JPH0556387A - 画像記録装置 - Google Patents
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- JPH0556387A JPH0556387A JP3107323A JP10732391A JPH0556387A JP H0556387 A JPH0556387 A JP H0556387A JP 3107323 A JP3107323 A JP 3107323A JP 10732391 A JP10732391 A JP 10732391A JP H0556387 A JPH0556387 A JP H0556387A
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- circuit
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- memory cell
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Abstract
(57)【要約】
【目的】記録済の画像記録領域への再記録防止と未記録
の画像記録領域のサーチとを正確かつ迅速に行なえる画
像記録装置を提供する。 【構成】画像記録媒体内に、各画像記録領域と対応づけ
て設けられた特定信号記録領域に、各画像記録領域への
被写体像記録に対応してディジタルの特定信号を記録
し、この特定信号を検出することで、対応する画像記録
領域への被写体像記録の有無を判別し、もって再記録を
防止すると共に、次に被写体像記録を行なうべき未記録
の画像記録領域をサーチできるようにした。
の画像記録領域のサーチとを正確かつ迅速に行なえる画
像記録装置を提供する。 【構成】画像記録媒体内に、各画像記録領域と対応づけ
て設けられた特定信号記録領域に、各画像記録領域への
被写体像記録に対応してディジタルの特定信号を記録
し、この特定信号を検出することで、対応する画像記録
領域への被写体像記録の有無を判別し、もって再記録を
防止すると共に、次に被写体像記録を行なうべき未記録
の画像記録領域をサーチできるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は被写体像をビデオ信号と
して記録する電子カメラに係り、特に、静止画像を半導
体メモリや磁気バブル等のメモリセルに記録する電子ス
チルカメラに関するものである。
して記録する電子カメラに係り、特に、静止画像を半導
体メモリや磁気バブル等のメモリセルに記録する電子ス
チルカメラに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】静止画像を磁気テープや磁気ドラム等に
記録する電子カメラは既に種々提案されている。また記
録媒体として固体メモリを用いると可動部が不要になり
カメラの小型化を図ることができる。以下この様な電子
的な記録媒体によって複数の静止画像を記録するカメラ
を電子スチルカメラと称する。ここで固体メモリを用い
た例で説明すると、電子スチルカメラに複数個のメモリ
セル（静止画像１画面分の記憶媒体の領域）を有する固
体メモリを内蔵し、撮影毎に適宜メモリセルを１つ選択
しこれに静止画像１画面分（１フレーム分）の画像を記
録すると、複数フレームの静止画像を記憶することがで
きる。
記録する電子カメラは既に種々提案されている。また記
録媒体として固体メモリを用いると可動部が不要になり
カメラの小型化を図ることができる。以下この様な電子
的な記録媒体によって複数の静止画像を記録するカメラ
を電子スチルカメラと称する。ここで固体メモリを用い
た例で説明すると、電子スチルカメラに複数個のメモリ
セル（静止画像１画面分の記憶媒体の領域）を有する固
体メモリを内蔵し、撮影毎に適宜メモリセルを１つ選択
しこれに静止画像１画面分（１フレーム分）の画像を記
録すると、複数フレームの静止画像を記憶することがで
きる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、撮影者が画像
をどのメモリセルに記憶させるが、任意に選定できる様
にした場合、選定したメモリセルが既に使用済セル即ち
画像を既に記憶しているセルであると、その記憶画像が
消去されてしまう恐れがある。また、固体メモリをカメ
ラ本体に着脱自在な記憶部に内蔵し、撮影の途中で任意
に記憶部を交換できるようにすると、新たにカメラ本体
に装着した記憶部には未使用のメモリセルが何個残存し
ているかわからないと、貴重な撮影チヤンスを失するこ
とがある。このことは勿論記憶媒体として固体メモリを
用いた場合に特定されるものでなく、その他の記録媒体
でも複数の静止画像を任意の記憶領域即ち任意のメモリ
セルに記憶することのできる電子スチルカメラにあつて
は同様の問題がある。
をどのメモリセルに記憶させるが、任意に選定できる様
にした場合、選定したメモリセルが既に使用済セル即ち
画像を既に記憶しているセルであると、その記憶画像が
消去されてしまう恐れがある。また、固体メモリをカメ
ラ本体に着脱自在な記憶部に内蔵し、撮影の途中で任意
に記憶部を交換できるようにすると、新たにカメラ本体
に装着した記憶部には未使用のメモリセルが何個残存し
ているかわからないと、貴重な撮影チヤンスを失するこ
とがある。このことは勿論記憶媒体として固体メモリを
用いた場合に特定されるものでなく、その他の記録媒体
でも複数の静止画像を任意の記憶領域即ち任意のメモリ
セルに記憶することのできる電子スチルカメラにあつて
は同様の問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明の目的
は、複数フレームの静止画像を記憶可能の記憶部を有
し、静止画像１フレームを任意のメモリセルに記憶可能
である場合に、記憶部のメモリセルの使用状況を一覧表
示できる電子スチルカメラの表示装置を提供することで
ある。
は、複数フレームの静止画像を記憶可能の記憶部を有
し、静止画像１フレームを任意のメモリセルに記憶可能
である場合に、記憶部のメモリセルの使用状況を一覧表
示できる電子スチルカメラの表示装置を提供することで
ある。
【０００５】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１及び図２は本発明を用いた電子スチルカメラ
の一実施例の外観を示している。該カメラは被写体像を
静止画像信号に光電変換する撮像部１と、１フレーム分
の静止画像情報を記憶するメモリセルを20フレーム分具
備した記憶部２とから成つている。これら両部分は図3a
及びｂに示すように分離可能である。
する。図１及び図２は本発明を用いた電子スチルカメラ
の一実施例の外観を示している。該カメラは被写体像を
静止画像信号に光電変換する撮像部１と、１フレーム分
の静止画像情報を記憶するメモリセルを20フレーム分具
備した記憶部２とから成つている。これら両部分は図3a
及びｂに示すように分離可能である。
【０００６】撮像部１の前面には撮影レンズ10が装着さ
れ、図４の断面図に示すように該レンズ10は撮像部１の
内部に配設された撮像素子11の撮像面に被写体像を結像
する。レンズ10には絞り10a が、撮像素子11の前面には
色分解用のモザイクフイルタ11a が配設されている。さ
らに撮像部１にはその前面から後面に貫通して撮影視野
を画定するためのフアインダ１２が設けられており、図
１においてその上面にはスピードライト等の外部光源を
取り付けるための接点13を備えたアクセサリーシユー14
とレリーズ釦15とが設けられている。該レリーズ釦15を
浅く押下すると給電回路に挿入された給電スイツチがON
となり、給電がなされる。これに伴い測光動作が行われ
る。レリーズ釦15を深く押下すると、給電スイツチはON
したままで、さらには撮影シーケンスが開始される。撮
影シーケンスは一旦開始されると、レリーズ釦15の押下
を途中で解除しても止まることはない。また給電スイツ
チのONも撮影シーケンスが終了するまでは保持される。
れ、図４の断面図に示すように該レンズ10は撮像部１の
内部に配設された撮像素子11の撮像面に被写体像を結像
する。レンズ10には絞り10a が、撮像素子11の前面には
色分解用のモザイクフイルタ11a が配設されている。さ
らに撮像部１にはその前面から後面に貫通して撮影視野
を画定するためのフアインダ１２が設けられており、図
１においてその上面にはスピードライト等の外部光源を
取り付けるための接点13を備えたアクセサリーシユー14
とレリーズ釦15とが設けられている。該レリーズ釦15を
浅く押下すると給電回路に挿入された給電スイツチがON
となり、給電がなされる。これに伴い測光動作が行われ
る。レリーズ釦15を深く押下すると、給電スイツチはON
したままで、さらには撮影シーケンスが開始される。撮
影シーケンスは一旦開始されると、レリーズ釦15の押下
を途中で解除しても止まることはない。また給電スイツ
チのONも撮影シーケンスが終了するまでは保持される。
【０００７】図２において撮像部１の後面には記憶部２
のメモリセルの番地を自動アクセスするモード、手動ア
クセスするモード及び多重露出のモードのうちいずれか
を選択すのためのモード選択レバー16と、手動アクセス
のための押釦17と、今アクセスしているメモリセルの番
地を表示するための液晶等の７セグメント表示装置18
と、音響警告装置を不動作にするスイツチ19とが設けら
れている。さらに撮像部１の側面にはデータ写し込み装
置や被写体像を電子モニターする電子モニター装置等の
外部アクセサリーを取り付けるための取り付けネジ100
と、該アクセサリー用のコネクタ130 とがそれぞれ配設
されている。記憶部２の後面には図２に示すように使用
済のメモリセルの番地を表示するための液晶あるいはエ
レクトロクロミツク等の表示装置201 と、記憶容量（メ
モリセルの全数、すなわち記憶可能なフレーム数）等が
印刷されたラベル202 とが設けられている。また側面に
は図3bに示すように着脱スライダ203 がある。これを右
方向にスライドさせると記憶部２の上面に突出した着脱
カギ204 が同方向にスライドし、撮像部１の対応する部
分にある不図示の固定カギとの係合が外れて記憶部２は
撮像部１より離脱可能となる。記憶部２にはＴ溝205 が
設けられており，着脱時にはこれが撮像部側の案内部材
131 と係合し、それを案内する。また記憶部２の上面に
はコネクタ206、ピン207 が立設されている。コネクタ2
06 は撮像部１の対応するコネクタ（不図示）に接続さ
れて電気信号を相互に伝達しあう。ピン207 は撮像部１
に記憶部２の記憶容量を機械的に伝達する。
のメモリセルの番地を自動アクセスするモード、手動ア
クセスするモード及び多重露出のモードのうちいずれか
を選択すのためのモード選択レバー16と、手動アクセス
のための押釦17と、今アクセスしているメモリセルの番
地を表示するための液晶等の７セグメント表示装置18
と、音響警告装置を不動作にするスイツチ19とが設けら
れている。さらに撮像部１の側面にはデータ写し込み装
置や被写体像を電子モニターする電子モニター装置等の
外部アクセサリーを取り付けるための取り付けネジ100
と、該アクセサリー用のコネクタ130 とがそれぞれ配設
されている。記憶部２の後面には図２に示すように使用
済のメモリセルの番地を表示するための液晶あるいはエ
レクトロクロミツク等の表示装置201 と、記憶容量（メ
モリセルの全数、すなわち記憶可能なフレーム数）等が
印刷されたラベル202 とが設けられている。また側面に
は図3bに示すように着脱スライダ203 がある。これを右
方向にスライドさせると記憶部２の上面に突出した着脱
カギ204 が同方向にスライドし、撮像部１の対応する部
分にある不図示の固定カギとの係合が外れて記憶部２は
撮像部１より離脱可能となる。記憶部２にはＴ溝205 が
設けられており，着脱時にはこれが撮像部側の案内部材
131 と係合し、それを案内する。また記憶部２の上面に
はコネクタ206、ピン207 が立設されている。コネクタ2
06 は撮像部１の対応するコネクタ（不図示）に接続さ
れて電気信号を相互に伝達しあう。ピン207 は撮像部１
に記憶部２の記憶容量を機械的に伝達する。
【０００８】図５に撮像部１の撮像素子11の内部構造を
例示する。これはいわゆるインターライン方式の電荷結
合素子(CCD) を用いたCCD 撮像素子で、受光エレメント
ａ1・ 1 、ａ1・2 ……、ａ1・n 、ａ2・1 ……、ａ2・n 、…
…、ａm ・1、ａm ・2……、ａ m ・ n がｍ×ｎのマトリク
ス状に配設され受光部を構成している。この受光エレメ
ントの総数すなわち画素数は106 個程度が望ましい。こ
れらの受光エレメントの列、例えばａ1・1 、ａ2・1 …
…、ａm ・1のそれぞれの両側にはトランスフアーゲート
TG1・1 及びTG2・1 が配設されている。ゲートTG1・1 は端
子11C を介して転送信号φTG1 が印加されると各エレメ
ントに蓄積された入射光量に対応する電荷を縦方向のCC
D アナログシフトレジスタＳv1へ転送する。一方ゲート
TG2・1 は端子11b を介して転送信号φTG2 が印加される
と上記電荷をオーバーフロードレインの領域OD1 へ転送
する。尚、トランスフアーゲートTG2・1 の電気的ポテン
シヤルは、転送信号φTG2 が印加されていない場合でも
受光エレメント相互間のポテンシヤルや縦方向シフトレ
ジスタＳv1の各ビツト間のポテンシヤルよりも若干低く
なつている。従つて受光エレメントのポテンシヤル井戸
からあふれた電荷は障壁の低い方向すなわちオーバーフ
ロードレインOD1 に流れ込み、ブルーミング現象の発生
は防止される。以上のことは他の受光エレメントの列に
関しても全く同様である。出力端子11a からはオーバー
フロードレインOD1 、……、ODn に転送された電荷が出
力され、入力端子11b にはトランスフアーゲートT
G2・1 、……、TG2・n への転送信号φTG2 が入力され、
入力端子11c にはトランスフアーゲートTG1・1 、……、
TG1・n への転送信号φTG1 が入力される。
例示する。これはいわゆるインターライン方式の電荷結
合素子(CCD) を用いたCCD 撮像素子で、受光エレメント
ａ1・ 1 、ａ1・2 ……、ａ1・n 、ａ2・1 ……、ａ2・n 、…
…、ａm ・1、ａm ・2……、ａ m ・ n がｍ×ｎのマトリク
ス状に配設され受光部を構成している。この受光エレメ
ントの総数すなわち画素数は106 個程度が望ましい。こ
れらの受光エレメントの列、例えばａ1・1 、ａ2・1 …
…、ａm ・1のそれぞれの両側にはトランスフアーゲート
TG1・1 及びTG2・1 が配設されている。ゲートTG1・1 は端
子11C を介して転送信号φTG1 が印加されると各エレメ
ントに蓄積された入射光量に対応する電荷を縦方向のCC
D アナログシフトレジスタＳv1へ転送する。一方ゲート
TG2・1 は端子11b を介して転送信号φTG2 が印加される
と上記電荷をオーバーフロードレインの領域OD1 へ転送
する。尚、トランスフアーゲートTG2・1 の電気的ポテン
シヤルは、転送信号φTG2 が印加されていない場合でも
受光エレメント相互間のポテンシヤルや縦方向シフトレ
ジスタＳv1の各ビツト間のポテンシヤルよりも若干低く
なつている。従つて受光エレメントのポテンシヤル井戸
からあふれた電荷は障壁の低い方向すなわちオーバーフ
ロードレインOD1 に流れ込み、ブルーミング現象の発生
は防止される。以上のことは他の受光エレメントの列に
関しても全く同様である。出力端子11a からはオーバー
フロードレインOD1 、……、ODn に転送された電荷が出
力され、入力端子11b にはトランスフアーゲートT
G2・1 、……、TG2・n への転送信号φTG2 が入力され、
入力端子11c にはトランスフアーゲートTG1・1 、……、
TG1・n への転送信号φTG1 が入力される。
【０００９】トランスフアーゲートTG1・1 、……、TG
1・n への転送信号φTG1 によつて縦方向にシフトレジス
タＳv1、……、Ｓvnに転送された電荷は、入力端子11d
、11eを介して入力される縦方向転送パルスφv1、φv2
によつて順次下方に転送されて横方向シフトレジスタＳ
h の各ビツトに送り込まれる。そして入力端子11ｆ：11
g を介して入力される横方向転送パルスφh1、φh2によ
つて右方向に転送され、センスアンプＡによつて増巾さ
れて端子11h から外部に取り出される。
1・n への転送信号φTG1 によつて縦方向にシフトレジス
タＳv1、……、Ｓvnに転送された電荷は、入力端子11d
、11eを介して入力される縦方向転送パルスφv1、φv2
によつて順次下方に転送されて横方向シフトレジスタＳ
h の各ビツトに送り込まれる。そして入力端子11ｆ：11
g を介して入力される横方向転送パルスφh1、φh2によ
つて右方向に転送され、センスアンプＡによつて増巾さ
れて端子11h から外部に取り出される。
【００１０】図６には記憶部２の回路構成を示す。図6a
は１フレーム分のメモリセルMC1 を取り出してその内部
を示したもので、これは４列のシフトレジスタSR1 、SR
2 、SR3 、SR4 から成つている。各シフトレジスタ列は
撮像素子11に含まれる受光エレメントの総数( すなわち
ｍ×ｎ個）に１を加えた段数（ビット数）をそれぞれ持
つている各シフトレジスタ列の情報は端子MC1fからそれ
ぞれに入力されるクロツクパルスφCTによつて図の左か
ら右の方へ転送される。１画素はシフトレジスタSR1 の
中の１ビツトと、それと対応する位置のシフトレジスタ
SR2 、SR3 、SR4 中の各１ビツトとの計４ビツトと対応
する。そしてこの４ビツトの表現するデイジタル量で１
つの画素の濃度情報を表現する。４ビツトの表現できる
情報量は２進法で0000〜1111の16段階あるが、このうち
11段階を濃度表現に用い、残りの５段階をこのメモリセ
ルの制御情報に用いる。撮像部１からの情報は各入力端
子MC1g、MC1h、MC1i、MC1jを経て各シフトレジスタに入
力され、端子MC1fからのクロツクパルスφCTで順次右方
へ送られるが、最初の１段分は上記制御情報信号が入力
される。この信号は1111、1110、1101、1011、0111の５
種類である。これらは一連の画像信号のスタート位置を
示すもので以後スタート信号と呼ぶ。このような５種類
のスタート信号を用意したのは、４列のシフトレジスタ
のうちの１つにノイズが入つて本来1111であるべきとこ
ろがどれか１つが０となつても支障のないようにするた
めである。従つて0000、0001、0010、0100、1000の５種
類をスタート信号として採用しても同様のことが言え
る。
は１フレーム分のメモリセルMC1 を取り出してその内部
を示したもので、これは４列のシフトレジスタSR1 、SR
2 、SR3 、SR4 から成つている。各シフトレジスタ列は
撮像素子11に含まれる受光エレメントの総数( すなわち
ｍ×ｎ個）に１を加えた段数（ビット数）をそれぞれ持
つている各シフトレジスタ列の情報は端子MC1fからそれ
ぞれに入力されるクロツクパルスφCTによつて図の左か
ら右の方へ転送される。１画素はシフトレジスタSR1 の
中の１ビツトと、それと対応する位置のシフトレジスタ
SR2 、SR3 、SR4 中の各１ビツトとの計４ビツトと対応
する。そしてこの４ビツトの表現するデイジタル量で１
つの画素の濃度情報を表現する。４ビツトの表現できる
情報量は２進法で0000〜1111の16段階あるが、このうち
11段階を濃度表現に用い、残りの５段階をこのメモリセ
ルの制御情報に用いる。撮像部１からの情報は各入力端
子MC1g、MC1h、MC1i、MC1jを経て各シフトレジスタに入
力され、端子MC1fからのクロツクパルスφCTで順次右方
へ送られるが、最初の１段分は上記制御情報信号が入力
される。この信号は1111、1110、1101、1011、0111の５
種類である。これらは一連の画像信号のスタート位置を
示すもので以後スタート信号と呼ぶ。このような５種類
のスタート信号を用意したのは、４列のシフトレジスタ
のうちの１つにノイズが入つて本来1111であるべきとこ
ろがどれか１つが０となつても支障のないようにするた
めである。従つて0000、0001、0010、0100、1000の５種
類をスタート信号として採用しても同様のことが言え
る。
【００１１】さてこのスタート信号に続いて撮像素子11
からの画像信号が入力され、クロツクパルスφCTで順次
送られるが、１フレーム分の画像信号をすべて送ると右
端（１＋ｍ×ｎ段目）のビツトにスタート信号が入力さ
れる。そうすると各シフトレジスタ列の出力端子MC1a、
MC1b、MC1c、MC1dに前述のスタート信号が出力されるの
で、これを検出して端子MC1fからのクロツクパルスφCT
を停止すれば１フレーム分の画像信号が４列のシフトレ
ジスタに記憶されたことになる。このシフトレジスタの
右端にビツトには検出回路DCが接続されており、出力に
５種類のスタート信号のうちいずれか１つが現れたらば
これを検出してメモリセルMC1 に画像信号が転送された
ことすなわちセルMC1 が使用済になつたことを示す出力
信号を出力端子MC1kに出力する。またシフトレジスタの
最終ビツト（右端のビツト）に端子MC1eから信号を入力
することによつて、ここに記録されているスタート信号
をリセツトすることができる。詳しくは後述するがこの
機能は撮影に失敗した番地のフレームを再使用したり、
多重露出をする際に用いる。
からの画像信号が入力され、クロツクパルスφCTで順次
送られるが、１フレーム分の画像信号をすべて送ると右
端（１＋ｍ×ｎ段目）のビツトにスタート信号が入力さ
れる。そうすると各シフトレジスタ列の出力端子MC1a、
MC1b、MC1c、MC1dに前述のスタート信号が出力されるの
で、これを検出して端子MC1fからのクロツクパルスφCT
を停止すれば１フレーム分の画像信号が４列のシフトレ
ジスタに記憶されたことになる。このシフトレジスタの
右端にビツトには検出回路DCが接続されており、出力に
５種類のスタート信号のうちいずれか１つが現れたらば
これを検出してメモリセルMC1 に画像信号が転送された
ことすなわちセルMC1 が使用済になつたことを示す出力
信号を出力端子MC1kに出力する。またシフトレジスタの
最終ビツト（右端のビツト）に端子MC1eから信号を入力
することによつて、ここに記録されているスタート信号
をリセツトすることができる。詳しくは後述するがこの
機能は撮影に失敗した番地のフレームを再使用したり、
多重露出をする際に用いる。
【００１２】以上示したように１フレーム分のメモリセ
ルが複数個集まつて記憶部２ができるわけだが、その構
成の一例を図6bに示す。図6aに示したようなメモリセル
MC1が20個（MC1 〜MC20）配設され、これらの入出力端
子は検出回路DCの出力端子MC1k〜MC20k を除き、全てア
ドレス設定回路ASに接続されている。アドレス設定回路
ASにはアドレス端子MA、出力端子MO、入力端子MI、転送
クロツクパルスφCTの入力端子MT及びリセツト端子MRが
配設されている。アドレス入力端子MAにあるメモリセル
の番地の信号φA が入力されると、例えば１番地のメモ
リセルを選択するような信号が入力されると１番地のメ
モリセルMC1 の出力端子MC1a〜MC1dが出力端子MOに、メ
モリセルの入力端子MC1g〜MC1jが入力端子MIに、メモリ
セルのクロツク端子MC1fが端子MTに、メモリセルのリセ
ツト端子MC1eが端子MRにそれぞれ選択的に接続され、１
番地のメモリセルMC1 がアクセスされることになる。
ルが複数個集まつて記憶部２ができるわけだが、その構
成の一例を図6bに示す。図6aに示したようなメモリセル
MC1が20個（MC1 〜MC20）配設され、これらの入出力端
子は検出回路DCの出力端子MC1k〜MC20k を除き、全てア
ドレス設定回路ASに接続されている。アドレス設定回路
ASにはアドレス端子MA、出力端子MO、入力端子MI、転送
クロツクパルスφCTの入力端子MT及びリセツト端子MRが
配設されている。アドレス入力端子MAにあるメモリセル
の番地の信号φA が入力されると、例えば１番地のメモ
リセルを選択するような信号が入力されると１番地のメ
モリセルMC1 の出力端子MC1a〜MC1dが出力端子MOに、メ
モリセルの入力端子MC1g〜MC1jが入力端子MIに、メモリ
セルのクロツク端子MC1fが端子MTに、メモリセルのリセ
ツト端子MC1eが端子MRにそれぞれ選択的に接続され、１
番地のメモリセルMC1 がアクセスされることになる。
【００１３】一方、検出回路DCの出力端子MC1k〜MC20k
は全て表示回路DPに接続され、該回路DPの出力でスター
ト信号が出力されているメモリセルすなわち使用済のメ
モリセルを表示する表示装置201 を駆動する。この装置
201 は液晶あるいはエレクトロクロミツク等の電気光学
素子を含み、図７に示すような外観を有する。この例で
は「20フレーム」の記憶容量を持つ記憶部の表示装置で
あり、20個の液晶あるいはエレクトロクロミツクのセグ
メントが並んでいる。このうち使用済のメモリセルに相
応するセグメントが検出回路DCの出力信号を受けて着色
する。この例では１〜６、８〜10の各番地のメモリセル
MC1 〜MC6、MC8 〜MC10が使用済ということである。
は全て表示回路DPに接続され、該回路DPの出力でスター
ト信号が出力されているメモリセルすなわち使用済のメ
モリセルを表示する表示装置201 を駆動する。この装置
201 は液晶あるいはエレクトロクロミツク等の電気光学
素子を含み、図７に示すような外観を有する。この例で
は「20フレーム」の記憶容量を持つ記憶部の表示装置で
あり、20個の液晶あるいはエレクトロクロミツクのセグ
メントが並んでいる。このうち使用済のメモリセルに相
応するセグメントが検出回路DCの出力信号を受けて着色
する。この例では１〜６、８〜10の各番地のメモリセル
MC1 〜MC6、MC8 〜MC10が使用済ということである。
【００１４】図８は撮像部１の回路システムを示す。図
５に示すような撮像素子11は、そのオーバーフロードレ
インの出力端子11a が光電流増巾器を含む測光回路102
の入力端子に接続されている。該測光回路の出力は記憶
演算回路103 の入力端子に接続され、該回路103 は測光
回路102 の出力に基づき適正露出を与える露出時間値と
絞り値を演算する。制御パルス発生回路101 は撮影シー
ケンスを司どる各種のパルスを発生するが、回路103 は
その端子101Cから信号φ101Cを受けると測光回路102 の
出力信号を記憶する。記憶演算回路103 は３つの出力端
子を有し、該回路103 の第１の出力は第１の端子を介し
て表示回路106 に入力され、該回路106の出力はフアイ
ンダ内に設けられたLED 、液晶等の表示素子を含む表示
装置107を駆動し、露出時間や絞り値等の表示を行な
う。演算回路103 の第２の出力は第２の端子を介して絞
り制御回路105 に入力し、該回路105 の出力は撮影レン
ズの絞り10a を制御する。また回路103の第３の出力は
第３の端子を介して計時回路104 に入力し、該回路104
はパルス発生回路101 の出力端子101aからの信号φ10 1a
を受け、その時点から回路103 の出力に相応した時間後
に、露出終了信号をパルス発生回路101 の入力端子101b
に送り込む。
５に示すような撮像素子11は、そのオーバーフロードレ
インの出力端子11a が光電流増巾器を含む測光回路102
の入力端子に接続されている。該測光回路の出力は記憶
演算回路103 の入力端子に接続され、該回路103 は測光
回路102 の出力に基づき適正露出を与える露出時間値と
絞り値を演算する。制御パルス発生回路101 は撮影シー
ケンスを司どる各種のパルスを発生するが、回路103 は
その端子101Cから信号φ101Cを受けると測光回路102 の
出力信号を記憶する。記憶演算回路103 は３つの出力端
子を有し、該回路103 の第１の出力は第１の端子を介し
て表示回路106 に入力され、該回路106の出力はフアイ
ンダ内に設けられたLED 、液晶等の表示素子を含む表示
装置107を駆動し、露出時間や絞り値等の表示を行な
う。演算回路103 の第２の出力は第２の端子を介して絞
り制御回路105 に入力し、該回路105 の出力は撮影レン
ズの絞り10a を制御する。また回路103の第３の出力は
第３の端子を介して計時回路104 に入力し、該回路104
はパルス発生回路101 の出力端子101aからの信号φ10 1a
を受け、その時点から回路103 の出力に相応した時間後
に、露出終了信号をパルス発生回路101 の入力端子101b
に送り込む。
【００１５】撮像素子11の各入力端子11b 〜11g はパル
ス発生回路101 の各出力端子101d〜101iにそれぞれ接続
され、撮像素子11を駆動するための前記各種制御パルス
φTG 2 、φTG1 、φV1、φV2、φh1及びφh2を受け取
る。撮像素子11の出力端子11hはAD変換回路108 に接続
され、ここで各画素（各受光エレメント）の光強度に応
じたアナログ信号４ビツトのデイジタル信号に変換さ
れ、選択ゲート109 に送り込まれる。多重露出時に用い
られる加算回路110 は、AD変換回路108 の出力と記憶部
２から入力端子CIを介して入力される画像信号とを加算
して２で割る。すなわち両者の相加平均をとつてその信
号を選択ゲート109 に加える。スイツチ16dは図２のモ
ード選択レバー16に連動して開閉し、レバー16がMUL(多
重露出) の位置にある時にONとなつて加算回路110を動
作状態となし、他の場合にはOFF となつて加算回路110
を不動作状態にする。スイツチ16C は同じくレバー16に
連動して開閉し、レバー16がMUL の位置にある時にONと
なり、選択ゲート109 を加算回路110 の出力は通過さ
せ、AD変換回路108 の出力は阻止する状態にする。また
スイツチ16C はレバー16が他の位置にある時にはOFF と
なり、ゲート109 を先程とは逆にAD変換回路108 の出力
は通過させ、加算回路110 の出力は阻止する状態にす
る。選択ゲート109 の出力信号は別の選択ゲート111 に
送られる。この選択ゲート111 には前述のスタート信号
を発生するスタート信号発生回路112 の出力端子も接続
されている。該ゲート111 は制御パルス発生回路101 の
出力端子101kからの信号φ101kにより、選択ゲート109
の出力とスタート信号発生回路112 の出力のいずれかを
選択して出力端子COを介して記憶部２に出力する。検出
回路113は記憶部２の出力端子MOから入力端子CIを介し
て入力される信号がスタート信号であるか否かを判別
し、その結果の信号を制御パルス発生回路101 の入力端
子101jに送り込む。
ス発生回路101 の各出力端子101d〜101iにそれぞれ接続
され、撮像素子11を駆動するための前記各種制御パルス
φTG 2 、φTG1 、φV1、φV2、φh1及びφh2を受け取
る。撮像素子11の出力端子11hはAD変換回路108 に接続
され、ここで各画素（各受光エレメント）の光強度に応
じたアナログ信号４ビツトのデイジタル信号に変換さ
れ、選択ゲート109 に送り込まれる。多重露出時に用い
られる加算回路110 は、AD変換回路108 の出力と記憶部
２から入力端子CIを介して入力される画像信号とを加算
して２で割る。すなわち両者の相加平均をとつてその信
号を選択ゲート109 に加える。スイツチ16dは図２のモ
ード選択レバー16に連動して開閉し、レバー16がMUL(多
重露出) の位置にある時にONとなつて加算回路110を動
作状態となし、他の場合にはOFF となつて加算回路110
を不動作状態にする。スイツチ16C は同じくレバー16に
連動して開閉し、レバー16がMUL の位置にある時にONと
なり、選択ゲート109 を加算回路110 の出力は通過さ
せ、AD変換回路108 の出力は阻止する状態にする。また
スイツチ16C はレバー16が他の位置にある時にはOFF と
なり、ゲート109 を先程とは逆にAD変換回路108 の出力
は通過させ、加算回路110 の出力は阻止する状態にす
る。選択ゲート109 の出力信号は別の選択ゲート111 に
送られる。この選択ゲート111 には前述のスタート信号
を発生するスタート信号発生回路112 の出力端子も接続
されている。該ゲート111 は制御パルス発生回路101 の
出力端子101kからの信号φ101kにより、選択ゲート109
の出力とスタート信号発生回路112 の出力のいずれかを
選択して出力端子COを介して記憶部２に出力する。検出
回路113は記憶部２の出力端子MOから入力端子CIを介し
て入力される信号がスタート信号であるか否かを判別
し、その結果の信号を制御パルス発生回路101 の入力端
子101jに送り込む。
【００１６】アドレスカウンタ114 の内容は５ビツトの
出力端子CAを介して記憶部２のアドレス設定回路ASに送
られ指定される番地のメモリセルをアクセスする。一方
で該カウンタ114 の出力は表示回路117 を介して前述の
表示装置18を駆動させ、アクセスしているメモリセルの
番地の表示をさせる。スイツチ16a は図２のモード選択
レバー16に連動して、該レバー16がＡ（自動アクセス）
にある時には図８の端子Ａと、MAN(手動アクセス) ある
いはMUL の位置にある時には図８の端子Ｍと接続され
る。手動アドレス設定回路115 はスイツチ16a が端子Ｍ
の位置にある時に押釦スイツチ17a がONする度に１つず
つパルスを出し、アドレスカウンタ114 の内容を１つず
つ変えていく。スイツチ16a を端子Ａの位置に切り換え
た場合にはアドレスカウンタ114 はその入力端子114aを
介して制御パルス発生回路101 の出力端子101lに接続さ
れ、該回路101 からのクロツクパルスを計数する。スイ
ツチ16b はモード選択レバー16に連動して該レバーがＡ
にある時は0FF 、他の場所にある時はONとなり、入力端
子101nを介して制御パルス発生回路101に選択されたモ
ードが自動アクセスが否かを知らせる。ワンショットマ
ルチパイブレーター116 はレリーズ釦15を押すことによ
りスイツチ15a がONになると単一のパルスφs を発生
し、入力端子101pを介して回路101 に撮影シーケンスを
スタートさせる信号を送り込む。出力端子101qは記憶部
用の転送パルスφCTを出力端子CTを介して記憶部２に送
る。出力端子101rは記憶部２へ送るリセツトパルスを出
力端子CRを介して記憶部２の入力端子MRに送る。出力端
子101sは撮影シーケンスが進行中か否かを示す信号φ
busyを出力する。該信号φbusyは駆動回路118 を介して
発音体119 に警告音を出させ、表示回路120 を介してLE
D 等の警告表示装置121 を点灯させ、そして駆動回路12
2 を介して電磁石123 を働かせて図示なき安全装置によ
り撮影シーケンス途中に記憶部２を撮像部１から離脱す
ることを不可能にする。出力端子101sと駆動回路118 と
の間にOFF にすることにより警告音を発せられなくする
スイツチ19（図２参照）が挿入されている。出力端子10
1mは回路117 、118 に接続されており、記憶部２のメモ
リセルが全て使用済で、空きがない場合に断続信号を出
し、表示装置18を点滅させ、発音体119 を断続発音させ
て、記憶部２に未使用のメモリセルが無いことを表示す
る。出力端子101aの出力は同調信号として接点13（図２
参照）を介してスピードライト等に送られる。入力端子
101tに接続された切換えスイツチ124 は記憶部２の上面
に立設されたピン207 （図3b参照）の突出量に応じて切
り換えられ、記憶部２の記憶容量を回路101 に伝える。
また記憶部２を撮像部１から取りはずすとスイツチ124
がカウンタ114 のリセツト端子114rに接続され、該カウ
ンタ114 の内容をリセツトする。
出力端子CAを介して記憶部２のアドレス設定回路ASに送
られ指定される番地のメモリセルをアクセスする。一方
で該カウンタ114 の出力は表示回路117 を介して前述の
表示装置18を駆動させ、アクセスしているメモリセルの
番地の表示をさせる。スイツチ16a は図２のモード選択
レバー16に連動して、該レバー16がＡ（自動アクセス）
にある時には図８の端子Ａと、MAN(手動アクセス) ある
いはMUL の位置にある時には図８の端子Ｍと接続され
る。手動アドレス設定回路115 はスイツチ16a が端子Ｍ
の位置にある時に押釦スイツチ17a がONする度に１つず
つパルスを出し、アドレスカウンタ114 の内容を１つず
つ変えていく。スイツチ16a を端子Ａの位置に切り換え
た場合にはアドレスカウンタ114 はその入力端子114aを
介して制御パルス発生回路101 の出力端子101lに接続さ
れ、該回路101 からのクロツクパルスを計数する。スイ
ツチ16b はモード選択レバー16に連動して該レバーがＡ
にある時は0FF 、他の場所にある時はONとなり、入力端
子101nを介して制御パルス発生回路101に選択されたモ
ードが自動アクセスが否かを知らせる。ワンショットマ
ルチパイブレーター116 はレリーズ釦15を押すことによ
りスイツチ15a がONになると単一のパルスφs を発生
し、入力端子101pを介して回路101 に撮影シーケンスを
スタートさせる信号を送り込む。出力端子101qは記憶部
用の転送パルスφCTを出力端子CTを介して記憶部２に送
る。出力端子101rは記憶部２へ送るリセツトパルスを出
力端子CRを介して記憶部２の入力端子MRに送る。出力端
子101sは撮影シーケンスが進行中か否かを示す信号φ
busyを出力する。該信号φbusyは駆動回路118 を介して
発音体119 に警告音を出させ、表示回路120 を介してLE
D 等の警告表示装置121 を点灯させ、そして駆動回路12
2 を介して電磁石123 を働かせて図示なき安全装置によ
り撮影シーケンス途中に記憶部２を撮像部１から離脱す
ることを不可能にする。出力端子101sと駆動回路118 と
の間にOFF にすることにより警告音を発せられなくする
スイツチ19（図２参照）が挿入されている。出力端子10
1mは回路117 、118 に接続されており、記憶部２のメモ
リセルが全て使用済で、空きがない場合に断続信号を出
し、表示装置18を点滅させ、発音体119 を断続発音させ
て、記憶部２に未使用のメモリセルが無いことを表示す
る。出力端子101aの出力は同調信号として接点13（図２
参照）を介してスピードライト等に送られる。入力端子
101tに接続された切換えスイツチ124 は記憶部２の上面
に立設されたピン207 （図3b参照）の突出量に応じて切
り換えられ、記憶部２の記憶容量を回路101 に伝える。
また記憶部２を撮像部１から取りはずすとスイツチ124
がカウンタ114 のリセツト端子114rに接続され、該カウ
ンタ114 の内容をリセツトする。
【００１７】図９において、記憶部２に記憶された画像
信号を磁気テープカセットに転送するコンバータ３が示
されている。該コンバータ３にはコネクタ206 と接続さ
れるコネクタ301 と、磁気テープカセットが装填される
カセツトホルダ302 と、操作釦303 とが設けられてい
る。次に本実施例の作動について説明する。まず図２に
おいて記憶部２の撮像部１に装着する。これにより記憶
部２のコネクタ206 が撮像部１のコネクタ（不図示）と
接続し、図6bに示した端子MA、MO、MI、MT、MRが図８の
端子OA、CI、CO、CT、CRにそれぞれ接続される。今、撮
像部１のモード選択レバー16を自動アクセスＡの位置
に、スイツチ19をONにしたとする。すると図８における
スイツチ16a が端子Ａと接続され、スイツチ16b 、16C
、16d はそれぞれOFF の状態となる。この状態で撮影
レンズ10を被写体に向け、構図を決めて焦点を合わせ
る。そしてレリーズ釦15を深く押下すると図８のスイツ
チ15a がONとなり、ワンシヨツトマルチバイブレータ11
6 から図10ａのタイムチヤートに示した単一のパルスφ
s が制御パルス発生回路101 の入力端子101pに発せられ
る。それを受けた回路101 は出力端子101lより図10に示
したタイミングでパルスφA を発する。このパルスφA
はスイツチ16a を介してアドレスカウンタ114の入力と
なる。該カウンタ114 は撮像部１から記憶部２を取りは
ずした時にリセットされている。
信号を磁気テープカセットに転送するコンバータ３が示
されている。該コンバータ３にはコネクタ206 と接続さ
れるコネクタ301 と、磁気テープカセットが装填される
カセツトホルダ302 と、操作釦303 とが設けられてい
る。次に本実施例の作動について説明する。まず図２に
おいて記憶部２の撮像部１に装着する。これにより記憶
部２のコネクタ206 が撮像部１のコネクタ（不図示）と
接続し、図6bに示した端子MA、MO、MI、MT、MRが図８の
端子OA、CI、CO、CT、CRにそれぞれ接続される。今、撮
像部１のモード選択レバー16を自動アクセスＡの位置
に、スイツチ19をONにしたとする。すると図８における
スイツチ16a が端子Ａと接続され、スイツチ16b 、16C
、16d はそれぞれOFF の状態となる。この状態で撮影
レンズ10を被写体に向け、構図を決めて焦点を合わせ
る。そしてレリーズ釦15を深く押下すると図８のスイツ
チ15a がONとなり、ワンシヨツトマルチバイブレータ11
6 から図10ａのタイムチヤートに示した単一のパルスφ
s が制御パルス発生回路101 の入力端子101pに発せられ
る。それを受けた回路101 は出力端子101lより図10に示
したタイミングでパルスφA を発する。このパルスφA
はスイツチ16a を介してアドレスカウンタ114の入力と
なる。該カウンタ114 は撮像部１から記憶部２を取りは
ずした時にリセットされている。
【００１８】従つてパルスφA が１つ入る毎にカウンタ
の内容は１から１つずつ進む。これにより該カウンタ11
4 は端子CA、MAを介して記憶部２内のメモリセルを順次
アクセスする。即ちカウンタ114 が端子101lからの最初
のパルスを計数すると、先ず第１のメモリセルMC1 をア
クセスし、次いで第２番目のパルスを計数すると第２の
メモリセルMC2 をアクセスし、以下同様にパルスの計数
毎に最後のメモリセルMC20までアクセスする。検出回路
113 はカウンタ114 によつてアクセスさせたメモリセル
出力信号を端子MO、CIを経て受け、これがスタート信号
である場合は、Ｌレベル、そうでない場合はＨレベルの
信号φ113 を入力端子101jに送る。通常新たに装着され
た記憶部２は全てのメモリセルが未使用である場合がほ
とんどなので、信号φ113 は第１のメモリセルMC1 をア
クセスして直ちにＨレベルになる。従つて第１のメモリ
セルMC1 が撮影用にアクセスされ、第１のメモリセルの
番地すなわち「１」が表示装置に現われる。ところがい
くつかのメモリセル、例えば第１番目から第３番目まで
のメモリセルMC1 〜MC3 が使用済であつたとすると、回
路101 は検出回路113 の出力φ113 がＬレベルである
間、パルスφA をカウンタ114 に送り続ける。このよう
にして１つずつアドレスを進めて行き、未使用のメモリ
セル、この場合第４番目のメモリセルMC4 に行き当たる
と出力φ113 が図10b に示すタイミングでＨレベルとな
り、パルスφA の出力が止まる。そしてその時メモリセ
ルが撮影用としてアクセスされ、そのメモリセルの番地
が表示装置18に表示される。以上述べた過程をアドレス
サーチと呼ぶ。
の内容は１から１つずつ進む。これにより該カウンタ11
4 は端子CA、MAを介して記憶部２内のメモリセルを順次
アクセスする。即ちカウンタ114 が端子101lからの最初
のパルスを計数すると、先ず第１のメモリセルMC1 をア
クセスし、次いで第２番目のパルスを計数すると第２の
メモリセルMC2 をアクセスし、以下同様にパルスの計数
毎に最後のメモリセルMC20までアクセスする。検出回路
113 はカウンタ114 によつてアクセスさせたメモリセル
出力信号を端子MO、CIを経て受け、これがスタート信号
である場合は、Ｌレベル、そうでない場合はＨレベルの
信号φ113 を入力端子101jに送る。通常新たに装着され
た記憶部２は全てのメモリセルが未使用である場合がほ
とんどなので、信号φ113 は第１のメモリセルMC1 をア
クセスして直ちにＨレベルになる。従つて第１のメモリ
セルMC1 が撮影用にアクセスされ、第１のメモリセルの
番地すなわち「１」が表示装置に現われる。ところがい
くつかのメモリセル、例えば第１番目から第３番目まで
のメモリセルMC1 〜MC3 が使用済であつたとすると、回
路101 は検出回路113 の出力φ113 がＬレベルである
間、パルスφA をカウンタ114 に送り続ける。このよう
にして１つずつアドレスを進めて行き、未使用のメモリ
セル、この場合第４番目のメモリセルMC4 に行き当たる
と出力φ113 が図10b に示すタイミングでＨレベルとな
り、パルスφA の出力が止まる。そしてその時メモリセ
ルが撮影用としてアクセスされ、そのメモリセルの番地
が表示装置18に表示される。以上述べた過程をアドレス
サーチと呼ぶ。
【００１９】回路101 はピン207 、切換えスイツチ124
によつて伝えられたフレーム数だけアドレスパルスφA
を発しても回路113 の出力がＨレベルとならない場合は
記憶部２の中の各メモリセルが全て使用済であることを
検知する。そうすると該回路101 は端子101mから断続信
号を発して表示装置１８を点滅させ、発音体119 に断続
音を出させると共に撮影シーケンスを停止する。これに
より撮影者は未使用のメモリセルが無いことを知る。こ
の一連の警告動作は撮像部１に記憶部２を装着せずにレ
リーズ釦を押圧した時にも行なわれる。これは回路101
が記憶部２の未装着をスイツチ124 の開放によつて検知
することによる。この未装着による警告は、記憶部が撮
像部の内部に装填され、記憶部の存在が外部から視認で
きない形式の場合に特に有効である。
によつて伝えられたフレーム数だけアドレスパルスφA
を発しても回路113 の出力がＨレベルとならない場合は
記憶部２の中の各メモリセルが全て使用済であることを
検知する。そうすると該回路101 は端子101mから断続信
号を発して表示装置１８を点滅させ、発音体119 に断続
音を出させると共に撮影シーケンスを停止する。これに
より撮影者は未使用のメモリセルが無いことを知る。こ
の一連の警告動作は撮像部１に記憶部２を装着せずにレ
リーズ釦を押圧した時にも行なわれる。これは回路101
が記憶部２の未装着をスイツチ124 の開放によつて検知
することによる。この未装着による警告は、記憶部が撮
像部の内部に装填され、記憶部の存在が外部から視認で
きない形式の場合に特に有効である。
【００２０】未使用のメモリセルがアクセスされると回
路113 の出力φ113 がＨレベルとなり、パルスφA が停
止する。図10e に示したように端子101dの出力φTG2 は
レリーズ釦15を浅く押下することによる給電開始に伴い
Ｈレベルとなり、図５に示した撮像素子11のトランスフ
アーゲートTG2・1 〜TG2・n を開の状態にしておく。従つ
て受光エレメントａ1・1 、……、ａm ・ n に照射された
光の強度に応じて発生した電荷が各エレメントに蓄積す
ることなくオーバーフロードレインOD1 〜ODn 、出力端
子11a を介して常に光電流として取り出され、測光回路
102 によつて増巾、対数変換、AD変換等の処理を施され
て記憶演算回路103 に加えられる。記憶部２の未使用の
メモリセルのアクセスが終わると回路113 の出力φ113
に応じて端子101Cの出力φ101Cは図10d に示すタイミン
グでＬレベルからＨレベルに変化する。この出力φ101C
がＨレベルの間、測光回路102 の出力は回路103 に記憶
される。該回路103 では記憶された光強度の値から適正
な露出（電荷蓄積量）が得られるような絞り値と電荷蓄
積時間すなわち露出時間が算出される。該適正絞り値の
情報は絞り制御回路105 に送られ、公知の方法により絞
り10a を制御する。また該適正絞り値、適正電荷蓄積時
間の両情報は表示回路106 にも送られ、表示素子107 に
よりフアインダ内表示がなされる。さらに適正電荷蓄積
時間の情報は計時回路104 にも送られる。その直後、端
子101dの出力φTG2 が図10e に示すタイミングでＨレベ
ルからＬレベルに変化し、トランスフアーゲートTG2・1
〜TG2・ n が閉じられる。と同時に撮像素子の受光エレメ
ントａ1・1 、……、ａm ・ n に露光量に応じた電荷の蓄
積が開始されると共に端子101aに信号φTG2 と同様の信
号φ101a（図10ｅ参照）が現われる。計時回路104 は該
信号φ101aを受けて、その出力φ104 を図10f に示すよ
うにＬレベルからＨレベルに変化させ計時をスタートす
る。そして前記適正電荷蓄積時間が経過すると出力φ
104 はＨレベルからＬレベルに変化する。これを端子10
1bを介して受けた回路101 は出力端子101eより図10g に
示すようなパルスφTG1 を出力し、撮像素子11のトラン
スフアーゲートTG1・1 〜TG1・n を一瞬の間開く。それに
より受光エレメントａ1・1 、……、ａ m ・ n に蓄積され
た電荷が縦方向シフトレジスタＳv1〜Ｓvnに移る。これ
で露出が終わつたことになる。電荷蓄積時間すなわち露
出時間は出力φTG2 がＨレベルからＬレベルに変化する
ことによるトランスフアーゲートTG2・1 〜TG2・n が閉成
からパルスφTG1 が出されることによるトランスフアー
ゲートTG1・1 〜TG1・n が開放までの時間である。
路113 の出力φ113 がＨレベルとなり、パルスφA が停
止する。図10e に示したように端子101dの出力φTG2 は
レリーズ釦15を浅く押下することによる給電開始に伴い
Ｈレベルとなり、図５に示した撮像素子11のトランスフ
アーゲートTG2・1 〜TG2・n を開の状態にしておく。従つ
て受光エレメントａ1・1 、……、ａm ・ n に照射された
光の強度に応じて発生した電荷が各エレメントに蓄積す
ることなくオーバーフロードレインOD1 〜ODn 、出力端
子11a を介して常に光電流として取り出され、測光回路
102 によつて増巾、対数変換、AD変換等の処理を施され
て記憶演算回路103 に加えられる。記憶部２の未使用の
メモリセルのアクセスが終わると回路113 の出力φ113
に応じて端子101Cの出力φ101Cは図10d に示すタイミン
グでＬレベルからＨレベルに変化する。この出力φ101C
がＨレベルの間、測光回路102 の出力は回路103 に記憶
される。該回路103 では記憶された光強度の値から適正
な露出（電荷蓄積量）が得られるような絞り値と電荷蓄
積時間すなわち露出時間が算出される。該適正絞り値の
情報は絞り制御回路105 に送られ、公知の方法により絞
り10a を制御する。また該適正絞り値、適正電荷蓄積時
間の両情報は表示回路106 にも送られ、表示素子107 に
よりフアインダ内表示がなされる。さらに適正電荷蓄積
時間の情報は計時回路104 にも送られる。その直後、端
子101dの出力φTG2 が図10e に示すタイミングでＨレベ
ルからＬレベルに変化し、トランスフアーゲートTG2・1
〜TG2・ n が閉じられる。と同時に撮像素子の受光エレメ
ントａ1・1 、……、ａm ・ n に露光量に応じた電荷の蓄
積が開始されると共に端子101aに信号φTG2 と同様の信
号φ101a（図10ｅ参照）が現われる。計時回路104 は該
信号φ101aを受けて、その出力φ104 を図10f に示すよ
うにＬレベルからＨレベルに変化させ計時をスタートす
る。そして前記適正電荷蓄積時間が経過すると出力φ
104 はＨレベルからＬレベルに変化する。これを端子10
1bを介して受けた回路101 は出力端子101eより図10g に
示すようなパルスφTG1 を出力し、撮像素子11のトラン
スフアーゲートTG1・1 〜TG1・n を一瞬の間開く。それに
より受光エレメントａ1・1 、……、ａ m ・ n に蓄積され
た電荷が縦方向シフトレジスタＳv1〜Ｓvnに移る。これ
で露出が終わつたことになる。電荷蓄積時間すなわち露
出時間は出力φTG2 がＨレベルからＬレベルに変化する
ことによるトランスフアーゲートTG2・1 〜TG2・n が閉成
からパルスφTG1 が出されることによるトランスフアー
ゲートTG1・1 〜TG1・n が開放までの時間である。
【００２１】以上のように露出が終わると、次に端子10
1kから選択ゲート111 に図10h に示すタイミングで信号
φ101kが発せられる。該ゲート111 は端子101kからの出
力がＨレベルなのでスタート信号発生回路112 からの出
力（スタート信号）を選択して出力端子COに出力する。
これに同期して端子101qより端子CT、MTを介して記憶部
２に図10m を示すような転送パルスφCTが送られ、スタ
ート信号が入力端子MIを介してアクセスしているメモリ
セルに送り込まれる。続いて出力端子101fと101gより図
６の撮像素子11の入力端子11d 、11e に図10i、j に示
すタイミングでそれぞれ縦方向転送パルスφv1及びφv2
が、出力端子101hと101iより入力端子11f 、11g に図10
k 、l に示すタイミングでそれぞれ横方向転送パルスφ
n1及びφ n2が送られる。これにより各受光エレメントの
画像信号が出力端子11h から時系列的に出力される。こ
の信号はAD変換回路108 でデイジタル信号に変換され、
選択ゲート109 に加えられる。該ゲート109 はスイツチ
16C がOFF となつているので回路108 からの画像信号を
通過させる。選択ゲート111 も端子101kからの出力がＬ
レベルになるのでゲート109 からの画像信号を通過さ
せ、出力端子COから記憶部２の入力端子MIに加えられ
る。更に前述の転送パルスφv1、φv2、φh1、φ h2に同
期して発せられる転送パルスφcrにより画像信号は前
記、スタート信号の後に連つてアクセスしているメモリ
セルのシフトレジスタ内に順次転送されて行く。1 フレ
ーム分の画像信号を転送し終わるとスタート信号が記憶
部２の出力端子MOに出てくるので、これが撮像部１の入
力端子CIを介して検出回路113 に加えられる。回路113
はこれを検出して前述の各転送パルスφv1、φv2、
φh1、φh2、φcTを停止する。
1kから選択ゲート111 に図10h に示すタイミングで信号
φ101kが発せられる。該ゲート111 は端子101kからの出
力がＨレベルなのでスタート信号発生回路112 からの出
力（スタート信号）を選択して出力端子COに出力する。
これに同期して端子101qより端子CT、MTを介して記憶部
２に図10m を示すような転送パルスφCTが送られ、スタ
ート信号が入力端子MIを介してアクセスしているメモリ
セルに送り込まれる。続いて出力端子101fと101gより図
６の撮像素子11の入力端子11d 、11e に図10i、j に示
すタイミングでそれぞれ縦方向転送パルスφv1及びφv2
が、出力端子101hと101iより入力端子11f 、11g に図10
k 、l に示すタイミングでそれぞれ横方向転送パルスφ
n1及びφ n2が送られる。これにより各受光エレメントの
画像信号が出力端子11h から時系列的に出力される。こ
の信号はAD変換回路108 でデイジタル信号に変換され、
選択ゲート109 に加えられる。該ゲート109 はスイツチ
16C がOFF となつているので回路108 からの画像信号を
通過させる。選択ゲート111 も端子101kからの出力がＬ
レベルになるのでゲート109 からの画像信号を通過さ
せ、出力端子COから記憶部２の入力端子MIに加えられ
る。更に前述の転送パルスφv1、φv2、φh1、φ h2に同
期して発せられる転送パルスφcrにより画像信号は前
記、スタート信号の後に連つてアクセスしているメモリ
セルのシフトレジスタ内に順次転送されて行く。1 フレ
ーム分の画像信号を転送し終わるとスタート信号が記憶
部２の出力端子MOに出てくるので、これが撮像部１の入
力端子CIを介して検出回路113 に加えられる。回路113
はこれを検出して前述の各転送パルスφv1、φv2、
φh1、φh2、φcTを停止する。
【００２２】これで１フレーム分の撮影シーケンスが完
了する。以後レリーズ釦15を深く押下げする度に未使用
のメモリセルが無くなるまで上述の撮影シーケンスを繰
り返すことができる。尚、以上の撮影シーケンス途中、
すなわちレリーズ釦15の押圧からアドレスサーチ、露
出、転送完了までの間においては、出力端子101sから図
10n に示す信号φbusyが発せられる。該信号φbusyは発
音体119 、表示装置121を駆動して撮影シーケンス途中
であることの警告を行なうと共に、電磁石123 を励磁さ
せることにより図示なき安全装置を働かせ、映像信号の
記憶部２への転送が完了する前に撮像部１から記憶部２
を分離することを不可能にする。
了する。以後レリーズ釦15を深く押下げする度に未使用
のメモリセルが無くなるまで上述の撮影シーケンスを繰
り返すことができる。尚、以上の撮影シーケンス途中、
すなわちレリーズ釦15の押圧からアドレスサーチ、露
出、転送完了までの間においては、出力端子101sから図
10n に示す信号φbusyが発せられる。該信号φbusyは発
音体119 、表示装置121を駆動して撮影シーケンス途中
であることの警告を行なうと共に、電磁石123 を励磁さ
せることにより図示なき安全装置を働かせ、映像信号の
記憶部２への転送が完了する前に撮像部１から記憶部２
を分離することを不可能にする。
【００２３】次にモード選択レバー16で手動アクセス
(MAN)を選択した場合について説明する。この場合は手
動で所望の番地のメモリセルをアクセスすることができ
る。図２に示したレバー16をMAN の位置にすると図８の
スイツチ16a が端子Ｍに接続され、スイツチ16b がONに
なるが、スイツチ16c 、16d はOFF のままである。この
状態で押釦17を押すと常開スイツチ17a がONし、押す度
に手動アドレス設定回路115 から１つずつパルスが発せ
られ、それによりアドレスカウンタ114 の内容が直前に
撮影して画像信号が転送されたメモリセルの番地から１
つずつ進んで行く。従つて表示装置201 を見て所望の番
地のメモリセルを決め、表示装置18に所望番地が現われ
るまで押釦17を操作すれば良い。もちろん直前に使用さ
れたメモリセルを所望する場合は押釦17を押す必要はな
い。この手動アクセスを完了してからレリーズ釦15を押
すと前述のアドレスサーチの過程は無くその代わりにリ
セツトパルスが端子101rから端子CR、MRを介してメモリ
セルに出され、アクセスしたメモリセルが使用済の場合
にメモリセルの出力に出ているスタート信号の４ビツト
分をリセツトする。従つてアクセスしたメモリセルは使
用済、未使用に拘わらず検出回路113 の出力がＨレベル
になるので使用可能となる。以後のシーケンスはレバー
16がＡにある場合と同様でアクセスしたメモリセルにス
タート信号、画像信号が転送される。
(MAN)を選択した場合について説明する。この場合は手
動で所望の番地のメモリセルをアクセスすることができ
る。図２に示したレバー16をMAN の位置にすると図８の
スイツチ16a が端子Ｍに接続され、スイツチ16b がONに
なるが、スイツチ16c 、16d はOFF のままである。この
状態で押釦17を押すと常開スイツチ17a がONし、押す度
に手動アドレス設定回路115 から１つずつパルスが発せ
られ、それによりアドレスカウンタ114 の内容が直前に
撮影して画像信号が転送されたメモリセルの番地から１
つずつ進んで行く。従つて表示装置201 を見て所望の番
地のメモリセルを決め、表示装置18に所望番地が現われ
るまで押釦17を操作すれば良い。もちろん直前に使用さ
れたメモリセルを所望する場合は押釦17を押す必要はな
い。この手動アクセスを完了してからレリーズ釦15を押
すと前述のアドレスサーチの過程は無くその代わりにリ
セツトパルスが端子101rから端子CR、MRを介してメモリ
セルに出され、アクセスしたメモリセルが使用済の場合
にメモリセルの出力に出ているスタート信号の４ビツト
分をリセツトする。従つてアクセスしたメモリセルは使
用済、未使用に拘わらず検出回路113 の出力がＨレベル
になるので使用可能となる。以後のシーケンスはレバー
16がＡにある場合と同様でアクセスしたメモリセルにス
タート信号、画像信号が転送される。
【００２４】従つて手動アクセスモードによれば、撮影
に失敗してもレバー16をMAN に合わせ、再びレリーズ釦
15を深く押下げしさえすればメモリセル内に転送された
失敗の画像信号は新たに撮影された画像信号に入れ換わ
るのでメモリセルを無駄なく使用できる。また押釦17を
操作すれは所望のメモリセルを例えばMC1 、MC3 、MC5
、……といつた具合に使用することができる。尚、手
動アクセスはサイクリツクに行われる。すなわち最後の
番地メモリセルMC20がアクセスされた後に、押釦17を押
圧すると最初のメモリセルMC1 がアクセスされる。これ
はカウンタ114 がプログラマブルカウンタであつて、そ
の不図示のプログラム入力端子にスイツチ124 とピン20
7 とによる記憶部２の記憶容量がデイジタル化されて入
力されており、メモリセルの全数を計数するとカウンタ
の内容をリセツトすることによる。
に失敗してもレバー16をMAN に合わせ、再びレリーズ釦
15を深く押下げしさえすればメモリセル内に転送された
失敗の画像信号は新たに撮影された画像信号に入れ換わ
るのでメモリセルを無駄なく使用できる。また押釦17を
操作すれは所望のメモリセルを例えばMC1 、MC3 、MC5
、……といつた具合に使用することができる。尚、手
動アクセスはサイクリツクに行われる。すなわち最後の
番地メモリセルMC20がアクセスされた後に、押釦17を押
圧すると最初のメモリセルMC1 がアクセスされる。これ
はカウンタ114 がプログラマブルカウンタであつて、そ
の不図示のプログラム入力端子にスイツチ124 とピン20
7 とによる記憶部２の記憶容量がデイジタル化されて入
力されており、メモリセルの全数を計数するとカウンタ
の内容をリセツトすることによる。
【００２５】次にレバー16で多重露出のモードを選択し
た場合について説明する。先ず前述の２つのモードのい
ずれかで撮影シーケンスを終えた後にレバー16をMUL の
位置にする。そうするとスイツチ16a は端子Ｍに接続
し、スイツチ16b 、16c 、16dは全てONとなる。それか
らレリーズ釦15を押しても前述の手動アクセスモードの
場合と同様にアドレスサーチの過程は無く、直前に撮影
した画像信号を転送したメモリセルがアクセスされたま
まになつている。そこで手動アクセスモードの時と同様
に端子101rからリセツトパルスが出力され、アクセスさ
れたままのメモリセルのスタート信号をリセツトする。
た場合について説明する。先ず前述の２つのモードのい
ずれかで撮影シーケンスを終えた後にレバー16をMUL の
位置にする。そうするとスイツチ16a は端子Ｍに接続
し、スイツチ16b 、16c 、16dは全てONとなる。それか
らレリーズ釦15を押しても前述の手動アクセスモードの
場合と同様にアドレスサーチの過程は無く、直前に撮影
した画像信号を転送したメモリセルがアクセスされたま
まになつている。そこで手動アクセスモードの時と同様
に端子101rからリセツトパルスが出力され、アクセスさ
れたままのメモリセルのスタート信号をリセツトする。
【００２６】次に前述の電荷蓄積（露出）過程を経て、
転送過程に移るわけだが、ここでスイツチ16c がONにな
つているので選択ゲート109 はスイツチ16d のONにより
作動状態となつた加算回路110 の出力を選択して通過可
能とする。まずこれまでと同様にスタート信号がアクセ
スされたメモリセルに転送されると、加算回路110 は端
子CIから入力されるアクセスされたメモリセルからの画
像信号と、AD変換回路108 からの今撮影して画像信号と
の相加平均の信号を出力する。もちろんこれは各転送パ
ルスの完全な同期のもとで行われる。そしてこの相加平
均信号はゲート109 、111 、端子CO、MIを経てアクセス
したメモリセルに転送される。以上のようにして１フレ
ーム分の転送が終了すると、アクセスされたメモリセル
には１番目の撮影被写体と２番目の撮影被写体とが合成
された画像信号が記憶されることになる。これは何回で
も繰り返して多重露出をすることができ、その都度和で
はなく相加平均をとつているので露出過度となる虞はな
い。また直前に使用したメモリセルだけではなく、押釦
17で所望の番地のメモリセルをアクセスすることによつ
て更に以前に使用したメモリセルの画像信号と合成する
ことも可能である。
転送過程に移るわけだが、ここでスイツチ16c がONにな
つているので選択ゲート109 はスイツチ16d のONにより
作動状態となつた加算回路110 の出力を選択して通過可
能とする。まずこれまでと同様にスタート信号がアクセ
スされたメモリセルに転送されると、加算回路110 は端
子CIから入力されるアクセスされたメモリセルからの画
像信号と、AD変換回路108 からの今撮影して画像信号と
の相加平均の信号を出力する。もちろんこれは各転送パ
ルスの完全な同期のもとで行われる。そしてこの相加平
均信号はゲート109 、111 、端子CO、MIを経てアクセス
したメモリセルに転送される。以上のようにして１フレ
ーム分の転送が終了すると、アクセスされたメモリセル
には１番目の撮影被写体と２番目の撮影被写体とが合成
された画像信号が記憶されることになる。これは何回で
も繰り返して多重露出をすることができ、その都度和で
はなく相加平均をとつているので露出過度となる虞はな
い。また直前に使用したメモリセルだけではなく、押釦
17で所望の番地のメモリセルをアクセスすることによつ
て更に以前に使用したメモリセルの画像信号と合成する
ことも可能である。
【００２７】上述のいずれかのモードで撮影され、未使
用のメモリセルの無くなつた記憶部２は着脱スライダ20
3 を操作して引き下げることにより撮像部１から取りは
ずす。そしてコンバータ３によつて記憶部２に記憶され
ている画像信号を磁気テープカセツトに転送する。その
ために記憶部２のコネクタ206 をコネクタ301 に接続
し、そしてテープカセツトホルダ302 に装填して、操作
釦303 を操作する。そうすれば記憶部２のメモリセルの
画像信号は順次磁気テープに転送され、それと共に転送
されたメモリセルはリセツトされて再使用可能となる。
又この際コンバータ３はメモリセルのバツクアツプ、表
示装置201 の駆動のために記憶部２に内蔵された２次電
池を充電する。
用のメモリセルの無くなつた記憶部２は着脱スライダ20
3 を操作して引き下げることにより撮像部１から取りは
ずす。そしてコンバータ３によつて記憶部２に記憶され
ている画像信号を磁気テープカセツトに転送する。その
ために記憶部２のコネクタ206 をコネクタ301 に接続
し、そしてテープカセツトホルダ302 に装填して、操作
釦303 を操作する。そうすれば記憶部２のメモリセルの
画像信号は順次磁気テープに転送され、それと共に転送
されたメモリセルはリセツトされて再使用可能となる。
又この際コンバータ３はメモリセルのバツクアツプ、表
示装置201 の駆動のために記憶部２に内蔵された２次電
池を充電する。
【００２８】
【発明の効果】本実施例では、複数のメモリセルを内蔵
する記憶部自体にメモリセルの使用済、未使用を検出す
る検出回路とその検出結果を表示する表示素子とを配設
したので、記憶部を撮像部から取り外した状態であつて
も内蔵メモリセルの使用状態を表示できる利点がある。
する記憶部自体にメモリセルの使用済、未使用を検出す
る検出回路とその検出結果を表示する表示素子とを配設
したので、記憶部を撮像部から取り外した状態であつて
も内蔵メモリセルの使用状態を表示できる利点がある。
【００２９】以上の説明から明らかなように本発明によ
ると、任意のメモリセルに記憶できる電子スチルカメラ
に於いて、各メモリセルが使用済か未使用かを一覧的に
表示できるので、例えば使用済メモリセルの記憶情報を
誤つて消去するということを防止できる。
ると、任意のメモリセルに記憶できる電子スチルカメラ
に於いて、各メモリセルが使用済か未使用かを一覧的に
表示できるので、例えば使用済メモリセルの記憶情報を
誤つて消去するということを防止できる。
【図１】本発明の電子スチルカメラの実施例の斜視図。
【図２】本発明の電子スチルカメラの実施例の斜視図。
【図３】該カメラを撮像部と記憶部とに分離した様子を
示す斜視図。
示す斜視図。
【図４】該カメラの概略縦断面図。
【図５】第１の実施例の固体撮像素子の内部構造を示す
模式図。
模式図。
【図６】記憶部の一部と全体とを示す回路図。
【図７】表示装置の表示部を示す正面図。
【図８】撮像部の回路図。
【図９】コンバータの斜視図。
【図10】該電子カメラの撮影シーケンスを制御する主要
なパルスのタイムチヤート。
なパルスのタイムチヤート。
２ 撮像部 10 撮影レンズ 11 撮像素子 201 表示装置 MC1 〜MC20 メモリセル DC 検出回路
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年８月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 画像記録装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、被写体像を形成するた
めの撮影レンズを備え、該被写体像が記録される画像記
録媒体が着脱可能な画像記録装置に関するものである。
めの撮影レンズを備え、該被写体像が記録される画像記
録媒体が着脱可能な画像記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の装置において、必要不可
欠な技術として次のものが知られている。１つは、画像
記録媒体に複数設けられた画像記録領域のうち、被写体
像が既に記録された領域に再記録がなされることを防止
する技術である。もう１つは、被写体像が未記録の画像
記録領域をサーチして、その画像記録領域に次なる被写
体像記録を可能とする技術である。
欠な技術として次のものが知られている。１つは、画像
記録媒体に複数設けられた画像記録領域のうち、被写体
像が既に記録された領域に再記録がなされることを防止
する技術である。もう１つは、被写体像が未記録の画像
記録領域をサーチして、その画像記録領域に次なる被写
体像記録を可能とする技術である。
【０００３】前者の再記録防止技術は、銀塩フィルムを
用いるカメラでは、セルフコッキングと呼ばれている。
この技術では、一度被写体像を記録したフレームに対す
るシャッタレリーズ操作を機械的、電気的構成によって
無効にすることで、再記録を防止している。被写体像を
電気的な画像信号に変換して磁気記録媒体等に記録する
電子カメラにおける再記録防止技術としては、アナログ
の画像信号が記録される磁気記録媒体の記録トラックを
磁気ヘッドで直接検出して、画像信号が実際に読み出さ
れたトラックには、画像信号の再記録がなされないよう
な構成をとったものが知られている。
用いるカメラでは、セルフコッキングと呼ばれている。
この技術では、一度被写体像を記録したフレームに対す
るシャッタレリーズ操作を機械的、電気的構成によって
無効にすることで、再記録を防止している。被写体像を
電気的な画像信号に変換して磁気記録媒体等に記録する
電子カメラにおける再記録防止技術としては、アナログ
の画像信号が記録される磁気記録媒体の記録トラックを
磁気ヘッドで直接検出して、画像信号が実際に読み出さ
れたトラックには、画像信号の再記録がなされないよう
な構成をとったものが知られている。
【０００４】後者のサーチ技術は、銀塩フィルムを用い
るカメラでは、被写体像記録後、直ちにフィルムを電動
で１フレーム分給送して、未記録のフレームを撮影レン
ズに対向させることで実現しているものがある。電子カ
メラでは、前述した磁気記録媒体の各記録トラックを磁
気ヘッドをシフトさせながら検出していき、アナログの
画像信号が未記録のトラックが見つかったところで、磁
気ヘッドのシフトを停止して、そのトラックへの記録を
可能としているものが知られている。
るカメラでは、被写体像記録後、直ちにフィルムを電動
で１フレーム分給送して、未記録のフレームを撮影レン
ズに対向させることで実現しているものがある。電子カ
メラでは、前述した磁気記録媒体の各記録トラックを磁
気ヘッドをシフトさせながら検出していき、アナログの
画像信号が未記録のトラックが見つかったところで、磁
気ヘッドのシフトを停止して、そのトラックへの記録を
可能としているものが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の銀塩カメラで
は、画像記録媒体であるフィルムには被写体像が、直接
検出不能な潜像の形で記録されるため、既に記録された
フレームをフィルムから直接検出することは不可能であ
った。そのため再記録防止を厳密に行なうことは難し
く、特に未記録のフレームを残した状態で一旦カメラか
ら取り外された途中使用のフィルムを、再度カメラに装
着した場合に、再記録防止を行なうことは甚だ困難であ
った。また途中使用のフィルムを再装着した際に、未記
録のフレームをサーチすることも同じ理由で非常に困難
であった。
は、画像記録媒体であるフィルムには被写体像が、直接
検出不能な潜像の形で記録されるため、既に記録された
フレームをフィルムから直接検出することは不可能であ
った。そのため再記録防止を厳密に行なうことは難し
く、特に未記録のフレームを残した状態で一旦カメラか
ら取り外された途中使用のフィルムを、再度カメラに装
着した場合に、再記録防止を行なうことは甚だ困難であ
った。また途中使用のフィルムを再装着した際に、未記
録のフレームをサーチすることも同じ理由で非常に困難
であった。
【０００６】また前述した従来の電子カメラでは、再記
録防止技術、サーチ技術のいずれの場合も、磁気記録媒
体の記録トラックからアナログの画像信号を直接検出す
る必要があるため、検出に比較的長い時間を要するとい
う問題点があった。本発明の目的は、これらの問題点を
解決した画像記録装置を提供することにある。
