JPH0553299A - レチクルの欠陥検出方法 - Google Patents
レチクルの欠陥検出方法Info
- Publication number
- JPH0553299A JPH0553299A JP23742591A JP23742591A JPH0553299A JP H0553299 A JPH0553299 A JP H0553299A JP 23742591 A JP23742591 A JP 23742591A JP 23742591 A JP23742591 A JP 23742591A JP H0553299 A JPH0553299 A JP H0553299A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- defect
- resist film
- defect detection
- defects
- Prior art date
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- Pending
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レチクルの微細な欠陥を検出するようにす
る。 【構成】 被検査レチクルを介して欠陥検出用のレジス
ト膜に対して原寸パターンよりも大きなパターンが投影
されるように本来の縮小率と異なる縮小率で露光する。
そして、現像後レジスト膜を検査して欠陥検出する。 【効果】 同じ分解能の欠陥検出装置を用いても従来よ
りも微細な欠陥を検出できる。
る。 【構成】 被検査レチクルを介して欠陥検出用のレジス
ト膜に対して原寸パターンよりも大きなパターンが投影
されるように本来の縮小率と異なる縮小率で露光する。
そして、現像後レジスト膜を検査して欠陥検出する。 【効果】 同じ分解能の欠陥検出装置を用いても従来よ
りも微細な欠陥を検出できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レチクルの欠陥検出方
法、特に、欠陥検出装置の検出能力の限界を超えて微細
な欠陥を検出することができるレチクルの欠陥検出方法
に関する。
法、特に、欠陥検出装置の検出能力の限界を超えて微細
な欠陥を検出することができるレチクルの欠陥検出方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】縮小投影露光に用いるレチクルは、１箇
所に欠陥があれば必ず同じモードの不良が１つのウェハ
に多数発生するので、検査が非常に重要である。ところ
で、従来のレチクルの欠陥検出は、被検査レチクルをレ
ジスト膜上に本来の縮小率で縮小投影することにより露
光し、その後、該レジスト膜を現像したうえで、そのパ
ターンの欠陥を欠陥検出装置により検出して間接的にレ
チクルの欠陥を検出するという方法で行われていた。図
２（Ａ）乃至（Ｃ）は従来例を工程順に示す。
所に欠陥があれば必ず同じモードの不良が１つのウェハ
に多数発生するので、検査が非常に重要である。ところ
で、従来のレチクルの欠陥検出は、被検査レチクルをレ
ジスト膜上に本来の縮小率で縮小投影することにより露
光し、その後、該レジスト膜を現像したうえで、そのパ
ターンの欠陥を欠陥検出装置により検出して間接的にレ
チクルの欠陥を検出するという方法で行われていた。図
２（Ａ）乃至（Ｃ）は従来例を工程順に示す。
【０００３】先ず、図２（Ａ）に示すように本来の縮小
率で被検査レチクル１を基板５上のレジスト膜６に縮小
投影する露光を行う。尚、２は被検査レチクル１のガラ
ス基板、３は該ガラス基板２裏面に形成された例えばク
ロムからなる遮光膜であり、ウェハ上に形成すべきパタ
ーン（これを本明細書では「原寸のパターン」とい
う。）を拡大（拡大率をＭとする。例えばＭ＝５）した
パターンに形成されている。４はレチクルに生じた欠陥
である。７は非球面縮小投影レンズである。６ａはレジ
スト膜（ポジ型レジスト膜）６の感光部分であり、被検
査レチクル１のパターンを１／Ｍ倍に縮小投影したパタ
ーン（結局原寸のパターン）に形成される。次に、図２
（Ｂ）に示すようにレジスト膜６に対して現像処理を施
し、その後、欠陥検出装置を用いて図２（Ｃ）に示すよ
うにレジスト膜６のパターンの欠陥をパターン比較によ
り検出する。
率で被検査レチクル１を基板５上のレジスト膜６に縮小
