JPH055750A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
- Publication number
- JPH055750A JPH055750A JP18304391A JP18304391A JPH055750A JP H055750 A JPH055750 A JP H055750A JP 18304391 A JP18304391 A JP 18304391A JP 18304391 A JP18304391 A JP 18304391A JP H055750 A JPH055750 A JP H055750A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acceleration sensor
- thickness
- diaphragm
- semiconductor acceleration
- elastic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 本願の半導体加速度センサ１１は、半導体基
板２の中央部に形成された質量部３と、該質量部３の周
囲に形成された枠部４と、前記質量部３と前記枠部４と
の間に形成され前記半導体基板２を薄肉化してなる弾性
部１２と、該弾性部１２の上面側に形成された複数対の
ピエゾ抵抗６，… とを具備し、前記弾性部１２は、梁
部１３と、該梁部の両側部に該梁部より薄厚に形成され
たダイヤフラム部１４，１４とからなることを特徴とす
る。 【効果】 センサとしての指向性と耐衝撃性を向上させ
ることができ、ダイヤフラム部の厚みにバラツキがあっ
てもセンサ出力比を一定とすることができる。また、梁
部の厚みに対するダイヤフラム部の厚みの比を制御すれ
ばよいので、半導体加速度センサの製品歩留まりを向上
させることができる。
板２の中央部に形成された質量部３と、該質量部３の周
囲に形成された枠部４と、前記質量部３と前記枠部４と
の間に形成され前記半導体基板２を薄肉化してなる弾性
部１２と、該弾性部１２の上面側に形成された複数対の
ピエゾ抵抗６，… とを具備し、前記弾性部１２は、梁
部１３と、該梁部の両側部に該梁部より薄厚に形成され
たダイヤフラム部１４，１４とからなることを特徴とす
る。 【効果】 センサとしての指向性と耐衝撃性を向上させ
ることができ、ダイヤフラム部の厚みにバラツキがあっ
てもセンサ出力比を一定とすることができる。また、梁
部の厚みに対するダイヤフラム部の厚みの比を制御すれ
ばよいので、半導体加速度センサの製品歩留まりを向上
させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、自動車、航空機、家
電製品等に用いられる加速度検出用の半導体加速度セン
サに関するものである。
電製品等に用いられる加速度検出用の半導体加速度セン
サに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、加速度検出用のセンサとしては、
圧電セラミックス、有機薄膜、シリコン単結晶板等様々
な材料を用いた多種多様の加速度センサが開発され製品
化されている。これらの加速度センサは、ヒステリシ
ス、クリープ、疲労等がなく、また、構造が簡単、電圧
感度が極めて大、簡単に増幅可能等、使い勝手の面にお
いても非常に優れていることから、現在様々な分野で広
く用いられている。
圧電セラミックス、有機薄膜、シリコン単結晶板等様々
な材料を用いた多種多様の加速度センサが開発され製品
化されている。これらの加速度センサは、ヒステリシ
ス、クリープ、疲労等がなく、また、構造が簡単、電圧
感度が極めて大、簡単に増幅可能等、使い勝手の面にお
いても非常に優れていることから、現在様々な分野で広
く用いられている。
【０００３】中でも、シリコン単結晶を用いた半導体加
速度センサは、シリコン自体の格子欠陥が極めて少ない
ために理想的な弾性体となること、半導体プロセス技術
をそのまま転用することができること等の特徴を有する
ことから、近年では特に注目されている加速度センサで
ある。
速度センサは、シリコン自体の格子欠陥が極めて少ない
ために理想的な弾性体となること、半導体プロセス技術
をそのまま転用することができること等の特徴を有する
ことから、近年では特に注目されている加速度センサで
ある。
【０００４】図５は、上記の半導体加速度センサの一例
を示す斜視図、図６は、図５のＡーＡ線に沿う断面図で
ある。この半導体加速度センサ１は、シリコン基板（１
１０）（半導体基板：以下、Ｓｉ基板と略称する）２の
中央部に形成された質量部３と、質量部３の周囲に形成
された枠部４と、前記Ｓｉ基板２を下方からエッチング
することにより質量部３と枠部４との間に形成された一
対の梁部（弾性部）５，５と、これらの梁部５の上面５
ａに不純物拡散により形成された複数対のピエゾ抵抗
６，６，… とを具備したものである。
を示す斜視図、図６は、図５のＡーＡ線に沿う断面図で
ある。この半導体加速度センサ１は、シリコン基板（１
１０）（半導体基板：以下、Ｓｉ基板と略称する）２の
中央部に形成された質量部３と、質量部３の周囲に形成
された枠部４と、前記Ｓｉ基板２を下方からエッチング
することにより質量部３と枠部４との間に形成された一
対の梁部（弾性部）５，５と、これらの梁部５の上面５
ａに不純物拡散により形成された複数対のピエゾ抵抗
６，６，… とを具備したものである。
【０００５】上記の梁部５，５は、質量部３の周囲に薄
厚なダイヤフラム部を設けた構成とすることもあり、ま
たＳｉ基板２の中央部に略Ｃ字状の空隙部を形成し、質
量部３を片持ちの梁で支持した構成とすることもある。
厚なダイヤフラム部を設けた構成とすることもあり、ま
たＳｉ基板２の中央部に略Ｃ字状の空隙部を形成し、質
量部３を片持ちの梁で支持した構成とすることもある。
【０００６】この種の半導体加速度センサ１は、質量部
３が加速度に応じて変位する時の変位差を、梁部５，５
のピエゾ抵抗６，６，… の抵抗値の変化に変換するこ
とで加速度の変化を検出している。
３が加速度に応じて変位する時の変位差を、梁部５，５
のピエゾ抵抗６，６，… の抵抗値の変化に変換するこ
とで加速度の変化を検出している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の半導
体加速度センサ１では、ピエゾ抵抗６，６，… の抵抗
値の変化に伴う出力は、梁部５，５やダイヤフラム部の
厚みに依存するという性質がある。従って、これらのピ
エゾ抵抗６，６，… の抵抗値の変化に伴う出力を一定
にするためには梁部５，５やダイヤフラム部の厚みを精
密に制御する必要があるが、この梁部５の厚みは５〜５
０μｍ程度でダイヤフラム部の厚みはこれより更に薄い
ために、梁部５，５やダイヤフラム部の厚みのバラツキ
を精密に制御することは非常に難しく、したがって、こ
れらのピエゾ抵抗６，６，… の抵抗値の変化に伴う出
力のバラツキを小さくすることができないという欠点が
あった。
体加速度センサ１では、ピエゾ抵抗６，６，… の抵抗
値の変化に伴う出力は、梁部５，５やダイヤフラム部の
厚みに依存するという性質がある。従って、これらのピ
エゾ抵抗６，６，… の抵抗値の変化に伴う出力を一定
にするためには梁部５，５やダイヤフラム部の厚みを精
密に制御する必要があるが、この梁部５の厚みは５〜５
０μｍ程度でダイヤフラム部の厚みはこれより更に薄い
ために、梁部５，５やダイヤフラム部の厚みのバラツキ
を精密に制御することは非常に難しく、したがって、こ
れらのピエゾ抵抗６，６，… の抵抗値の変化に伴う出
力のバラツキを小さくすることができないという欠点が
あった。
【０００８】この発明は、上記の事情に鑑みてなされた
ものであって、ピエゾ抵抗の出力が梁部やダイヤフラム
部の厚みのバラツキに依存しない半導体加速度センサを
提供することにある。
ものであって、ピエゾ抵抗の出力が梁部やダイヤフラム
部の厚みのバラツキに依存しない半導体加速度センサを
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様な半導体加速度センサを採用し
た。すなわち、半導体基板の中央部に形成された質量部
と、該質量部の周囲に形成された枠部と、前記質量部と
前記枠部との間に形成され前記半導体基板を薄肉化して
なる弾性部と、該弾性部の上面側に形成された複数対の
ピエゾ抵抗とを具備してなる半導体加速度センサにおい
て、前記弾性部は、梁部と、該梁部の両側部に該梁部よ
り薄厚に形成されたダイヤフラム部とからなることを特
徴としている。
に、この発明は次の様な半導体加速度センサを採用し
た。すなわち、半導体基板の中央部に形成された質量部
と、該質量部の周囲に形成された枠部と、前記質量部と
前記枠部との間に形成され前記半導体基板を薄肉化して
なる弾性部と、該弾性部の上面側に形成された複数対の
ピエゾ抵抗とを具備してなる半導体加速度センサにおい
て、前記弾性部は、梁部と、該梁部の両側部に該梁部よ
り薄厚に形成されたダイヤフラム部とからなることを特
徴としている。
【００１０】
【作用】この発明に係る半導体加速度センサでは、該半
導体加速度センサにある加速度が作用すると、質量部は
この加速度の方向にこの加速度の大きさに比例して変位
する。質量部の周囲に設けられた弾性部は、この質量部
の変位に対応して特定方向にたわみ、同時にこの弾性部
に設けられた複数対のピエゾ抵抗も歪む。したがって、
この歪によりピエゾ抵抗の抵抗値が変化し、４本のピエ
ゾ抵抗を用いてホイートストンブリッジを構成すれば前
記歪量の大きさに応じた電圧出力が得られる。この電圧
出力の値から前記質量部の変位量が求められ、この変位
量の大きさから前記質量部にかかる加速度の大きさを求
めることができる。
導体加速度センサにある加速度が作用すると、質量部は
この加速度の方向にこの加速度の大きさに比例して変位
する。質量部の周囲に設けられた弾性部は、この質量部
の変位に対応して特定方向にたわみ、同時にこの弾性部
に設けられた複数対のピエゾ抵抗も歪む。したがって、
この歪によりピエゾ抵抗の抵抗値が変化し、４本のピエ
ゾ抵抗を用いてホイートストンブリッジを構成すれば前
記歪量の大きさに応じた電圧出力が得られる。この電圧
出力の値から前記質量部の変位量が求められ、この変位
量の大きさから前記質量部にかかる加速度の大きさを求
めることができる。
【００１１】この発明の半導体加速度センサでは、前記
弾性部を、梁部と、該梁部の両側部に該梁部より薄厚に
形成されたダイヤフラム部とから構成することにより、
センサとしての指向性と耐衝撃性を向上させる。
弾性部を、梁部と、該梁部の両側部に該梁部より薄厚に
形成されたダイヤフラム部とから構成することにより、
センサとしての指向性と耐衝撃性を向上させる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の一実施例について説明す
る。図１は半導体加速度センサ１１の斜視図、図２は、
図１のＢーＢ線に沿う断面図である。なお、この半導体
加速度センサ１１において上述した半導体加速度センサ
１と同一の構成要素については同一符号を付し説明を省
略する。
る。図１は半導体加速度センサ１１の斜視図、図２は、
図１のＢーＢ線に沿う断面図である。なお、この半導体
加速度センサ１１において上述した半導体加速度センサ
１と同一の構成要素については同一符号を付し説明を省
略する。
【００１３】この半導体加速度センサ１１は、ｎ型のＳ
ｉ基板（１００）（半導体基板）２の中央部に形成され
た質量部３と、質量部３の周囲に形成された枠部４と、
前記Ｓｉ基板２を下方からエッチングすることにより質
量部３と枠部４との間に形成された一対の弾性部１２，
１２と、これらの弾性部１２，１２の上面に不純物拡散
により形成された複数対のピエゾ抵抗６，６，… とを
具備したものである。
ｉ基板（１００）（半導体基板）２の中央部に形成され
た質量部３と、質量部３の周囲に形成された枠部４と、
前記Ｓｉ基板２を下方からエッチングすることにより質
量部３と枠部４との間に形成された一対の弾性部１２，
１２と、これらの弾性部１２，１２の上面に不純物拡散
により形成された複数対のピエゾ抵抗６，６，… とを
具備したものである。
【００１４】この半導体加速度センサ１１においては、
センサとしての指向性と耐衝撃性を向上させるために質
量部３を一対の弾性部１２，１２により両側から支持し
ている。
センサとしての指向性と耐衝撃性を向上させるために質
量部３を一対の弾性部１２，１２により両側から支持し
ている。
【００１５】弾性部１２は、質量部３と枠部４との間に
形成された長尺の梁部１３と、該梁部１３の両側部から
外方に延出する該梁部１３より薄厚のダイヤフラム部１
４，１４とから構成されている。ダイヤフラム部１４
は、該半導体加速度センサ１１の指向性を向上させるた
めに設けられたもので、質量部３に対して横方向から加
わる加速度により引き起こされる変位を小さくしてい
る。
形成された長尺の梁部１３と、該梁部１３の両側部から
外方に延出する該梁部１３より薄厚のダイヤフラム部１
４，１４とから構成されている。ダイヤフラム部１４
は、該半導体加速度センサ１１の指向性を向上させるた
めに設けられたもので、質量部３に対して横方向から加
わる加速度により引き起こされる変位を小さくしてい
る。
【００１６】ここでは、梁部１３の厚み（ｔB）に対す
るダイヤフラム部１４の厚み（ｔD）の比（ｔD／ｔB）
が０．１５以上０．４以下となる様にそれぞれの厚みが
制御されている。
るダイヤフラム部１４の厚み（ｔD）の比（ｔD／ｔB）
が０．１５以上０．４以下となる様にそれぞれの厚みが
制御されている。
【００１７】前記弾性部１２の作成は、まず、Ｓｉ基板
２を下方からエッチングすることにより形成すべき梁部
１３と同じ厚みで弾性部１２の全幅と同じ幅の梁を形成
し、その後梁部１３とすべき部分の両側部を上方からエ
ッチングして所定の厚みのダイヤフラム部１４，１４を
形成することによりなされる。
２を下方からエッチングすることにより形成すべき梁部
１３と同じ厚みで弾性部１２の全幅と同じ幅の梁を形成
し、その後梁部１３とすべき部分の両側部を上方からエ
ッチングして所定の厚みのダイヤフラム部１４，１４を
形成することによりなされる。
【００１８】図３は、梁部１３の厚み（ｔB）に対する
ダイヤフラム部１４の厚み（ｔD）の比（ｔD／ｔB）
と、半導体加速度センサ１１の出力比との関係を示すグ
ラフである。ここでは、Ｓｉ基板２の厚みを３００μ
ｍ、質量部３の重さを約２ｍｇ、梁部１３の厚みを２０
μｍ、長さを４００μｍとし、図４に示す様に梁部１３
の幅ｗBと弾性部１２の幅ｗAとの比（ｗB／ｗA）は、１
／３（Ｒ１），１／５（Ｒ２），１／７（Ｒ３）の３種
類とした。なお、センサ出力比については、ダイヤフラ
ム部１４のない場合の出力を１とした。
ダイヤフラム部１４の厚み（ｔD）の比（ｔD／ｔB）
と、半導体加速度センサ１１の出力比との関係を示すグ
ラフである。ここでは、Ｓｉ基板２の厚みを３００μ
ｍ、質量部３の重さを約２ｍｇ、梁部１３の厚みを２０
μｍ、長さを４００μｍとし、図４に示す様に梁部１３
の幅ｗBと弾性部１２の幅ｗAとの比（ｗB／ｗA）は、１
／３（Ｒ１），１／５（Ｒ２），１／７（Ｒ３）の３種
類とした。なお、センサ出力比については、ダイヤフラ
ム部１４のない場合の出力を１とした。
【００１９】この図から明らかな様に、ｔD／ｔBが０．
１５〜０．４の範囲ではセンサ出力比は殆ど変化しない
が、１．５未満では変化の度合が急峻であり、また１．
４を越えると漸次低下することとなりいずれも実用に適
さない。したがって、測定上有効なｔD／ｔBの範囲は
０．１５〜０．４であることがわかる。また、ｗB／ｗA
を変化させた場合には、センサ出力比の値そのものは変
化するが変化の傾向は３種類共同一であることがわか
る。したがって、センサ出力比とｔD／ｔBとの関係はｗ
B／ｗAに関わりなく同一の傾向を示すことがわかる。
１５〜０．４の範囲ではセンサ出力比は殆ど変化しない
が、１．５未満では変化の度合が急峻であり、また１．
４を越えると漸次低下することとなりいずれも実用に適
さない。したがって、測定上有効なｔD／ｔBの範囲は
０．１５〜０．４であることがわかる。また、ｗB／ｗA
を変化させた場合には、センサ出力比の値そのものは変
化するが変化の傾向は３種類共同一であることがわか
る。したがって、センサ出力比とｔD／ｔBとの関係はｗ
B／ｗAに関わりなく同一の傾向を示すことがわかる。
【００２０】以上説明した様に、上記の半導体加速度セ
ンサ１１によれば、Ｓｉ基板２の中央部に形成された質
量部３と、質量部３の周囲に形成された枠部４と、前記
質量部３と枠部４との間に形成された一対の弾性部１
２，１２と、これらの弾性部１２，１２に形成された複
数対のピエゾ抵抗６，６，… とを具備し、前記弾性部
１２は、長尺の梁部１３と、該梁部１３より薄厚のダイ
ヤフラム部１４，１４とからなり、梁部１３の厚み（ｔ
B）に対するダイヤフラム部１４の厚み（ｔD）の比（ｔ
D／ｔB）を０．１５以上０．４以下としたので、ダイヤ
フラム部１４，１４の厚みにバラツキがあってもセンサ
出力比を一定とすることができ、センサとしての指向性
と耐衝撃性を向上させることができる。
ンサ１１によれば、Ｓｉ基板２の中央部に形成された質
量部３と、質量部３の周囲に形成された枠部４と、前記
質量部３と枠部４との間に形成された一対の弾性部１
２，１２と、これらの弾性部１２，１２に形成された複
数対のピエゾ抵抗６，６，… とを具備し、前記弾性部
１２は、長尺の梁部１３と、該梁部１３より薄厚のダイ
ヤフラム部１４，１４とからなり、梁部１３の厚み（ｔ
B）に対するダイヤフラム部１４の厚み（ｔD）の比（ｔ
D／ｔB）を０．１５以上０．４以下としたので、ダイヤ
フラム部１４，１４の厚みにバラツキがあってもセンサ
出力比を一定とすることができ、センサとしての指向性
と耐衝撃性を向上させることができる。
【００２１】また、梁部１３の厚み（ｔB）に対するダ
イヤフラム部１４の厚み（ｔD）の比（ｔD／ｔB）を制
御すればよく、梁部１３の厚み（ｔB）やダイヤフラム
部１４の厚み（ｔD）を個々に高精度で制御する必要が
なくなるので、半導体加速度センサ１１の歩留まりを向
上させることができる。
イヤフラム部１４の厚み（ｔD）の比（ｔD／ｔB）を制
御すればよく、梁部１３の厚み（ｔB）やダイヤフラム
部１４の厚み（ｔD）を個々に高精度で制御する必要が
なくなるので、半導体加速度センサ１１の歩留まりを向
上させることができる。
【００２２】以上により、ピエゾ抵抗の出力が梁部やダ
イヤフラム部の厚みのバラツキに依存せず、製品歩留ま
りを向上させることができる半導体加速度センサを提供
することができる。
イヤフラム部の厚みのバラツキに依存せず、製品歩留ま
りを向上させることができる半導体加速度センサを提供
することができる。
【００２３】なお、上記の半導体加速度センサ１１の弾
性部１２は上記の一実施例に限定されることなく種々の
変形が可能である。例えば、弾性部１２を、複数の梁部
１３，… と、これらの梁部１３，… の間に形成された
ダイヤフラム部１４，… とからなる構成としてもよ
く、また、梁部１３の形状も、例えば、台形状、角錐状
等種々の選択が可能である。
性部１２は上記の一実施例に限定されることなく種々の
変形が可能である。例えば、弾性部１２を、複数の梁部
１３，… と、これらの梁部１３，… の間に形成された
ダイヤフラム部１４，… とからなる構成としてもよ
く、また、梁部１３の形状も、例えば、台形状、角錐状
等種々の選択が可能である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明した様に、この発明の半導体加
速度センサによれば、半導体基板の中央部に形成された
質量部と、該質量部の周囲に形成された枠部と、前記質
量部と前記枠部との間に形成され前記半導体基板を薄肉
化してなる弾性部と、該弾性部の上面側に形成された複
数対のピエゾ抵抗とを具備してなる半導体加速度センサ
において、前記弾性部は、梁部と、該梁部の両側部に該
梁部より薄厚に形成されたダイヤフラム部とからなるこ
ととしたので、センサとしての指向性と耐衝撃性を向上
させることができる。
速度センサによれば、半導体基板の中央部に形成された
質量部と、該質量部の周囲に形成された枠部と、前記質
量部と前記枠部との間に形成され前記半導体基板を薄肉
化してなる弾性部と、該弾性部の上面側に形成された複
数対のピエゾ抵抗とを具備してなる半導体加速度センサ
において、前記弾性部は、梁部と、該梁部の両側部に該
梁部より薄厚に形成されたダイヤフラム部とからなるこ
ととしたので、センサとしての指向性と耐衝撃性を向上
させることができる。
【００２５】また、梁部の厚みに対するダイヤフラム部
の厚みの比を制御すればよく、梁部の厚みやダイヤフラ
ム部の厚みを個々に高精度で制御する必要がなくなるの
で、半導体加速度センサの製品歩留まりを向上させるこ
とができる。
の厚みの比を制御すればよく、梁部の厚みやダイヤフラ
ム部の厚みを個々に高精度で制御する必要がなくなるの
で、半導体加速度センサの製品歩留まりを向上させるこ
とができる。
【００２６】以上により、ピエゾ抵抗の出力が梁部及び
ダイヤフラム部の厚みのバラツキに依存せず、製品歩留
まりを向上させることができる半導体加速度センサを提
供することができる。
ダイヤフラム部の厚みのバラツキに依存せず、製品歩留
まりを向上させることができる半導体加速度センサを提
供することができる。
【図１】本発明の半導体加速度センサを示す斜視図であ
る。
る。
【図２】図１のＢーＢ線に沿う断面図である。
【図３】本発明の半導体加速度センサの梁部の厚みに対
するダイヤフラム部の厚みの比と、センサの出力比との
関係を示すグラフである。
するダイヤフラム部の厚みの比と、センサの出力比との
関係を示すグラフである。
【図４】本発明の半導体加速度センサの弾性部の断面図
である。
である。
【図５】従来の半導体加速度センサを示す斜視図であ
る。
る。
【図６】図５のＡーＡ線に沿う断面図である。
１１ 半導体加速度センサ ２ Ｓｉ基板（半導体基板） ３ 質量部 ４ 枠部 ６ ピエゾ抵抗 １２ 弾性部 １３ 梁部 １４ ダイアフラム部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 広和 東京都江東区木場一丁目５番１号 藤倉電 線株式会社内 (72)発明者 西村 仁 東京都江東区木場一丁目５番１号 藤倉電 線株式会社内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体基板の中央部に形成された質量部
と、該質量部の周囲に形成された枠部と、前記質量部と
前記枠部との間に形成され前記半導体基板を薄肉化して
なる弾性部と、該弾性部の上面側に形成された複数対の
ピエゾ抵抗とを具備してなる半導体加速度センサにおい
て、前記弾性部は、梁部と、該梁部の両側部に該梁部よ
り薄厚に形成されたダイヤフラム部とからなることを特
徴とする半導体加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18304391A JPH055750A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18304391A JPH055750A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH055750A true JPH055750A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=16128746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18304391A Withdrawn JPH055750A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH055750A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7450896B2 (en) | 2004-09-15 | 2008-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Sheet transport apparatus and image forming apparatus |
| US7474872B2 (en) | 2004-09-16 | 2009-01-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Sheet transport apparatus and image forming apparatus including the same |
| CN107796955A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-03-13 | 西安交通大学 | 多梁式单质量块面内双轴加速度传感器芯片及其制备方法 |
| CN107817364A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-03-20 | 西安交通大学 | 一种mems直拉直压式两轴加速度计芯片及其制备方法 |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP18304391A patent/JPH055750A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7450896B2 (en) | 2004-09-15 | 2008-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Sheet transport apparatus and image forming apparatus |
| US7474872B2 (en) | 2004-09-16 | 2009-01-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Sheet transport apparatus and image forming apparatus including the same |
| CN107796955A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-03-13 | 西安交通大学 | 多梁式单质量块面内双轴加速度传感器芯片及其制备方法 |
| CN107817364A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-03-20 | 西安交通大学 | 一种mems直拉直压式两轴加速度计芯片及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10177033A (ja) | 加速度測定装置 | |
| Wolffenbuttel et al. | Polysilicon bridges for the realization of tactile sensors | |
| CN113218544B (zh) | 具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法 | |
| US5962792A (en) | Beam strain gauge | |
| CN1415968A (zh) | 单片集成的直拉直压微梁结构压阻加速度传感器及制作方法 | |
| US6763719B2 (en) | Acceleration sensor | |
| US6595063B1 (en) | Sensor element especially for pressure sensors | |
| JPH04178533A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH08107219A (ja) | 半導体加速度センサ及び半導体加速度センサの製造方法 | |
| JP2895262B2 (ja) | 複合センサ | |
| JPH05281251A (ja) | 加速度センサおよびその製造方法 | |
| JPS6313357B2 (ja) | ||
| CN116577524A (zh) | 一种微悬臂梁加速度传感装置、传感器及其制备方法 | |
| JPH0961453A (ja) | 変位センサおよび変位測定方法 | |
| RU2237873C2 (ru) | Тензопреобразователь давления | |
| JP2507840B2 (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JP2001004470A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH0648421Y2 (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JPH0830716B2 (ja) | 半導体加速度検出装置 | |
| JP2723958B2 (ja) | 加速度センサ | |
| JPH06148229A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JPH06148232A (ja) | 加速度センサ | |
| JPH0755619A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2756067B2 (ja) | ダイアフラム式歪みセンサの配線パターン | |
| JPH0273161A (ja) | 半導体センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |