JPH0556459B2 - - Google Patents
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- JPH0556459B2 JPH0556459B2 JP59118819A JP11881984A JPH0556459B2 JP H0556459 B2 JPH0556459 B2 JP H0556459B2 JP 59118819 A JP59118819 A JP 59118819A JP 11881984 A JP11881984 A JP 11881984A JP H0556459 B2 JPH0556459 B2 JP H0556459B2
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、試料の光電的仕事関数を測定する
光電的仕事関数測定方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a photoelectric work function measurement method for measuring the photoelectric work function of a sample.
従来、試料の仕事関数を測定する方法として
は、例えば、接触電位差法が知られている。この
方法は、測定中に僅かな振動でも受けると測定誤
差が生じるため、外部からの振動を遮断する必要
があり、このため、緩衝機構を設けなければなら
ないという問題点がある。 Conventionally, as a method for measuring the work function of a sample, for example, a contact potential difference method is known. This method has the problem that even a slight vibration during measurement will cause a measurement error, so it is necessary to block external vibrations, and therefore a buffer mechanism must be provided.
この発明は、前述の問題点に着目してなされた
もので、外部からの振動に対して強く、しかも正
確に光電的仕事関数を測定できる光電的仕事関数
測定方法を提供することを目的としている。 This invention was made in view of the above-mentioned problems, and aims to provide a method for measuring a photoelectric work function that is resistant to external vibrations and that can accurately measure a photoelectric work function. .
このような目的は、値の異なつたエネルギーを
試料に個別に与えて試料から電子を放出させると
ともに、各エネルギー値における放出電子の数を
計数して該試料の光電的仕事関数を測定すること
により達成することができる。 This purpose is achieved by applying different energy values to the sample individually to cause the sample to emit electrons, and by measuring the photoelectric work function of the sample by counting the number of emitted electrons at each energy value. can be achieved.
ここで、前記光電的仕事関数とは、金属ではフ
エルミレベルから真空レベルまでのエネルギー差
をいい、半導体の場合には価電子帯の上部から真
空レベルまでのエネルギー差となる。また、値の
異なつた光のエネルギーは、個別に、即ち、同時
ではなく異なつた時刻に、1つの試料に対して与
えられる。そして、このように、値の異なつたエ
ネルギーが試料に与えられると、各光エネルギー
の値に対応した数の電子が試料から放出され、こ
の電子の数が検出されるのである。このような測
定を行う場合の雰囲気は、種々の単体、混合ガス
であつても、また大気であつても何ら差し支えな
いのである。 Here, the photoelectric work function refers to the energy difference from the Fermi level to the vacuum level in the case of metals, and the energy difference from the upper part of the valence band to the vacuum level in the case of semiconductors. Furthermore, different values of light energy are applied to one sample individually, that is, not at the same time but at different times. When energy of different values is applied to the sample in this way, electrons corresponding to each value of light energy are emitted from the sample, and this number of electrons is detected. The atmosphere in which such measurements are performed may be of various single gases, mixed gases, or the atmosphere.
以下、この発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described based on the drawings.
