JPH0555709A - 冷却形半導体レーザアレイモジユール - Google Patents
冷却形半導体レーザアレイモジユールInfo
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- JPH0555709A JPH0555709A JP21901891A JP21901891A JPH0555709A JP H0555709 A JPH0555709 A JP H0555709A JP 21901891 A JP21901891 A JP 21901891A JP 21901891 A JP21901891 A JP 21901891A JP H0555709 A JPH0555709 A JP H0555709A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 サーミスタから発光させた半導体レーザ素子
の位置に関係なく一定の温度をモニタすることができ、
安定した周波数を設定できる冷却形半導体レーザアレイ
モジュールの構成を提供する。 【構成】 光軸に対して直角方向に規則的な間隔で並ん
で配置された複数の半導体レーザ素子（１１）と、該複
数の半導体レーザ素子と同数の光ファイバ（３１）と、
前記複数の半導体レーザ素子から出射された光を前記複
数の光ファイバに結合する手段（２）を有し、前記半導
体レーザ素子を冷却する電子冷却器と半導体レーザ素子
の温度をモニタするサーミスタからなる冷却形半導体レ
ーザアレイモジュールに適用される。前記サーミスタを
複数個（６，１３）有し、前記半導体レーザ素子列の中
心軸に対して対称の位置に前記サーミスタを配置するこ
とを特徴としている。
の位置に関係なく一定の温度をモニタすることができ、
安定した周波数を設定できる冷却形半導体レーザアレイ
モジュールの構成を提供する。 【構成】 光軸に対して直角方向に規則的な間隔で並ん
で配置された複数の半導体レーザ素子（１１）と、該複
数の半導体レーザ素子と同数の光ファイバ（３１）と、
前記複数の半導体レーザ素子から出射された光を前記複
数の光ファイバに結合する手段（２）を有し、前記半導
体レーザ素子を冷却する電子冷却器と半導体レーザ素子
の温度をモニタするサーミスタからなる冷却形半導体レ
ーザアレイモジュールに適用される。前記サーミスタを
複数個（６，１３）有し、前記半導体レーザ素子列の中
心軸に対して対称の位置に前記サーミスタを配置するこ
とを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光並列伝送用光源に用
いられる冷却形半導体レーザアレイモジュールに関す
る。
いられる冷却形半導体レーザアレイモジュールに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光並列伝送系は電気による並列伝送系に
比較し、伝送速度、伝送距離、耐ＥＭＩ性に優れ、ま
た、伝送路寸法を大幅に低減できることから、周波数多
重光通信、および、コンピュータのインターフェイスと
して広い応用が期待されている。
比較し、伝送速度、伝送距離、耐ＥＭＩ性に優れ、ま
た、伝送路寸法を大幅に低減できることから、周波数多
重光通信、および、コンピュータのインターフェイスと
して広い応用が期待されている。
【０００３】周波数多重光通信における送信用の光源と
しては、発振周波数を安定化させることが必要であり、
そのためには、電子冷却器によって半導体レーザの温度
を一定に保つ冷却形半導体レーザモジュールが使われ
る。この光並列伝送用の光源となる光半導体モジュール
を小形で経済的に実現するためには光半導体素子のアレ
イ化および光ファイバのアレイ化が極めて有効である。
しては、発振周波数を安定化させることが必要であり、
そのためには、電子冷却器によって半導体レーザの温度
を一定に保つ冷却形半導体レーザモジュールが使われ
る。この光並列伝送用の光源となる光半導体モジュール
を小形で経済的に実現するためには光半導体素子のアレ
イ化および光ファイバのアレイ化が極めて有効である。
【０００４】このような周波数多重光通信に用いられる
冷却形半導体レーザアレイモジュールの光学的結合部、
および、半導体レーザ近傍の斜視図を図５に示す。
冷却形半導体レーザアレイモジュールの光学的結合部、
および、半導体レーザ近傍の斜視図を図５に示す。
【０００５】半導体レーザアレイ１は、ＳｉＣを材料と
するヒートシンク１２に搭載されている。ヒートシンク
１２は、ＫＯＶＡＲを材料とするキャリア５に搭載され
ている。レンズアレイ２は、半導体レーザアレイ１の半
導体レーザ１１の間隔と同じ８００μm 間隔で等間隔に
並ぶ複数のレンズ２１からなっている。光ファイバアレ
イ３は、コア径１０μm 、クラッド径１２５μm のシン
グルモードファイバ３１をそれぞれの中心軸が８００μ
m の間隔で等間隔になるように形成されている。
するヒートシンク１２に搭載されている。ヒートシンク
１２は、ＫＯＶＡＲを材料とするキャリア５に搭載され
ている。レンズアレイ２は、半導体レーザアレイ１の半
導体レーザ１１の間隔と同じ８００μm 間隔で等間隔に
並ぶ複数のレンズ２１からなっている。光ファイバアレ
イ３は、コア径１０μm 、クラッド径１２５μm のシン
グルモードファイバ３１をそれぞれの中心軸が８００μ
m の間隔で等間隔になるように形成されている。
【０００６】発光部が８００μm の間隔で等間隔に配置
された半導体レーザ１１（チャネル１〜６）からなる半
導体レーザアレイ１からの前方出射光は、各チャネル毎
にレンズアレイ２で集光され、アレイ状に並んだ６本の
光ファイバアレイ３に各チャネル毎に結合される。
された半導体レーザ１１（チャネル１〜６）からなる半
導体レーザアレイ１からの前方出射光は、各チャネル毎
にレンズアレイ２で集光され、アレイ状に並んだ６本の
光ファイバアレイ３に各チャネル毎に結合される。
【０００７】モニタ用フォトダイオード４は半導体レー
ザアレイ１からの後方出力光が入射するように、また、
フォトダイオード４からの反射戻り光が半導体レーザア
レイに入射しないように斜めに傾けて配置され固定され
ている。
ザアレイ１からの後方出力光が入射するように、また、
フォトダイオード４からの反射戻り光が半導体レーザア
レイに入射しないように斜めに傾けて配置され固定され
ている。
【０００８】半導体レーザの温度をモニタするためのサ
ーミスタ６は半導体レーザアレイ１の近傍に配置されて
いる。
ーミスタ６は半導体レーザアレイ１の近傍に配置されて
いる。
【０００９】冷却形半導体レーザアレイモジュールの全
体の構成の側面図を図６に示す。電子冷却器１０は、電
子冷却器１０の底面に低融点半田（Ｂ）８（例えば、融
点１４３℃）を施し、半田を溶融した後冷却することに
よりメタライズされたパッケージ９に固定されている。
また、光学的結合部を固定したキャリア５はメタライズ
が施されており、電子冷却器１０の上面に低融点半田
（Ａ）７（例えば、融点１１７℃）を施し、半田を溶融
した後冷却することによって電子冷却器１０の上面に固
定されている。
体の構成の側面図を図６に示す。電子冷却器１０は、電
子冷却器１０の底面に低融点半田（Ｂ）８（例えば、融
点１４３℃）を施し、半田を溶融した後冷却することに
よりメタライズされたパッケージ９に固定されている。
また、光学的結合部を固定したキャリア５はメタライズ
が施されており、電子冷却器１０の上面に低融点半田
（Ａ）７（例えば、融点１１７℃）を施し、半田を溶融
した後冷却することによって電子冷却器１０の上面に固
定されている。
【００１０】図７は、従来の半導体レーザアレイモジュ
ールの全体の構成の側面図である。半導体レーザアレイ
１とパッケージ９との配線は、アイランド１４を介して
ボンディングワイヤ（Ａ）１５で行われている。モニタ
用フォトダイオード４、および、サーミスタ６からパッ
ケージ９への配線も同様にアイランド１４を介してボン
ディングワイヤ（Ｂ）１６、ボンディングワイヤ（Ｃ）
１７で行われている。また、キャリア５からパッケージ
９への配線は直接ボンディングワイヤ（Ｄ）１８で行わ
れている。
ールの全体の構成の側面図である。半導体レーザアレイ
１とパッケージ９との配線は、アイランド１４を介して
ボンディングワイヤ（Ａ）１５で行われている。モニタ
用フォトダイオード４、および、サーミスタ６からパッ
ケージ９への配線も同様にアイランド１４を介してボン
ディングワイヤ（Ｂ）１６、ボンディングワイヤ（Ｃ）
１７で行われている。また、キャリア５からパッケージ
９への配線は直接ボンディングワイヤ（Ｄ）１８で行わ
れている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】この種の半導体レーザ
アレイモジュールでは以下に示すような問題点があっ
た。
アレイモジュールでは以下に示すような問題点があっ
た。
【００１２】半導体レーザアレイ近傍の熱伝導を表す近
似的な等価回路は図８で表される。図８中、Ｒ（ｉ）は
ｉチャネル目の半導体レーザからサーミスタまでの熱抵
抗、Ｒ1 （ｉ）はヒートシンクにおけるｉチャネル目の
半導体レーザからサーミスタ側のヒートシンク端までの
熱抵抗、Ｒ2 （ｉ）はキャリアにおけるｉチャネル目の
半導体レーザ直下部からサーミスタ側のヒートシンク端
直下部までの熱抵抗、Ｒ3 はキャリアにおけるヒートシ
ンク端直下部からサーミスタまでの熱抵抗を表す。ただ
し、サーミスタから遠い方の半導体レーザのチャネルを
ｉ＝１とする。
似的な等価回路は図８で表される。図８中、Ｒ（ｉ）は
ｉチャネル目の半導体レーザからサーミスタまでの熱抵
抗、Ｒ1 （ｉ）はヒートシンクにおけるｉチャネル目の
半導体レーザからサーミスタ側のヒートシンク端までの
熱抵抗、Ｒ2 （ｉ）はキャリアにおけるｉチャネル目の
半導体レーザ直下部からサーミスタ側のヒートシンク端
直下部までの熱抵抗、Ｒ3 はキャリアにおけるヒートシ
ンク端直下部からサーミスタまでの熱抵抗を表す。ただ
し、サーミスタから遠い方の半導体レーザのチャネルを
ｉ＝１とする。
【００１３】ここで、ｉチャネル目の半導体レーザから
サーミスタ側のヒートシンク端までの距離をＸ
1 （ｉ）、キャリアにおけるヒートシンク端直下部から
サーミスタまでの距離をＸ3 とし、ヒートシンク、およ
び、キャリアの熱伝導率をそれぞれｋ1 、および、ｋ2
とする。さらに、ヒートシンク、および、キャリアの断
面積をそれぞれＡ1 、Ａ2 とするとＲ（ｉ）は、以下の
数式１で表わされる。
サーミスタ側のヒートシンク端までの距離をＸ
1 （ｉ）、キャリアにおけるヒートシンク端直下部から
サーミスタまでの距離をＸ3 とし、ヒートシンク、およ
び、キャリアの熱伝導率をそれぞれｋ1 、および、ｋ2
とする。さらに、ヒートシンク、および、キャリアの断
面積をそれぞれＡ1 、Ａ2 とするとＲ（ｉ）は、以下の
数式１で表わされる。
【００１４】
【数１】
【００１５】半導体レーザからサーミスタへの熱流量ｑ
は、半導体レーザ直下部、および、サーミスタの温度を
それぞれ、Ｔ1 、Ｔ3 とすると、 ｑ＝（Ｔ1 −Ｔ3 ）／Ｒ（ｉ） となる。
は、半導体レーザ直下部、および、サーミスタの温度を
それぞれ、Ｔ1 、Ｔ3 とすると、 ｑ＝（Ｔ1 −Ｔ3 ）／Ｒ（ｉ） となる。
【００１６】よって、ｉチャネル目の半導体レーザとサ
ーミスタの温度差ｄＴ（ｉ）は、以下の数式２で表わさ
れる。
ーミスタの温度差ｄＴ（ｉ）は、以下の数式２で表わさ
れる。
【００１７】
【数２】
【００１８】数式２においてＸ1 （ｉ）は、半導体レー
ザアレイのチャネル数をＮ、半導体レーザの間隔をＰと
すると Ｘ1 （ｉ）＝（Ｎ−ｉ＋１／２）・Ｐ となる。
ザアレイのチャネル数をＮ、半導体レーザの間隔をＰと
すると Ｘ1 （ｉ）＝（Ｎ−ｉ＋１／２）・Ｐ となる。
【００１９】ここで、ｋ1 ＝８［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］（Ｓ
ｉＣ）、ｋ2 ＝１７［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］（ＫＯＶＡ
Ｒ）、Ａ1 ＝０．３［mm2 ］、Ａ2 ＝１０［mm2 ］、Ｘ
3 ＝１．２［mm］、ｑ＝０．１２［Ｗ］、Ｎ＝６［c
h］、Ｐ＝０．８［mm］とすると、ｉチャネル目の半導
体レーザとサーミスタの温度差ｄＴ（ｉ）の関係は図９
のようになる。
ｉＣ）、ｋ2 ＝１７［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］（ＫＯＶＡ
Ｒ）、Ａ1 ＝０．３［mm2 ］、Ａ2 ＝１０［mm2 ］、Ｘ
3 ＝１．２［mm］、ｑ＝０．１２［Ｗ］、Ｎ＝６［c
h］、Ｐ＝０．８［mm］とすると、ｉチャネル目の半導
体レーザとサーミスタの温度差ｄＴ（ｉ）の関係は図９
のようになる。
【００２０】図９から１チャネル目の半導体レーザとサ
ーミスタの温度差ｄＴ（１）と６チャネル目の半導体レ
ーザとサーミスタの温度差ｄＴ（６）では約４℃の温度
差が生じることがわかる。
ーミスタの温度差ｄＴ（１）と６チャネル目の半導体レ
ーザとサーミスタの温度差ｄＴ（６）では約４℃の温度
差が生じることがわかる。
【００２１】半導体レーザが１．５５μm 帯ＤＦＢレー
ザの場合、光スペクトラム中心波長の温度係数は約０．
１［nm／Ｋ］であるので４℃の温度差は約０．４［nm］
の中心波長差に等しい。これは、周波数に換算すると約
５０［GHz ］の周波数差に相当する。したがって、半導
体レーザの位置によってモニタした温度と実際の半導体
レーザの温度との差が変り安定させようとする周波数が
求まらない。
ザの場合、光スペクトラム中心波長の温度係数は約０．
１［nm／Ｋ］であるので４℃の温度差は約０．４［nm］
の中心波長差に等しい。これは、周波数に換算すると約
５０［GHz ］の周波数差に相当する。したがって、半導
体レーザの位置によってモニタした温度と実際の半導体
レーザの温度との差が変り安定させようとする周波数が
求まらない。
【００２２】本発明の目的は、サーミスタから発光させ
た半導体レーザ素子の位置に関係なく一定の温度をモニ
タすることができ、安定した周波数を設定できる冷却形
半導体レーザアレイモジュールの構成を提供することに
ある。
た半導体レーザ素子の位置に関係なく一定の温度をモニ
タすることができ、安定した周波数を設定できる冷却形
半導体レーザアレイモジュールの構成を提供することに
ある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザア
レイモジュールは、光軸に対して直角方向に規則的な間
隔で並んで配置された複数の半導体レーザ素子と、該複
数の半導体レーザ素子と同数の光ファイバと、前記複数
の半導体レーザ素子から出射された光を前記光ファイバ
に結合する手段とを有し、前記半導体レーザ素子を冷却
する電子冷却器と半導体レーザ素子の温度をモニタする
サーミスタからなる冷却形半導体レーザアレイモジュー
ルにおいて、前記サーミスタを複数個有し、前記半導体
レーザ素子列の中心軸に対して対称の位置に前記サーミ
スタを配置したことを特徴としている。
レイモジュールは、光軸に対して直角方向に規則的な間
隔で並んで配置された複数の半導体レーザ素子と、該複
数の半導体レーザ素子と同数の光ファイバと、前記複数
の半導体レーザ素子から出射された光を前記光ファイバ
に結合する手段とを有し、前記半導体レーザ素子を冷却
する電子冷却器と半導体レーザ素子の温度をモニタする
サーミスタからなる冷却形半導体レーザアレイモジュー
ルにおいて、前記サーミスタを複数個有し、前記半導体
レーザ素子列の中心軸に対して対称の位置に前記サーミ
スタを配置したことを特徴としている。
【００２４】
【実施例】次に、本発明の半導体レーザアレイモジュー
ルについて図面を参照して説明する。
ルについて図面を参照して説明する。
【００２５】図１は、本発明の一実施例を示す半導体レ
ーザアレイモジュールの光学的結合部、および、半導体
レーザダイオード近傍の斜視図であり、図６と同じ部分
には同一番号を付している。
ーザアレイモジュールの光学的結合部、および、半導体
レーザダイオード近傍の斜視図であり、図６と同じ部分
には同一番号を付している。
【００２６】温度モニタ用の第１のサーミスタ６、第２
のサーミスタ１３は、半導体レーザアレイ１の近傍で半
導体レーザ素子列の中心軸に対して対称の位置になるよ
うに配置されている。
のサーミスタ１３は、半導体レーザアレイ１の近傍で半
導体レーザ素子列の中心軸に対して対称の位置になるよ
うに配置されている。
【００２７】図２は、本発明の半導体レーザアレイモジ
ュールの全体の構成の側面図である。半導体レーザアレ
イ１とパッケージ９との配線は、アイランド１４を介し
てボンディングワイヤ（Ａ）１５で行われている。モニ
タ用フォトダイオード４、第１のサーミスタ６、第２の
サーミスタ１３からパッケージ９への配線も同様にアイ
ランド１４を介してボンディングワイヤ（Ｂ）１６、ボ
ンディングワイヤ（Ｃ）１７で行われている。また、キ
ャリア５からパッケージ９への配線は直接ボンディング
ワイヤ（Ｄ）１８で行われている。
ュールの全体の構成の側面図である。半導体レーザアレ
イ１とパッケージ９との配線は、アイランド１４を介し
てボンディングワイヤ（Ａ）１５で行われている。モニ
タ用フォトダイオード４、第１のサーミスタ６、第２の
サーミスタ１３からパッケージ９への配線も同様にアイ
ランド１４を介してボンディングワイヤ（Ｂ）１６、ボ
ンディングワイヤ（Ｃ）１７で行われている。また、キ
ャリア５からパッケージ９への配線は直接ボンディング
ワイヤ（Ｄ）１８で行われている。
【００２８】半導体レーザ１１の温度をモニタする第１
のサーミスタ６、第２のサーミスタ１３は、それぞれ、
第１のサーミスタ端子２２、第２のサーミスタ端子２３
を介して半導体レーザモジュール外部で図３（ａ）に示
すように並列接続される。
のサーミスタ６、第２のサーミスタ１３は、それぞれ、
第１のサーミスタ端子２２、第２のサーミスタ端子２３
を介して半導体レーザモジュール外部で図３（ａ）に示
すように並列接続される。
【００２９】このとき、サーミスタＢ定数をＢ、基準温
度をＴ0 、Ｔ0 でのサーミスタ抵抗値をＲ0 とすると、
図３（ａ）中のＡ点−Ｇ点間の抵抗Ｒthは、ｉチャネル
目の半導体レーザについて言えば次の数式３で表わされ
る。
度をＴ0 、Ｔ0 でのサーミスタ抵抗値をＲ0 とすると、
図３（ａ）中のＡ点−Ｇ点間の抵抗Ｒthは、ｉチャネル
目の半導体レーザについて言えば次の数式３で表わされ
る。
【００３０】
【数３】
【００３１】ここで、 Ｒth1 （ｉ）＝Ｒ0 ・exp ｛Ｂ・［１／Ｔ1 （ｉ）−１／Ｔ0 ］｝ Ｒth2 （ｉ）＝Ｒ0 ・exp ｛Ｂ・［１／Ｔ2 （ｉ）−１／Ｔ0 ］｝ Ｔ1 （ｉ）＝Ｔ0 ＋ｄＴ1 （ｉ） Ｔ2 （ｉ）＝Ｔ0 ＋ｄＴ2 （ｉ）
【００３２】
【数４】
【００３３】
【数５】
【００３４】Ｘ11（ｉ）＝（Ｎ−ｉ＋１／２）・Ｐ Ｘ12（ｉ）＝（ｉ−１／２）・Ｐ である。
【００３５】ここで、ｋ1 ＝８［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］（Ｓ
ｉＣ）、ｋ2 ＝１７［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］（ＫＯＶＡ
Ｒ）、Ａ1 ＝０．３［mm2 ］、Ａ2 ＝１０［mm2 ］、Ｘ
3 ＝１．２［mm］、ｑ＝０．１２［Ｗ］、Ｎ＝６［c
h］、Ｐ＝０．８［mm］、Ｂ＝３４５０［Ｋ］、Ｔ0 ＝
２９８［Ｋ］、Ｒ0 ＝２０［ｋΩ］とすると、ｉチャネ
ル目の半導体レーザと並列接続したサーミスタ抵抗値Ｒ
th（ｉ）の関係は、図４のようになる。
ｉＣ）、ｋ2 ＝１７［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］（ＫＯＶＡ
Ｒ）、Ａ1 ＝０．３［mm2 ］、Ａ2 ＝１０［mm2 ］、Ｘ
3 ＝１．２［mm］、ｑ＝０．１２［Ｗ］、Ｎ＝６［c
h］、Ｐ＝０．８［mm］、Ｂ＝３４５０［Ｋ］、Ｔ0 ＝
２９８［Ｋ］、Ｒ0 ＝２０［ｋΩ］とすると、ｉチャネ
ル目の半導体レーザと並列接続したサーミスタ抵抗値Ｒ
th（ｉ）の関係は、図４のようになる。
【００３６】サーミスタ抵抗値の差が最大になるのは３
（または４）チャネル目の半導体レーザとサーミスタ抵
抗値Ｒth（３）（またはＲth（４））と１（または６）
チャネル目の半導体レーザとサーミスタ抵抗値Ｒ
th（１）（またはＲth（６））とを比較したときで、そ
の差は約０．０１ｋΩである。この抵抗値差は、０．０
３℃の温度差に等しく、さらに、周波数換算すると約
０．３８［GHz ］の周波数差と小さい。これはそれぞれ
半導体レーザがほぼ一点にあることと等価であるとみな
すことができる。
（または４）チャネル目の半導体レーザとサーミスタ抵
抗値Ｒth（３）（またはＲth（４））と１（または６）
チャネル目の半導体レーザとサーミスタ抵抗値Ｒ
th（１）（またはＲth（６））とを比較したときで、そ
の差は約０．０１ｋΩである。この抵抗値差は、０．０
３℃の温度差に等しく、さらに、周波数換算すると約
０．３８［GHz ］の周波数差と小さい。これはそれぞれ
半導体レーザがほぼ一点にあることと等価であるとみな
すことができる。
【００３７】本実施例では、半導体レーザ、レンズ、お
よび、シングルモードファイバの間隔を等間隔とした
が、等間隔でなくてもよい。光ファイバの数は６本とし
たが、これ以上でもこれ以下でもよい。また、半導体レ
ーザと光ファイバとの結合手段としてレンズを用いた
が、これに限らず先球テーパ加工した光ファイバを用い
てもよい。第１のサーミスタと第２のサーミスタは冷却
形半導体レーザアレイモジュールの外部で接続したが、
モジュール内部で接続してもかまわない。また、サーミ
スタは並列に接続したが、グランドに接続されたサーミ
スタの片端を電気的に浮かせ図３（ｂ）に示すように直
列に接続してもかまわない。さらに、サーミスタの数は
２個としたが、３個以上でもかまわない。
よび、シングルモードファイバの間隔を等間隔とした
が、等間隔でなくてもよい。光ファイバの数は６本とし
たが、これ以上でもこれ以下でもよい。また、半導体レ
ーザと光ファイバとの結合手段としてレンズを用いた
が、これに限らず先球テーパ加工した光ファイバを用い
てもよい。第１のサーミスタと第２のサーミスタは冷却
形半導体レーザアレイモジュールの外部で接続したが、
モジュール内部で接続してもかまわない。また、サーミ
スタは並列に接続したが、グランドに接続されたサーミ
スタの片端を電気的に浮かせ図３（ｂ）に示すように直
列に接続してもかまわない。さらに、サーミスタの数は
２個としたが、３個以上でもかまわない。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の冷却形半導
体レーザアレイモジュールは、半導体レーザ素子列の中
心軸に対して対称の位置に半導体レーザ素子の温度をモ
ニタする複数のサーミスタを配置し並列、または、直列
に接続することによりサーミスタから発光させた半導体
レーザ素子の位置に関係なく一定の半導体レーザ素子の
温度をモニタすることができ、安定した周波数を設定で
きる効果がある。
体レーザアレイモジュールは、半導体レーザ素子列の中
心軸に対して対称の位置に半導体レーザ素子の温度をモ
ニタする複数のサーミスタを配置し並列、または、直列
に接続することによりサーミスタから発光させた半導体
レーザ素子の位置に関係なく一定の半導体レーザ素子の
温度をモニタすることができ、安定した周波数を設定で
きる効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す半導体レーザアレイモ
ジュールの光学的結合部、および半導体レーザダイオー
ド近傍の斜視図である。
ジュールの光学的結合部、および半導体レーザダイオー
ド近傍の斜視図である。
【図２】本発明の半導体レーザアレイモジュールの全体
の構成の側面図である。
の構成の側面図である。
【図３】本発明における半導体レーザモジュール外部で
の第１のサーミスタと第２のサーミスタとの接続例であ
る。
の第１のサーミスタと第２のサーミスタとの接続例であ
る。
【図４】本発明におけるｉチャネル目の半導体レーザと
サーミスタ抵抗値の関係を示した図である。
サーミスタ抵抗値の関係を示した図である。
【図５】従来の一実施例を示す半導体レーザアレイモジ
ュールの光学的結合部、および半導体レーザダイオード
近傍の斜視図である。
ュールの光学的結合部、および半導体レーザダイオード
近傍の斜視図である。
【図６】従来の半導体レーザアレイモジュールの全体の
構成の側面図である。
構成の側面図である。
【図７】従来の半導体レーザアレイモジュールの全体の
構成の上面図である。
構成の上面図である。
【図８】半導体レーザアレイ近傍の熱伝導を表す近似的
な等価回路である。
な等価回路である。
【図９】ｉチャネル目の半導体レーザとサーミスタの温
度差ｄＴ（ｉ）の関係を示した図である。
度差ｄＴ（ｉ）の関係を示した図である。
１ 半導体レーザアレイ ２ レンズアレイ ３ 光ファイバアレイ ４ モニタ用フォトダイオード ６ 第１のサーミスタ ９ パッケージ １０ 電子冷却器 １１ 半導体レーザ １２ ヒートシンク １３ 第２のサーミスタ
Claims (1)
- 【請求項１】 光軸に対して直角方向に規則的な間隔で
並んで配置された複数の半導体レーザ素子と、該複数の
半導体レーザ素子と同数の光ファイバと、前記複数の半
導体レーザ素子から出射された光を前記光ファイバに結
合する手段とを有し、前記半導体レーザ素子を冷却する
電子冷却器と半導体レーザ素子の温度をモニタするサー
ミスタからなる冷却形半導体レーザアレイモジュールに
おいて、前記サーミスタを複数個有し、前記半導体レー
ザ素子列の中心軸に対して対称の位置に前記サーミスタ
を配置したことを特徴とする冷却形半導体レーザアレイ
モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3219018A JP2914406B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 冷却形半導体レーザアレイモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3219018A JP2914406B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 冷却形半導体レーザアレイモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555709A true JPH0555709A (ja) | 1993-03-05 |
| JP2914406B2 JP2914406B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=16728966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3219018A Expired - Fee Related JP2914406B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 冷却形半導体レーザアレイモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2914406B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007081394A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 温度補償機能を有するｌｅｄ駆動制御回路 |
| US7844386B2 (en) | 2005-03-28 | 2010-11-30 | A & D Company, Ltd. | Reference signal generator and method |
| CN112033574A (zh) * | 2020-09-29 | 2020-12-04 | 江苏亨通光纤科技有限公司 | 一种分布式光纤激光器监测系统及监测方法 |
| JPWO2021125017A1 (ja) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | ||
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| JPH02287152A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 生化学分析装置 |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP3219018A patent/JP2914406B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN114374145B (zh) * | 2022-01-12 | 2023-09-29 | 南京大学 | 一种rec半导体激光器阵列波长控制系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2914406B2 (ja) | 1999-06-28 |
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