JPH0555801B2 - - Google Patents
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- JPH0555801B2 JPH0555801B2 JP62260573A JP26057387A JPH0555801B2 JP H0555801 B2 JPH0555801 B2 JP H0555801B2 JP 62260573 A JP62260573 A JP 62260573A JP 26057387 A JP26057387 A JP 26057387A JP H0555801 B2 JPH0555801 B2 JP H0555801B2
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- edge
- edges
- measurement
- profile
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Description
【発明の詳細な説明】
<産業上の利用分野>
本発明は、光反射率が測定領域内で均一な基板
上に形成された微小なパターン、例えばシリコン
ウエハに形成された薄膜パターンや半導体プロセ
スで使用されるガラスマスク上のクロム(Cr)
パターン等の幅またはピツチを測定する線幅測定
方法に関する。Detailed Description of the Invention <Industrial Application Field> The present invention is applicable to minute patterns formed on a substrate with uniform light reflectance within a measurement area, such as a thin film pattern formed on a silicon wafer or a semiconductor process. Chromium (Cr) on glass masks used in
The present invention relates to a line width measuring method for measuring the width or pitch of a pattern, etc.
<従来の技術>
従来のこの種の線幅測定方法を、第5図に従つ
て説明する。<Prior Art> A conventional line width measurement method of this type will be explained with reference to FIG.
同図において、1は顕微鏡、2は顕微鏡1にセ
ツトされたシリコンウエハまたはガラスマスク等
の試料、3は試料2を目視確認するための双眼ア
イピース、4,5は光源である。光源4はシリコ
ンウエハのような反射形の試料を測定する場合
に、光源5はガラスマスクのような透過形の試料
を測定する場合にそれぞれ使用される。試料2の
表面に形成された微細パターンの光学像はCCD
6のような光電変換素子に結像されて画像信号に
変換される。CCD6から出力された画像信号は
信号処理装置本体7に与えられて適宜に処理され
た後、CRT8に与えられる。なお、符号9は後
述する測定プロフアイルを指定したり、カーソル
を移動させるためのキーボード、10は測定結果
を印字するプリンタである。 In the figure, 1 is a microscope, 2 is a sample such as a silicon wafer or a glass mask set in the microscope 1, 3 is a binocular eyepiece for visually confirming the sample 2, and 4 and 5 are light sources. The light source 4 is used when measuring a reflective sample such as a silicon wafer, and the light source 5 is used when measuring a transmissive sample such as a glass mask. The optical image of the fine pattern formed on the surface of sample 2 is captured by CCD.
The image is formed on a photoelectric conversion element such as 6 and converted into an image signal. The image signal output from the CCD 6 is given to the signal processing device main body 7, where it is appropriately processed, and then given to the CRT 8. Note that the reference numeral 9 is a keyboard for specifying a measurement profile to be described later and for moving a cursor, and the reference numeral 10 is a printer for printing measurement results.
第6図はCRT8に映し出された試料表面の微
細パターン(斜線部分)を示している。 Figure 6 shows the fine pattern (shaded area) on the sample surface projected on the CRT8.
CRT8には試料表面の微細パターンとともに、
2本のカーソルL1,L2が表示される。オペレー
タは、この2本のカーソルL1,L2をキーボード
9を操作することによつて動かし、測定しようと
するパターンをカーソルL1,L2で挟むことによ
つて指定する。 Along with the fine pattern on the sample surface, CRT8
Two cursors L 1 and L 2 are displayed. The operator moves these two cursors L 1 and L 2 by operating the keyboard 9, and specifies the pattern to be measured by sandwiching the pattern between the cursors L 1 and L 2 .
上述のように試料の位置合わせを行つた後、キ
ーボード9に設けられた測定プロフアイルキーを
操作するこによつて、試料に応じた測定プロフア
イルを指定する。ここで、測定プロフアイルと
は、微細パターンの光学像の光強度を象徴的に示
した波形である。シリコンウエハやガラスマスク
のような反射率が均一な基板上に形成された、反
射率が均一な微細パターンの場合、第7図A1,
B1,C1またはD1に示すような4種類の測定
プロフアイルがある。なお、第7図A2〜D2
は、前記各測定プロフアイルが得られる試料の断
面図である。 After positioning the sample as described above, a measurement profile corresponding to the sample is designated by operating the measurement profile key provided on the keyboard 9. Here, the measurement profile is a waveform symbolically showing the light intensity of an optical image of a fine pattern. In the case of a fine pattern with uniform reflectance formed on a substrate with uniform reflectance such as a silicon wafer or a glass mask, FIG. 7A1,
There are four types of measurement profiles as shown in B1, C1 or D1. In addition, Fig. 7 A2 to D2
1 is a cross-sectional view of a sample from which each measurement profile is obtained.
第7図A1およびB1はガラスマスク等の透過
形の基板に形成されたクロム等の金属被膜からな
る微細パターンの測定プロフアイル、同図C1お
よびD1はシリコンウエハ等の反射形の基板に形
成されたレジスト被膜パターンの測定プロフアイ
ルである。ガラスマスクに形成されたクムロパタ
ーンのような金属被膜の段差部は急峻であるか
ら、第7図A1やB1のように測定プロフアイル
はHレベルおよびLレベルの2値で表される。一
方、シリコンウエハに形成されるレジスト被膜パ
ターンの段差部は傾斜していて傾斜部で乱反射す
るために、測定プロフアイルのレベルは第7図C
1やD1のように3段階になる。 7A1 and B1 are measurement profiles of a fine pattern made of a metal coating such as chromium formed on a transmission type substrate such as a glass mask, and C1 and D1 in the same figure are measurement profiles of a fine pattern formed on a reflective type substrate such as a silicon wafer. This is a measurement profile of a resist film pattern. Since the stepped portion of the metal coating, such as the Kumuro pattern formed on the glass mask, is steep, the measurement profile is represented by two values, H level and L level, as shown in FIG. 7 A1 and B1. On the other hand, since the stepped portion of the resist film pattern formed on the silicon wafer is inclined, and the inclined portion causes diffuse reflection, the level of the measurement profile is as shown in Fig. 7C.
There are three stages such as 1 and D1.
上述したように測定プロフアイルは4種類であ
るが、微細パターンのどの部分の寸法を測定する
のかを指定するために、線幅を測定する場合の測
定プロフアイルキーとして第8図1〜10に示す
ような10種類のキーが備えられている。同図にお
いて、破線で示した目的エツジ間が測定される線
幅である。 As mentioned above, there are four types of measurement profiles, but in order to specify which part of the fine pattern is to be measured, the measurement profile keys for measuring line width are shown in Figures 8 1 to 10. It is equipped with 10 types of keys as shown. In the figure, the distance between the target edges indicated by broken lines is the line width to be measured.
さらにキーボード9には、パターンのピツチを
測定するために第9図1〜12に示すような12種
類の測定プロフアイルキーが備えられている。各
測定プロフアイルに示した○印が、ピツチ測定の
対象となる目的エツジである。 Further, the keyboard 9 is equipped with 12 types of measurement profile keys as shown in FIGS. 1 to 12 for measuring the pitch of the pattern. The circle mark shown in each measurement profile is the target edge to be measured for pitch.
以上のようにして、オペレータによつて試料2
の位置合わせと測定プロフアイルの指定が行われ
た後、以下のように指定された線幅(またはピツ
チ)が測定される。 In the above manner, the operator selects sample 2.
After alignment and measurement profile specification, the specified line width (or pitch) is measured as follows.
例えば、試料がシリコンウエハであつて第10
図に示すような光強度の分布がCCD6によつて
検出されているとする。まず、オペレータはカー
ソル操作によつて、線幅を測定しようとするパタ
ーンを2本のカーソルL1,L2によつておおまか
に挟む。続いて、オペレータが測定プロフアイル
キーを操作して、例えば第8図5に示す測定プロ
フアイルを指定したとする。この場合、第10図
に示したエツジ1とエツジ3とを検出し、この両
エツジ間の寸法を測定する。具体的には、第8図
5に示す測定プロフアイルが指定されると、第5
図に示した信号処理装置本体7において、カーソ
ルL1を基準として第1番目のエツジ,エツジ1
を左エツジ、カーソルL2を基準として第2番目
のエツジ、エツジ3を右エツジとみなす。左右の
エツジの位置が検出されると両エツジ間の寸法
を、CCD6の画素ピツチに基づいて算出する。 For example, if the sample is a silicon wafer and the
Assume that a light intensity distribution as shown in the figure is detected by the CCD 6. First, the operator uses cursor operations to roughly sandwich the pattern whose line width is to be measured between the two cursors L 1 and L 2 . Suppose then that the operator operates the measurement profile key to specify, for example, the measurement profile shown in FIG. 8 and 5. In this case, edge 1 and edge 3 shown in FIG. 10 are detected, and the dimension between these two edges is measured. Specifically, when the measurement profile shown in FIG.
In the signal processing device main body 7 shown in the figure, the first edge, edge 1
is the left edge, the second edge is the cursor L2 , and edge 3 is the right edge. When the positions of the left and right edges are detected, the dimension between the two edges is calculated based on the pixel pitch of the CCD 6.
<発明が解決しようとする問題点>
上述したように、従来の線幅測定方法は、指定
された測定プロフアイルに対応した目的エツジを
検出するに際して、オペレータが操作して位置合
わせしたカーソルを基準として、指定された測定
プロフアイルに応じて第何番目のエツジを左エツ
ジ、あるいは右エツジにするというように、極め
て単純な方法で目的エツジを検出している。その
ため、オペレータの操作ミスによつて、例えば第
10図に示すように2本のパターンをカーソル
L1,L2′で挟むと、実際にはエツジ1,3間の寸
法Wを測定したいにもかかわらず、エツジ1,
3′間の寸法W′が測定されてしまうという問題点
がある。<Problems to be Solved by the Invention> As described above, in the conventional line width measurement method, when detecting a target edge corresponding to a specified measurement profile, a cursor that is positioned by an operator is used as a reference. The target edge is detected using an extremely simple method, such as setting the numbered edge as the left edge or the right edge depending on the specified measurement profile. Therefore, due to an operator's operation error, for example, two patterns may be moved with the cursor as shown in Figure 10.
If you sandwich it between L 1 and L 2 ', even though you actually want to measure the dimension W between edges 1 and 3,
There is a problem that the dimension W' between 3' is measured.
さらに、従来の測定方法によれば、オペレータ
によるカーソル操作が不可欠であるから、多数の
パターンの線幅を測定しようとすると、各パター
ンごとにカーソル操作を行わなければならず、測
定に長時間を要するという問題点もある。 Furthermore, according to conventional measurement methods, cursor operations by the operator are essential, so when trying to measure the line widths of a large number of patterns, cursor operations must be performed for each pattern, which takes a long time. There is also the problem that it is necessary.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたも
のであつて、オペレータによるカーソル操作を不
要にし、かつ指定された測定プロフアイルに応じ
た目的エツジを正しく検出することを目的とす
る。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to eliminate the need for cursor operations by an operator and to accurately detect a target edge according to a specified measurement profile.
<問題点を解決するための手段>
本発明は、このような目的を達成するために、
次のような構成をとる。<Means for solving the problems> In order to achieve such an object, the present invention has the following features:
It has the following structure.
予め複数の試料に対応する測定プロフアイル情
報を記憶し、試料上の微細パターンを拡大投影し
て得られた光学像を多階調の画像信号に変換し、
この多階調画像信号から、指定された測定プロフ
アイル情報に適合し、かつ測定対象ライン上にお
ける2つの目的エツジを検出し、両エツジ間の寸
法を算出することによつて微細パターンの幅また
はピツチの測定を行う線幅測定方法において、前
記プロフアイルの情報として、エツジが変化する
方向及びエツジの大きさを記憶し、前記多階調画
像信号に基づいて、エツジを検出するとともにそ
のエツジが変化する方向及びエツジの大きさを検
出し、前記検出されたエツジに関して、エツジが
変化する方向及びエツジの大きさが指定された測
定プロフアイルの情報と一致する場合に、そのエ
ツジを目的エツジとして検出している。 Measurement profile information corresponding to multiple samples is stored in advance, and the optical image obtained by enlarging and projecting the fine pattern on the sample is converted into a multi-gradation image signal.
From this multi-tone image signal, two target edges that match the specified measurement profile information and are on the line to be measured are detected, and the dimension between the two edges is calculated to determine the width or width of the fine pattern. In a line width measurement method that measures pitch, the direction in which the edge changes and the size of the edge are stored as the profile information, and the edge is detected and the edge is determined based on the multi-tone image signal. The changing direction and edge size are detected, and when the edge changing direction and edge size match the information of the specified measurement profile, regarding the detected edge, that edge is set as a target edge. Detected.
<作用>
第7図において説明したように、シリコンウエ
ハやガラスマスクのような反射率が均一な基板上
に形成された、反射率が均一な微細パターンの場
合、プロフアイルは4種類に分類できる。このプ
ロフアイルに現れるエツジの種類は、
(1) 大きい立上がり
(2) 小さい立上がり
(3) 大きい立下がり
(4) 小さい立下がり
の4種類である。しかも、これらのエツジが並ぶ
順番は、
・ (1)→(3)→(1)→(3)→… … …
・ (1)→(3)→(2)→(4)→(1)→(3)→(2)→(4)→…
…
のどちらかであつて、どちらにおいても、その並
ぶ順番に規則性があり、本発明は、その規則性に
基づいて、微細パターンの光学像を変換して得た
画像信号におけるエツジのうち、どのエツジが目
的とするエツジであるのかを自動的に判定する。<Function> As explained in Fig. 7, in the case of a fine pattern with uniform reflectance formed on a substrate with uniform reflectance such as a silicon wafer or a glass mask, the profile can be classified into four types. . There are four types of edges that appear in this profile: (1) large rising edges, (2) small rising edges, (3) large falling edges, (4) small falling edges. Moreover, the order in which these edges line up is: ・ (1)→(3)→(1)→(3)→… … … ・(1)→(3)→(2)→(4)→(1) →(3)→(2)→(4)→…
In either case, there is a regularity in the order in which they are lined up, and based on this regularity, the present invention is able to identify edges in an image signal obtained by converting an optical image of a fine pattern. To automatically determine which edge is a target edge.
ます、オペレータによつて、第7図A1,B
1,C1,D1のプロフアイルのうち、試料上の
微細パターンに適合するのはどのプロフアイルで
あつて、そのプロフアイルにおけるエツジのう
ち、どのエツジが目的とするエツジであるのかが
指定される。次に、前記画像信号における或るエ
ツジに対して、その隣りのエツジとともに、立上
がりまたは立下がり及び大小関係がどうであるの
かから、前記エツジの並ぶ順番の規則性に基づい
て、その或るエツジが上記(1)〜(4)のうちのいずれ
の種類に該当するかを識別する。そこで、その或
るエツジが、前記オペレータによつて指定された
プロフアイルにおける目的とするエツジと種類が
一致するかどうかを検討し、一致しなければ、一
致するまで順次隣りのエツジについて同様の過程
にしたがつて検討し、一致すれば、そのエツジが
オペレータによつて指定されたエツジに該当する
ものと決定する。 Figure 7 A1, B by the operator.
Among the profiles 1, C1, and D1, which profile matches the fine pattern on the sample, and which edge in that profile is the target edge is specified. . Next, based on the rise or fall and magnitude relationship of a certain edge in the image signal with its neighboring edges, the certain edge is determined based on the regularity of the order in which the edges are lined up. Identify which of the above types (1) to (4) corresponds to. Therefore, it is examined whether the type of that certain edge matches the target edge in the profile specified by the operator, and if it does not match, the same process is performed for adjacent edges in sequence until they match. If they match, it is determined that the edge corresponds to the edge specified by the operator.
このように、本発明によれば、目的エツジを検
出する過程において、エツジの立上がりまたは立
下がり及びエツジの大小関係に基づいて、つま
り、エツジの変化方向及びエツジの大きさに基づ
いて、画像信号のエツジが前記指定されたプロフ
アイルにおける指定されたエツジに一致している
か否かを判別しているから、目的とするエツジの
検出が自動的に行われるので、カーソル操作は不
要であり、容易、かつ迅速に測定プロフアイルに
対応した目的エツジが検出される。 As described above, according to the present invention, in the process of detecting a target edge, the image signal is Since it is determined whether or not the edge matches the specified edge in the specified profile, the target edge is automatically detected, so cursor operation is not required and it is easy to use. , and the target edge corresponding to the measurement profile is quickly detected.
<実施例>
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。<Example> Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail based on the drawings.
第1図は、本発明の一実施例に係る測定方法を
使用した装置の概略ブロツク図である。 FIG. 1 is a schematic block diagram of an apparatus using a measuring method according to an embodiment of the present invention.
同図において、第5図と同一符号で示した部分
は同一構成部分であるから、ここでの説明は省略
する。 In this figure, the parts indicated by the same reference numerals as those in FIG. 5 are the same constituent parts, so the description thereof will be omitted here.
顕微鏡1で拡大された試料面の微細パターンの
光学像はCCD6に投影される。CCD6は光学像
の光強度に対応した多階調の画像信号を並列に出
力する。この画像信号は、並列−直列変換器11
で直列の画像信号に変換された後、A/D変換器
12でデジタル信号に変換され、RAM13に与
えられる。タイミングパルス発生器14は、並列
−直列変換器11、A/D変換器12およびアド
レス指定器15に動作タイミングを与える。アド
レス指定器15はこのタイミングパルスを計数
し、その計数値をRAM13にアドレス信号とし
て与える。このアドレス信号で指定されたRAM
13の記憶領域にCCD6の各画素信号がそれぞ
れ格納される。CPU16は、RAM13に記憶さ
れた画像信号について後述する信号処理や測定プ
ロフアイルに対応した目的エツジを検出するため
の処理、目的エツジ間の寸法算出等を、ROM1
7に記憶された処理プログラムに従つて実行す
る。なお、符号18は、CRT8、キーボード9、
およびプリンタ10をCPU16に接続するため
の入出力インターフエースである。キーボード9
には、第8図および第9図において説明した測定
プロフアイルキー等が設けられている。 The optical image of the fine pattern on the sample surface magnified by the microscope 1 is projected onto the CCD 6. The CCD 6 outputs multi-gradation image signals in parallel corresponding to the light intensity of the optical image. This image signal is sent to the parallel-to-serial converter 11
The signal is converted into a serial image signal by the A/D converter 12, and then converted into a digital signal by the A/D converter 12, which is then applied to the RAM 13. Timing pulse generator 14 provides operating timing to parallel-to-serial converter 11, A/D converter 12, and address designator 15. The address designator 15 counts these timing pulses and gives the counted value to the RAM 13 as an address signal. RAM specified by this address signal
Each pixel signal of the CCD 6 is stored in the 13 storage areas. The CPU 16 performs signal processing described later on the image signal stored in the RAM 13, processing for detecting target edges corresponding to a measurement profile, calculation of dimensions between target edges, etc.
The processing program is executed according to the processing program stored in 7. In addition, code 18 is CRT8, keyboard 9,
and an input/output interface for connecting the printer 10 to the CPU 16. keyboard 9
is provided with the measurement profile keys and the like described in FIGS. 8 and 9.
次に、上述した装置の動作説明を通じて、本実
施例に係る測定方法を説明する。 Next, the measurement method according to this embodiment will be explained through an explanation of the operation of the above-mentioned apparatus.
例えば、半導体ウエハ上のレジストパターンの
線幅を測定する場合、オペレータは前記パターン
を顕微鏡視野内あるいはCRT表示範囲内の一点
(例えば、視野中心)に位置合わせする。続いて、
測定プロフアイルキーによつて、第7図A1,B
1,C1,D1のプロフアイルのうち測定しよう
としている目的エツジに適合するC1のフロフア
イルを指定し、そのプロフアイルにおける目的エ
ツジが左右両端のエツジであることを指定する。
以上の操作の後(または、操作の前に)、キーボ
ード9にある測定開始キーが押されると、CCD
6の画像信号の取組みが、CCD6の各画素間の
感度補正や平均化処理等の適宜な前処理を施され
た後、行われる。CCD6の各画素ごとの画像信
号は、例えば微分処理を施されてエツジ検出され
る。そして、これらの検出された各エツジは、
個々のエツジの始端位置と終端位置と、それらか
らの差分により算出されるエツジの大きさ、およ
び立上がりまたは立下がりに応じた正負の符号と
が、RAM13にそれぞれ記憶される。検出され
た各エツジに測定領域内の例えば左端から順番に
エツジ番号(例えば、1〜N0)が割りつけられ
る。第2図aは前処理が施された測定対象ライン
上の画像信号、第2図bは微分処理してエツジを
検出し、エツジの大きさや正負の符号を求める等
の演算処理された画像信号をそれぞれ示してい
る。なお、このような演算処理は、必ずしも前処
理段階で行う必要はなく、後述する目的エツジ検
出処理の過程で行うものであつてもよい。 For example, when measuring the line width of a resist pattern on a semiconductor wafer, an operator positions the pattern at a point (for example, the center of the field) within the microscope field of view or CRT display range. continue,
Depending on the measurement profile key, Fig. 7 A1, B
Among the profiles 1, C1, and D1, the C1 profile that matches the target edge to be measured is specified, and it is specified that the target edges in that profile are the edges at both the left and right ends.
After (or before) the above operations, when the measurement start key on the keyboard 9 is pressed, the CCD
6 is processed after appropriate preprocessing such as sensitivity correction between each pixel of the CCD 6 and averaging processing. The image signal for each pixel of the CCD 6 is subjected to, for example, differential processing to detect edges. And each of these detected edges is
The starting and ending positions of each edge, the size of the edge calculated from the difference therefrom, and the positive or negative sign depending on the rising or falling edge are stored in the RAM 13, respectively. An edge number (for example, 1 to N 0 ) is assigned to each detected edge in order from, for example, the left end in the measurement area. Figure 2a shows an image signal on the line to be measured that has been preprocessed, and Figure 2b shows an image signal that has been subjected to arithmetic processing such as differential processing to detect edges and determine the edge size and positive/negative sign. are shown respectively. Note that such arithmetic processing does not necessarily need to be performed at the preprocessing stage, and may be performed during the process of target edge detection processing, which will be described later.
以上の処理が行われた後、指定された測定プロ
フアイルのエツジに対応する左右の目的エツジを
検出するための処理および目的エツジ間の寸法算
出処理を行う。以下、この処理手順を第3図に示
したフローチヤートに従つて説明する。 After the above processing is performed, processing for detecting the left and right target edges corresponding to the edges of the specified measurement profile and processing for calculating the dimensions between the target edges are performed. Hereinafter, this processing procedure will be explained according to the flowchart shown in FIG.
ステツプS1: エツジ選択番号『N』を『1』
にセツトする。これにより、例えば測定領域内
の画像信号における左端のエツジ(第2図に示
すエツジ番号『1』のエツジ)を選択し、この
エツジが目的であるか否かを以下のステツプで
識別する。Step S1: Set edge selection number “N” to “1”
Set to . In this way, for example, the leftmost edge in the image signal within the measurement area (the edge with edge number "1" shown in FIG. 2) is selected, and whether or not this edge is the target is identified in the following steps.
ステツプS2: 指定された測定プロフアイルの
左エツジを識別するか、あるいは右エツジを識
別するかを定めるフラグFを『0』にセツトす
る。フラグFが『0』のときは、左エツジを探
すための処理を行い、フラグFが『1』のとき
は右エツジを探すための処理を行う。Step S2: Set a flag F to "0" to determine whether to identify the left edge or the right edge of the specified measurement profile. When flag F is "0", processing is performed to search for the left edge, and when flag F is "1", processing is performed to search for the right edge.
ステツプS3: エツジ『N』(測定開始のときは
エツジ『1』)の大きさ、即ち、エツジ『1』
の大きさをRAM13から読み取り、この値を
同じくRAM13内の領域『N1』にセツトす
る。以下、領域『N1』にセツトされたエツジ
をエツジ『N1』と称する。Step S3: The size of edge “N” (edge “1” at the start of measurement), that is, edge “1”
The size of is read from the RAM 13, and this value is also set in the area "N 1 " in the RAM 13. Hereinafter, the edge set in area "N 1 " will be referred to as edge "N 1 ".
ステツプS4: エツジ『N+1』(エツジ『2』)
の大きさを読み取り、この値をRAM13内の
領域『N2』にセツトする。以下、領域『N2』
にセツトされたエツジをエツジ『N2』と称す
る。Step S4: Edge “N+1” (Edge “2”)
The size is read and this value is set in the area "N 2 " in the RAM 13. Below, the area "N 2 "
The edge set to ``N 2'' is called edge ``N 2 ''.
ステツプS5: エツジ『N1』、『N2』の一方が立
上がりで、他方が立下がりであるかを判別す
る。試料面に塵等があると、第3図のステツプ
S5に付記したように隣接する二つのエツジが
共に立ち上がりのプロフアイルaや、隣接する
二つのエツジが共に立下がりのプロフアイルb
が現れることがあるため、このような原因で生
じたエツジを識別対象から除いている。このよ
うな異常なエツジが検出された場合にはステツ
プS6に進む。Step S5: Determine whether one of the edges "N 1 " and "N 2 " is rising and the other is falling. If there is dust on the sample surface, proceed to the step shown in Figure 3.
As noted in S5, there is profile a where two adjacent edges are both rising, and profile b where two adjacent edges are both falling.
Edges caused by such causes are excluded from the identification target. If such an abnormal edge is detected, the process advances to step S6.
ステツプS6: 次にエツジを選択するために、
エツジ選択番号『N』を『N+1』(即ち、N
=2)にセツトし、ステツプS4に戻る。これ
により、ステツプS3で読み取つたエツジ『1』
(『N1』にセツト)と、2度目のステツプS4で
新たに読み取つたエツジ『3』(『N2』にセツ
ト)との組合せによつてエツジ『1』の種類を
識別する。このことにより、塵埃などの付着に
よつて生じたエツジ『2』をとばして、エツジ
『3』との組合せによつてエツジ『1』の種類
を識別することになる。Step S6: Next, to select an edge,
Set the edge selection number “N” to “N+1” (i.e., N
=2) and return to step S4. As a result, the edge "1" read in step S3
(set to ``N 1 '') and edge ``3'' newly read in the second step S4 (set to ``N 2 ''), the type of edge ``1'' is identified. As a result, edge "2" caused by adhesion of dust or the like is skipped, and the type of edge "1" is identified based on the combination with edge "3".
ステツプS7: ステツプS5において、エツジ
『N1』、『N2』の一方が立上がりで、他方が立
下がりであると判断された場合は、エツジ
『N1』が立上がりであるか否かを判断する。こ
のような判断は、『N1』にセツトされたエツジ
の大きさ(微分値)の正負の符号を確認するこ
とによつて行う。Step S7: If it is determined in step S5 that one of the edges "N 1 " and "N 2 " is a rising edge and the other is a falling edge, it is determined whether the edge "N 1 " is a rising edge. do. Such a judgment is made by checking the sign of the edge size (differential value) set in "N 1 ".
ステツプS8: エツジ『N1』が立上がりである
と判断される場合としては、ステツプS7に付
記したプロフアイルc〜fがある。ただし、プ
ロフアイルe,fは第7図に示したプロフアイ
ル中に存在しない形であるから、このようなプ
ロフアイルe,fを形成するエツジを排除する
必要がある。そこで、ステツプS8では、エツ
ジ『N1』とエツジ『N2』との大きさがほぼ等
しいか否かを判断することによつて、次のステ
ツプS9にて異常なエツジを識別対象から排除
している。なお、上記プロフアイルeやfは、
基板上のパターン周縁においてフレネル回折に
よつて生じることが多く、その発生頻度はかな
り高く、それを識別対象から排除することは、
きわめて有益である。Step S8: Examples of cases in which edge "N 1 " is determined to be a rising edge include profiles c to f added to step S7. However, since profiles e and f do not exist in the profiles shown in FIG. 7, it is necessary to eliminate edges that form such profiles e and f. Therefore, in step S8, by determining whether the sizes of edge "N 1 " and edge "N 2 " are approximately equal, abnormal edges are excluded from the identification target in the next step S9. ing. In addition, the above profiles e and f are
This is often caused by Fresnel diffraction at the pattern periphery on the substrate, and its occurrence frequency is quite high, so eliminating it from identification targets is
Extremely useful.
ステツプS9: エツジ『N1』とエツジ『N2』と
の大きさが等しくない場合は、次のエツジを選
択するために、エツジ選択番号『N』を『N+
1』にセツトし、ステツプS4に戻る。Step S9: If the sizes of edge ``N 1 '' and edge ``N 2 '' are not equal, change the edge selection number ``N'' to ``N+'' to select the next edge.
1” and return to step S4.
ステツプS10: エツジ『N1』とエツジ『N2』
との大きさが等しいと判断されるのは、プロフ
アイルc,d、即ち、(大きい立上がり)→
(大きい立下がり)か、あるいは(小さい立上
がり)→(小さい立下がり)の場合である。そ
こで、エツジ『N1』が大きい立上がりか、あ
るいは小さい立上がりであるかを判断するため
に、エツジ『N+2』の値を読み取り、この値
をRAM13内の領域『N3』にセツトする。以
下、領域『N3』にセツトされたエツジをエツ
ジ『N3』と称する。Step S10: Edge “N 1 ” and Edge “N 2 ”
Profiles c and d are judged to be equal in magnitude, that is, (large rise) →
(large fall) or (small rise) → (small fall). Therefore, in order to determine whether the edge "N 1 " has a large rise or a small rise, the value of the edge "N+2" is read and this value is set in the area "N 3 " in the RAM 13. Hereinafter, the edge set in area "N 3 " will be referred to as edge "N 3 ".
ステツプS11: エツジ『N2』とエツジ『N3』
との大きさがほぼ等しいか否かを判断する。Step S11: Edge “N 2 ” and Edge “N 3 ”
Determine whether the sizes are approximately equal.
ステツプS12: エツジ『N2』とエツジ『N3』
との大きさが等しくなる場合は、ステツプS11
に付記したようなプロフアイルjであるから、
エツジ『N2』は大きい立下がり、エツジ
『N3』は大きい立上がりである。Step S12: Edge “N 2 ” and Edge “N 3 ”
If the size is equal, step S11
Since the profile j is as added to
Edge "N 2 " is a large falling edge, and edge "N 3 " is a large rising edge.
ステツプS13: したがつて、エツジ『N1』は大
きい立上がりであると判断する。Step S13: Therefore, it is determined that the edge "N 1 " is a large rise.
ステツプS14: ステツプS11において、エツジ
『N2』とエツジ『N3』の大きさが等しくない
と判断されるのは、ステツプS11に付記したプ
ロフアイルkのように、エツジ『N1』が小さ
い立上がりの場合と、プロフアイルlのように
大きい立上がりの場合とがある。エツジ『N1』
が何れの種類であるかを判断すために、エツジ
『N2』とエツジ『N3』との大きさを比較する。Step S14: In step S11, it is determined that the sizes of edge "N 2 " and edge "N 3 " are not equal because edge "N 1 " is small, as in profile k added to step S11. There are two cases: a rising edge, and a large rising edge like profile l. Etsuji “N 1 ”
In order to determine which type of edge ``N 2 '' and edge ``N 3 '' are, the sizes are compared.
ステツプS15: エツジ『N2』の方が小さくなる
のは、プロフアイルkの場合であるから、この
場合はエツジ『N2』は小さい立下がり、エツ
ジ『N3』は大きい立上がりであると判断する。Step S15: The edge "N 2 " is smaller in the case of profile k, so in this case it is determined that the edge "N 2 " is a small falling edge and the edge "N 3 " is a large rising edge. do.
ステツプS16: したがつて、エツジ『N1』は小
さい立上がりであると判断する。Step S16: Therefore, it is determined that the edge "N 1 " has a small rise.
ステツプS17: ステツプS14において、エツジ
『N2』はエツジ『N3』よりも小さくない(即
ち、エツジ『N3』の方が小さい)と判断され
るのは、プロフアイルlの場合であるから、こ
の場合は、エツジ『N2』は大きい立下がり、
エツジ『N3』は小さい立上がりであると判断
する。Step S17: In step S14, it is determined that the edge "N 2 " is not smaller than the edge "N 3 " (that is, the edge "N 3 " is smaller) because it is the case of profile l. , in this case, the edge ``N 2 '' has a large fall,
The edge "N 3 " is judged to be a small rise.
ステツプS18: したがつて、エツジ『N1』は大
きい立上がりであると判断する。Step S18: Therefore, it is determined that the edge "N 1 " is a large rise.
ステツプS19: ステツプS7において、エツジ
『N1』が立ち上がりでない、即ち、エツジ
『N1』が立下がりであると判断されるのは、プ
ロフアイルg,h,iの場合である。そこで、
このステツプS19では、エツジN1』とエツジ
『N2』との大きさがほぼ等しいか否かを判断す
る。Step S19: In step S7, it is determined that the edge "N 1 " is not a rising edge, that is, the edge "N 1 " is a falling edge in the case of profiles g, h, and i. Therefore,
In this step S19, it is determined whether the sizes of the edge "N 1 " and the edge "N 2 " are approximately equal.
ステツプS20: 両エツジ『N1』、『N2』が等し
くなるのは、プロフアイルgの場合だけである
から、この場合はエツジ『N1』は大きい立下
がり、エツジ『N2』は大きい立上がりである
と判断する。Step S20: Both edges ``N 1 '' and ``N 2 '' are equal only in the case of profile g, so in this case, edge ``N 1 '' has a large fall, and edge ``N 2 '' has a large fall. It is judged that it is rising.
ステツプS21: ステツプS19において、両エツ
ジ『N1』、『N2』が等しくないと判断されるの
は、プロフアイルh,iの場合である。プロフ
アイルhは(小さい立下がり)→(大きい立上
がり)、プロフアイルiは(大きい立下がり)
→(小さい立上がり)になつている。このステ
ツプS21では、エツジ『N1』とエツジ『N2』
との大小を比較して、エツジの種類を識別して
いる。Step S21: In step S19, it is determined that the two edges "N 1 " and "N 2 " are not equal in the case of profiles h and i. Profile h is (small fall) → (large rise), profile i is (large fall)
→ (small rise). In this step S21, edge "N 1 " and edge "N 2 "
The type of edge is identified by comparing its size with that of the edge.
ステツプS22: エツジ『N1』の方が小さい場合
は、プロフアイルhであるから、エツジ『N1』
は小さい立下がり、エツジ『N2』は大きい立
上がりであると判断する。Step S22: If the edge "N 1 " is smaller, it is profile h, so the edge "N 1 "
is determined to be a small falling edge, and edge ``N 2 '' is determined to be a large rising edge.
ステツプS23: エツジ『N1』はエツジ『N2』
よりも小さくない(即ち、エツジ『N2』の方
が小さい)場合は、プロフアイルiであるか
ら、エツジ『N1』は大きい立下がり、エツジ
『N2』は小さい立上がりであると判断する。Step S23: Edge “N 1 ” is edge “N 2 ”
If the edge is not smaller than (that is, the edge "N 2 " is smaller), then the profile is i, so it is determined that the edge "N 1 " is a large falling edge and the edge "N 2 " is a small rising edge. .
ステツプS24: ステツプS13,S16,S18,S20,
S22およびS23でエツジ『N1』の種類が識別さ
れると、ステツプS24に進み、フラグFが
『0』であるか否かを確認して、エツジ『N1』
の種類を、指定された測定プロフアイルの左右
どちらのエツジと比較するのかを判別する。Step S24: Step S13, S16, S18, S20,
When the type of edge "N 1 " is identified in S22 and S23, the process proceeds to step S24, where it is checked whether the flag F is "0" and the edge "N 1 " is identified.
Determine whether the type of edge is to be compared with the left or right edge of the specified measurement profile.
ステツプS25: フラグFが『0』である場合、
オペレータの測定プロフアイルキーの操作によ
つ予め指定されたプロフアイルの左端エツジの
種類と、前記エツジ『N1』の種類とが一致す
るか否かを確認する。Step S25: If flag F is "0",
It is checked whether the type of the left edge of the profile specified in advance by the operation of the measurement profile key by the operator matches the type of the edge "N 1 ".
ステツプS26: 一致しない場合、エツジ選択番
号『N』を『N+1』にセツトして、ステツプ
S3に戻り、次のエツジ(例えば、エツジ『1』
が目的の左エツジに一致しない場合はエツジ
『2』)の種類を識別する。Step S26: If they do not match, set the edge selection number "N" to "N+1" and proceed to step S26.
Return to S3 and select the next edge (for example, edge "1"
If the left edge does not match the desired left edge, the type of edge "2") is identified.
ステツプS27: エツジ『N1』の種類が測定プロ
フアイルの左エツジの種類に一致する場合に
は、エツジ『N1』の位置を左エツジとして記
憶する。Step S27: If the type of edge "N 1 " matches the type of left edge of the measurement profile, the position of edge "N 1 " is stored as a left edge.
ステツプS28: ステツプS27を終了した後、フ
ラグFを『1』にセツトする。Step S28: After completing step S27, flag F is set to "1".
ステツプS29: 次に、エツジ選択番号『N』を
『N+1』にセツトして、ステツプS3に戻り、
次のエツジ(例えば、エツジ『2』)の種類を
識別する。Step S29: Next, set the edge selection number "N" to "N+1" and return to step S3.
Identify the type of the next edge (for example, edge "2").
ステツプS30: ステツプS3〜ステツプS23の各
処理によつて次のエツジ(エツジ『2』)の種
類が識別され、ステツプS24に達すると、この
ときフラグFは『1』であるから、ステツプ
S30に進む。このステツプS30では、エツジ
『N1』(エツジ『2』)が指定された測定プロフ
アイルの右エツジの種類に一致するか否かを確
認する。Step S30: The type of the next edge (edge "2") is identified through each process from step S3 to step S23, and when step S24 is reached, the flag F is "1" at this time, so step
Proceed to S30. In this step S30, it is checked whether the edge "N 1 " (edge "2") matches the type of right edge of the specified measurement profile.
ステツプS31: エツジ『N1』(エツジ『2』)の
種類が右エツジの種類と一致しない場合には、
エツジ選択番号『N』を『N+1』にセツトし
てステツプS3に戻り、次のエツジ(例えば、
エツジ『3』)の種類を識別する。Step S31: If the type of edge “N 1 ” (edge “2”) does not match the type of the right edge,
Set the edge selection number "N" to "N+1", return to step S3, and select the next edge (for example,
Identify the type of edge "3").
ステツプS32: エツジ『N1』の種類が右エツジ
の種類と一致している場合は、そのエツジの位
置を右エツジとして記憶する。Step S32: If the type of edge "N 1 " matches the type of the right edge, the position of that edge is stored as the right edge.
ステツプS33: 指定された測定プロフアイルの
左右エツジの種類に一致した二つエツジが識別
されると、これらのエツジを持つパターンは視
野中心に最も近いパターンであるか否かを判断
する。視野中心は、CCD6の中心位置に対応
しているので、その位置は既知である。したが
つて、識別した各エツジの位置から視野中心ま
での距離をそれぞれ比較することによつて、視
野中心の最も近いパターンを判別する。Step S33: When two edges matching the types of left and right edges of the specified measurement profile are identified, it is determined whether the pattern having these edges is the closest pattern to the center of the visual field. Since the center of the visual field corresponds to the center position of the CCD 6, its position is known. Therefore, by comparing the distances from the positions of the identified edges to the center of the visual field, the pattern closest to the center of the visual field is determined.
ステツプS34: 視野中心に最も近いパターンで
ない場合は、エツジ選択番号『N』を『N+
1』にセツトして、ステツプS2に戻り、次の
エツジの識別を行い、視野中心に最も近いパタ
ーンが見つかるまで上述した処理を繰り返し実
行する。Step S34: If the pattern is not the closest to the center of the field of view, change the edge selection number "N" to "N+
1'', return to step S2, identify the next edge, and repeat the above-described process until the pattern closest to the center of the visual field is found.
ステツプS35: 視野中心に最も近いパターンが
見つかると、そのパターンの左エツジと右エツ
ジとの位置から両エツジ間の寸法を算出する。Step S35: When the pattern closest to the center of the visual field is found, the dimension between the left and right edges of that pattern is calculated from the positions of the left and right edges.
ステツプS36: 算出された線幅をプリンタに出
力し、処理を終了する。Step S36: Output the calculated line width to the printer and end the process.
次に、指定された測定プロフアイルに対応する
測定領域内の全てのパターンの線幅を測定する場
合の処理を、第4図に基づいて説明する。 Next, a process for measuring the line widths of all patterns within a measurement area corresponding to a designated measurement profile will be described based on FIG. 4.
ステツプS1〜ステツプS32は、第3図に示した
フローと同じであるから、第4図では省略してい
る。 Since steps S1 to S32 are the same as the flow shown in FIG. 3, they are omitted in FIG.
ステツプS37: 全てのパターンを測定する場合
には、ステツプS32に続いて、測定領域内にあ
る全てのエツジを識別処理したか否かを確認す
る。これは、エツジ選択番号『N』が、前述し
た前処理で割りつけたエツジ番号(1〜N0)
の最大値(即ち、N0)に等しいか否かを確認
することによつて行う。Step S37: When measuring all patterns, following step S32, it is checked whether all edges within the measurement area have been identified. This means that the edge selection number "N" is the edge number (1 to N 0 ) assigned in the preprocessing described above.
This is done by checking whether it is equal to the maximum value of N 0 (ie, N 0 ).
ステツプS38: 全てのエツジを識別処理してい
ない場合は、エツジ選択番号『N』を『N+
1』にセツトして、第3図に示したステツプ
S2に戻り、次のエツジの識別処理を行う。Step S38: If all edges have not been identified, change the edge selection number “N” to “N+
1” and follow the steps shown in Figure 3.
Return to S2 and perform the next edge identification process.
ステツプS39: 全てのエツジの識別処理が終了
すると、記憶した各左右エツジ間の寸法をそれ
ぞれ算出する。Step S39: When all edges have been identified, the memorized dimensions between the left and right edges are calculated.
ステツプS40: 算出した各パターンの線幅をフ
リンタに出力し、処理を終了する。Step S40: Output the calculated line width of each pattern to the printer, and end the process.
なお、上述の実施例では、パターンの線幅を測
定する場合について説明したが、パターンのピツ
チを測定する場合にも同様の処理が行われる。た
だし、ピツチ測定の場合は第9図に示す測定プロ
フアイルの中から所望のプロフアイルを指定し、
このときは目的エツジが一種類だけになる。 In the above-described embodiment, the case where the line width of a pattern is measured has been described, but the same process is performed when measuring the pitch of a pattern. However, in the case of pitch measurement, specify the desired profile from the measurement profiles shown in Figure 9,
In this case, there is only one type of target edge.
また、上述の実施例では、視野領域の端から順
番にエツジの識別処理を行つたが、これは視野中
心から順番に識別処理を行つてもよい。さらに実
施例に示した処理手順や、処理内容は種々変更実
施することが可能である。このような変形例も、
本発明の特徴であるエツジの立上がりがまたは立
下がり及びエツジの大小関係に基づいて画像信号
のエツジの種類を識別し、このエツジの種類が指
定された測定プロフアイルのエツジの種類に一致
した場合に、そのエツジを目的として検出するも
のである限り、本発明に含まれる。 Further, in the above-described embodiment, the edge identification processing is performed sequentially from the edge of the visual field, but the identification processing may be performed sequentially from the center of the visual field. Furthermore, the processing procedures and processing contents shown in the embodiments can be modified in various ways. Such variations also include
The edge type of the image signal is identified based on the magnitude relationship between the rising or falling edge and the edge, which is a feature of the present invention, and when this edge type matches the edge type of the specified measurement profile. However, as long as the edge is detected for the purpose, it is included in the present invention.
<発明の効果>
以上のように、本発明によれば基板上のパター
ンの幅やピツチを測定する線幅測定における目的
エツジ検出過程において、画像信号のエツジの種
類を積極的に識別し、その種類が指定された測定
プロフアイルのエツジの種類に一致したエツジを
目的エツジとして検出しているから、従来方法の
ように2本のカーソルで測定パターンを挟み、こ
れらのカーソルを基準として単純にエツジを選択
しているものに比較して、オペレータによるカー
ソル操作が不要で線幅測定を容易かつ迅速に行う
ことができる。しかも、フレネル回折や塵埃の付
着によつて生じた不要なエツジによる誤認も解消
することができる。<Effects of the Invention> As described above, according to the present invention, in the process of detecting a target edge in line width measurement for measuring the width and pitch of a pattern on a substrate, the type of edge of an image signal is actively identified and the edge type is detected. Since the edge whose type matches the edge type of the specified measurement profile is detected as the target edge, the measurement pattern can be sandwiched between two cursors as in the conventional method, and the edge can be simply created using these cursors as a reference. Compared to the case where the operator selects , line width measurement can be performed easily and quickly without the need for cursor operations by the operator. Moreover, misidentification caused by unnecessary edges caused by Fresnel diffraction or dust adhesion can also be eliminated.
第1図は本発明に係る測定方法を使用した装置
の概略ブロツク図、第2図は本発明の一実施例に
おいて検出された画像信号とその微分信号の波形
図、第3図は本発明の一実施例である視野中心に
最も近いパターンの線幅を測定する場合の処理手
順を示したフローチヤート、第4図は本発明の別
実施例である測定領域内の全てのパターンの線幅
を測定する場合の処理手順の一部を示したフロー
チヤート、第5図は従来の測定方法を使用した装
置の概略ブロツク図、第6図は従来方法のカーソ
ル操作の説明図、第7図は本発明の一実施例およ
び従来例に共通する測定プロフアイルの波形図と
それぞれに対応した試料の断面図、第8図は本発
明の一実施例および従来例に共通するパターンの
線幅測定の際に指定される測定プロフアイルの
例、第9図は本発明および従来例に共通するピツ
チ測定の際に指定される測定プロフアイルの例、
第10図は従来例におけるエツジ検出方法の説明
図である。
1……顕微鏡、2……試料、3……双眼アイピ
ース、4,5……光源、6……CCD、8……
CRT、9……キーボード、10……プリンタ、
11……並列−直列変換器、12……A/D変換
器、13……RAM、14……タイミングパルス
発生器、15……アドレス指定器、16……
CPU、17……ROM、18……入出力インター
フエース。
FIG. 1 is a schematic block diagram of an apparatus using the measuring method according to the present invention, FIG. 2 is a waveform diagram of an image signal and its differential signal detected in an embodiment of the present invention, and FIG. A flowchart showing the processing procedure for measuring the line width of the pattern closest to the center of the visual field, which is an embodiment of the present invention. A flowchart showing a part of the processing procedure when measuring, Fig. 5 is a schematic block diagram of an apparatus using the conventional measuring method, Fig. 6 is an explanatory diagram of cursor operation in the conventional method, and Fig. 7 is the same as in the book. A waveform diagram of a measurement profile common to an embodiment of the present invention and a conventional example, and a cross-sectional view of a sample corresponding to each. FIG. 9 shows an example of a measurement profile specified for pitch measurement common to the present invention and the conventional example.
FIG. 10 is an explanatory diagram of a conventional edge detection method. 1... Microscope, 2... Sample, 3... Binocular eyepiece, 4, 5... Light source, 6... CCD, 8...
CRT, 9...keyboard, 10...printer,
11... Parallel-serial converter, 12... A/D converter, 13... RAM, 14... Timing pulse generator, 15... Address specifier, 16...
CPU, 17...ROM, 18...I/O interface.
Claims (1)
情報を記憶し、試料上の微細パターンを拡大投影
して得られた光学像を多階調の画像信号に変換
し、この多階調画像信号から、指定された測定プ
ロフアイル情報に適合し、かつ測定対象ライン上
における2つの目的エツジを検出し、両エツジ間
の寸法を算出することによつて微細パターンの幅
またはピツチの測定を行う線幅測定方法におい
て、 前記プロフアイルの情報として、エツジが変化
する方向及びエツジの大きさを記憶し、 前記多階調画像信号に基づいて、エツジを検出
するとともにそのエツジが変化する方向及びエツ
ジの大きさを検出し、 前記検出されたエツジに関して、エツジが変化
する方向及びエツジの大きさが指定された測定プ
ロフアイルの情報と一致する場合に、そのエツジ
を目的エツジとして検出することを特徴とする線
幅測定方法。[Claims] 1. Measurement profile information corresponding to a plurality of samples is stored in advance, an optical image obtained by enlarging and projecting a fine pattern on the sample is converted into a multi-tone image signal, and this multi-level image signal is converted into a multi-tone image signal. From the gradation image signal, two target edges that match the specified measurement profile information and are on the measurement target line are detected, and the width or pitch of the fine pattern is calculated by calculating the dimension between the two edges. In the line width measurement method, the direction in which the edge changes and the size of the edge are stored as the profile information, and the edge is detected and the edge changes based on the multi-tone image signal. detecting the direction and size of the edge, and detecting the edge as a target edge if the direction in which the edge changes and the size of the edge match information in a specified measurement profile with respect to the detected edge; A line width measurement method characterized by:
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26057387A JPH01101407A (en) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | Line width measuring method |
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|---|---|---|---|
| JP26057387A JPH01101407A (en) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | Line width measuring method |
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| JPH01101407A JPH01101407A (en) | 1989-04-19 |
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Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
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| JP4922130B2 (en) * | 2007-11-01 | 2012-04-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Coating apparatus and coating method |
Family Cites Families (1)
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| JPS61182390A (en) * | 1985-02-08 | 1986-08-15 | Hitachi Ltd | Pattern detector |
-
1987
- 1987-10-15 JP JP26057387A patent/JPH01101407A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH01101407A (en) | 1989-04-19 |
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