第1図は空気カウンターを示しており、同図に
おいて、1は下部に窓2,3が形成されたケース
であつて、このケース1はアースされて陰極とな
る。ケース1内にはリング状の陽極4が設けら
れ、この陽極4には、例えば3.4KVの高圧電源5
が接続されている。陽極4とケース1との間に
は、例えば100Vの電圧が印加された第1格子電
極6が設置され、この第1格子電極6とケース1
の底面上に載置された試料7との間には、例えば
80Vの電圧が印加された第2格子電極8が設置さ
れている。10は試料7にエネルギーを与える光
源であり、この光源10からの光は分光器11に
より単色化され、前記試料7を窓2を通して照射
し、その反射光は窓3から外に出ていく。なお、
この際の単色光の強度は2個のスリツト12によ
り調節される。13は陽極4に接続された増幅器
であり、この増幅器13と第1格子電極6との間
には第1パルス発生器14が設けられている。こ
の第1パルス発生器14は陽極4に電子パルスが
発生したとき、第1格子電極6に、例えば時間幅
Te(5ms)で300Vの矩形波パルスを送り、第
1格子電極6の電圧を、第2図bに示すように
100Vから400Vに増加させる。また、前記増幅器
13と第2格子電極8との間には第2パルス発生
器15が設けられ、この第2パルス発生器15は
陽極4に電子パルスが発生したとき、例えば時間
幅Te(5ms)で−110Vの矩形波パルスを第2
格子電極8に供給し、第2格子電極8の電圧を、
第2図cに示すように80Vから−30Vまで低下さ
せる。前記第1、第2パルス発生器14,15は
発生する矩形波パルスの時間幅および波高電圧を
任意に設定できるものである。16は増幅器13
に接続されたスケーラー等の計数手段であり、こ
の計数手段16は陽極4に発生する電子パルスを
計数する。この計数手段16には演算手段17が
接続され、この演算手段17は例えばマイクロコ
ンピユータからなる。そして、この演算手段17
は、縦軸に計数率のルート(イールド)を、横軸
に光子エネルギーをとつたグラフ上の座標を、前
述した測定結果、即ち各光子エネルギーに対する
データ、に基ずいて求める。このとき、各波長に
対する光子エネルギーは、式
E=1240/λ
を用いて求める。ここで、Eは光子エネルギー
(eV)、λは波長(nm)である。次に、前記各
座標の回帰直線を求めた後、横軸との交点を求め
ると、この交点における光子エネルギーの値が試
料7の光電的仕事関数(eV)となる。次に、こ
の演算手段17からの出力信号は、例えば、
CRT、プリンター等の表示手段18に送られ、
この表示手段18において前記演算結果、即ち光
電的仕事関数が表示される。 FIG. 1 shows an air counter, in which numeral 1 is a case with windows 2 and 3 formed at the bottom, and this case 1 is grounded and serves as a cathode. A ring-shaped anode 4 is provided inside the case 1, and the anode 4 is connected to a high voltage power source 5 of, for example, 3.4KV.
is connected. A first grid electrode 6 to which a voltage of 100V is applied, for example, is installed between the anode 4 and the case 1.
For example, there is a space between the specimen 7 placed on the bottom surface of the
A second grid electrode 8 to which a voltage of 80V is applied is installed. Reference numeral 10 denotes a light source that gives energy to the sample 7. The light from this light source 10 is made monochromatic by a spectrometer 11, and is irradiated onto the sample 7 through the window 2, with the reflected light exiting through the window 3. In addition,
The intensity of the monochromatic light at this time is adjusted by two slits 12. Reference numeral 13 denotes an amplifier connected to the anode 4, and a first pulse generator 14 is provided between the amplifier 13 and the first grid electrode 6. When an electron pulse is generated at the anode 4, the first pulse generator 14 generates a signal, for example, for a time period, at the first grid electrode 6.
Send a 300V rectangular wave pulse at Te (5ms), and adjust the voltage of the first grid electrode 6 as shown in Figure 2b.
Increase from 100V to 400V. Further, a second pulse generator 15 is provided between the amplifier 13 and the second grid electrode 8, and when an electron pulse is generated at the anode 4, the second pulse generator 15 generates a pulse with a time width Te (5ms). ) to generate a second -110V square wave pulse.
is supplied to the grid electrode 8, and the voltage of the second grid electrode 8 is
The voltage is lowered from 80V to -30V as shown in Figure 2c. The first and second pulse generators 14 and 15 can arbitrarily set the time width and peak voltage of the rectangular wave pulses they generate. 16 is the amplifier 13
A counting means such as a scaler is connected to the anode 4, and this counting means 16 counts the electron pulses generated at the anode 4. A calculating means 17 is connected to this counting means 16, and this calculating means 17 is composed of, for example, a microcomputer. And this calculation means 17
The coordinates on a graph with the root (yield) of the count rate on the vertical axis and the photon energy on the horizontal axis are determined based on the measurement results described above, that is, the data for each photon energy. At this time, the photon energy for each wavelength is determined using the formula E=1240/λ. Here, E is photon energy (eV) and λ is wavelength (nm). Next, after determining the regression line of each coordinate, the intersection point with the horizontal axis is determined, and the value of the photon energy at this intersection point becomes the photoelectric work function (eV) of the sample 7. Next, the output signal from this calculation means 17 is, for example,
Sent to display means 18 such as CRT or printer,
The display means 18 displays the calculation result, that is, the photoelectric work function.
次に、この発明の一実施例の作用について説明
する。 Next, the operation of one embodiment of the present invention will be explained.
まず、試料7をケース1の底面上に載置した
後、高圧電源5から陽極4に第2図aに示すよう
に、例えば3.4KVの高電圧を印加する。次に、光
源10からの光を分光器11によつてある一定値
のエネルギーを有する単色光に分光するとともに
スリツト12によつてその強度を調節し、試料7
に照射する。このとき、試料7の表面から十eV
以下の低エネルギーをもつ光電子が放出されるよ
うに、単色光として紫外光を使用する。次に、試
料7から放出された電子は、第2格子電極8およ
び第1格子電極6を通過し、陽極4に引き寄せら
れる。そして、電子が陽極4近傍に到達すると、
陽極4近傍には高電圧によつて強い電界が発生し
ているので、この電界により電子が加速され気体
放電を引き起こす。この気体増幅作用により、陽
極4に印加されている電圧は、第2図aに示すよ
うに電位が低下し、電子パルスが発生する。この
陽極4に発生した電子パルスは増幅器13を介し
て第1パルス発生器14および第2パルス発生器
15に送られる。第1パルス発生器14は電圧が
300Vで時間幅がTeの矩形波パルスを発生して第
1格子電極6に送り、第1格子電極6の電圧を
100Vから400VにTe時間だけ増加させる。この結
果、陽極4と第1格子電極6との間の電位差が
300V低下し、これによつて、気体増幅作用によ
り発生した光や陽イオンは放電電圧に達すること
ができず、連続放電が阻止される。一方、第2パ
ルス発生器15は時間幅がTeで電圧が−110Vの
矩形波パルスを第2格子電極8に送り、第2格子
電極8の電圧を80Vから−30Vに低下させる。こ
の結果、前記気体増幅作用によつて発生した陽イ
オンがこの第2格子電極8に捕捉されて中和され
る。これにより、陽イオンが試料7に到達してこ
れに影響を与えるようなことはない。また、前記
陽極4に発生した電子パルスは同時に増幅器13
を介して計数手段16にも送られ、この計数手段
16は前記電子パルスが到達する度に1を加算す
る。次に、Te時間だけ経過すると、第1、第2
格子電極6,8の電圧は元の電圧にそれぞれ回復
し、空気カウンターは再び電子を検出できる状態
となる。以上が1個の光電子を空気カウンターに
よつて検出した状態を説明したものであるが、こ
のような動作は電子が空気カウンターに到達する
度に行われ、これにより、放出電子の計数率、即
ち1秒当りの電子パルスのカウント数、が求めら
れる。このようにして、ある一定値のエネルギー
に対する計数率が求められると、次に、異なつた
エネルギー、即ち、異なつた波長の光、を試料7
に与えて、同様に計数率を求める。このように、
値の異なつたエネルギーを試料7に個別に与えて
各エネルギーにおける計数率を空気カウンターに
より求める。この際、電子の数を計数するように
しているので、測定が正確となつて測定精度が高
くなり、また、少ない電子数でも十分計数するこ
とができる。なお、電子の計数率は空気カウンタ
ーのデツドタイムの補正の後、バツクグラウンド
の影響を除去し、これを真の計数率とする。次
に、演算手段17により、縦軸に計数率のルート
(イールド)を、横軸に光子エネルギーをとつた
グラフ上の座標を前述した測定結果、即ち各光子
エネルギーに対するデータ、に基ずいて求める。
このとき、各波長に対する光子エネルギーは、式
E=1240/λ
を用いて求める。ここで、Eは光子エネルギー
(eV)、λは波長(nm)である。次に、前記座
標の回帰直線を求め、横軸との交点を求めると、
この交点における光子エネルギーの値が試料7の
光電的仕事関数(eV)となる。このようにして
求められた演算結果が表示手段18に送られる
と、この表示手段18は、試料7の光電的仕事関
数(eV)を表示する。 First, after placing the sample 7 on the bottom surface of the case 1, a high voltage of, for example, 3.4 KV is applied from the high voltage power source 5 to the anode 4 as shown in FIG. 2a. Next, the light from the light source 10 is split into monochromatic light having a certain value of energy by the spectroscope 11, and its intensity is adjusted by the slit 12.
