の超小形ポンプ。 ４．第１のポンプボディ（２）が、異方性エッチングにより作られ、後部リセス （６）とともに薄い可撓性ダイアフラム状領域（９）を形成する前部スペーシン グリセス（３３）を付加的に備え、 前面誘電体層（５）が前記前部スペーシングリセス（３３）内に配置されること を特徴とする請求項３に記載の超小形ポンプ。 ５．誘電体層（４、５）が窒化シリコン層または熱酸化・窒化シリコン層である こと を特徴とする請求項３または４に記載の超小形ポンプ。 ６．逆止弁（１２、１３）の注入開口（１８）が、薄い可撓性ダイアフラム状領 域（８、９）の前面に関して離れて延伸する誘電体層（４、５）の平面内に位置 し、 注入開口（１８）は、異方性エッチングにより形成された後部リセス（１９）を 介して後部リセス（６）と連通することを特徴とする請求項３から５のいずれか １つに記載の超小形ポンプ。 ７．平坦リセス（２０）がカバープレート（２２）と注入開口（１８）との間に 設けられ、前記カバープレート（２２）は前記平坦リセス（２０）により前記注 入開口（１８）から離れて位置し、 薄い可撓性ダイアフラム状領域（８、９）の上面側からみた時に本質的にＵ形状 であり、平坦リセス（２０）まで下方に延伸する境界リセス（２１）が、カバー プレート（２２）が薄い可撓性ウイアフラム状領域（８、９）と一体にはならな い位置で、前記カバープレートの狭側部（２４、２５、２６）を限定することを 特徴とする請求項６に記載の超小形ポンプ。 ８．導電性領域の周囲を取り囲む電気絶縁層が、一方では前面誘電体層（５）で 、他方では後部絶縁層（１５）で形成されること を特徴とする請求項２に直接、間接に従属する請求項３から７のいずれか１つに 記載の超小形ポンプ。 ９．後部絶縁層が、ポンプボディ（２、３）の半導体材料の熱酸化物で形成され ること を特徴とする請求項８に記載の超小形ポンプ。 １０．後部絶縁層が、蒸着処理でポンプボディ（２、３）の背面に化学的に塗布 される絶縁体で形成されることを特徴とする請求項８に記載の超小形ポンプ。 １１．後部絶縁体が、スパッタリングによりポンプボディ（２、３）の背面に塗 布される絶縁材料で形成されることを特徴とする請求項８に記載の超小形ポンプ 。 １２．２つのポンプボディ（２、３）が本質的にシリコンで構成されること を特徴とする請求項１から１１のいずれか１つに記載の超小形ポンプ。 １３．２つのポンプボディ（２、３）が、静電接着により中間耐熱ガラス層（１ ４）を介して互いに接続することを特徴とする請求項１から１２のいずれか１つ に記載の超小形ポンプ。 １４．ポンプボディ（２、３）のいずれか一方のポンプボディの導電性領域が、 誘電体層（５）内に埋め込まれ、逆止弁（１２、１３）の領域内の電極開口（３ ２）を備えた金属電極層（３１）で形成されること を特徴とする請求項３に直接、間接に従属する請求項３から１３のいずれか１つ に記載の超小形ポンプ。 １５．ポンプボディのいずれか一方のポンプボディが、薄い可撓性ダイアフラム 状領域（９）を備え、 他方のポンプボディ（２）の導電性領域は、前記ポンプボディ（３）の薄い可撓 性ダイアフラム状領域（９）に近接する位置まで延伸すること を特徴とする請求項１から１４のいずれか１つに記載の超小形ポンプ。 １６．一方のポンプボディの誘電体層（５）が、ポンプボディの表面上方を、平 面として延伸し、 他方のポンプボディ（２）には、異方性エッチングにより形成され、ポンプボデ ィ（３）と向き合うポンプボディ背面部に位置するスペーシングリセス（３０） が備えられることを特徴とする請求項１５に記載の超小形ポンプ。 １７．ポンプボディ（３）と向き合う他方のポンプボディ（２）の背面が本質的 に平坦であり、 前記ポンプボディ（３）の前部リセス（３３）は、薄い可撓性ダイアフラム状領 域（９）と前記他方のポンプボディ（２）の背面との間に間隙を形成すること を特徴とする請求項４に直接、間接に従属する請求項１５に記載の超小形ポンプ 。