投影する露光を行う。尚、２は被検査レチクル１のガラ
ス基板、３は該ガラス基板２裏面に形成された例えばク
ロムからなる遮光膜であり、ウェハ上に形成すべきパタ
ーン（これを本明細書では「原寸のパターン」とい
う。）を拡大（拡大率をＭとする。例えばＭ＝５）した
パターンに形成されている。４はレチクルに生じた欠陥
である。７は非球面縮小投影レンズである。６ａはレジ
スト膜（ポジ型レジスト膜）６の感光部分であり、被検
査レチクル１のパターンを１／Ｍ倍に縮小投影したパタ
ーン（結局原寸のパターン）に形成される。次に、図２
（Ｂ）に示すようにレジスト膜６に対して現像処理を施
し、その後、欠陥検出装置を用いて図２（Ｃ）に示すよ
うにレジスト膜６のパターンの欠陥をパターン比較によ
り検出する。
【０００４】この欠陥検出装置による欠陥検出の原理を
簡単に説明すると次のとおりである。レチクルは図３に
示すように、複数チップ分のパターン９ａ、９ｂ、９
ｃ、９ｄが形成されている。そして、当然のことながら
各チップのパターン９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄは全く同一
である。そこで、レジスト膜６の例えばパターン９ａと
９ｂの投影された部分の対応する部分どうしを比較する
のである。というのは、欠陥がない限り互いに等しいと
いう比較結果が出る筈であり、等しくないという比較結
果が出たとすると被検査レチクル１に欠陥４があるとい
えるからである。
簡単に説明すると次のとおりである。レチクルは図３に
示すように、複数チップ分のパターン９ａ、９ｂ、９
ｃ、９ｄが形成されている。そして、当然のことながら
各チップのパターン９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄは全く同一
である。そこで、レジスト膜６の例えばパターン９ａと
９ｂの投影された部分の対応する部分どうしを比較する
のである。というのは、欠陥がない限り互いに等しいと
いう比較結果が出る筈であり、等しくないという比較結
果が出たとすると被検査レチクル１に欠陥４があるとい
えるからである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
従来の方法では検出できる欠陥の微細さが欠陥検出装置
の性能により決定され、欠陥検出装置の性能を越えて微
細な欠陥を検出することは不可能であった。例えば、分
解能が１μｍの欠陥検出装置を用いた場合にはウェハ上
で１μｍ以下の欠陥は検出できなかった。しかし、サブ
ミクロンの時代においては図４に示すように０．８μｍ
の欠陥８も不良発生の原因となるのでかかる欠陥を看過
することは許されなくなりつつある。尚、この欠陥８は
配線間を短絡させる欠陥である。勿論、この微細欠陥を
検出できないという問題は、欠陥検出装置の分解能を高
めることにより解決できるといえるが、しかし、欠陥検
出装置の分解能を高めることは実際上きわめて難しく、
サブミクロンの欠陥を検出できるようにすることは現時
点では不可能に近い。仮に、実現したとしても欠陥検出
装置の価格は非常に高価なものとなる。
従来の方法では検出できる欠陥の微細さが欠陥検出装置
の性能により決定され、欠陥検出装置の性能を越えて微
細な欠陥を検出することは不可能であった。例えば、分
解能が１μｍの欠陥検出装置を用いた場合にはウェハ上
で１μｍ以下の欠陥は検出できなかった。しかし、サブ
ミクロンの時代においては図４に示すように０．８μｍ
の欠陥８も不良発生の原因となるのでかかる欠陥を看過
することは許されなくなりつつある。尚、この欠陥８は
配線間を短絡させる欠陥である。勿論、この微細欠陥を
検出できないという問題は、欠陥検出装置の分解能を高
めることにより解決できるといえるが、しかし、欠陥検
出装置の分解能を高めることは実際上きわめて難しく、
サブミクロンの欠陥を検出できるようにすることは現時
点では不可能に近い。仮に、実現したとしても欠陥検出
装置の価格は非常に高価なものとなる。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、欠陥検出装置の性能の限界を越えて
レチクルの微細な欠陥を検出するようにすることを目的
とする。
されたものであり、欠陥検出装置の性能の限界を越えて
レチクルの微細な欠陥を検出するようにすることを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明レチクルの欠陥検
出方法は、被検査レチクルのパターンが原寸法よりも大
きく投影されるように本来の縮小率と異なる縮小率でレ
ジスト膜に対して露光をし、その後、現像し、しかる
後、レジスト膜のパターンを検査することを特徴とす
る。
出方法は、被検査レチクルのパターンが原寸法よりも大
きく投影されるように本来の縮小率と異なる縮小率でレ
ジスト膜に対して露光をし、その後、現像し、しかる
後、レジスト膜のパターンを検査することを特徴とす
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明レチクルの欠陥検出方法を図示
実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｃ）
は本発明レチクルの欠陥検出方法の一つの実施例を工程
順に示す断面図である。本レチクルの欠陥検出方法は、
被検査レチクル１を用いて基板５上のレジスト膜６に露
光する時［工程（Ａ）］の縮小率を、本来の縮小率（１
／Ｍ）ではなく原寸のパターンよりも大きなパターンに
投影される値にする。例えば縮小率を１／１に、即ち原
寸のパターンのＭ倍の大きさにパターンが投影されるよ
うにする。
実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｃ）
は本発明レチクルの欠陥検出方法の一つの実施例を工程
順に示す断面図である。本レチクルの欠陥検出方法は、
被検査レチクル１を用いて基板５上のレジスト膜６に露
光する時［工程（Ａ）］の縮小率を、本来の縮小率（１
／Ｍ）ではなく原寸のパターンよりも大きなパターンに
投影される値にする。例えば縮小率を１／１に、即ち原
寸のパターンのＭ倍の大きさにパターンが投影されるよ
うにする。
【０００９】すると、欠陥４は従来の場合よりも大きく
なってレジスト膜６に投影されることになる。８は欠陥
４が投影された部分である。従って、図１（Ｂ）に示す
ように現像をし、欠陥検出装置を用いて図１（Ｃ）に示
すようにパターン比較による欠陥検出（原理は既に説明
済み）をするとき、従来よりもＭ倍微細な欠陥を検出で
きる。例えば、Ｍ＝５であるとすると同じ欠陥検出装置
を用いても実効的に分解能を５倍高めたのと同じにな
る。
なってレジスト膜６に投影されることになる。８は欠陥
４が投影された部分である。従って、図１（Ｂ）に示す
ように現像をし、欠陥検出装置を用いて図１（Ｃ）に示
すようにパターン比較による欠陥検出（原理は既に説明
済み）をするとき、従来よりもＭ倍微細な欠陥を検出で
きる。例えば、Ｍ＝５であるとすると同じ欠陥検出装置
を用いても実効的に分解能を５倍高めたのと同じにな
る。
【００１０】従って、ウェハ上で０．２μｍの欠陥を生
ぜしめるレチクルの微細な欠陥４を検出することが可能
である。尚、本実施例においては１／Ｍで縮小投影する
ようにつくられたレチクルについて縮小率を１／１にし
て欠陥検出のためのレジスト膜の露光をしていたが必ず
しもそのようにすることはなく、例えばＭ＝５だとする
と１／２．５の縮小率でレジスト膜に対する露光をする
ようにしても良い。あるいは、逆に縮小率を例えば２／
１に、換言すれば２倍に拡大するようにしても良い。
尚、このようにすると極めて微細な欠陥も検出できる。
しかし、その反面検査スピードは落ちる。このように、
欠陥検出のため露光の縮小率は、欠陥検出装置の性能
（分解能）と、どの程度微細な欠陥を検出するかという
ことと、検査スピードとから総合的に判断して任意に設
定すれば良い。
ぜしめるレチクルの微細な欠陥４を検出することが可能
である。尚、本実施例においては１／Ｍで縮小投影する
ようにつくられたレチクルについて縮小率を１／１にし
て欠陥検出のためのレジスト膜の露光をしていたが必ず
しもそのようにすることはなく、例えばＭ＝５だとする
と１／２．５の縮小率でレジスト膜に対する露光をする
ようにしても良い。あるいは、逆に縮小率を例えば２／
１に、換言すれば２倍に拡大するようにしても良い。
尚、このようにすると極めて微細な欠陥も検出できる。
しかし、その反面検査スピードは落ちる。このように、
欠陥検出のため露光の縮小率は、欠陥検出装置の性能
（分解能）と、どの程度微細な欠陥を検出するかという
ことと、検査スピードとから総合的に判断して任意に設
定すれば良い。
【００１１】
【発明の効果】本発明のレチクルの欠陥検出方法は、Ｉ
Ｃパターンの原寸法を拡大したパターンが形成された被
検査レチクルにより原寸法よりも大きなパターンが投影
されるようにレジスト膜に対して露光処理を施し、その
後現像し、該レジスト膜のパターンを検査することによ
り上記被検査レチクルの欠陥を検出することを特徴とす
るものである。従って、本発明レチクルの欠陥検出方法
によれば、被検査レチクルの欠陥が欠陥検出用レジスト
膜にウェハ上に現われる原寸の大きさよりも大きく現わ
れるので、欠陥検出装置の性能の限界を越えて微細な欠
陥を検出することができ得る。
Ｃパターンの原寸法を拡大したパターンが形成された被
検査レチクルにより原寸法よりも大きなパターンが投影
されるようにレジスト膜に対して露光処理を施し、その
後現像し、該レジスト膜のパターンを検査することによ
り上記被検査レチクルの欠陥を検出することを特徴とす
るものである。従って、本発明レチクルの欠陥検出方法
によれば、被検査レチクルの欠陥が欠陥検出用レジスト
膜にウェハ上に現われる原寸の大きさよりも大きく現わ
れるので、欠陥検出装置の性能の限界を越えて微細な欠
陥を検出することができ得る。
【図１】（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明レチクルの欠陥検出
方法の一つの実施例を示す工程順に示す断面図である。
方法の一つの実施例を示す工程順に示す断面図である。
【図２】（Ａ）乃至（Ｃ）は従来例を示す工程順に示す
断面図である。
断面図である。
【図３】レチクルの平面図である。
【図４】発明が解決しようとする問題点を示す平面図で
ある。
ある。
１ 被検査レチクル ４ 欠陥 ６ レジスト膜 ８ レジスト膜に現われた欠陥
Claims (1)
- 【請求項１】 ＩＣパターンの原寸法を拡大したパター
ンが形成された被検査レチクルにより原寸法よりも大き
なパターンが投影されるようにレジスト膜に対して露光
処理を施し、 その後、現像し、 しかる後、該レジスト膜のパターンを検査することによ
り上記被検査レチクルの欠陥を検出することを特徴とす
るレチクルの欠陥検出方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23742591A JPH0553299A (ja) | 1991-08-24 | 1991-08-24 | レチクルの欠陥検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23742591A JPH0553299A (ja) | 1991-08-24 | 1991-08-24 | レチクルの欠陥検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0553299A true JPH0553299A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=17015168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23742591A Pending JPH0553299A (ja) | 1991-08-24 | 1991-08-24 | レチクルの欠陥検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0553299A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014165203A (ja) * | 2013-02-21 | 2014-09-08 | Toshiba Corp | リソグラフィ原版検査装置、リソグラフィ原版検査方法、及びパターンデータ作成方法 |
-
1991
- 1991-08-24 JP JP23742591A patent/JPH0553299A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014165203A (ja) * | 2013-02-21 | 2014-09-08 | Toshiba Corp | リソグラフィ原版検査装置、リソグラフィ原版検査方法、及びパターンデータ作成方法 |
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