irradiate. At this time, 10 eV from the surface of sample 7
Ultraviolet light is used as monochromatic light so that photoelectrons with lower energy are emitted. Next, the electrons emitted from the sample 7 pass through the second grid electrode 8 and the first grid electrode 6 and are attracted to the anode 4. Then, when the electrons reach the vicinity of the anode 4,
Since a strong electric field is generated near the anode 4 due to the high voltage, electrons are accelerated by this electric field, causing a gas discharge. Due to this gas amplification effect, the potential of the voltage applied to the anode 4 decreases as shown in FIG. 2a, and an electron pulse is generated. The electron pulse generated at the anode 4 is sent to a first pulse generator 14 and a second pulse generator 15 via an amplifier 13. The first pulse generator 14 has a voltage
A rectangular wave pulse of 300V and a time width of Te is generated and sent to the first grid electrode 6 to increase the voltage of the first grid electrode 6.
Increase Te time from 100V to 400V. As a result, the potential difference between the anode 4 and the first grid electrode 6 increases.
The voltage drops by 300V, which prevents light and positive ions generated by the gas amplification effect from reaching the discharge voltage, and prevents continuous discharge. On the other hand, the second pulse generator 15 sends a rectangular wave pulse with a time width of Te and a voltage of -110V to the second grid electrode 8, thereby reducing the voltage of the second grid electrode 8 from 80V to -30V. As a result, cations generated by the gas amplification effect are captured by the second grid electrode 8 and neutralized. This prevents positive ions from reaching the sample 7 and affecting it. Further, the electron pulse generated at the anode 4 is simultaneously transmitted to the amplifier 13.
It is also sent to a counting means 16 via the electronic pulse, and this counting means 16 adds 1 each time the electronic pulse arrives. Next, after Te time elapses, the first and second
The voltages of the grid electrodes 6 and 8 are restored to their original voltages, and the air counter is again able to detect electrons. The above describes the state in which a single photoelectron is detected by an air counter, but this operation is performed every time an electron reaches the air counter, and as a result, the counting rate of emitted electrons, i.e. The number of electronic pulse counts per second is determined. In this way, once the counting rate for a certain value of energy is determined, next, light of different energies, that is, different wavelengths, is applied to the sample 7.
Similarly, find the counting rate. in this way,
Different values of energy are individually applied to the sample 7, and the counting rate at each energy is determined using an air counter. At this time, since the number of electrons is counted, the measurement is accurate and the measurement accuracy is high, and even a small number of electrons can be counted sufficiently. Note that the electron counting rate is determined by correcting the dead time of the air counter, removing the influence of the background, and using this as the true counting rate. Next, the calculation means 17 calculates the coordinates on the graph with the root of the counting rate (yield) on the vertical axis and the photon energy on the horizontal axis based on the measurement results described above, that is, the data for each photon energy. .
At this time, the photon energy for each wavelength is determined using the formula E=1240/λ. Here, E is photon energy (eV) and λ is wavelength (nm). Next, find the regression line of the above coordinates and find the intersection with the horizontal axis,
The value of the photon energy at this intersection becomes the photoelectric work function (eV) of the sample 7. When the calculation results obtained in this manner are sent to the display means 18, the display means 18 displays the photoelectric work function (eV) of the sample 7.
第3,4図はそれぞれシリコンおよび鉄の仕事
関数を測定した結果を示すグラフであり、縦軸に
計数率のルート(イールド)を、横軸に光エネル
ギーをとつている。この測定には、試料7として
格子面100のシリコンおよび研摩直後の鉄を用
い、照射単色光の波長を種々に変化させて計測し
た。その測定結果は、シリコンにおいては
4.96eV、鉄においては4.39eVである。なお、同
一試料7に対して接触電位差法によりクロスチエ
ツクを行つたところ、シリコンについては
4.80eV、鉄については4.36eVの値を得、この発
明によつて測定した光電的仕事関数が極めて精度
の高いものであることがわかる。 Figures 3 and 4 are graphs showing the results of measuring the work functions of silicon and iron, respectively, with the root of the count rate (yield) on the vertical axis and the optical energy on the horizontal axis. In this measurement, silicon on the lattice plane 100 and iron immediately after polishing were used as the sample 7, and the wavelength of the irradiated monochromatic light was varied. The measurement results show that in silicon
4.96eV, and 4.39eV for iron. When cross-checking the same sample 7 using the contact potential difference method, it was found that silicon
A value of 4.80 eV was obtained, and a value of 4.36 eV was obtained for iron, indicating that the photoelectric work function measured by the present invention is extremely accurate.
