JPH0555777A

JPH0555777A - 補償型広帯域電波吸収体

Info

Publication number: JPH0555777A
Application number: JP21087591A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Naito; 喜之内藤; Michiharu Takahashi; 道晴高橋
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1991-08-22
Filing date: 1991-08-22
Publication date: 1993-03-05
Anticipated expiration: 2013-06-25
Also published as: JP2769055B2

Abstract

(57)【要約】【目的】フィン型及びラティス型の電波吸収体のよう
に、規則的に空隙部とフェライト部の繰り返し構造を有
する電波吸収体をより広帯域にすることが可能な補償型
広帯域電波吸収体を提供する。【構成】反射板上に、空隙を有する磁性体を配置し、
その磁性体表面から反射板までの高さをｈとするとき、
前記磁性体空隙部内の反射板からの高さｈ₁が高さｈに
等しいかあるいは低い（ｈ₁≦ｈ）位置に、導電材料、
誘電体材料、抵抗体の内、少なくとも一種類以上の物質
を含む材料からなる補償素子を一個以上付加してなるこ
とを特徴とする補償型広帯域電波吸収体である。【効果】フィン型及びラティス型の電波吸収体のよう
に、規則的に空隙部とフェライト部の繰り返し構造を有
する電波吸収体をより広帯域にすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、広帯域電波吸収体に関
し、特に、フェライト磁性体からなる電波吸収体を広帯
域化する補償型広帯域電波吸収体に関するものである。
この補償型広帯域電波吸収体は、電子機器からの放射電
磁波を測定するための電波暗室や、建物からのＴＶ電波
の反射を防ぐための壁材として広く使用するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、単一磁性体層からなる電波吸収体
を広帯域化する方法として、例えばタイル状のフェライ
ト磁性体を、電波反射板から空気層で浮かして（実際に
は発泡ポリウレタン板などを用いる。）配置する方法が
提案されている。

【０００３】図２０は、金属導電反射板Ｍでタイル状の
フェライト磁性体Ｆを裏打ちした、最も基本的なフェラ
イト電波吸収体の断面構造図である。図２０でフェライ
ト吸収体の表面における電界の反射係数をｓとすると、
吸収体の電力吸収係数は、１−｜ｓ｜² で表される。従って、｜ｓ｜が小さいほど良い吸収体と
言える。

【０００４】普通は、その良さの一つの目安として｜ｓ｜≦０.１すなわち、反射減衰量（−２０log ｓｄＢ）２０ｄＢ
以下、吸収係数≧０.９９を採用している。

【０００５】図２０に示す吸収体の特性を横軸に周波数
ｆ、縦軸に反射係数｜ｓ｜の大きさを用いて示すと、典
型的には図２１のようになる。この場合、｜ｓ｜＝０.
１となる周波数の低い方をｆL、高い方をｆHとすると、
図から｜ｓ｜≦０.１を満足する周波数帯域幅Ｂは、Ｂ＝ｆH−ｆL で表される。そこで、周波数帯域幅Ｂについて次の２つ
の場合を考えてみる。

【０００６】（イ）周波数ｆLが３０ＭＨｚとなるよう
にする場合、用いるべきフェライトは焼結型のもので、
ＮｉＺｎ系かＭｎＺｎ系のものである。そうすると、一
般に周波数ｆHが３００ＭＨｚ〜４００ＭＨｚになって
しまう。

【０００７】（ロ）周波数ｆLが９０ＭＨｚとなるよう
にする場合、用いるべきフェライトはやはり焼結型で、
この場合、周波数ｆHは３５０ＭＨｚ〜５２０ＭＨｚで
ある。

【０００８】一つの応用として前に述べた電子機器から
の放射電磁波を測定するための電波暗室の壁材の場合
は、ｆL＝３０ＭＨｚで、ｆHはひとまずｆH＝１０００
ＭＨｚが要求されていて、（イ）のものでは特性が不十
分である。

【０００９】また、建物からのＴＶ電波の反射を防ぐた
めの壁材の場合は、ｆL＝９０ＭＨｚでｆH＝８００ＭＨ
ｚが要求されていて、（ロ）のものでは特性が不十分で
ある。

【００１０】そこで、図２０の形式のものを次のように
改良することがこれまでに提案されている。

【００１１】一つは、広帯域化の例として、図２２に示
すようにフェライトＦと金属板Ｍとの間に空気、誘電体
または損失誘電体Ｄを挿入したものがある。この場合
は、ｆL＝３０ＭＨｚ、ｆH＝１０００ＭＨｚがようやく
得られる。

【００１２】さらに、もう一つの広帯域化の例として図
２３Ａ（斜視図），図２３Ｂ（図２３ＡのＡ−Ａ’線で
切った断面図）及び図２４Ａ（斜視図），図２４Ｂ（図
２４ＡのＡ−Ａ’線で切った断面図）に示すような電波
吸収体が本発明者により提案されている（特願平０２−
１６２４０３参照）。すなわち、両図とも磁性体はタイ
ル状の一様なものでなく周期的な空隙部を有し、かつ厚
みｔよりも高さｈが大きいという特徴を持った焼結フェ
ライト磁性体Ｆを電波の金属導電反射体Ｍの上に間隔Ｓ
で配置したものである。

【００１３】この場合は、図２３Ａ，図２３Ｂのもので
ｆH＝２４００ＭＨｚ、図２４Ａ，図２４ＢのものでｆH
＝７００ＭＨｚ〜１５００ＭＨｚである。

【００１４】今後、電子機器の動作周波数がより高くな
り、それにより発生する放射電波はより高い周波数に亘
るようになり、要求されるｆHは必然的に高くならざる
を得ないと思われる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】近年、ＥＭＩ（Ｅlect
ro Ｍagnetic Ｉnterference）に対する関心が高く、電
波吸収体のより広帯域化が望まれている。

【００１６】本発明は、これらに鑑みなされたものであ
り、本発明の目的は、フィン型及びラティス型の電波吸
収体のように、規則的に空隙部とフェライト部の繰り返
し構造を有する電波吸収体をより広帯域にすることが可
能な技術を提供することにある。

【００１７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。

【００１８】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、補償型広帯域電波吸収体であって、反射
板上に、空隙を有する磁性体を配置し、その磁性体表面
から金属導電反射体までの高さをｈとするとき、前記磁
性体空隙部内の金属導電反射体からの高さｈ₁が高さｈ
に等しいかあるいはそれよりも低い（ｈ₁≦ｈ）位置
に、導電材料、誘電体材料、抵抗体の内、少なくとも一
種類以上の物質を含む材料からなる補償素子を一個以上
付加してなることを最も主要な特徴とする。

【００１９】また、前記補償素子は、前記磁性体を挟ん
で対向する形に配置された板状体又は膜状体からなるこ
とを特徴とする。

【００２０】また、前記補償素子は、少なくともその一
部が前記磁性体に囲まれる形に配置された柱状体又は枠
状体からなることを特徴とする。

【００２１】

【作用】前述の手段によれば、金属導電反射体上に、空
隙を有する磁性体を配置し、その磁性体表面から金属導
電反射体までの高さをｈとするとき、前記磁性体空隙部
内の金属導電反射体からの高さｈ₁が高さｈに等しいか
あるいはそれよりも低い（ｈ₁≦ｈ）位置に、導電材
料、誘電体材料、抵抗体の内、少なくとも一種類以上の
物質を含む材料からなる補償素子を一個以上付加するこ
とにより、フィン型又はラティス型の電波吸収体のよう
に、規則的に空隙部とフェライト部の繰り返し構造を有
する電波吸収体をより広帯域にすることができる。例え
ば、高さは従来のフィン型やラティス型と同じでありな
がら３０ＭＨｚ〜３０００ＭＨｚの電波に対して反射減
衰量２０ｄＢ以下の広帯域な電波吸収体が得られる。

【００２２】また、電波吸収体の空隙部分に簡単な補償
素子を１個以上挿入しただけであるので、吸収体自体の
高さに変化はなく、簡単な構造で補償型広帯域電波吸収
体を得ることができる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。

【００２４】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。

【００２５】本発明の補償型広帯域電波吸収体は、磁性
体と空隙部が金属導電反射体上で連続して繰り返す構造
の電波吸収体については成立するが、主として前述の電
波吸収体の代表的な構造である図２３Ａ（斜視図），図
２３Ｂ（断面図）の電波吸収体の特性を用いて、本発明
の実施例を詳細に説明する。また、便宜上、図２３Ａ，
図２３Ｂのものをフィン型電波吸収体、図２４Ａ（斜視
図），図２４Ｂ（断面図）のものをラティス型電波吸収
体と呼ぶことにする。ちなみに、図２３Ａ，図２３Ｂに
示すフィン型は単一偏波用であり、これをラティス状に
組み合わせた図２４Ａ，図２４Ｂのものは両偏波用であ
る。

【００２６】また、以下に述べる実施例の特性は実施例
６を除いて、すべて図２５Ａ（縦断面図），図２５Ｂ
（横断面図）に示すようなトリプレート線路を用い、Ｔ
ＥＭ波による実験結果を示している。なお、図２５Ａ，
図２５Ｂにおいて、１１は入力コネクター、１２は外部
導体平板、１３は内部導体平板、１４は金属導電反射
体、１５は測定試料である。このトリプレート線路の特
性インピーダンスは５０オームである。

【００２７】〔実施例１〕図１Ａは、本発明の実施例の
基本電波吸収体の構成を示す断面図であり、前述の図２
３Ｂ（断面図）の電波吸収体を説明の都合上、必要な記
号をいれて再掲したものである。また、同図１Ａにおい
て電波吸収体表面（ａ−ａ’）から金属導電反射体方向
を見込む入力インピーダンスと周波数の関係を、高さｈ
を可変して測定し、測定に供した線路の特性インピーダ
ンス（５０オーム）で正規化してスミスチャートに示し
たものが図２である。実験の中で最も特性の良かった高
さｈ＝２０mmの場合の特性を中心部を拡大したスミスチ
ャートを用いて示したのが図３である。

【００２８】図３の定在波比（ＳＷＲ：Ｓtanding Ｗav
e Ｒatio）＝１.２の円で示すように反射減衰量が２０
ｄＢ以下となる周波数帯域はおおよそ５０メガヘルツ
（ＭＨｚ）〜２３００ＭＨｚである。

【００２９】ここに、フェライト磁性体Ｆは、直流時の
透磁率２２００のＮｉＺｎ系焼結フェライトであり、厚
みｔ＝７.５mm、高さｈ＝５〜３０mm、配置間隔Ｓ＝２
０mmである。

【００３０】図２の特性から、入力インピーダンスの抵
抗分は、高さが高くなるに従って大きくなるが、高さｈ
₁＝５、１０、１５mmまでは、各周波数において誘導性
のインピーダンスである。一方、高さｈ＝２０mm以上に
なると、高い周波数では容量性に変化していることがわ
かる。従って、１５mm迄の高さにおいては、適当な容量
性リアクタンスを補償素子Ｃとして挿入し、リアクタン
ス分を打ち消し、抵抗分は、高さｈを高くすることによ
り、増加させれば広帯域化することが期待できる。な
お、図２において、測定スタート周波数は５ＭＨz、停
止周波数は３０００ＭＨzとした。以下の特性測定にお
いてもすべて同様な条件で行った。

【００３１】この場合、挿入される補償素子Ｃは、集中
定数型の素子より分布定数型の素子の方が適当であるこ
とが図２の周波数対インピーダンスの変化から推察され
る。

【００３２】かかる発想から、本発明の実施例１とし
て、図１Ｂに側面図で示すように、高さｈ₁の位置（ｂ
−ｂ'）から金属導電反射体Ｍまで導電性の平板（補償
素子）Ｃをフェライト磁性体Ｆに密着して挿入してみ
た。平板Ｃの大きさは、高さｈ₁＝５mm、厚みｔｃ＝０.
２mmの銅箔を用い、幅は前記試料の幅と同じにした。そ
の結果を図４に示す。図３との比較においてわかるよう
に５ＭＨｚ〜５００ＭＨｚの周波数帯では、ほとんど平
板Ｃの影響はなく、平板Ｃの付加前とほぼ同じ特性であ
るが、それより高い周波数ではその補償効果が現れて、
５０ＭＨｚ〜３０００ＭＨｚまで定在波比（ＳＷＲ）
１.２の円内に入るように補償することができた。図５
は補償前と補償後の反射減衰量の特性を示した図であ
り、補償後のものは大きく改善されていることがわか
る。

【００３３】〔実施例２〕前記実施例１で用いた銅箔の
代わりに、図６に断面図で示すように、導電性材料で構
成される角柱Ｃを挿入しても結果はほぼ同じであった。
角柱Ｃはアルミニュウム製であり、その大きさは、高さ
ｈ₁＝５mm、厚みｔｃ＝１２.５mm、幅は実施例１の試料
のフェライト磁性体Ｆと同じにした。フェライト磁性体
Ｆは、直流時の透磁率２２００のＮｉＺｎ系焼結フェラ
イトであり、厚みｔ＝７.５mm、高さｈ＝２０mm、配置
間隔Ｓ＝２０mmである。

【００３４】また、図７に示すように、他の条件は同じ
で、高さｈ₁＝１０mmと長くすることにより厚さｔｃが
図７のものの約３分の１（４mm）の角柱Ｃをフェライト
磁性体Ｆの片面（図では上側）の空隙部だけに挿入して
も特性が改善されることがわかった。図６の場合の特性
を図８、図７の場合の特性を図９に示す。

【００３５】実施例２の実験結果から、本発明の補償型
広帯域電波吸収体は、周波数の低いところではそのリア
クタンス分が低く、周波数が高くなるに従ってそのリア
クタンス分が高くなる容量性の補償素子Ｃを付加したと
考えられるが、別の見方をすれば、比較的低い周波数で
は金属導電反射体Ｍの位置はもとの位置であるが、周波
数が高くなるに従って電気的には順次金属導電反射体Ｍ
の位置が高さｈ₁の位置まで等価的に移動して動作して
いるものと考えることもできる。

【００３６】しかしながら、先の導電性の平板Ｃや、導
電性の角柱Ｃに代えて、比誘電率が約９.６のアルミナ
磁器を７mmの厚みで充填してもほぼ同様の結果が得られ
た。

【００３７】また、ゴムにフェライト磁性体の粉末を混
入し、その直流時の透磁率を１０とし、誘電率を１２程
度にしたゴムフェライトを用いても高さｈ₁を変化する
のみでほぼ同程度に改善することができた。

【００３８】〔実施例３〕前記図１Ａに示す広帯域電波
吸収体でフェライト磁性体Ｆの高さが整合高ｈより高い
か、あるいは厚みが整合厚ｔより厚い場合、図１０Ａに
示すような特性を示す。すなわち、図２に示すように、
スミスチャートのほぼ中心を通らず全体的に抵抗分が高
くなる。図１０Ａの特性は、そのような例でフェライト
磁性体Ｆの高さｈ＝２５mmと５mmだけ高くした以外は、
実施例１と同じ条件の試料を測定したものである。この
ように補償前の特性の抵抗分が若干高い場合、実施例１
に示す補償を行うと、図１０Ｂのように、抵抗分は高い
がリアクタンス分は補償される。さらに、抵抗分をも補
償するために、図１１に示すように、エポキシ樹脂にカ
ーボン粉末を混入し、その抵抗値を１７５オーム／□と
した抵抗膜ＲＣをフェライト磁性体の表面に取り付ける
ことにより、全体の抵抗値を整合時の抵抗分５０オーム
付近まで下げ、吸収体全体としての特性を改善すること
ができた。その特性を同じく図１０Ｃに示した。

【００３９】〔実施例４〕次に、前述の図２４Ａ，図２
４Ｂに示すラティス型においても本発明を実施してみ
る。それを図１２Ａ（斜視図），図１２Ｂ（図１２Ａの
Ａ−Ａ'断面図）に示す。すなわち、図２４Ａ，図２４
Ｂに示す構成のフェライト電波吸収体の空隙部に、高さ
ｈ₁の導電性材料からなる角柱Ｃを設けてみた。この動
作もフィン型の時に述べたものと同様である。実験に使
用した材料としては、フェライト磁性体Ｆは、ＮｉＺｎ
系焼結フェライトの材料で直流時の透磁率２５００、厚
さｔ＝６.５mm、高さｈ＝２０mm、配置間隔Ｓ＝２０mm
である。補償素子Ｃと磁性体の空隙部にアルミニウム製
の一辺が１３.５mm、高さｈ₁＝６mmの角柱を付加した。
このときの特性を図１３に示す。この場合、帯域幅が若
干改善されていることがわかるが、実施例１ほどの改善
はみられない。この理由は、補償素子Ｃの挿入位置が適
当でないためである。

【００４０】〔実施例５〕実施例４の特性をさらに向上
させる方法を検討してみる。

【００４１】そこで、図１４Ａに示すように、フェライ
トを距離ｄ＝６mmだけ金属導電反射体Ｍから浮かし、補
償素子Ｃの高さｈ₁＝１２mmとし、同じくこの空隙部に
アルミニウム製の一辺が１３.５mmの角パイプ状の補償
素子Ｃを挿入してみた。その結果、図１５に示すよう
に、その特性が改善された。

【００４２】この場合も、図１４Ｂのように、ブロック
状の誘電体でも有効であった。

【００４３】〔実施例６〕また、図１６に示すように、
付加する補償素子ＣをＣ₁，Ｃ₂の２段にし、金属導電反
射体Ｍから遠い方の間隔を広くし、金属導電反射体Ｍに
近い方の間隔を狭くしてみた。ここに、高さｈ＝４０m
m、厚さｔ＝２mmのフェライト磁性体Ｆ（ＮｉＺｎ系焼
結フェライト）の円筒２１を図１６に示すように同軸管
からなる外部導体２２と中心導体２３との間に配置し、
補償素子Ｃの寸法を図１６に示すようにしたときの特性
を図１７に補償前と補償後を合わせて記載してあるが、
大幅に特性が改善されていることがわかる。前記図１６
において、ｈ₁＝５mm，ｈ₂＝１０mm，ｔｃ₁＝１.８mm，
ｔｃ₂＝０.９mmである。

【００４４】以上の説明からわかるように、前記実施例
によれば、金属導電反射体Ｍ上に、空隙を有する磁性体
Ｆを配置し、その磁性体Ｆの表面から金属導電反射体Ｍ
までの高さをｈとするとき、前記磁性体空隙部内の金属
導電反射体Ｍからの高さｈ₁が高さｈに等しいかあるい
はそれよりも小さい（ｈ₁≦ｈ）位置に、導電材料、誘
電体材料、抵抗体の内、少なくとも一種類以上の物質を
含む材料からなる補償素子Ｃ（例えば、平板Ｃ又は角柱
Ｃ、誘電体層）を一個以上付加することにより、フィン
型及びラティス型の電波吸収体のように、規則的に空隙
部とフェライト部の繰り返し構造を有する電波吸収体を
より広帯域にすることができる。例えば、高さは従来の
フィン型やラティス型と同じでありながら３０ＭＨｚ〜
３０００ＭＨｚの電波に対して反射減衰量２０ｄＢ以下
の広帯域な電波吸収体が得られる。

【００４５】また、電波吸収体の空隙部分に簡単な補償
素子Ｃ（例えば、導電性平板Ｃ、角柱Ｃ、誘電体層）を
１個以上挿入しただけであるので、吸収体自体の高さに
変化はなく、簡単な構造で広帯域な電波吸収体が得られ
る。

【００４６】また、フィン型及びラティス型の電波吸収
体のように、規則的に空隙部とフェライト部の繰り返し
構造を有する電波吸収体は、実際には吸収体の高さが１
０〜４０mmで、３０００ＭＨｚで約０.１〜０.４波長で
あるから、その高さｈ₁が比較的高いので、その高さの
範囲内に適正なインピーダンスを呈する補償素子Ｃを入
れ得るのが普通である。

【００４７】また、補償素子Ｃの実際の構造製作は、フ
ェライト磁性体Ｆに導電性塗料を必要個所に塗布する方
法でも実現できるし、角柱Ｃは金属導電反射体をプレス
加工によって必要個所を盛り上げるなり、打ち出したり
しても良い。また、ここで述べた補償素子Ｃは、フェラ
イト板を金属導電反射体Ｍに固定するための金具として
利用しても良い。

【００４８】また、磁性体Ｆを金属導電反射体Ｍにプラ
スチック系の接着剤を用いて張り付ける場合、接着剤に
カーボンや金属粉等を混入し誘電率を調整した接着剤を
用いて本来の接着と補償素子Ｃを兼ねさせることができ
る。

【００４９】また、本発明の補償素子付き広帯域電波吸
収体は、これ単独での利用は勿論のこと、図１８に示す
ように、その前方（入射波方向）に誘電体膜又は低透磁
率磁性体膜ＲＦを追加してさらに広帯域化をはかること
が可能である。また、図１９に示すように、同じくその
前方に損失誘電体ＤＬを付加して使用することができ
る。いずれの場合も、本発明の電波吸収体がすでに相当
高い周波数まで広帯域化されているので、付加する誘電
体膜や磁性体膜の位置、損失誘電体の高さは、最大でも
本発明の電波吸収体の最高使用周波数の２分の１波長以
内であるから従来の磁性体膜や誘電体膜の付加した吸収
体に較べ大幅に全体の高さが低くできる。

【００５０】以上、本発明を実施例にもとづき具体的に
説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可
能であることは言うまでもない。

【００５１】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、フィン型又はラティス型の電波吸収体のように、規
則的に空隙部とフェライト部の繰り返し構造を有する電
波吸収体をより広帯域にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１Ａ】図１Ａは、本発明の実施例の基本電波吸収
体の構成を示す断面図、

【図１Ｂ】本発明の補償型広帯域電波吸収体の実施例
１の構成を示す断面図、

【図２】図１Ａの広帯域電波吸収体の線路の特性イン
ピーダンスで正規化したスミスチャート、

【図３】本実施例１の最も特性の良かった高さの場合
の特性の中心部を拡大したスミスチャート、

【図４】本実施例１の補償型広帯域電波吸収体の線路
の特性インピーダンスで正規化したスミスチャート、

【図５】本実施例１の補償前と補償後の反射減衰量の
特性を示す図、

【図６】本発明の実施例２の構成を示す断面図、

【図７】本実施例２の変形例の構成を示す図、

【図８】図６に示す本実施例２の特性を示す図、

【図９】図７に示す本実施例２の変形例の特性を示す
図、

【図１０Ａ】図１Ａに示す広帯域電波吸収体でフェラ
イト磁性体の高さが整合高より高いか、あるいは厚みが
整合厚より厚い場合の特性を示す図、

【図１０Ｂ】本実施例３による補償特性を示す図、

【図１０Ｃ】本実施例３による補償特性を示す図、

【図１１】本発明の実施例３の構成を示す断面図、

【図１２Ａ】本発明の実施例４の構成を示す斜視図、

【図１２Ｂ】本発明の実施例４の構成を示す断面図、

【図１３】本実施例４の磁性体の空隙部に角柱を付加
したときの特性を示す図、

【図１４Ａ】本発明の実施例５の構成を示す断面図、

【図１４Ｂ】本実施例５の変形例の構成を示す断面
図、

【図１５】本実施例５の特性を示す図、

【図１６】本発明の実施例６の構成を示す断面図、

【図１７】本実施例６の特性を示す図、

【図１８】本発明の応用例の構成を示す断面図、

【図１９】本発明の他の応用例の構成を示す断面図、

【図２０】基本的なフェライト電波吸収体の断面構造
図、

【図２１】図２０に示すフェライト電波吸収体の特性
を示す図、

【図２２】広帯域化したフェライト電波吸収体の例を
示す断面図、

【図２３Ａ】広帯域化したフェライト電波吸収体の他
の例を示す斜視図、

【図２３Ｂ】図２３Ａの断面図、

【図２４Ａ】広帯域化したフェライト電波吸収体の他
の例を示す斜視図、

【図２４Ｂ】図２３Ａの断面図、

【図２５Ａ】試料測定に用いられるトリプレート線路
の構成を示す縦断面図、

【図２５Ｂ】図２５Ａの横断面図。

【符号の説明】

Ｍ…金属導体反射板、Ｆ…フェライト磁性体、Ｃ…補償
素子、Ｓ…フェライト磁性体配置間隔、ｈ…フェライト
磁性体の高さ、ｈ₁…補償素子の高さ、ｔ…フェライト
磁性体の厚さ、ｔｃ…補償素子の厚さ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反射板上に、空隙を有する磁性体を配置
し、その磁性体表面から反射板までの高さをｈとすると
き、前記磁性体空隙部内の反射板からの高さｈ₁が高さ
ｈに等しいかあるいはそれよりも低い（ｈ₁≦ｈ）位置
に、導電材料、誘電体材料、抵抗体の内、少なくとも一
種類以上の物質を含む材料からなる補償素子を一個以上
付加してなることを特徴とする補償型広帯域電波吸収
体。
【請求項２】請求項１に記載の補償型広帯域電波吸収
体において、前記補償素子は、前記磁性体を挟んで対向
する形に配置された板状体又は膜状体からなることを特
徴とする補償型広帯域電波吸収体。
【請求項３】請求項１に記載の補償型広帯域電波吸収
体において、前記補償素子は、少なくともその一部が前
記磁性体に囲まれる形に配置された柱状体又は枠状体か
らなることを特徴とする補償型広帯域電波吸収体。