録防止技術、サーチ技術のいずれの場合も、磁気記録媒
体の記録トラックからアナログの画像信号を直接検出す
る必要があるため、検出に比較的長い時間を要するとい
う問題点があった。本発明の目的は、これらの問題点を
解決した画像記録装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明による画
像記録装置では、画像記録媒体内に、各画像記録領域と
対応づけて設けられた特定信号記録領域に、各画像記録
領域への被写体像記録に対応してディジタルの特定信号
を記録し、この特定信号を検出することで、対応する画
像記録領域への被写体像記録の有無を判別し、もって再
記録を防止すると共に、次に被写体像記録を行なうべ
き、未記録の画像記録領域をサーチできるようにした。
像記録装置では、画像記録媒体内に、各画像記録領域と
対応づけて設けられた特定信号記録領域に、各画像記録
領域への被写体像記録に対応してディジタルの特定信号
を記録し、この特定信号を検出することで、対応する画
像記録領域への被写体像記録の有無を判別し、もって再
記録を防止すると共に、次に被写体像記録を行なうべ
き、未記録の画像記録領域をサーチできるようにした。
【０００８】請求項２の発明による画像記録装置では、
以上に加え、各画像記録領域を番号付け、その番号順に
サーチを行なうことで、同番号順に被写体像記録がなさ
れるようにし、この番号順記録は、画像記録媒体を途中
使用の状態で一旦取り外した後、再装着した後も維持さ
れるようになした。
以上に加え、各画像記録領域を番号付け、その番号順に
サーチを行なうことで、同番号順に被写体像記録がなさ
れるようにし、この番号順記録は、画像記録媒体を途中
使用の状態で一旦取り外した後、再装着した後も維持さ
れるようになした。
【０００９】
【作用】請求項１の発明の画像記録装置によれば、各画
像記録領域への記録と対応づけてディジタルの特定信号
を記録し、これを検出する構成なので、記録済の画像記
録領域への再記録防止と未記録の画像記録領域のサーチ
とを正確かつ迅速に行なうことが可能となり、このこと
は途中使用の画像記録媒体を再装着した場合にも保証さ
れる。
像記録領域への記録と対応づけてディジタルの特定信号
を記録し、これを検出する構成なので、記録済の画像記
録領域への再記録防止と未記録の画像記録領域のサーチ
とを正確かつ迅速に行なうことが可能となり、このこと
は途中使用の画像記録媒体を再装着した場合にも保証さ
れる。
【００１０】また請求項２の発明の画像記録装置によれ
ば、番号づけられた各画像記録媒体に対する番号順記録
が可能となり、このことは途中使用の画像記録装置を再
装着した際にも維持されるので、被写体像の記録順序と
画像記録領域の番号順とに整合がとれ、記録画像の管理
に好都合である。
ば、番号づけられた各画像記録媒体に対する番号順記録
が可能となり、このことは途中使用の画像記録装置を再
装着した際にも維持されるので、被写体像の記録順序と
画像記録領域の番号順とに整合がとれ、記録画像の管理
に好都合である。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１及び図２は本発明を電子スチルカメラに適用
した一実施例の外観を示している。該カメラは被写体像
を静止画像信号に光電変換する撮像部１と、１フレーム
分の静止画像情報を記憶するメモリセルを２０フレーム
分具備した記憶部２とから成つている。これら両部分は
図３ａ及びｂに示すように分離可能である。
する。図１及び図２は本発明を電子スチルカメラに適用
した一実施例の外観を示している。該カメラは被写体像
を静止画像信号に光電変換する撮像部１と、１フレーム
分の静止画像情報を記憶するメモリセルを２０フレーム
分具備した記憶部２とから成つている。これら両部分は
図３ａ及びｂに示すように分離可能である。
【００１２】撮像部１の前面には撮影レンズ１０が装着
され、図４の断面図に示すように該レンズ１０は撮像部
１の内部に配設された撮像素子１１の撮像面に被写体像
を結像する。レンズ１０には絞り１０ａが、撮像素子１
１の前面には色分解用のモザイクフイルタ１１ａが配設
されている。さらに撮像部１にはその前面から後面に貫
通して撮影視野を画定するためのフアインダ１２が設け
られており、図１においてその上面にはスピードライト
等の外部光源を取り付けるための接点１３を備えたアク
セサリーシユー１４とレリーズ釦１５とが設けられてい
る。該レリーズ釦１５を浅く押下すると給電回路に挿入
された給電スイツチがＯＮとなり、給電がなされる。こ
れに伴い測光動作が行われる。レリーズ釦１５を深く押
下すると、給電スイツチはＯＮしたままで、さらには撮
影シーケンスが開始される。撮影シーケンスは一旦開始
されると、レリーズ釦１５の押下を途中で解除しても止
まることはない。また給電スイツチのＯＮも撮影シーケ
ンスが終了するまでは保持される。
され、図４の断面図に示すように該レンズ１０は撮像部
１の内部に配設された撮像素子１１の撮像面に被写体像
を結像する。レンズ１０には絞り１０ａが、撮像素子１
１の前面には色分解用のモザイクフイルタ１１ａが配設
されている。さらに撮像部１にはその前面から後面に貫
通して撮影視野を画定するためのフアインダ１２が設け
られており、図１においてその上面にはスピードライト
等の外部光源を取り付けるための接点１３を備えたアク
セサリーシユー１４とレリーズ釦１５とが設けられてい
る。該レリーズ釦１５を浅く押下すると給電回路に挿入
された給電スイツチがＯＮとなり、給電がなされる。こ
れに伴い測光動作が行われる。レリーズ釦１５を深く押
下すると、給電スイツチはＯＮしたままで、さらには撮
影シーケンスが開始される。撮影シーケンスは一旦開始
されると、レリーズ釦１５の押下を途中で解除しても止
まることはない。また給電スイツチのＯＮも撮影シーケ
ンスが終了するまでは保持される。
【００１３】図２において撮像部１の後面には記憶部２
のメモリセルの番地を自動アクセスするモード、手動ア
クセスするモード及び多重露出のモードのうちいずれか
を選択すのためのモード選択レバー１６と、手動アクセ
スのための押釦１７と、今アクセスしているメモリセル
の番地を表示するための液晶等の７セグメント表示装置
１８と、音響警告装置を不動作にするスイツチ１９とが
設けられている。さらに撮像部１の側面にはデータ写し
込み装置や被写体像を電子モニターする電子モニター装
置等の外部アクセサリーを取り付けるための取り付けネ
ジ１００と、該アクセサリー用のコネクタ１３０とがそ
れぞれ配設されている。記憶部２の後面には図２に示す
ように使用済のメモリセルの番地を表示するための液晶
あるいはエレクトロクロミツク等の表示装置２０１と、
記憶容量（メモリセルの全数、すなわち記憶可能なフレ
ーム数）等が印刷されたラベル２０２とが設けられてい
る。また側面には図３ｂに示すように着脱スライダ２０
３がある。これを右方向にスライドさせると記憶部２の
上面に突出した着脱カギ２０４が同方向にスライドし、
撮像部１の対応する部分にある不図示の固定カギとの係
合が外れて記憶部２は撮像部１より離脱可能となる。記
憶部２にはＴ溝２０５が設けられており，着脱時にはこ
れが撮像部側の案内部材１３１と係合し、それを案内す
る。また記憶部２の上面にはコネクタ２０６、ピン２０
７が立設されている。コネクタ２０６は撮像部１の対応
するコネクタ（不図示）に接続されて電気信号を相互に
伝達しあう。ピン２０７は撮像部１に記憶部２の記憶容
量を機械的に伝達する。
のメモリセルの番地を自動アクセスするモード、手動ア
クセスするモード及び多重露出のモードのうちいずれか
を選択すのためのモード選択レバー１６と、手動アクセ
スのための押釦１７と、今アクセスしているメモリセル
の番地を表示するための液晶等の７セグメント表示装置
１８と、音響警告装置を不動作にするスイツチ１９とが
設けられている。さらに撮像部１の側面にはデータ写し
込み装置や被写体像を電子モニターする電子モニター装
置等の外部アクセサリーを取り付けるための取り付けネ
ジ１００と、該アクセサリー用のコネクタ１３０とがそ
れぞれ配設されている。記憶部２の後面には図２に示す
ように使用済のメモリセルの番地を表示するための液晶
あるいはエレクトロクロミツク等の表示装置２０１と、
記憶容量（メモリセルの全数、すなわち記憶可能なフレ
ーム数）等が印刷されたラベル２０２とが設けられてい
る。また側面には図３ｂに示すように着脱スライダ２０
３がある。これを右方向にスライドさせると記憶部２の
上面に突出した着脱カギ２０４が同方向にスライドし、
撮像部１の対応する部分にある不図示の固定カギとの係
合が外れて記憶部２は撮像部１より離脱可能となる。記
憶部２にはＴ溝２０５が設けられており，着脱時にはこ
れが撮像部側の案内部材１３１と係合し、それを案内す
る。また記憶部２の上面にはコネクタ２０６、ピン２０
７が立設されている。コネクタ２０６は撮像部１の対応
するコネクタ（不図示）に接続されて電気信号を相互に
伝達しあう。ピン２０７は撮像部１に記憶部２の記憶容
量を機械的に伝達する。
【００１４】図５に撮像部１の撮像素子１１の内部構造
を例示する。これはいわゆるインターライン方式の電荷
結合素子（ＣＣＤ）を用いたＣＣＤ撮像素子で、受光エ
レメントａ１・１、ａ１・２……、ａ１・ｎ、ａ２・１
……、ａ２・ｎ、……、ａｍ・１、ａｍ・２……、ａ
ｍ・ｎがｍ×ｎのマトリクス状に配設され受光部を構成
している。この受光エレメントの総数すなわち画素数は
１０６個程度が望ましい。これらの受光エレメントの
列、例えばａ１・１、ａ２・１……、ａｍ・１のそれぞ
れの両側にはトランスフアーゲートＴＧ１・１及びＴＧ
ａ２・１が配設されている。ゲートＴＧａ１・１は端子
１１Ｃを介して転送信号φＴＧ１が印加されると各エレ
メントに蓄積された入射光量に対応する電荷を縦方向の
ＣＣＤアナログシフトレジスタＳｖ１へ転送する。一方
ゲートＴＧ２・１は端子１１ｂを介して転送信号φ
ＴＧ２が印加されると上記電荷をオーバーフロードレイ
ンの領域ＯＤ１へ転送する。尚、トランスフアーゲート
ＴＧ２・１の電気的ポテンシヤルは、転送信号φＴＧ２
が印加されていない場合でも受光エレメント相互間のポ
テンシヤルや縦方向シフトレジスタＳｖ１の各ビツト間
のポテンシヤルよりも若干低くなつている。従つて受光
エレメントのポテンシヤル井戸からあふれた電荷は障壁
の低い方向すなわちオーバーフロードレインＯＤ１に流
れ込み、ブルーミング現象の発生は防止される。以上の
ことは他の受光エレメントの列に関しても全く同様であ
る。出力端子１１ａからはオーバーフロードレインＯＤ
１、……、ＯＤｎに転送された電荷が出力され、入力端
子１１ｂにはトランスフアーゲートＴＧ２・１、……、
ＴＧ２・ｎへの転送信号φＴＧ２が入力され、入力端子
１１ｃにはトランスフアーゲートＴＧ１・１、……、Ｔ
Ｇ１・ｎへの転送信号φＴＧ１が入力される。
を例示する。これはいわゆるインターライン方式の電荷
結合素子（ＣＣＤ）を用いたＣＣＤ撮像素子で、受光エ
レメントａ１・１、ａ１・２……、ａ１・ｎ、ａ２・１
……、ａ２・ｎ、……、ａｍ・１、ａｍ・２……、ａ
ｍ・ｎがｍ×ｎのマトリクス状に配設され受光部を構成
している。この受光エレメントの総数すなわち画素数は
１０６個程度が望ましい。これらの受光エレメントの
列、例えばａ１・１、ａ２・１……、ａｍ・１のそれぞ
れの両側にはトランスフアーゲートＴＧ１・１及びＴＧ
ａ２・１が配設されている。ゲートＴＧａ１・１は端子
１１Ｃを介して転送信号φＴＧ１が印加されると各エレ
メントに蓄積された入射光量に対応する電荷を縦方向の
ＣＣＤアナログシフトレジスタＳｖ１へ転送する。一方
ゲートＴＧ２・１は端子１１ｂを介して転送信号φ
ＴＧ２が印加されると上記電荷をオーバーフロードレイ
ンの領域ＯＤ１へ転送する。尚、トランスフアーゲート
ＴＧ２・１の電気的ポテンシヤルは、転送信号φＴＧ２
が印加されていない場合でも受光エレメント相互間のポ
テンシヤルや縦方向シフトレジスタＳｖ１の各ビツト間
のポテンシヤルよりも若干低くなつている。従つて受光
エレメントのポテンシヤル井戸からあふれた電荷は障壁
の低い方向すなわちオーバーフロードレインＯＤ１に流
れ込み、ブルーミング現象の発生は防止される。以上の
ことは他の受光エレメントの列に関しても全く同様であ
る。出力端子１１ａからはオーバーフロードレインＯＤ
１、……、ＯＤｎに転送された電荷が出力され、入力端
子１１ｂにはトランスフアーゲートＴＧ２・１、……、
ＴＧ２・ｎへの転送信号φＴＧ２が入力され、入力端子
１１ｃにはトランスフアーゲートＴＧ１・１、……、Ｔ
Ｇ１・ｎへの転送信号φＴＧ１が入力される。
【００１５】トランスフアーゲートＴＧ１・１、……、
ＴＧ１・ｎへの転送信号φＴＧ１によつて縦方向にシフ
トレジスタＳｖ１、……、Ｓｖｎに転送された電荷は、
入力端子１１ｄ、１１ｅを介して入力される縦方向転送
パルスφｖ１、φｖ２によつて順次下方に転送されて横
方向シフトレジスタＳｈの各ビツトに送り込まれる。そ
して入力端子１１ｆ：１１ｇを介して入力される横方向
転送パルスφｈ１、φｈ２によつて右方向に転送され、
センスアンプＡによつて増巾されて端子１１ｈから外部
に取り出される。
ＴＧ１・ｎへの転送信号φＴＧ１によつて縦方向にシフ
トレジスタＳｖ１、……、Ｓｖｎに転送された電荷は、
入力端子１１ｄ、１１ｅを介して入力される縦方向転送
パルスφｖ１、φｖ２によつて順次下方に転送されて横
方向シフトレジスタＳｈの各ビツトに送り込まれる。そ
して入力端子１１ｆ：１１ｇを介して入力される横方向
転送パルスφｈ１、φｈ２によつて右方向に転送され、
センスアンプＡによつて増巾されて端子１１ｈから外部
に取り出される。
【００１６】図６には記憶部２の回路構成を示す。図６
ａは１フレーム分のメモリセルＭＣ１を取り出してその
内部を示したもので、これは４列のシフトレジスタＳＲ
１、ＳＲ２、ＳＲ３、ＳＲ４から成つている。各シフト
レジスタ列は撮像素子１１に含まれる受光エレメントの
総数（すなわちｍ×ｎ個）に１を加えた段数（ビット
数）をそれぞれ持つている各シフトレジスタ列の情報は
端子ＭＣ１ｆからそれぞれに入力されるクロツクパルス
φＣＴによつて図の左から右の方へ転送される。１画素
はシフトレジスタＳＲ１の中の１ビツトと、それと対応
する位置のシフトレジスタＳＲ２、ＳＲ３、ＳＲ４中の
各１ビツトとの計４ビツトと対応する。そしてこの４ビ
ツトの表現するディジタル量で１つの画素の濃度情報を
表現する。４ビツトの表現できる情報量は２進法で００
００〜１１１１の１６段階あるが、このうち１１段階を
濃度表現に用い、残りの５段階をこのメモリセルの制御
情報に用いる。撮像部１からの情報は各入力端子ＭＣ１
ｇ、ＭＣ１ｈ、ＭＣ１ｉ、ＭＣ１ｊを経て各シフトレジ
スタに入力され、端子ＭＣ１ｆからのクロツクパルスφ
ＣＴで順次右方へ送られるが、最初の１段分は上記制御
情報信号が入力される。この信号は１１１１、１１１
０、１１０１、１０１１、０１１１の５種類である。こ
れらのディジタルの特定信号は、１つの役割として一連
の画像信号のスタート位置を示すので、以後スタート信
号と呼ぶ。このような５種類のスタート信号を用意した
のは、４列のシフトレジスタのうちの１つにノイズが入
つて本来１１１１であるべきところがどれか１つが０と
なつても支障のないようにするためである。従つて００
００、０００１、００１０、０１００、１０００の５種
類をスタート信号として採用しても同様のことが言え
る。
ａは１フレーム分のメモリセルＭＣ１を取り出してその
内部を示したもので、これは４列のシフトレジスタＳＲ
１、ＳＲ２、ＳＲ３、ＳＲ４から成つている。各シフト
レジスタ列は撮像素子１１に含まれる受光エレメントの
総数（すなわちｍ×ｎ個）に１を加えた段数（ビット
数）をそれぞれ持つている各シフトレジスタ列の情報は
端子ＭＣ１ｆからそれぞれに入力されるクロツクパルス
φＣＴによつて図の左から右の方へ転送される。１画素
はシフトレジスタＳＲ１の中の１ビツトと、それと対応
する位置のシフトレジスタＳＲ２、ＳＲ３、ＳＲ４中の
各１ビツトとの計４ビツトと対応する。そしてこの４ビ
ツトの表現するディジタル量で１つの画素の濃度情報を
表現する。４ビツトの表現できる情報量は２進法で００
００〜１１１１の１６段階あるが、このうち１１段階を
濃度表現に用い、残りの５段階をこのメモリセルの制御
情報に用いる。撮像部１からの情報は各入力端子ＭＣ１
ｇ、ＭＣ１ｈ、ＭＣ１ｉ、ＭＣ１ｊを経て各シフトレジ
スタに入力され、端子ＭＣ１ｆからのクロツクパルスφ
ＣＴで順次右方へ送られるが、最初の１段分は上記制御
情報信号が入力される。この信号は１１１１、１１１
０、１１０１、１０１１、０１１１の５種類である。こ
れらのディジタルの特定信号は、１つの役割として一連
の画像信号のスタート位置を示すので、以後スタート信
号と呼ぶ。このような５種類のスタート信号を用意した
のは、４列のシフトレジスタのうちの１つにノイズが入
つて本来１１１１であるべきところがどれか１つが０と
なつても支障のないようにするためである。従つて００
００、０００１、００１０、０１００、１０００の５種
類をスタート信号として採用しても同様のことが言え
る。
【００１７】さてこのスタート信号に続いて撮像素子１
１からの画像信号が入力され、クロツクパルスφＣＴで
順次送られるが、１フレーム分の画像信号をすべて送る
と右端（１＋ｍ×ｎ段目）のビツトにスタート信号が入
力される。そうすると各シフトレジスタ列の出力端子Ｍ
Ｃ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ１ｃ、ＭＣ１ｄに前述のスター
ト信号が出力されるので、これを検出して端子ＭＣ１ｆ
からのクロツクパルスφＣＴを停止すれば１フレーム分
の画像信号が４列のシフトレジスタに記憶されたことに
なる。このシフトレジスタの右端にビツトには検出回路
ＤＣが接続されており、出力に５種類のスタート信号の
うちいずれか１つが現れたらばこれを検出してメモリセ
ルＭＣ１に画像信号が転送されたことすなわちセルＭＣ
１が使用済になつたことを示す出力信号を出力端子ＭＣ
１ｋに出力する。またシフトレジスタの最終ビツト（右
端のビツト）に端子ＭＣ１ｅから信号を入力することに
よつて、ここに記録されているスタート信号をリセツト
することができる。詳しくは後述するがこの機能は撮影
に失敗した番地のフレームを再使用したり、多重露出を
する際に用いる。
１からの画像信号が入力され、クロツクパルスφＣＴで
順次送られるが、１フレーム分の画像信号をすべて送る
と右端（１＋ｍ×ｎ段目）のビツトにスタート信号が入
力される。そうすると各シフトレジスタ列の出力端子Ｍ
Ｃ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ１ｃ、ＭＣ１ｄに前述のスター
ト信号が出力されるので、これを検出して端子ＭＣ１ｆ
からのクロツクパルスφＣＴを停止すれば１フレーム分
の画像信号が４列のシフトレジスタに記憶されたことに
なる。このシフトレジスタの右端にビツトには検出回路
ＤＣが接続されており、出力に５種類のスタート信号の
うちいずれか１つが現れたらばこれを検出してメモリセ
ルＭＣ１に画像信号が転送されたことすなわちセルＭＣ
１が使用済になつたことを示す出力信号を出力端子ＭＣ
１ｋに出力する。またシフトレジスタの最終ビツト（右
端のビツト）に端子ＭＣ１ｅから信号を入力することに
よつて、ここに記録されているスタート信号をリセツト
することができる。詳しくは後述するがこの機能は撮影
に失敗した番地のフレームを再使用したり、多重露出を
する際に用いる。
【００１８】以上示したように１フレーム分のメモリセ
ルが複数個集まつて記憶部２ができるわけだが、その構
成の一例を図６ｂに示す。図６ａに示したようなメモリ
セルＭＣ１が２０個（ＭＣ１〜ＭＣ２０）配設され、こ
れらの入出力端子は検出回路ＤＣの出力端子ＭＣ１ｋ〜
ＭＣ２０ｋを除き、全てアドレス設定回路ＡＳに接続さ
れている。アドレス設定回路ＡＳにはアドレス端子Ｍ
Ａ、出力端子ＭＯ、入力端子ＭＩ、転送クロツクパルス
φＣＴの入力端子ＭＴ及びリセツト端子ＭＲが配設され
ている。アドレス入力端子ＭＡにあるメモリセルの番地
の信号φＡが入力されると、例えば１番地のメモリセル
を選択するような信号が入力されると１番地のメモリセ
ルＭＣ１の出力端子ＭＣ１ａ〜ＭＣ１ｄが出力端子ＭＯ
に、メモリセルの入力端子ＭＣ１ｇ〜ＭＣ１ｊが入力端
子ＭＩに、メモリセルのクロツク端子ＭＣ１ｆが端子Ｍ
Ｔに、メモリセルのリセツト端子ＭＣ１ｅが端子ＭＲに
それぞれ選択的に接続され、１番地のメモリセルＭＣ１
がアクセスされることになる。
ルが複数個集まつて記憶部２ができるわけだが、その構
成の一例を図６ｂに示す。図６ａに示したようなメモリ
セルＭＣ１が２０個（ＭＣ１〜ＭＣ２０）配設され、こ
れらの入出力端子は検出回路ＤＣの出力端子ＭＣ１ｋ〜
ＭＣ２０ｋを除き、全てアドレス設定回路ＡＳに接続さ
れている。アドレス設定回路ＡＳにはアドレス端子Ｍ
Ａ、出力端子ＭＯ、入力端子ＭＩ、転送クロツクパルス
φＣＴの入力端子ＭＴ及びリセツト端子ＭＲが配設され
ている。アドレス入力端子ＭＡにあるメモリセルの番地
の信号φＡが入力されると、例えば１番地のメモリセル
を選択するような信号が入力されると１番地のメモリセ
ルＭＣ１の出力端子ＭＣ１ａ〜ＭＣ１ｄが出力端子ＭＯ
に、メモリセルの入力端子ＭＣ１ｇ〜ＭＣ１ｊが入力端
子ＭＩに、メモリセルのクロツク端子ＭＣ１ｆが端子Ｍ
Ｔに、メモリセルのリセツト端子ＭＣ１ｅが端子ＭＲに
それぞれ選択的に接続され、１番地のメモリセルＭＣ１
がアクセスされることになる。
【００１９】一方、検出回路ＤＣの出力端子ＭＣ１ｋ〜
ＭＣ２０ｋは全て表示回路ＤＰに接続され、該回路ＤＰ
の出力でスタート信号が出力されているメモリセルすな
わち使用済のメモリセルを表示する表示装置２０１を駆
動する。この装置２０１は液晶あるいはエレクトロクロ
ミツク等の電気光学素子を含み、図７に示すような外観
を有する。この例では「２０フレーム」の記憶容量を持
つ記憶部の表示装置であり、２０個の液晶あるいはエレ
クトロクロミツクのセグメントが並んでいる。このうち
使用済のメモリセルに相応するセグメントが検出回路Ｄ
Ｃの出力信号を受けて着色する。この例では１〜６、８
〜１０の各番地のメモリセルＭＣ１〜ＭＣ６、ＭＣ８〜
ＭＣ１０が使用済ということである。
ＭＣ２０ｋは全て表示回路ＤＰに接続され、該回路ＤＰ
の出力でスタート信号が出力されているメモリセルすな
わち使用済のメモリセルを表示する表示装置２０１を駆
動する。この装置２０１は液晶あるいはエレクトロクロ
ミツク等の電気光学素子を含み、図７に示すような外観
を有する。この例では「２０フレーム」の記憶容量を持
つ記憶部の表示装置であり、２０個の液晶あるいはエレ
クトロクロミツクのセグメントが並んでいる。このうち
使用済のメモリセルに相応するセグメントが検出回路Ｄ
Ｃの出力信号を受けて着色する。この例では１〜６、８
〜１０の各番地のメモリセルＭＣ１〜ＭＣ６、ＭＣ８〜
ＭＣ１０が使用済ということである。
【００２０】図８は撮像部１の回路システムを示す。図
５に示すような撮像素子１１は、そオーバーフロードレ
インの出力端子１１ａが光電流増巾器を含む測光回路１
０２の入力端子に接続されている。該測光回路の出力は
記憶演算回路１０３の入力端子に接続され、該回路１０
３は測光回路１０２の出力に基づき適正露出を与える露
出時間値と絞り値を演算する。制御パルス発生回路１０
１は撮影シーケンスを司どる各種のパルスを発生する
が、回路１０３はその端子１０１Ｃから信号φ１０１Ｃ
を受けると測光回路１０２の出力信号を記憶する。記憶
演算回路１０３は３つの出力端子を有し、該回路１０３
の第１の出力は第１の端子を介して表示回路１０６に入
力され、該回路１０６の出力はフアインダ内に設けられ
たＬＥＤ、液晶等の表示素子を含む表示装置１０７を駆
動し、露出時間や絞り値等の表示を行なう。演算回路１
０３の第２の出力は第２の端子を介して絞り制御回路１
０５に入力し、該回路１０５の出力は撮影レンズの絞り
１０ａを制御する。また回路１０３の第３の出力は第３
の端子を介して計時回路１０４に入力し、該回路１０４
はパルス発生回路１０１の出力端子１０１ａからの信号
φ１０１ａを受け、その時点から回路１０３の出力に相
応した時間後に、露出終了信号をパルス発生回路１０１
の入力端子１０１ｂに送り込む。
５に示すような撮像素子１１は、そオーバーフロードレ
インの出力端子１１ａが光電流増巾器を含む測光回路１
０２の入力端子に接続されている。該測光回路の出力は
記憶演算回路１０３の入力端子に接続され、該回路１０
３は測光回路１０２の出力に基づき適正露出を与える露
出時間値と絞り値を演算する。制御パルス発生回路１０
１は撮影シーケンスを司どる各種のパルスを発生する
が、回路１０３はその端子１０１Ｃから信号φ１０１Ｃ
を受けると測光回路１０２の出力信号を記憶する。記憶
演算回路１０３は３つの出力端子を有し、該回路１０３
の第１の出力は第１の端子を介して表示回路１０６に入
力され、該回路１０６の出力はフアインダ内に設けられ
たＬＥＤ、液晶等の表示素子を含む表示装置１０７を駆
動し、露出時間や絞り値等の表示を行なう。演算回路１
０３の第２の出力は第２の端子を介して絞り制御回路１
０５に入力し、該回路１０５の出力は撮影レンズの絞り
１０ａを制御する。また回路１０３の第３の出力は第３
の端子を介して計時回路１０４に入力し、該回路１０４
はパルス発生回路１０１の出力端子１０１ａからの信号
φ１０１ａを受け、その時点から回路１０３の出力に相
応した時間後に、露出終了信号をパルス発生回路１０１
の入力端子１０１ｂに送り込む。
【００２１】撮像素子１１の各入力端子１１ｂ〜１１ｇ
はパルス発生回路１０１の各出力端子１０１ｄ〜１０１
ｉにそれぞれ接続され、撮像素子１１を駆動するための
前記各種制御パルスφＴＧ２、φＴＧ１、φｖ１、φ
ｖ２、φｈ１及びφｈ２を受け取る。撮像素子１１の出
力端子１１ｈはＡＤ変換回路１０８に接続され、ここで
各画素（各受光エレメント）の光強度に応じたアナログ
信号４ビツトのディジタル信号に変換され、選択ゲート
１０９に送り込まれる。多重露出時に用いられる加算回
路１１０は、ＡＤ変換回路１０８の出力と記憶部２から
入力端子ＣＩを介して入力される画像信号とを加算して
２で割る。すなわち両者の相加平均をとつてその信号を
選択ゲート１０９に加える。スイツチ１６ｄは図２のモ
ード選択レバー１６に連動して開閉し、レバー１６がＭ
ＵＬ（多重露出）の位置にある時にＯＮとなつて加算回
路１１０を動作状態となし、他の場合にはＯＦＦとなつ
て加算回路１１０を不動作状態にする。スイツチ１６Ｃ
は同じくレバー１６に連動して開閉し、レバー１６がＭ
ＵＬの位置にある時にＯＮとなり、選択ゲート１０９を
加算回路１１０の出力は通過させ、ＡＤ変換回路１０８
の出力は阻止する状態にする。またスイツチ１６Ｃはレ
バー１６が他の位置にある時にはＯＦＦとなり、ゲート
１０９を先程とは逆にＡＤ変換回路１０８の出力は通過
させ、加算回路１１０の出力は阻止する状態にする。選
択ゲート１０９の出力信号は別の選択ゲート１１１に送
られる。この選択ゲート１１１には前述のスタート信号
を発生するスタート信号発生回路１１２の出力端子も接
続されている。該ゲート１１１は制御パルス発生回路１
０１の出力端子１０１ｋからの信号φ１０１ｋにより、
選択ゲート１０９の出力とスタート信号発生回路１１２
の出力のいずれかを選択して出力端子ＣＯを介して記憶
部２に出力する。検出回路１１３は記憶部２の出力端子
ＭＯから入力端子ＣＩを介して入力される信号がスター
ト信号であるか否かを判別し、その結果の信号を制御パ
ルス発生回路１０１の入力端子１０１ｊに送り込む。
はパルス発生回路１０１の各出力端子１０１ｄ〜１０１
ｉにそれぞれ接続され、撮像素子１１を駆動するための
前記各種制御パルスφＴＧ２、φＴＧ１、φｖ１、φ
ｖ２、φｈ１及びφｈ２を受け取る。撮像素子１１の出
力端子１１ｈはＡＤ変換回路１０８に接続され、ここで
各画素（各受光エレメント）の光強度に応じたアナログ
信号４ビツトのディジタル信号に変換され、選択ゲート
１０９に送り込まれる。多重露出時に用いられる加算回
路１１０は、ＡＤ変換回路１０８の出力と記憶部２から
入力端子ＣＩを介して入力される画像信号とを加算して
２で割る。すなわち両者の相加平均をとつてその信号を
選択ゲート１０９に加える。スイツチ１６ｄは図２のモ
ード選択レバー１６に連動して開閉し、レバー１６がＭ
ＵＬ（多重露出）の位置にある時にＯＮとなつて加算回
路１１０を動作状態となし、他の場合にはＯＦＦとなつ
て加算回路１１０を不動作状態にする。スイツチ１６Ｃ
は同じくレバー１６に連動して開閉し、レバー１６がＭ
ＵＬの位置にある時にＯＮとなり、選択ゲート１０９を
加算回路１１０の出力は通過させ、ＡＤ変換回路１０８
の出力は阻止する状態にする。またスイツチ１６Ｃはレ
バー１６が他の位置にある時にはＯＦＦとなり、ゲート
１０９を先程とは逆にＡＤ変換回路１０８の出力は通過
させ、加算回路１１０の出力は阻止する状態にする。選
択ゲート１０９の出力信号は別の選択ゲート１１１に送
られる。この選択ゲート１１１には前述のスタート信号
を発生するスタート信号発生回路１１２の出力端子も接
続されている。該ゲート１１１は制御パルス発生回路１
０１の出力端子１０１ｋからの信号φ１０１ｋにより、
選択ゲート１０９の出力とスタート信号発生回路１１２
の出力のいずれかを選択して出力端子ＣＯを介して記憶
部２に出力する。検出回路１１３は記憶部２の出力端子
ＭＯから入力端子ＣＩを介して入力される信号がスター
ト信号であるか否かを判別し、その結果の信号を制御パ
ルス発生回路１０１の入力端子１０１ｊに送り込む。
【００２２】アドレスカウンタ１１４の内容は５ビツト
の出力端子ＣＡを介して記憶部２のアドレス設定回路Ａ
Ｓに送られ指定される番地のメモリセルをアクセスす
る。一方で該カウンタ１１４の出力は表示回路１１７を
介して前述の表示装置１８を駆動させ、アクセスしてい
るメモリセルの番地の表示をさせる。スイツチ１６ａは
図２のモード選択レバー１６に連動して、該レバー１６
がＡ（自動アクセス）にある時には図８の端子Ａと、Ｍ
ＡＮ（手動アクセス）あるいはＭＵＬの位置にある時に
は図８の端子Ｍと接続される。手動アドレス設定回路１
１５はスイツチ１６ａが端子Ｍの位置にある時に押釦ス
イツチ１７ａがＯＮする度に１つずつパルスを出し、ア
ドレスカウンタ１１４の内容を１つずつ変えていく。ス
イツチ１６ａを端子Ａの位置に切り換えた場合にはアド
レスカウンタ１１４はその入力端子１１４ａを介して制
御パルス発生回路１０１の出力端子１０１１に接続さ
れ、該回路１０１からのクロツクパルスを計数する。ス
イツチ１６ｂはモード選択レバー１６に連動して該レバ
ーがＡにある時はＯＦＦ、他の場所にある時はＯＮとな
り、入力端子１０１ｎを介して制御パルス発生回路１０
１に選択されたモードが自動アクセスが否かを知らせ
る。ワンショットマルチパイブレーター１１６はレリー
ズ釦１５を押すことによりスイツチ１５ａがＯＮになる
と単一のパルスφｓを発生し、入力端子１０１ｐを介し
て回路１０１に撮影シーケンスをスタートさせる信号を
送り込む。出力端子１０１ｑは記憶部用の転送パルスφ
ＣＴを出力端子ＣＴを介して記憶部２に送る。出力端子
１０１ｒは記憶部２へ送るリセツトパルスを出力端子Ｃ
Ｒを介して記憶部２の入力端子ＭＲに送る。出力端子１
０１ｓは撮影シーケンスが進行中か否かを示す信号φ
ｂｕｓｙを出力する。該信号φｂｕｓｙは駆動回路１１
８を介して発音体１１９に警告音を出させ、表示回路１
２０を介してＬＥＤ等の警告表示装置１２１を点灯さ
せ、そして駆動回路１２２を介して電磁石１２３を働か
せて図示なき安全装置により撮影シーケンス途中に記憶
部２を撮像部１から離脱することを不可能にする。出力
端子１０１ｓと駆動回路１１８との間にＯＦＦにするこ
とにより警告音を発せられなくするスイツチ１９（図２
参照）が挿入されている。出力端子１０１ｍは回路１１
７、１１８に接続されており、記憶部２のメモリセルが
全て使用済で、空きがない場合に断続信号を出し、表示
装置１８を点滅させ、発音体１１９を断続発音させて、
記憶部２に未使用のメモリセルが無いことを表示する。
出力端子１０１ａの出力は同調信号として接点１３（図
２参照）を介してスピードライト等に送られる。入力端
子１０１ｔに接続された切換えスイツチ１２４は記憶部
２の上面に立設されたピン２０７（図３ｂ参照）の突出
量に応じて切り換えられ、記憶部２の記憶容量を回路１
０１に伝える。また記憶部２を撮像部１から取りはずす
とスイツチ１２４がカウンタ１１４のリセツト端子１１
４ｒに接続され、該カウンタ１１４の内容をリセツトす
る。
の出力端子ＣＡを介して記憶部２のアドレス設定回路Ａ
Ｓに送られ指定される番地のメモリセルをアクセスす
る。一方で該カウンタ１１４の出力は表示回路１１７を
介して前述の表示装置１８を駆動させ、アクセスしてい
るメモリセルの番地の表示をさせる。スイツチ１６ａは
図２のモード選択レバー１６に連動して、該レバー１６
がＡ（自動アクセス）にある時には図８の端子Ａと、Ｍ
ＡＮ（手動アクセス）あるいはＭＵＬの位置にある時に
は図８の端子Ｍと接続される。手動アドレス設定回路１
１５はスイツチ１６ａが端子Ｍの位置にある時に押釦ス
イツチ１７ａがＯＮする度に１つずつパルスを出し、ア
ドレスカウンタ１１４の内容を１つずつ変えていく。ス
イツチ１６ａを端子Ａの位置に切り換えた場合にはアド
レスカウンタ１１４はその入力端子１１４ａを介して制
御パルス発生回路１０１の出力端子１０１１に接続さ
れ、該回路１０１からのクロツクパルスを計数する。ス
イツチ１６ｂはモード選択レバー１６に連動して該レバ
ーがＡにある時はＯＦＦ、他の場所にある時はＯＮとな
り、入力端子１０１ｎを介して制御パルス発生回路１０
１に選択されたモードが自動アクセスが否かを知らせ
る。ワンショットマルチパイブレーター１１６はレリー
ズ釦１５を押すことによりスイツチ１５ａがＯＮになる
と単一のパルスφｓを発生し、入力端子１０１ｐを介し
て回路１０１に撮影シーケンスをスタートさせる信号を
送り込む。出力端子１０１ｑは記憶部用の転送パルスφ
ＣＴを出力端子ＣＴを介して記憶部２に送る。出力端子
１０１ｒは記憶部２へ送るリセツトパルスを出力端子Ｃ
Ｒを介して記憶部２の入力端子ＭＲに送る。出力端子１
０１ｓは撮影シーケンスが進行中か否かを示す信号φ
ｂｕｓｙを出力する。該信号φｂｕｓｙは駆動回路１１
８を介して発音体１１９に警告音を出させ、表示回路１
２０を介してＬＥＤ等の警告表示装置１２１を点灯さ
せ、そして駆動回路１２２を介して電磁石１２３を働か
せて図示なき安全装置により撮影シーケンス途中に記憶
部２を撮像部１から離脱することを不可能にする。出力
端子１０１ｓと駆動回路１１８との間にＯＦＦにするこ
とにより警告音を発せられなくするスイツチ１９（図２
参照）が挿入されている。出力端子１０１ｍは回路１１
７、１１８に接続されており、記憶部２のメモリセルが
全て使用済で、空きがない場合に断続信号を出し、表示
装置１８を点滅させ、発音体１１９を断続発音させて、
記憶部２に未使用のメモリセルが無いことを表示する。
出力端子１０１ａの出力は同調信号として接点１３（図
２参照）を介してスピードライト等に送られる。入力端
子１０１ｔに接続された切換えスイツチ１２４は記憶部
２の上面に立設されたピン２０７（図３ｂ参照）の突出
量に応じて切り換えられ、記憶部２の記憶容量を回路１
０１に伝える。また記憶部２を撮像部１から取りはずす
とスイツチ１２４がカウンタ１１４のリセツト端子１１
４ｒに接続され、該カウンタ１１４の内容をリセツトす
る。
【００２３】図９において、記憶部２に記憶された画像
信号を磁気テープカセットに転送するコンバータ３が示
されている。該コンバータ３にはコネクタ２０６と接続
されるコネクタ３０１と、磁気テープカセットが装填さ
れるカセツトホルダ３０２と、操作釦３０３とが設けら
れている。次に本実施例の作動について説明する。まず
図２において記憶部２の撮像部１に装着する。これによ
り記憶部２のコネクタ２０６が撮像部１のコネクタ（不
図示）と接続し、図６ｂに示した端子ＭＡ、ＭＯ、Ｍ
Ｉ、ＭＴ、ＭＲが図８の端子ＯＡ、ＣＩ、ＣＯ、ＣＴ、
ＣＲにそれぞれ接続される。今、撮像部１のモード選択
レバー１６を自動アクセスＡの位置に、スイツチ１９を
ＯＮにしたとする。すると図８におけるスイツチ１６ａ
が端子Ａと接続され、スイツチ１６ｂ、１６Ｃ、１６ｄ
はそれぞれＯＦＦの状態となる。この状態で撮影レンズ
１０を被写体に向け、構図を決めて焦点を合わせる。そ
してレリーズ釦１５を深く押下すると図８のスイツチ１
５ａがＯＮとなり、ワンシヨツトマルチバイブレータ１
１６から図１０ａのタイムチヤートに示した単一のパル
スφｓが制御パルス発生回路１０１の入力端子１０１ｐ
に発せられる。それを受けた回路１０１は出力端子１０
１１より図１０に示したタイミングでパルスφＡを発す
る。このパルスφＡはスイツチ１６ａを介してアドレス
カウンタ１１４の入力となる。該カウンタ１１４は撮像
部１から記憶部２を取りはずした時にリセットされてい
る。
信号を磁気テープカセットに転送するコンバータ３が示
されている。該コンバータ３にはコネクタ２０６と接続
されるコネクタ３０１と、磁気テープカセットが装填さ
れるカセツトホルダ３０２と、操作釦３０３とが設けら
れている。次に本実施例の作動について説明する。まず
図２において記憶部２の撮像部１に装着する。これによ
り記憶部２のコネクタ２０６が撮像部１のコネクタ（不
図示）と接続し、図６ｂに示した端子ＭＡ、ＭＯ、Ｍ
Ｉ、ＭＴ、ＭＲが図８の端子ＯＡ、ＣＩ、ＣＯ、ＣＴ、
ＣＲにそれぞれ接続される。今、撮像部１のモード選択
レバー１６を自動アクセスＡの位置に、スイツチ１９を
ＯＮにしたとする。すると図８におけるスイツチ１６ａ
が端子Ａと接続され、スイツチ１６ｂ、１６Ｃ、１６ｄ
はそれぞれＯＦＦの状態となる。この状態で撮影レンズ
１０を被写体に向け、構図を決めて焦点を合わせる。そ
してレリーズ釦１５を深く押下すると図８のスイツチ１
５ａがＯＮとなり、ワンシヨツトマルチバイブレータ１
１６から図１０ａのタイムチヤートに示した単一のパル
スφｓが制御パルス発生回路１０１の入力端子１０１ｐ
に発せられる。それを受けた回路１０１は出力端子１０
１１より図１０に示したタイミングでパルスφＡを発す
る。このパルスφＡはスイツチ１６ａを介してアドレス
カウンタ１１４の入力となる。該カウンタ１１４は撮像
部１から記憶部２を取りはずした時にリセットされてい
る。
【００２４】従つてパルスφＡが１つ入る毎にカウンタ
の内容は１から１つずつ進む。これにより該カウンタ１
１４は端子ＣＡ、ＭＡを介して記憶部２内のメモリセル
を順次アクセスする。即ちカウンタ１１４が端子１０１
１からの最初のパルスを計数すると、先ず第１のメモリ
セルＭＣ１をアクセスし、次いで第２番目のパルスを計
数すると第２のメモリセルＭＣ２をアクセスし、以下同
様にパルスの計数毎に最後のメモリセルＭＣ２０までア
クセスする。検出回路１１３はカウンタ１１４によつて
アクセスさせたメモリセル出力信号を端子ＭＯ、ＣＩを
経て受け、これがスタート信号である場合は、Ｌレベ
ル、そうでない場合はＨレベルの信号φ１１３を入力端
子１０１ｊに送る。通常新たに装着された記憶部２は全
てのメモリセルが未使用である場合がほとんどなので、
信号φ１１３は第１のメモリセルＭＣ１をアクセスして
直ちにＨレベルになる。従つて第１のメモリセルＭＣ１
が撮影用にアクセスされ、第１のメモリセルの番地すな
わち「１」が表示装置に現われる。ところがいくつかの
メモリセル、例えば第１番目から第３番目までのメモリ
セルＭＣ１〜ＭＣ３が使用済であつたとすると、回路１
０１は検出回路１１３の出力φ１１３がＬレベルである
間、パルスφＡをカウンタ１１４に送り続ける。このよ
うにして１つずつアドレスを進めて行き、未使用のメモ
リセル、この場合第４番目のメモリセルＭＣ４に行き当
たると出力φ１１３が図１０ｂに示すタイミングでＨレ
ベルとなり、パルスφＡの出力が止まる。そしてその時
メモリセルが撮影用としてアクセスされ、そのメモリセ
ルの番地が表示装置１８に表示される。以上述べた過程
をアドレスサーチと呼ぶ。
の内容は１から１つずつ進む。これにより該カウンタ１
１４は端子ＣＡ、ＭＡを介して記憶部２内のメモリセル
を順次アクセスする。即ちカウンタ１１４が端子１０１
１からの最初のパルスを計数すると、先ず第１のメモリ
セルＭＣ１をアクセスし、次いで第２番目のパルスを計
数すると第２のメモリセルＭＣ２をアクセスし、以下同
様にパルスの計数毎に最後のメモリセルＭＣ２０までア
クセスする。検出回路１１３はカウンタ１１４によつて
アクセスさせたメモリセル出力信号を端子ＭＯ、ＣＩを
経て受け、これがスタート信号である場合は、Ｌレベ
ル、そうでない場合はＨレベルの信号φ１１３を入力端
子１０１ｊに送る。通常新たに装着された記憶部２は全
てのメモリセルが未使用である場合がほとんどなので、
信号φ１１３は第１のメモリセルＭＣ１をアクセスして
直ちにＨレベルになる。従つて第１のメモリセルＭＣ１
が撮影用にアクセスされ、第１のメモリセルの番地すな
わち「１」が表示装置に現われる。ところがいくつかの
メモリセル、例えば第１番目から第３番目までのメモリ
セルＭＣ１〜ＭＣ３が使用済であつたとすると、回路１
０１は検出回路１１３の出力φ１１３がＬレベルである
間、パルスφＡをカウンタ１１４に送り続ける。このよ
うにして１つずつアドレスを進めて行き、未使用のメモ
リセル、この場合第４番目のメモリセルＭＣ４に行き当
たると出力φ１１３が図１０ｂに示すタイミングでＨレ
ベルとなり、パルスφＡの出力が止まる。そしてその時
メモリセルが撮影用としてアクセスされ、そのメモリセ
ルの番地が表示装置１８に表示される。以上述べた過程
をアドレスサーチと呼ぶ。
【００２５】回路１０１はピン２０７、切換えスイツチ
１２４によつて伝えられたフレーム数だけアドレスパル
スφＡを発しても回路１１３の出力がＨレベルとならな
い場合は記憶部２の中の各メモリセルが全て使用済であ
ることを検知する。そうすると該回路１０１は端子１０
１ｍから断続信号を発して表示装置１８を点滅させ、発
音体１１９に断続音を出させると共に撮影シーケンスを
停止する。これにより撮影者は未使用のメモリセルが無
いことを知る。この一連の警告動作は撮像部１に記憶部
２を装着せずにレリーズ釦を押圧した時にも行なわれ
る。これは回路１０１が記憶部２の未装着をスイツチ１
２４の開放によつて検知することによる。この未装着に
よる警告は、記憶部が撮像部の内部に装填され、記憶部
の存在が外部から視認できない形式の場合に特に有効で
ある。
１２４によつて伝えられたフレーム数だけアドレスパル
スφＡを発しても回路１１３の出力がＨレベルとならな
い場合は記憶部２の中の各メモリセルが全て使用済であ
ることを検知する。そうすると該回路１０１は端子１０
１ｍから断続信号を発して表示装置１８を点滅させ、発
音体１１９に断続音を出させると共に撮影シーケンスを
停止する。これにより撮影者は未使用のメモリセルが無
いことを知る。この一連の警告動作は撮像部１に記憶部
２を装着せずにレリーズ釦を押圧した時にも行なわれ
る。これは回路１０１が記憶部２の未装着をスイツチ１
２４の開放によつて検知することによる。この未装着に
よる警告は、記憶部が撮像部の内部に装填され、記憶部
の存在が外部から視認できない形式の場合に特に有効で
ある。
【００２６】未使用のメモリセルがアクセスされると回
路１１３の出力φ１１３がＨレベルとなり、パルスφＡ
が停止する。図１０ｅに示したように端子１０１ｄの出
力φＴＧ２はレリーズ釦１５を浅く押下することによる
給電開始に伴いＨレベルとなり、図５に示した撮像素子
１１のトランスフアーゲートＴＧ２・１〜ＴＧ２・ｎを
開の状態にしておく。従つて受光エレメントａ１・１、
……、ａｍ・ｎに照射された光の強度に応じて発生した
電荷が各エレメントに蓄積することなくオーバーフロー
ドレインＯＤ１〜ＯＤｎ、出力端子１１ａを介して常に
光電流として取り出され、測光回路１０２によつて増
巾、対数変換、ＡＤ変換等の処理を施されて記憶演算回
路１０３に加えられる。記憶部２の未使用のメモリセル
のアクセスが終わると回路１１３の出力φ１１３に応じ
て端子１０１Ｃの出力φ１０１Ｃは図１０ｄに示すタイ
ミングでＬレベルからＨレベルに変化する。この出力φ
１０１ＣがＨレベルの間、測光回路１０２の出力は回路
１０３に記憶される。該回路１０３では記憶された光強
度の値から適正な露出（電荷蓄積量）が得られるような
絞り値と電荷蓄積時間すなわち露出時間が算出される。
該適正絞り値の情報は絞り制御回路１０５に送られ、公
知の方法により絞り１０ａを制御する。また該適正絞り
値、適正電荷蓄積時間の両情報は表示回路１０６にも送
られ、表示素子１０７によりフアインダ内表示がなされ
る。さらに適正電荷蓄積時間の情報は計時回路１０４に
も送られる。その直後、端子１０１ｄの出力φＴＧ２が
図１０ｅに示すタイミングでＨレベルからＬレベルに変
化し、トランスフアーゲートＴＧ２・１〜ＴＧ２・ｎが
閉じられる。と同時に撮像素子の受光エレメントａ
１・１、……、ａｍ・ｎに露光量に応じた電荷の蓄積が
開始されると共に端子１０１ａに信号φＴＧ２と同様の
信号φ１０１ａ（図１０ｅ参照）が現われる。計時回路
１０４は該信号φ１０１ａを受けて、その出力φ１０４
を図１０ｆに示すようにＬレベルからＨレベルに変化さ
せ計時をスタートする。そして前記適正電荷蓄積時間が
経過すると出力φ１０４はＨレベルからＬレベルに変化
する。これを端子１０１ｂを介して受けた回路１０１は
出力端子１０１ｅより図１０ｇに示すようなパルスφ
ＴＧ１を出力し、撮像素子１１のトランスフアーゲート
ＴＧ１・１〜ＴＧｍ・ｎを一瞬の間開く。それにより受
光エレメントａ１・１、……、ａｍ・ｎに蓄積された電
荷が縦方向シフトレジスタＳｖ１〜Ｓｖｎに移る。これ
で露出が終わつたことになる。電荷蓄積時間すなわち露
出時間は出力φＴＧ２がＨレベルからＬレベルに変化す
ることによるトランスフアーゲートＴＧ２・１〜ＴＧ
２・ｎが閉成からパルスφＴＧ１が出されることによる
トランスフアーゲートＴＧ１・１〜ＴＧ１・ｎが開放ま
での時間である。
路１１３の出力φ１１３がＨレベルとなり、パルスφＡ
が停止する。図１０ｅに示したように端子１０１ｄの出
力φＴＧ２はレリーズ釦１５を浅く押下することによる
給電開始に伴いＨレベルとなり、図５に示した撮像素子
１１のトランスフアーゲートＴＧ２・１〜ＴＧ２・ｎを
開の状態にしておく。従つて受光エレメントａ１・１、
……、ａｍ・ｎに照射された光の強度に応じて発生した
電荷が各エレメントに蓄積することなくオーバーフロー
ドレインＯＤ１〜ＯＤｎ、出力端子１１ａを介して常に
光電流として取り出され、測光回路１０２によつて増
巾、対数変換、ＡＤ変換等の処理を施されて記憶演算回
路１０３に加えられる。記憶部２の未使用のメモリセル
のアクセスが終わると回路１１３の出力φ１１３に応じ
て端子１０１Ｃの出力φ１０１Ｃは図１０ｄに示すタイ
ミングでＬレベルからＨレベルに変化する。この出力φ
１０１ＣがＨレベルの間、測光回路１０２の出力は回路
１０３に記憶される。該回路１０３では記憶された光強
度の値から適正な露出（電荷蓄積量）が得られるような
絞り値と電荷蓄積時間すなわち露出時間が算出される。
該適正絞り値の情報は絞り制御回路１０５に送られ、公
知の方法により絞り１０ａを制御する。また該適正絞り
値、適正電荷蓄積時間の両情報は表示回路１０６にも送
られ、表示素子１０７によりフアインダ内表示がなされ
る。さらに適正電荷蓄積時間の情報は計時回路１０４に
も送られる。その直後、端子１０１ｄの出力φＴＧ２が
図１０ｅに示すタイミングでＨレベルからＬレベルに変
化し、トランスフアーゲートＴＧ２・１〜ＴＧ２・ｎが
閉じられる。と同時に撮像素子の受光エレメントａ
１・１、……、ａｍ・ｎに露光量に応じた電荷の蓄積が
開始されると共に端子１０１ａに信号φＴＧ２と同様の
信号φ１０１ａ（図１０ｅ参照）が現われる。計時回路
１０４は該信号φ１０１ａを受けて、その出力φ１０４
を図１０ｆに示すようにＬレベルからＨレベルに変化さ
せ計時をスタートする。そして前記適正電荷蓄積時間が
経過すると出力φ１０４はＨレベルからＬレベルに変化
する。これを端子１０１ｂを介して受けた回路１０１は
出力端子１０１ｅより図１０ｇに示すようなパルスφ
ＴＧ１を出力し、撮像素子１１のトランスフアーゲート
ＴＧ１・１〜ＴＧｍ・ｎを一瞬の間開く。それにより受
光エレメントａ１・１、……、ａｍ・ｎに蓄積された電
荷が縦方向シフトレジスタＳｖ１〜Ｓｖｎに移る。これ
で露出が終わつたことになる。電荷蓄積時間すなわち露
出時間は出力φＴＧ２がＨレベルからＬレベルに変化す
ることによるトランスフアーゲートＴＧ２・１〜ＴＧ
２・ｎが閉成からパルスφＴＧ１が出されることによる
トランスフアーゲートＴＧ１・１〜ＴＧ１・ｎが開放ま
での時間である。
【００２７】以上のように露出が終わると、次に端子１
０１ｋから選択ゲート１１１に図１０ｈに示すタイミン
グで信号φ１０１ｋが発せられる。該ゲート１１１は端
子１０１ｋからの出力がＨレベルなのでスタート信号発
生回路１１２からの出力（スタート信号）を選択して出
力端子ＣＯに出力する。これに同期して端子１０１ｑよ
り端子ＣＴ、ＭＴを介して記憶部２に図１０ｍを示すよ
うな転送パルスφＣＴが送られ、スタート信号が入力端
子ＭＩを介してアクセスしているメモリセルに送り込ま
れる。続いて出力端子１０１ｆと１０１ｇより図６の撮
像素子１１の入力端子１１ｄ、１１ｅに図１０ｉ、ｊに
示すタイミングでそれぞれ縦方向転送パルスφｖ１及び
φｖ２が、出力端子１０１ｈと１０１ｉより入力端子１
１ｆ、１１ｇに図１０ｋ、１に示すタイミングでそれぞ
れ横方向転送パルスφｎ１及びφｎ２が送られる。これ
により各受光エレメントの画像信号が出力端子１１ｈか
ら時系列的に出力される。この信号はＡＤ変換回路１０
８でディジタル信号に変換され、選択ゲート１０９に加
えられる。該ゲート１０９はスイツチ１６ＣがＯＦＦと
なつているので回路１０８からの画像信号を通過させ
る。選択ゲート１１１も端子１０１ｋからの出力がＬレ
ベルになるのでゲート１０９からの画像信号を通過さ
せ、出力端子ＣＯから記憶部２の入力端子ＭＩに加えら
れる。更に前述の転送パルスφｖ１、φｖ２、φｈ１、
φｈ２に同期して発せられる転送パルスφｃｒにより画
像信号は前記、スタート信号の後に連つてアクセスして
いるメモリセルのシフトレジスタ内に順次転送されて行
く。１フレーム分の画像信号を転送し終わるとスタート
信号が記憶部２の出力端子ＭＯに出てくるので、これが
撮像部１の入力端子ＣＩを介して検出回路１１３に加え
られる。回路１１３はこれを検出して前述の各転送パル
スφｖ１、φｖ２、φｈ１、φｈ２、φｃＴを停止す
る。
０１ｋから選択ゲート１１１に図１０ｈに示すタイミン
グで信号φ１０１ｋが発せられる。該ゲート１１１は端
子１０１ｋからの出力がＨレベルなのでスタート信号発
生回路１１２からの出力（スタート信号）を選択して出
力端子ＣＯに出力する。これに同期して端子１０１ｑよ
り端子ＣＴ、ＭＴを介して記憶部２に図１０ｍを示すよ
うな転送パルスφＣＴが送られ、スタート信号が入力端
子ＭＩを介してアクセスしているメモリセルに送り込ま
れる。続いて出力端子１０１ｆと１０１ｇより図６の撮
像素子１１の入力端子１１ｄ、１１ｅに図１０ｉ、ｊに
示すタイミングでそれぞれ縦方向転送パルスφｖ１及び
φｖ２が、出力端子１０１ｈと１０１ｉより入力端子１
１ｆ、１１ｇに図１０ｋ、１に示すタイミングでそれぞ
れ横方向転送パルスφｎ１及びφｎ２が送られる。これ
により各受光エレメントの画像信号が出力端子１１ｈか
ら時系列的に出力される。この信号はＡＤ変換回路１０
８でディジタル信号に変換され、選択ゲート１０９に加
えられる。該ゲート１０９はスイツチ１６ＣがＯＦＦと
なつているので回路１０８からの画像信号を通過させ
る。選択ゲート１１１も端子１０１ｋからの出力がＬレ
ベルになるのでゲート１０９からの画像信号を通過さ
せ、出力端子ＣＯから記憶部２の入力端子ＭＩに加えら
れる。更に前述の転送パルスφｖ１、φｖ２、φｈ１、
φｈ２に同期して発せられる転送パルスφｃｒにより画
像信号は前記、スタート信号の後に連つてアクセスして
いるメモリセルのシフトレジスタ内に順次転送されて行
く。１フレーム分の画像信号を転送し終わるとスタート
信号が記憶部２の出力端子ＭＯに出てくるので、これが
撮像部１の入力端子ＣＩを介して検出回路１１３に加え
られる。回路１１３はこれを検出して前述の各転送パル
スφｖ１、φｖ２、φｈ１、φｈ２、φｃＴを停止す
る。
【００２８】これで１フレーム分の撮影シーケンスが完
了する。以後レリーズ釦１５を深く押下げする度に未使
用のメモリセルが無くなるまで上述の撮影シーケンスを
繰り返すことができる。尚、以上の撮影シーケンス途
中、すなわちレリーズ釦１５の押圧からアドレスサー
チ、露出、転送完了までの間においては、出力端子１０
１ｓから図１０ｎに示す信号φｂｕｓｙが発せられる。
該信号φｂｕｓｙは発音体１１９、表示装置１２１を駆
動して撮影シーケンス途中であることの警告を行なうと
共に、電磁石１２３を励磁させることにより図示なき安
全装置を働かせ、映像信号の記憶部２への転送が完了す
る前に撮像部１から記憶部２を分離することを不可能に
する。
了する。以後レリーズ釦１５を深く押下げする度に未使
用のメモリセルが無くなるまで上述の撮影シーケンスを
繰り返すことができる。尚、以上の撮影シーケンス途
中、すなわちレリーズ釦１５の押圧からアドレスサー
チ、露出、転送完了までの間においては、出力端子１０
１ｓから図１０ｎに示す信号φｂｕｓｙが発せられる。
該信号φｂｕｓｙは発音体１１９、表示装置１２１を駆
動して撮影シーケンス途中であることの警告を行なうと
共に、電磁石１２３を励磁させることにより図示なき安
全装置を働かせ、映像信号の記憶部２への転送が完了す
る前に撮像部１から記憶部２を分離することを不可能に
する。
【００２９】次にモード選択レバー１６で手動アクセス
（ＭＡＮ）を選択した場合について説明する。この場合
は手動で所望の番地のメモリセルをアクセスすることが
できる。図２に示したレバー１６をＭＡＮの位置にする
と図８のスイツチ１６ａが端子Ｍに接続され、スイツチ
１６ｂがＯＮになるが、スイツチ１６ｃ、１６ｄはＯＦ
Ｆのままである。この状態で押釦１７を押すと常開スイ
ツチ１７ａがＯＮし、押す度に手動アドレス設定回路１
１５から１つずつパルスが発せられ、それによりアドレ
スカウンタ１１４の内容が直前に撮影して画像信号が転
送されたメモリセルの番地から１つずつ進んで行く。従
つて表示装置２０１を見て所望の番地のメモリセルを決
め、表示装置１８に所望番地が現われるまで押釦１７を
操作すれば良い。もちろん直前に使用されたメモリセル
を所望する場合は押釦１７を押す必要はない。この手動
アクセスを完了してからレリーズ釦１５を押すと前述の
アドレスサーチの過程は無くその代わりにリセツトパル
スが端子１０１ｒから端子ＣＲ、ＭＲを介してメモリセ
ルに出され、アクセスしたメモリセルが使用済の場合に
メモリセルの出力に出ているスタート信号の４ビツト分
をリセツトする。従つてアクセスしたメモリセルは使用
済、未使用に拘わらず検出回路１１３の出力がＨレベル
になるので使用可能となる。以後のシーケンスはレバー
１６がＡにある場合と同様でアクセスしたメモリセルに
スタート信号、画像信号が転送される。
（ＭＡＮ）を選択した場合について説明する。この場合
は手動で所望の番地のメモリセルをアクセスすることが
できる。図２に示したレバー１６をＭＡＮの位置にする
と図８のスイツチ１６ａが端子Ｍに接続され、スイツチ
１６ｂがＯＮになるが、スイツチ１６ｃ、１６ｄはＯＦ
Ｆのままである。この状態で押釦１７を押すと常開スイ
ツチ１７ａがＯＮし、押す度に手動アドレス設定回路１
１５から１つずつパルスが発せられ、それによりアドレ
スカウンタ１１４の内容が直前に撮影して画像信号が転
送されたメモリセルの番地から１つずつ進んで行く。従
つて表示装置２０１を見て所望の番地のメモリセルを決
め、表示装置１８に所望番地が現われるまで押釦１７を
操作すれば良い。もちろん直前に使用されたメモリセル
を所望する場合は押釦１７を押す必要はない。この手動
アクセスを完了してからレリーズ釦１５を押すと前述の
アドレスサーチの過程は無くその代わりにリセツトパル
スが端子１０１ｒから端子ＣＲ、ＭＲを介してメモリセ
ルに出され、アクセスしたメモリセルが使用済の場合に
メモリセルの出力に出ているスタート信号の４ビツト分
をリセツトする。従つてアクセスしたメモリセルは使用
済、未使用に拘わらず検出回路１１３の出力がＨレベル
になるので使用可能となる。以後のシーケンスはレバー
１６がＡにある場合と同様でアクセスしたメモリセルに
スタート信号、画像信号が転送される。
【００３０】従つて手動アクセスモードによれば、撮影
に失敗してもレバー１６をＭＡＮに合わせ、再びレリー
ズ釦１５を深く押下げしさえすればメモリセル内に転送
された失敗の画像信号は新たに撮影された画像信号に入
れ換わるのでメモリセルを無駄なく使用できる。また押
釦１７を操作すれは所望のメモリセルを例えばＭＣ１、
ＭＣ３、ＭＣ５、……といつた具合に使用することがで
きる。尚、手動アクセスはサイクリツクに行われる。す
なわち最後の番地メモリセルＭＣ２０がアクセスされた
後に、押釦１７を押圧すると最初のメモリセルＭＣ１が
アクセスされる。これはカウンタ１１４がプログラマブ
ルカウンタであつて、その不図示のプログラム入力端子
にスイツチ１２４とピン２０７とによる記憶部２の記憶
容量がディジタル化されて入力されており、メモリセル
の全数を計数するとカウンタの内容をリセツトすること
による。
に失敗してもレバー１６をＭＡＮに合わせ、再びレリー
ズ釦１５を深く押下げしさえすればメモリセル内に転送
された失敗の画像信号は新たに撮影された画像信号に入
れ換わるのでメモリセルを無駄なく使用できる。また押
釦１７を操作すれは所望のメモリセルを例えばＭＣ１、
ＭＣ３、ＭＣ５、……といつた具合に使用することがで
きる。尚、手動アクセスはサイクリツクに行われる。す
なわち最後の番地メモリセルＭＣ２０がアクセスされた
後に、押釦１７を押圧すると最初のメモリセルＭＣ１が
アクセスされる。これはカウンタ１１４がプログラマブ
ルカウンタであつて、その不図示のプログラム入力端子
にスイツチ１２４とピン２０７とによる記憶部２の記憶
容量がディジタル化されて入力されており、メモリセル
の全数を計数するとカウンタの内容をリセツトすること
による。
【００３１】次にレバー１６で多重露出のモードを選択
した場合について説明する。先ず前述の２つのモードの
いずれかで撮影シーケンスを終えた後にレバー１６をＭ
ＵＬの位置にする。そうするとスイツチ１６ａは端子Ｍ
に接続し、スイツチ１６ｂ、１６ｃ、１６ｄは全てＯＮ
となる。それからレリーズ釦１５を押しても前述の手動
アクセスモードの場合と同様にアドレスサーチの過程は
無く、直前に撮影した画像信号を転送したメモリセルが
アクセスされたままになつている。そこで手動アクセス
モードの時と同様に端子１０１ｒからリセツトパルスが
出力され、アクセスされたままのメモリセルのスタート
信号をリセツトする。
した場合について説明する。先ず前述の２つのモードの
いずれかで撮影シーケンスを終えた後にレバー１６をＭ
ＵＬの位置にする。そうするとスイツチ１６ａは端子Ｍ
に接続し、スイツチ１６ｂ、１６ｃ、１６ｄは全てＯＮ
となる。それからレリーズ釦１５を押しても前述の手動
アクセスモードの場合と同様にアドレスサーチの過程は
無く、直前に撮影した画像信号を転送したメモリセルが
アクセスされたままになつている。そこで手動アクセス
モードの時と同様に端子１０１ｒからリセツトパルスが
出力され、アクセスされたままのメモリセルのスタート
信号をリセツトする。
【００３２】次に前述の電荷蓄積（露出）過程を経て、
転送過程に移るわけだが、ここでスイツチ１６ｃがＯＮ
になつているので選択ゲート１０９はスイツチ１６ｄの
ＯＮにより作動状態となつた加算回路１１０の出力を選
択して通過可能とする。まずこれまでと同様にスタート
信号がアクセスされたメモリセルに転送されると、加算
回路１１０は端子ＣＩから入力されるアクセスされたメ
モリセルからの画像信号と、ＡＤ変換回路１０８からの
今撮影して画像信号との相加平均の信号を出力する。も
ちろんこれは各転送パルスの完全な同期のもとで行われ
る。そしてこの相加平均信号はゲート１０９、１１１、
端子ＣＯ、ＭＩを経てアクセスしたメモリセルに転送さ
れる。以上のようにして１フレーム分の転送が終了する
と、アクセスされたメモリセルには１番目の撮影被写体
と２番目の撮影被写体とが合成された画像信号が記憶さ
れることになる。これは何回でも繰り返して多重露出を
することができ、その都度和ではなく相加平均をとつて
いるので露出過度となる虞はない。また直前に使用した
メモリセルだけではなく、押釦１７で所望の番地のメモ
リセルをアクセスすることによつて更に以前に使用した
メモリセルの画像信号と合成することも可能である。
転送過程に移るわけだが、ここでスイツチ１６ｃがＯＮ
になつているので選択ゲート１０９はスイツチ１６ｄの
ＯＮにより作動状態となつた加算回路１１０の出力を選
択して通過可能とする。まずこれまでと同様にスタート
信号がアクセスされたメモリセルに転送されると、加算
回路１１０は端子ＣＩから入力されるアクセスされたメ
モリセルからの画像信号と、ＡＤ変換回路１０８からの
今撮影して画像信号との相加平均の信号を出力する。も
ちろんこれは各転送パルスの完全な同期のもとで行われ
る。そしてこの相加平均信号はゲート１０９、１１１、
端子ＣＯ、ＭＩを経てアクセスしたメモリセルに転送さ
れる。以上のようにして１フレーム分の転送が終了する
と、アクセスされたメモリセルには１番目の撮影被写体
と２番目の撮影被写体とが合成された画像信号が記憶さ
れることになる。これは何回でも繰り返して多重露出を
することができ、その都度和ではなく相加平均をとつて
いるので露出過度となる虞はない。また直前に使用した
メモリセルだけではなく、押釦１７で所望の番地のメモ
リセルをアクセスすることによつて更に以前に使用した
メモリセルの画像信号と合成することも可能である。
【００３３】上述のいずれかのモードで撮影され、未使
用のメモリセルの無くなつた記憶部２は着脱スライダ２
０３を操作して引き下げることにより撮像部１から取り
はずす。そしてコンバータ３によつて記憶部２に記憶さ
れている画像信号を磁気テープカセットに転送する。そ
のために記憶部２のコネクタ２０６をコネクタ３０１に
接続し、そしてテープカセットホルダ３０２に装填し
て、操作釦３０３を操作する。そうすれば記憶部２のメ
モリセルの画像信号は順次磁気テープに転送され、それ
と共に転送されたメモリセルはリセツトされて再使用可
能となる。又この際コンバータ３はメモリセルのバツク
アツプ、表示装置２０１の駆動のために記憶部２に内蔵
された２次電池を充電する。
用のメモリセルの無くなつた記憶部２は着脱スライダ２
０３を操作して引き下げることにより撮像部１から取り
はずす。そしてコンバータ３によつて記憶部２に記憶さ
れている画像信号を磁気テープカセットに転送する。そ
のために記憶部２のコネクタ２０６をコネクタ３０１に
接続し、そしてテープカセットホルダ３０２に装填し
て、操作釦３０３を操作する。そうすれば記憶部２のメ
モリセルの画像信号は順次磁気テープに転送され、それ
と共に転送されたメモリセルはリセツトされて再使用可
能となる。又この際コンバータ３はメモリセルのバツク
アツプ、表示装置２０１の駆動のために記憶部２に内蔵
された２次電池を充電する。
【００３４】
【発明の効果】請求項１の発明による画像記録装置で
は、画像記録媒体内に、各画像記録領域と対応づけて設
けられた特定信号記録領域に、各画像記録領域への被写
体像記録に対応してディジタルの特定信号を記録し、こ
の特定信号を検出することで、対応する画像記録領域へ
の被写体像記録の有無を判別し、もって再記録を防止す
ると共に、次に被写体像記録を行なうべき、未記録の画
像記録領域をサーチできるようにしたので、記録済の画
像記録領域への再記録防止と未記録の画像記録領域のサ
ーチとを正確かつ迅速に行なうことが可能となり、この
ことは途中使用の画像記録媒体を再装着した場合にも保
証される。
は、画像記録媒体内に、各画像記録領域と対応づけて設
けられた特定信号記録領域に、各画像記録領域への被写
体像記録に対応してディジタルの特定信号を記録し、こ
の特定信号を検出することで、対応する画像記録領域へ
の被写体像記録の有無を判別し、もって再記録を防止す
ると共に、次に被写体像記録を行なうべき、未記録の画
像記録領域をサーチできるようにしたので、記録済の画
像記録領域への再記録防止と未記録の画像記録領域のサ
ーチとを正確かつ迅速に行なうことが可能となり、この
ことは途中使用の画像記録媒体を再装着した場合にも保
証される。
【００３５】請求項２の発明による画像記録装置では、
以上に加え、各画像記録領域を番号付け、未記録の画像
記録領域をその番号順にサーチすることで、同番号順に
被写体像記録がなされるようにし、この番号順記録は、
画像記録媒体を途中使用の状態で一旦取り外した後、再
装着した後も維持されるようになしたので、被写体像の
記録順序と画像記録領域の番号順とに整合がとれ、記録
画像の管理に好都合である。
以上に加え、各画像記録領域を番号付け、未記録の画像
記録領域をその番号順にサーチすることで、同番号順に
被写体像記録がなされるようにし、この番号順記録は、
画像記録媒体を途中使用の状態で一旦取り外した後、再
装着した後も維持されるようになしたので、被写体像の
記録順序と画像記録領域の番号順とに整合がとれ、記録
画像の管理に好都合である。
【００３６】本実施例によれば、未記録の画像記録領域
の間に記録済の画像記録領域があったとしてもそこは飛
ばしてサーチされることになるため、使い勝手が良い。
の間に記録済の画像記録領域があったとしてもそこは飛
ばしてサーチされることになるため、使い勝手が良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例のカメラの斜視図。
【図２】同実施例のカメラの斜視図。
【図３】同実施例のカメラを撮像部と記憶部とに分離し
た様子を示す斜視図。
た様子を示す斜視図。
【図４】同実施例のカメラの概略縦断面図。
【図５】同実施例のカメラに使用される固体撮像素子の
内部構造を示す模式図。
内部構造を示す模式図。
【図６】同実施例のカメラの記憶部の一部と全体とを示
す回路図。
す回路図。
【図７】同実施例のカメラの表示装置の表示部を示す正
面図。
面図。
【図８】同実施例のカメラの撮像部の回路図。
【図９】同実施例のカメラと関連するコンバータの斜視
図。
図。
【図１０】同実施例のカメラの撮影シーケンスを制御す
る主要なパルスのタイムチヤート。
る主要なパルスのタイムチヤート。
【主要部分の符号の説明】 ２：画像記録装置 １０：撮影レンズ ２：画像記録媒体 ＭＣ１〜ＭＣ２０の４列のシフトレジスタのうち最右端
の各ビット（４ビット）を除く全ビット：画像記録領域 ＭＣ１〜ＭＣ２０の４列のシフトレジスタのうち最右端
の各ビット（４ビット）： 特定信号記録領域
の各ビット（４ビット）を除く全ビット：画像記録領域 ＭＣ１〜ＭＣ２０の４列のシフトレジスタのうち最右端
の各ビット（４ビット）： 特定信号記録領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 市原 裕 神奈川横浜市緑区すすき野２−４−11− 209 (72)発明者 宮地 章 東京都世田谷区上野毛４−16−11
Claims (4)
- 【請求項１】 投影レンズにより形成された被写体像を
電気信号に変換する撮像素子を有する撮像部と、 前記被写体像の１フレームの静止画像信号を記憶するメ
モリセルを複数備える記憶部と、 を具備する電子スチルカメラに於いて、 前記記憶部の全メモリセル使用状態を検出する検出手段
と、 該検出手段の出力に応じて全メモリセルの使用状態を一
覧表示する表示手段と、 を備えたことを特徴とする電子スチルカメラの表示装
置。 - 【請求項２】 前記撮像部と前記記憶部は着脱自在に構
成され、前記検出手段は前記撮像部に設け、前記メモリ
セルと表示手段は前記記憶部に設けた事を特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の電子スチルラメラの表示装
置。 - 【請求項３】 前記撮像部と前記記憶部は着脱自在に構
成され、前記検出手段、表示手段、及びメモリセルは前
記記憶部に設けた事を特徴とすると特許請求の範囲第１
項記載の電子スチルカメラの表示装置。 - 【請求項４】 前記表示手段はエレクトロクロミツク素
子を含み、前記記憶部が前記撮像部より切り離された場
合には該エレクトロクロミツク素子の持つ記憶機能によ
って表示内容を保持して表示する事を特徴とする特許請
求の範囲第２項或いは３項記載の電子スチルカメラの表
示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3107323A JP2503802B2 (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 画像記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3107323A JP2503802B2 (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 画像記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10890180A Division JPS5714260A (en) | 1980-08-08 | 1980-08-08 | Display device for electronic camera |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3139941A Division JP2503805B2 (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 画像記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0556387A true JPH0556387A (ja) | 1993-03-05 |
| JP2503802B2 JP2503802B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=14456152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3107323A Expired - Lifetime JP2503802B2 (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 画像記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2503802B2 (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4814111U (ja) * | 1971-06-29 | 1973-02-16 | ||
| JPS50109710A (ja) * | 1974-02-04 | 1975-08-29 | ||
| JPS5224027A (en) * | 1975-08-19 | 1977-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Record regenerator |
| JPS52109915A (en) * | 1976-02-02 | 1977-09-14 | Philips Nv | Video recording* storing and reproducing system |
| JPS53124935A (en) * | 1977-04-07 | 1978-10-31 | Sharp Corp | Control system for disc unit |
| JPS54140515A (en) * | 1978-04-23 | 1979-10-31 | Canon Inc | Video recorder |
| JPS5518962A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-09 | Hitachi Ltd | Device for detecting in nuclear reactor vessel |
-
1991
- 1991-05-13 JP JP3107323A patent/JP2503802B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4814111U (ja) * | 1971-06-29 | 1973-02-16 | ||
| JPS50109710A (ja) * | 1974-02-04 | 1975-08-29 | ||
| JPS5224027A (en) * | 1975-08-19 | 1977-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Record regenerator |
| JPS52109915A (en) * | 1976-02-02 | 1977-09-14 | Philips Nv | Video recording* storing and reproducing system |
| JPS53124935A (en) * | 1977-04-07 | 1978-10-31 | Sharp Corp | Control system for disc unit |
| JPS54140515A (en) * | 1978-04-23 | 1979-10-31 | Canon Inc | Video recorder |
| JPS5518962A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-09 | Hitachi Ltd | Device for detecting in nuclear reactor vessel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2503802B2 (ja) | 1996-06-05 |
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