以上説明したように本発明においては、波長の
異なる複数種類の光を試料に照射し、試料からの
光電子を放電パルス数として検出し、放電パルス
数と照射光の波長との比例計数を求めて試料から
の光電子の放出が停止する波長を求めるようにし
たので、各波長の光に基づく光電子を全て検出対
象とする必要がなく、このために光電子検出のた
めに真空環境を必要とすることがなく、大気中や
ガスの存在下においても仕事関数を測定すること
ができ、仕事関数の測定能率を飛躍的に向上させ
ることができる。 As explained above, in the present invention, a sample is irradiated with multiple types of light with different wavelengths, photoelectrons from the sample are detected as the number of discharge pulses, and a proportional count between the number of discharge pulses and the wavelength of the irradiated light is calculated. Since the wavelength at which photoelectron emission from the sample stops is determined, there is no need to detect all photoelectrons based on light of each wavelength, and this eliminates the need for a vacuum environment for photoelectron detection. Therefore, the work function can be measured even in the atmosphere or in the presence of gas, and the work function measurement efficiency can be dramatically improved.
第1図はこの発明を実施するための装置の一実
施例を示す一部がブロツクで示された断面図、第
2図は空気カウンターの電圧変化を示すグラフ、
第3図は本発明を適用してシリコンの光電的仕事
関数を測定した結果を示すグラフ、第4図は本発
明を適用して鉄の光電的仕事関数を測定した結果
を示すグラフである。
4……陽極、7……試料、10……光源、16
……計数手段、17……演算手段、18……表示
手段。
FIG. 1 is a cross-sectional view, partially shown in blocks, showing an embodiment of an apparatus for carrying out the present invention, and FIG. 2 is a graph showing voltage changes of an air counter.
FIG. 3 is a graph showing the results of measuring the photoelectric work function of silicon by applying the present invention, and FIG. 4 is a graph showing the results of measuring the photoelectric work function of iron by applying the present invention. 4...Anode, 7...Sample, 10...Light source, 16
... Counting means, 17 ... Calculation means, 18 ... Display means.
Claims (1)
極、第1格子電極、第2格子電極を上下関係を持
たせて収容してなる空気カウンタと、複数種類の
波長の光を発生する光源とを試料面に対向させて
配置し、前記光源により波長の異なる複数種類の
光を試料に照射し、前記各波長の光照射毎に、前
記試料から発生する光電子に応答して一定期間第
1格子電極の電位を上昇させ、また第2格子電極
の電位を降下させて前記期間内の前記陽極での放
電パルス数を検出する工程と、前記各波長と放電
パルス数との比例計数を求めて試料からの光電子
の放出が停止する波長を求める工程とからなる光
電的仕事関数測定方法。1. An air counter consisting of a cathode with a window for photoelectron passage at one end, an anode, a first grid electrode, and a second grid electrode housed in a vertical relationship, and a light source that generates light of multiple types of wavelengths. is placed facing the sample surface, the sample is irradiated with multiple types of light having different wavelengths by the light source, and each time the light source is irradiated with light of each wavelength, the first grating is irradiated for a certain period of time in response to photoelectrons generated from the sample. A step of increasing the potential of the electrode and decreasing the potential of the second grid electrode to detect the number of discharge pulses at the anode within the period, and calculating a proportional count between each wavelength and the number of discharge pulses to measure the sample. A photoelectric work function measurement method comprising the step of determining the wavelength at which the emission of photoelectrons stops.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118819A JPS60262042A (en) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | Measurement of photoelectric work function |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118819A JPS60262042A (en) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | Measurement of photoelectric work function |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262042A JPS60262042A (en) | 1985-12-25 |
| JPH0556459B2 true JPH0556459B2 (en) | 1993-08-19 |
Family
ID=14745921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59118819A Granted JPS60262042A (en) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | Measurement of photoelectric work function |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60262042A (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161643A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Matsushita Electric Works Ltd | Measuring device for work function |
-
1984
- 1984-06-09 JP JP59118819A patent/JPS60262042A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60262042A (en) | 1985-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |