JPH0554326A - パターン形成法およびそれを用いた平面型薄膜磁気ヘツドの製法 - Google Patents
パターン形成法およびそれを用いた平面型薄膜磁気ヘツドの製法Info
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- JPH0554326A JPH0554326A JP3211798A JP21179891A JPH0554326A JP H0554326 A JPH0554326 A JP H0554326A JP 3211798 A JP3211798 A JP 3211798A JP 21179891 A JP21179891 A JP 21179891A JP H0554326 A JPH0554326 A JP H0554326A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パターン形成のための垂直エッチングとテー
パーエッチングを同時に行なう。また、前記簡略化され
た工程により寸法精度の高い磁気ギャップを有する平面
型薄膜磁気ヘッドを製造する。 【構成】 パターン形成しようとする第１の物質層２
に、第１の物質層２よりもエッチング速度が小さく、膜
厚の薄い第１のマスク（第２の物質層３）を形成し、第
１のマスクの存在しない場所にレジストパターンからな
る第２のマスク（第２のレジストパターン５）を形成
し、前記第１のマスクと第２のマスクを用いて垂直エッ
チングとテーパーエッチングを同時に行なう。
パーエッチングを同時に行なう。また、前記簡略化され
た工程により寸法精度の高い磁気ギャップを有する平面
型薄膜磁気ヘッドを製造する。 【構成】 パターン形成しようとする第１の物質層２
に、第１の物質層２よりもエッチング速度が小さく、膜
厚の薄い第１のマスク（第２の物質層３）を形成し、第
１のマスクの存在しない場所にレジストパターンからな
る第２のマスク（第２のレジストパターン５）を形成
し、前記第１のマスクと第２のマスクを用いて垂直エッ
チングとテーパーエッチングを同時に行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種薄膜素子の製造に用
いることができるパターン形成法、および前記形成法を
使用した固定磁気ディスク装置などに使用される平面型
薄膜磁気ヘッドの製法に関する。
いることができるパターン形成法、および前記形成法を
使用した固定磁気ディスク装置などに使用される平面型
薄膜磁気ヘッドの製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から様々な分野で使用されている薄
膜素子の例として、たとえば薄膜磁気ヘッドがある。前
記薄膜磁気ヘッドは、半導体集積回路と同様に、めっ
き、蒸着、スパッタなどの成膜技術、写真製版技術、エ
ッチング技術などを用いて製造され、高精度なヘッドが
基板上に一括して多数形成できる点に特徴がある。
膜素子の例として、たとえば薄膜磁気ヘッドがある。前
記薄膜磁気ヘッドは、半導体集積回路と同様に、めっ
き、蒸着、スパッタなどの成膜技術、写真製版技術、エ
ッチング技術などを用いて製造され、高精度なヘッドが
基板上に一括して多数形成できる点に特徴がある。
【０００３】薄膜磁気ヘッドとしては、従来から磁気ギ
ャップが基板面に平行に形成され、媒体対向面が基板面
に垂直に構成された垂直型と、磁気ギャップが基板面に
垂直に形成され、媒体対向面が基板面に平行に構成され
た平面型とが知られている。
ャップが基板面に平行に形成され、媒体対向面が基板面
に垂直に構成された垂直型と、磁気ギャップが基板面に
垂直に形成され、媒体対向面が基板面に平行に構成され
た平面型とが知られている。
【０００４】現在は、磁気ギャップ形成の容易さから垂
直型が実用化されている。一方、平面型は、ヘッドの媒
体対向面が基板面に平行にあるため、スライダの浮動面
加工などやヘッドの性能を左右する磁気ギャップ深さ研
磨が基板上で一括して行なえる点に特徴がある。
直型が実用化されている。一方、平面型は、ヘッドの媒
体対向面が基板面に平行にあるため、スライダの浮動面
加工などやヘッドの性能を左右する磁気ギャップ深さ研
磨が基板上で一括して行なえる点に特徴がある。
【０００５】前記平面型薄膜磁気ヘッドの製法が、たと
えば「ア ニュー アプローチ ツウ メイキング シ
ン フィルム ヘッド スライダー ディバイシズ(A N
EW APPROACH TO MAKING THIN FILM HEAD SLIDER DEVICE
S)」（アイ イー イー イー トランザクションズ
オン マグネティックス(IEEE TRANSACTIONS ON MAGNET
ICS)第25巻、第５号、1989年９月、第3686〜3688頁）に
記載されている。
えば「ア ニュー アプローチ ツウ メイキング シ
ン フィルム ヘッド スライダー ディバイシズ(A N
EW APPROACH TO MAKING THIN FILM HEAD SLIDER DEVICE
S)」（アイ イー イー イー トランザクションズ
オン マグネティックス(IEEE TRANSACTIONS ON MAGNET
ICS)第25巻、第５号、1989年９月、第3686〜3688頁）に
記載されている。
【０００６】前記製法の概略を図５を用いて説明する。
図５は断面図であり、図中、１は基板、６は摺動保護
膜、７は磁気ギャップ、８は下部磁気コア、９は絶縁
層、10はコイル、11は上部磁気コア、12はコイル引き出
し導体、13は絶縁保護膜、14は接着層、15は支持基板、
16は支持基板15に設けられた接続導体である。
図５は断面図であり、図中、１は基板、６は摺動保護
膜、７は磁気ギャップ、８は下部磁気コア、９は絶縁
層、10はコイル、11は上部磁気コア、12はコイル引き出
し導体、13は絶縁保護膜、14は接着層、15は支持基板、
16は支持基板15に設けられた接続導体である。
【０００７】まず、基板１に、無機絶縁膜などからな
る、媒体に対する摺動保護膜６を形成する。つぎに、摺
動保護膜６の一部をテーパーエッチングして窓を開け
る。つぎに、この窓部に磁気ギャップ７を形成する。磁
気ギャップ７は基板１に対してほぼ垂直に形成される。
磁気ギャップ７は、電子ビーム露光などによって形成さ
れるサブミクロン幅のレジストパターンを用いて形成さ
れる。レジスト自体を磁気ギャップ７として用いてもよ
いが、耐摩耗性がおとる。したがって、通常は摺動保護
膜６と同じ無機絶縁膜などがギャップ材として用いられ
る。このばあい、ギャップ材上についでギャップ材より
もエッチング速度の小さいマスク材をあらかじめ積層し
て成膜しておき、上記レジストパターンを用いてマスク
材をエッチングしてマスクを形成し、ついでギャップ材
を垂直エッチングして磁気ギャップ７を形成する。この
磁気ギャップ７の幅を小さくすることは、磁気記録密度
を高くするために重要であり、サブミクロンのパターン
幅が要求される。
る、媒体に対する摺動保護膜６を形成する。つぎに、摺
動保護膜６の一部をテーパーエッチングして窓を開け
る。つぎに、この窓部に磁気ギャップ７を形成する。磁
気ギャップ７は基板１に対してほぼ垂直に形成される。
磁気ギャップ７は、電子ビーム露光などによって形成さ
れるサブミクロン幅のレジストパターンを用いて形成さ
れる。レジスト自体を磁気ギャップ７として用いてもよ
いが、耐摩耗性がおとる。したがって、通常は摺動保護
膜６と同じ無機絶縁膜などがギャップ材として用いられ
る。このばあい、ギャップ材上についでギャップ材より
もエッチング速度の小さいマスク材をあらかじめ積層し
て成膜しておき、上記レジストパターンを用いてマスク
材をエッチングしてマスクを形成し、ついでギャップ材
を垂直エッチングして磁気ギャップ７を形成する。この
磁気ギャップ７の幅を小さくすることは、磁気記録密度
を高くするために重要であり、サブミクロンのパターン
幅が要求される。
【０００８】つぎに、下部磁気コア８がめっきなどによ
って形成される。このとき、レジストまたは絶縁膜など
からなる磁気ギャップ７部分には磁性膜は形成されな
い。前記磁気コア８上に順次、絶縁層９、コイル10、上
部磁気コア11、コイル引き出し導体12が同様に形成され
る。つぎに、絶縁保護層13が積層され、コイル引き出し
導体12が露出するまで研摩され、スライダとヘッド素子
の支持をかねた支持基板15が、接着層14を介して陽極接
合などの手法により接合される。つぎに、支持基板15に
設けられたスルーホールに接続導体16を形成する。つぎ
に、基板１をエッチング除去して摺動保護膜６、磁気ギ
ャップ７の面を露出させ、この面にスライダの浮動面加
工をエッチングにより施す。最後に支持基板15を切断し
て、多数のヘッドが完成する。
って形成される。このとき、レジストまたは絶縁膜など
からなる磁気ギャップ７部分には磁性膜は形成されな
い。前記磁気コア８上に順次、絶縁層９、コイル10、上
部磁気コア11、コイル引き出し導体12が同様に形成され
る。つぎに、絶縁保護層13が積層され、コイル引き出し
導体12が露出するまで研摩され、スライダとヘッド素子
の支持をかねた支持基板15が、接着層14を介して陽極接
合などの手法により接合される。つぎに、支持基板15に
設けられたスルーホールに接続導体16を形成する。つぎ
に、基板１をエッチング除去して摺動保護膜６、磁気ギ
ャップ７の面を露出させ、この面にスライダの浮動面加
工をエッチングにより施す。最後に支持基板15を切断し
て、多数のヘッドが完成する。
【０００９】この製法によれば、スライダの浮動面加工
が、基板面上で一括して行なえるだけでなく、ヘッドの
性能を左右する磁気ギャップ深さ研磨を必要としない。
したがって、低コスト化が可能である。
が、基板面上で一括して行なえるだけでなく、ヘッドの
性能を左右する磁気ギャップ深さ研磨を必要としない。
したがって、低コスト化が可能である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前記の平面型薄膜磁気
ヘッドの製法では、テーパーエッチングによる摺動保護
膜の窓開けと垂直エッチングによる磁気ギャップの形成
とが別個に行なわれているため、工程数が多くなるとい
う問題点がある。
ヘッドの製法では、テーパーエッチングによる摺動保護
膜の窓開けと垂直エッチングによる磁気ギャップの形成
とが別個に行なわれているため、工程数が多くなるとい
う問題点がある。
【００１１】また、前記製法では、サブミクロンのパタ
ーン幅を有する磁気ギャップ７を摺動保護膜６の窓部に
形成するため、基板となる窓部の凹凸によりレジストの
膜厚むらや、露光時のフォーカスのずれがあり、高度な
寸法精度をうることが困難である。
ーン幅を有する磁気ギャップ７を摺動保護膜６の窓部に
形成するため、基板となる窓部の凹凸によりレジストの
膜厚むらや、露光時のフォーカスのずれがあり、高度な
寸法精度をうることが困難である。
【００１２】一方、前記平面型薄膜磁気ヘッド以外の薄
膜素子の製造においても、テーパーエッチングと垂直エ
ッチングを行なうばあい、それらは別個に行なわれてお
り、同様の問題点がある。
膜素子の製造においても、テーパーエッチングと垂直エ
ッチングを行なうばあい、それらは別個に行なわれてお
り、同様の問題点がある。
【００１３】本発明は前記問題点を解決するためになさ
れたもので、テーパーエッチングと垂直エッチングとを
同時に行なって工程数を短縮し、かつ高精度なサブミク
ロン幅のパターンをうることができるパターン形成法お
よび前記方法を応用した薄膜磁気ヘッドの製法をうるこ
とを目的とする。
れたもので、テーパーエッチングと垂直エッチングとを
同時に行なって工程数を短縮し、かつ高精度なサブミク
ロン幅のパターンをうることができるパターン形成法お
よび前記方法を応用した薄膜磁気ヘッドの製法をうるこ
とを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、基板
上に第１の物質層を形成する工程と、第１の物質層より
もエッチング速度が小さく、膜厚の薄い第２の物質層を
形成したのち、第１のレジストパターンを形成し、この
パターンをマスクとして、第２の物質層をエッチングし
て第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクの存在
しない場所に、第２のレジストパターンからなる第２の
マスクを形成する工程と、第１のマスクを用いて第１の
物質を垂直エッチングする工程と第２のマスクを用いて
第１の物質をテーパーエッチングする工程とを同時に行
なう工程を含むことを特徴とするパターン形成法および
基板上に摺動保護膜を形成し、前記摺動保護膜上に形成
されたマスクを用いて前記摺動保護膜の一部をテーパー
エッチングする工程と、前記テーパーエッチングで除去
される範囲の一部にもマスクを形成し、前記摺動保護膜
を垂直エッチングすることにより磁気ギャップを形成す
る工程とを同時に行なうことを特徴とする平面型薄膜磁
気ヘッドの製法に関する。
上に第１の物質層を形成する工程と、第１の物質層より
もエッチング速度が小さく、膜厚の薄い第２の物質層を
形成したのち、第１のレジストパターンを形成し、この
パターンをマスクとして、第２の物質層をエッチングし
て第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクの存在
しない場所に、第２のレジストパターンからなる第２の
マスクを形成する工程と、第１のマスクを用いて第１の
物質を垂直エッチングする工程と第２のマスクを用いて
第１の物質をテーパーエッチングする工程とを同時に行
なう工程を含むことを特徴とするパターン形成法および
基板上に摺動保護膜を形成し、前記摺動保護膜上に形成
されたマスクを用いて前記摺動保護膜の一部をテーパー
エッチングする工程と、前記テーパーエッチングで除去
される範囲の一部にもマスクを形成し、前記摺動保護膜
を垂直エッチングすることにより磁気ギャップを形成す
る工程とを同時に行なうことを特徴とする平面型薄膜磁
気ヘッドの製法に関する。
【００１５】
【作用】本発明のパターン形成法では、第１の物質層よ
りエッチング速度が小さく、膜厚の薄い第２の物質層か
らなる第１のマスクは、第１の物質層の垂直エッチング
用のマスクとして作用し、レジストパターンからなる第
２のマスクは第１の物質層のテーパーエッチング用のマ
スクとして作用し、一工程で垂直エッチングとテーパー
エッチングが同時に行われる。
りエッチング速度が小さく、膜厚の薄い第２の物質層か
らなる第１のマスクは、第１の物質層の垂直エッチング
用のマスクとして作用し、レジストパターンからなる第
２のマスクは第１の物質層のテーパーエッチング用のマ
スクとして作用し、一工程で垂直エッチングとテーパー
エッチングが同時に行われる。
【００１６】また、前記方法を応用した平面型薄膜磁気
ヘッドの製法では、工程が短縮され、かつ摺動保護膜と
磁気ギャップは同一の物質層で構成されているので、平
坦な基板上に摺動保護膜と磁気ギャップのパターンを形
成することが可能であり、高度な寸法精度をうることが
可能となる。
ヘッドの製法では、工程が短縮され、かつ摺動保護膜と
磁気ギャップは同一の物質層で構成されているので、平
坦な基板上に摺動保護膜と磁気ギャップのパターンを形
成することが可能であり、高度な寸法精度をうることが
可能となる。
【００１７】
【実施例】本発明のパターン形成法および平面型薄膜磁
気ヘッドの製法の一実施例を図面に基づいて説明する
が、本発明はかかる実施例に限定されるものではない。
気ヘッドの製法の一実施例を図面に基づいて説明する
が、本発明はかかる実施例に限定されるものではない。
【００１８】図１および図２はそれぞれ本発明に係るパ
ターン形成法の２つの例を示したものである。図中、１
は基板、２は第１の物質層、３は第２の物質層（第１の
マスク）、４は第１のレジストパターン、５は第２のレ
ジストパターン（第２のマスク）を示す。
ターン形成法の２つの例を示したものである。図中、１
は基板、２は第１の物質層、３は第２の物質層（第１の
マスク）、４は第１のレジストパターン、５は第２のレ
ジストパターン（第２のマスク）を示す。
【００１９】第１のパターン形成法では、まず、図１ａ
に示すように、たとえばＳｉなどからなる基板１上に、
たとえばＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＤＬＣ（ダイ
ヤモンドライクカーボン）などからなる厚さ0.5〜２μ
ｍの第１の物質層２を形成し、そのうえに第１の物質層
よりもエッチング速度が１/10以下と小さく、膜厚が0.0
5〜0.2μｍと薄い、たとえばＭｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、
Ａｌなどの金属膜や、ＳｉＯ2などからなる厚さ0.05〜
0.2μｍの第２の物質層３を形成する。前記第１の物質
層２と第２の物質層３を形成する方法はどのような方法
でもよいが、たとえばスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法な
どを用いて形成する。
に示すように、たとえばＳｉなどからなる基板１上に、
たとえばＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＤＬＣ（ダイ
ヤモンドライクカーボン）などからなる厚さ0.5〜２μ
ｍの第１の物質層２を形成し、そのうえに第１の物質層
よりもエッチング速度が１/10以下と小さく、膜厚が0.0
5〜0.2μｍと薄い、たとえばＭｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、
Ａｌなどの金属膜や、ＳｉＯ2などからなる厚さ0.05〜
0.2μｍの第２の物質層３を形成する。前記第１の物質
層２と第２の物質層３を形成する方法はどのような方法
でもよいが、たとえばスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法な
どを用いて形成する。
【００２０】さらに、第２の物質層３のうえに、たとえ
ばＣＭＳ（クロロメチル化ポリスチレン）、ＰＭＭＡな
どからなる厚さが0.5〜１μｍの第１のレジストパター
ン４を形成する。第１のレジストパターン４は、垂直性
のよい形状に形成され、高解像度なレジストが使用され
る。
ばＣＭＳ（クロロメチル化ポリスチレン）、ＰＭＭＡな
どからなる厚さが0.5〜１μｍの第１のレジストパター
ン４を形成する。第１のレジストパターン４は、垂直性
のよい形状に形成され、高解像度なレジストが使用され
る。
【００２１】第１のレジストパターン４の形成法につい
ても、とくに限定されないが、たとえば電子ビーム露
光、Ｘ線露光などを用いれば0.5μｍ以下のパターンも
高精度に形成できる。
ても、とくに限定されないが、たとえば電子ビーム露
光、Ｘ線露光などを用いれば0.5μｍ以下のパターンも
高精度に形成できる。
【００２２】つぎに図１ｂに示すように、第１のレジス
トパターン４をマスクとしてエッチングを行なったのち
第１のレジストパターン４を除去し、第２の物質層３か
らなる第１のマスクを形成する。このときのエッチング
方法は、たとえばＣＦ4、Ｏ2、ＳＦ6などのガスによる
ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）法をとること
ができ、その条件としては寸法変化のないことが好まし
い。
トパターン４をマスクとしてエッチングを行なったのち
第１のレジストパターン４を除去し、第２の物質層３か
らなる第１のマスクを形成する。このときのエッチング
方法は、たとえばＣＦ4、Ｏ2、ＳＦ6などのガスによる
ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）法をとること
ができ、その条件としては寸法変化のないことが好まし
い。
【００２３】つぎに図１ｃに示すように、第１のマスク
（第２の物質層３）の存在しない場所であり、ノボラッ
ク樹脂などからなる厚さ２〜５μｍのテーパー角を有す
る第２レジストパターン５を形成する。第２のレジスト
パターン５はテーパー角を有することが必要である。
（第２の物質層３）の存在しない場所であり、ノボラッ
ク樹脂などからなる厚さ２〜５μｍのテーパー角を有す
る第２レジストパターン５を形成する。第２のレジスト
パターン５はテーパー角を有することが必要である。
【００２４】前記第２のレジストパターン５の形成法は
通常の光学露光などを用いる。形成された第２のレジス
トパターン５に130〜250℃程度の熱処理を行なうとレジ
ストは流動し、必要とするテーパー角を有する形状をう
ることができる。えられた第２のレジストパターン５は
テーパーエッチング用の第２マスクとなる。
通常の光学露光などを用いる。形成された第２のレジス
トパターン５に130〜250℃程度の熱処理を行なうとレジ
ストは流動し、必要とするテーパー角を有する形状をう
ることができる。えられた第２のレジストパターン５は
テーパーエッチング用の第２マスクとなる。
【００２５】つぎに、図１ｄに示すように、第１のマス
ク（第２の物質層３）を用いて第１の物質層２を垂直エ
ッチングする工程と、第２のマスク（第２のレジストパ
ターン５）を用いて同じ第１の物質層２をテーパーエッ
チングする工程とを同時に行なう。前記したように第２
のレジストパターン５はテーパ角を有するためエッチン
グの際、それが転写され、テーパーエッチングされる。
ク（第２の物質層３）を用いて第１の物質層２を垂直エ
ッチングする工程と、第２のマスク（第２のレジストパ
ターン５）を用いて同じ第１の物質層２をテーパーエッ
チングする工程とを同時に行なう。前記したように第２
のレジストパターン５はテーパ角を有するためエッチン
グの際、それが転写され、テーパーエッチングされる。
【００２６】前記エッチング方法の例としては、たとえ
ば垂直エッチングが可能なＩＢＥ、ＲＩＥ、ＥＣＲなど
のドライエッチングの方法をとることができ、その条件
は第１のマスクでサイドエッチングがなく、垂直異方性
エッチングのできるガス圧パワーを選択することが必要
である。
ば垂直エッチングが可能なＩＢＥ、ＲＩＥ、ＥＣＲなど
のドライエッチングの方法をとることができ、その条件
は第１のマスクでサイドエッチングがなく、垂直異方性
エッチングのできるガス圧パワーを選択することが必要
である。
【００２７】この方法により、図１ｅに示すように、垂
直エッチングされた第１の物質層とテーパーエッチング
された第１の物質層を有する目的のパターンが形成され
る。
直エッチングされた第１の物質層とテーパーエッチング
された第１の物質層を有する目的のパターンが形成され
る。
【００２８】第２のパターン形成法は、図２ａに示すよ
うに基板１上に第１の物質層２を形成するまでは第１の
パターン形成法と同じであるが、つぎに前記第１の物質
層２のうえに第２のレジストパターン５を形成する点が
異なる。
うに基板１上に第１の物質層２を形成するまでは第１の
パターン形成法と同じであるが、つぎに前記第１の物質
層２のうえに第２のレジストパターン５を形成する点が
異なる。
【００２９】そののち、図２ｂに示すように第２の物質
層３を形成し、そのうえに第１のレジストパターン４を
形成し、第１のレジストパターン４をマスクにして、第
２の物質層３をエッチングするものであり、これにより
図１ｃと同じパターンをうる。
層３を形成し、そのうえに第１のレジストパターン４を
形成し、第１のレジストパターン４をマスクにして、第
２の物質層３をエッチングするものであり、これにより
図１ｃと同じパターンをうる。
【００３０】そののちは、図２ｃ〜図２ｅに示すように
第１のパターン形成法と同様の工程を行なうものであ
る。第２のパターン形成法においても、基板１、第１の
物質層２、第２の物質層３、第１のレジストパターン
４、第２のレジストパターン５のそれぞれの厚さ、材
質、形成法などの条件は第１のパターン形成法と同様で
ある。
第１のパターン形成法と同様の工程を行なうものであ
る。第２のパターン形成法においても、基板１、第１の
物質層２、第２の物質層３、第１のレジストパターン
４、第２のレジストパターン５のそれぞれの厚さ、材
質、形成法などの条件は第１のパターン形成法と同様で
ある。
【００３１】前記の本発明のパターンの形成法により、
第１のマスクと第２のマスクを用いて垂直エッチングと
テーパーエッチングが同時に行なえるので、工程を簡略
化することができる。
第１のマスクと第２のマスクを用いて垂直エッチングと
テーパーエッチングが同時に行なえるので、工程を簡略
化することができる。
【００３２】前記パターン形成法は、マイクロマシン、
薄膜磁気ヘッドの製造などに使用できる。
薄膜磁気ヘッドの製造などに使用できる。
【００３３】つぎに、本発明の平面型薄膜磁気ヘッドの
製法の一実施例を図３に基づいて説明するが、この方法
は前記パターン形成法を平面型薄膜磁気ヘッドの製法に
応用したものである。図中、１は基板、６は摺動保護
膜、３は前記第１のマスクは摺動保護膜よりもエッチン
グ速度が遅く、膜厚の薄い第２の物質層（第１のマス
ク）である。５は第２のレジストパターン（第２のマス
ク）、７は形成された磁気ギャップを示す。
製法の一実施例を図３に基づいて説明するが、この方法
は前記パターン形成法を平面型薄膜磁気ヘッドの製法に
応用したものである。図中、１は基板、６は摺動保護
膜、３は前記第１のマスクは摺動保護膜よりもエッチン
グ速度が遅く、膜厚の薄い第２の物質層（第１のマス
ク）である。５は第２のレジストパターン（第２のマス
ク）、７は形成された磁気ギャップを示す。
【００３４】まず、図３ａに示すように、たとえばＳｉ
からなる厚さ0.4〜0.6mmの基板１上に摺動保護膜６を形
成する。摺動保護膜６は、たとえばＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＤＬＣなどからなり、その厚さは0.5〜
２μｍである。摺動保護膜６の形成法は、たとえばスパ
ッタ法、ＣＶＤ法があげられる。
からなる厚さ0.4〜0.6mmの基板１上に摺動保護膜６を形
成する。摺動保護膜６は、たとえばＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＤＬＣなどからなり、その厚さは0.5〜
２μｍである。摺動保護膜６の形成法は、たとえばスパ
ッタ法、ＣＶＤ法があげられる。
【００３５】つぎに、図３ｂに示すように摺動保護膜６
のうえに、第２の物質層３からなる第１のマスクを形成
し、第２のレジストパターン５からなる第２のマスクを
形成する。
のうえに、第２の物質層３からなる第１のマスクを形成
し、第２のレジストパターン５からなる第２のマスクを
形成する。
【００３６】第２の物質層３および第２のレジストパタ
ーン５は、前述のパターン形成法の説明で示した材質の
ものを使用できるが、本製法のばあい、第２の物質層３
としては、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕなどの金属が好まし
く、その厚さは0.05〜0.2μｍが好ましい。また、第２
のレジストパターン５としては、ノボラック樹脂が好ま
しく、その厚さは２〜５μｍが好ましい。また、図４に
示す第２のレジストパターン５のテーパー角θは、30〜
60°が望ましい。
ーン５は、前述のパターン形成法の説明で示した材質の
ものを使用できるが、本製法のばあい、第２の物質層３
としては、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕなどの金属が好まし
く、その厚さは0.05〜0.2μｍが好ましい。また、第２
のレジストパターン５としては、ノボラック樹脂が好ま
しく、その厚さは２〜５μｍが好ましい。また、図４に
示す第２のレジストパターン５のテーパー角θは、30〜
60°が望ましい。
【００３７】第１のマスク（第２の物質層３）および第
２のレジストパターン５は、パターン形成法の説明で示
した方法と同様の方法および条件で形成することができ
るが、第１のマスクはサブミクロンのパターン幅を有す
るのが好ましいため、電子ビーム露光、Ｘ線露光によっ
て形成するのが好ましい。
２のレジストパターン５は、パターン形成法の説明で示
した方法と同様の方法および条件で形成することができ
るが、第１のマスクはサブミクロンのパターン幅を有す
るのが好ましいため、電子ビーム露光、Ｘ線露光によっ
て形成するのが好ましい。
【００３８】つぎに図３ｃに示すように第２の物質層か
らなる第１のマスクおよび第２のレジストパターン５か
らなる第２のマスクを使用して、垂直エッチングとテー
パーエッチングを同時に行なう。
らなる第１のマスクおよび第２のレジストパターン５か
らなる第２のマスクを使用して、垂直エッチングとテー
パーエッチングを同時に行なう。
【００３９】前記エッチングの条件は、パターン形成法
で記載した条件で行なうことができるが、垂直異方性の
よいＥＣＲエッチングが好ましい。
で記載した条件で行なうことができるが、垂直異方性の
よいＥＣＲエッチングが好ましい。
【００４０】前記工程により、図３ｄに示すような摺動
保護膜と同じ材質からなる磁気ギャップ７およびテーパ
ーエッチングされ窓部が形成された摺動保護膜６が形成
される。つぎに、図３ｅに示すように下部磁気コア８を
形成する。下部磁気コア８の形成は従来法と同様に行な
えばよい。ついで従来と同様の工程により目的の平面型
薄膜磁気ヘッドが製造される。
保護膜と同じ材質からなる磁気ギャップ７およびテーパ
ーエッチングされ窓部が形成された摺動保護膜６が形成
される。つぎに、図３ｅに示すように下部磁気コア８を
形成する。下部磁気コア８の形成は従来法と同様に行な
えばよい。ついで従来と同様の工程により目的の平面型
薄膜磁気ヘッドが製造される。
【００４１】前記平面型薄膜磁気ヘッドの製法によれ
ば、磁気ギャップと摺動保護膜の窓部の形成を一度のエ
ッチング工程で行なうことができ、しかも平坦な摺動保
護膜上に磁気ギャップ用のマスクを形成できるので、サ
ブミクロンの磁気ギャップパターンでも高度な寸法精度
をうることができる。
ば、磁気ギャップと摺動保護膜の窓部の形成を一度のエ
ッチング工程で行なうことができ、しかも平坦な摺動保
護膜上に磁気ギャップ用のマスクを形成できるので、サ
ブミクロンの磁気ギャップパターンでも高度な寸法精度
をうることができる。
【００４２】えられた平面型薄膜磁気ヘッドは、高密度
で磁気記録を行なうことができる。
で磁気記録を行なうことができる。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のパターン
形成法によれば、前記垂直エッチングとテーパーエッチ
ングが同時に行えるのでパターン形成工程が簡略化され
る。
形成法によれば、前記垂直エッチングとテーパーエッチ
ングが同時に行えるのでパターン形成工程が簡略化され
る。
【００４４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製法によ
れば、前記パターン形成法と同様に工程が簡略化され、
エッチングされた摺動保護膜を磁気ギャップ材として用
いたので、平坦な基板上に高度な寸法精度を有する磁気
ギャップパターンを形成できる。
れば、前記パターン形成法と同様に工程が簡略化され、
エッチングされた摺動保護膜を磁気ギャップ材として用
いたので、平坦な基板上に高度な寸法精度を有する磁気
ギャップパターンを形成できる。
【図１】本発明のパターン形成法の工程を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図２】本発明のパターン形成法の工程を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の工程を説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法における、第２
のレジストパターン５のテーパー角を示す断面図であ
る。
のレジストパターン５のテーパー角を示す断面図であ
る。
【図５】従来の平面型薄膜磁気ヘッドの製造における一
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
１ 基板 ２ 第１の物質層 ３ 第２の物質層 ４ 第１のレジストパターン ５ 第２のレジストパターン ６ 摺動保護膜 ７ 磁気ギャップ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に第１の物質層を形成する工程
と、第１の物質層よりもエッチング速度が小さく、膜厚
の薄い第２の物質層を形成したのち、第１のレジストパ
ターンを形成し、このパターンをマスクとして、第２の
物質層をエッチングして第１のマスクを形成する工程
と、第１のマスクの存在しない場所に、第２のレジスト
パターンからなる第２のマスクを形成する工程と、第１
のマスクを用いて第１の物質を垂直エッチングする工程
と第２のマスクを用いて第１の物質をテーパーエッチン
グする工程とを同時に行なう工程を含むことを特徴とす
るパターン形成法。 - 【請求項２】 基板上に摺動保護膜を形成し、前記摺動
保護膜上に形成されたマスクを用いて前記摺動保護膜の
一部をテーパーエッチングする工程と、前記テーパーエ
ッチングで除去される範囲の一部にもマスクを形成し、
前記摺動保護膜を垂直エッチングすることにより磁気ギ
ャップを形成する工程とを同時に行なうことを特徴とす
る平面型薄膜磁気ヘッドの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3211798A JPH0554326A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | パターン形成法およびそれを用いた平面型薄膜磁気ヘツドの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3211798A JPH0554326A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | パターン形成法およびそれを用いた平面型薄膜磁気ヘツドの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0554326A true JPH0554326A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16611786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3211798A Pending JPH0554326A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | パターン形成法およびそれを用いた平面型薄膜磁気ヘツドの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0554326A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0670569A1 (fr) * | 1994-03-01 | 1995-09-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de réalisation d'une tête magnétique verticale et tête obtenue par ce procédé |
| US6083410A (en) * | 1997-06-04 | 2000-07-04 | Fujitsu Ltd. | Thin film magnetic head and process for producing same |
| JP2012517098A (ja) * | 2009-02-06 | 2012-07-26 | エルジー・ケム・リミテッド | 絶縁された導電性パターンの製造方法及び積層体 |
| US8637776B2 (en) | 2009-02-06 | 2014-01-28 | Lg Chem, Ltd. | Conductive pattern and manufacturing method thereof |
| US8692445B2 (en) | 2009-07-16 | 2014-04-08 | Lg Chem, Ltd. | Electrical conductor and a production method therefor |
| US8921726B2 (en) | 2009-02-06 | 2014-12-30 | Lg Chem, Ltd. | Touch screen and manufacturing method thereof |
| US11577871B2 (en) | 2016-08-04 | 2023-02-14 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Support plate for a package suitable for a food product |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP3211798A patent/JPH0554326A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0670569A1 (fr) * | 1994-03-01 | 1995-09-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de réalisation d'une tête magnétique verticale et tête obtenue par ce procédé |
| FR2716995A1 (fr) * | 1994-03-01 | 1995-09-08 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de réalisation d'une tête magnétique verticale et tête obtenue par ce procédé. |
| US6083410A (en) * | 1997-06-04 | 2000-07-04 | Fujitsu Ltd. | Thin film magnetic head and process for producing same |
| JP2012517098A (ja) * | 2009-02-06 | 2012-07-26 | エルジー・ケム・リミテッド | 絶縁された導電性パターンの製造方法及び積層体 |
| US8637776B2 (en) | 2009-02-06 | 2014-01-28 | Lg Chem, Ltd. | Conductive pattern and manufacturing method thereof |
| US8921726B2 (en) | 2009-02-06 | 2014-12-30 | Lg Chem, Ltd. | Touch screen and manufacturing method thereof |
| US9060452B2 (en) | 2009-02-06 | 2015-06-16 | Lg Chem, Ltd. | Method for manufacturing insulated conductive pattern and laminate |
| US9524043B2 (en) | 2009-02-06 | 2016-12-20 | Lg Chem, Ltd. | Touch screen and manufacturing method thereof |
| US9615450B2 (en) | 2009-02-06 | 2017-04-04 | Lg Chem, Ltd. | Conductive pattern and manufacturing method thereof |
| US8692445B2 (en) | 2009-07-16 | 2014-04-08 | Lg Chem, Ltd. | Electrical conductor and a production method therefor |
| US9049788B2 (en) | 2009-07-16 | 2015-06-02 | Lg Chem, Ltd. | Electrical conductor and a production method therefor |
| US11577871B2 (en) | 2016-08-04 | 2023-02-14 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Support plate for a package suitable for a food product |
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