JPH0558522B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0558522B2 JPH0558522B2 JP19137386A JP19137386A JPH0558522B2 JP H0558522 B2 JPH0558522 B2 JP H0558522B2 JP 19137386 A JP19137386 A JP 19137386A JP 19137386 A JP19137386 A JP 19137386A JP H0558522 B2 JPH0558522 B2 JP H0558522B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffraction grating
- mirror
- phase conjugate
- phase
- reflected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、回折格子の製造方法に関し、特に半
導体基板上への回折格子の製造方法に関する。
導体基板上への回折格子の製造方法に関する。
（従来の技術）
半導体基板に凹凸を形成した素子は種々の分野
で利用されるが、その中でも半導体レーザは特に
重要な素子である。以下、半導体レーザを具体例
にして説明する。
で利用されるが、その中でも半導体レーザは特に
重要な素子である。以下、半導体レーザを具体例
にして説明する。
近年、長距離大容量光伝送システムの光源とし
て単一軸モード半導体レーザの研究開発が活発に
行なわれている。その中で、分布帰還形（DFB）
半導体レーザは、その単一軸モードの制御性およ
び動作温度範囲の広さなどの安定性の面と、他の
単一軸モード半導体レーザに比べて製作が容易で
あるという面から実用化に向けて急速に開発が進
められている。
て単一軸モード半導体レーザの研究開発が活発に
行なわれている。その中で、分布帰還形（DFB）
半導体レーザは、その単一軸モードの制御性およ
び動作温度範囲の広さなどの安定性の面と、他の
単一軸モード半導体レーザに比べて製作が容易で
あるという面から実用化に向けて急速に開発が進
められている。
DFBレーザは、素子内に均一な回折格子を有
する構造をとつており、この回折格子の周期で定
まるブラツク波長近傍で単一波長で発振する。し
かしながら、両端面の端面反射率が小さく均一な
回折格子を有するDFBレーザでは、ブラツグ波
長を挟んで発振し易い２本の発振可能なモードが
存在する。このことは、２軸モード動作し易いこ
とを意味し、単一軸モードレーザとしては好まし
くない。通常DFBレーザでは、光を取り出すた
めに一端はへきかい面を用い、もう一端はフアブ
リ・ペローモードを抑制するために、端面反射を
抑えた無反射コーテイングを施した構造がとられ
る。このように端面反射率が非対称である構造の
DFBレーザの反射鏡損失特性はブラツグ波長に
対して非対象になり、１つの縦モードが選択され
る傾向にある。ところが、反射鏡損失特性は、回
折格子が端面反射鏡の位置においてどのような位
相で終わるかにより著しく変化する。そのため、
主モードと次のモードとの間の反射鏡損失差が小
さい場合も多く２本のモードで発振する素子も多
数あつた。そこでこのような不安定性を除去する
ためにDFBレーザの内部に回折格子の周期を
λg／４（λgは素子内を伝播する光の波長）だけず
らした構造のDFBレーザが試作された。これに
関する文献の例として宇高他著の1984年11月22日
発光のエレクトロニクス・レターズ誌
（Electronics Letters）第20巻４号1008〜1010頁
記載の論文をあげることができる。このような構
造のDFBレーザをλ／４シフト型DFBレーザと
呼んでいる。
する構造をとつており、この回折格子の周期で定
まるブラツク波長近傍で単一波長で発振する。し
かしながら、両端面の端面反射率が小さく均一な
回折格子を有するDFBレーザでは、ブラツグ波
長を挟んで発振し易い２本の発振可能なモードが
存在する。このことは、２軸モード動作し易いこ
とを意味し、単一軸モードレーザとしては好まし
くない。通常DFBレーザでは、光を取り出すた
めに一端はへきかい面を用い、もう一端はフアブ
リ・ペローモードを抑制するために、端面反射を
抑えた無反射コーテイングを施した構造がとられ
る。このように端面反射率が非対称である構造の
DFBレーザの反射鏡損失特性はブラツグ波長に
対して非対象になり、１つの縦モードが選択され
る傾向にある。ところが、反射鏡損失特性は、回
折格子が端面反射鏡の位置においてどのような位
相で終わるかにより著しく変化する。そのため、
主モードと次のモードとの間の反射鏡損失差が小
さい場合も多く２本のモードで発振する素子も多
数あつた。そこでこのような不安定性を除去する
ためにDFBレーザの内部に回折格子の周期を
λg／４（λgは素子内を伝播する光の波長）だけず
らした構造のDFBレーザが試作された。これに
関する文献の例として宇高他著の1984年11月22日
発光のエレクトロニクス・レターズ誌
（Electronics Letters）第20巻４号1008〜1010頁
記載の論文をあげることができる。このような構
造のDFBレーザをλ／４シフト型DFBレーザと
呼んでいる。
λ／４シフト型DFBレーザは、ブロツグ波長
に完全に一致した１本の軸モードで発振すること
を特徴としている。このため、従来の素子でみら
れた２軸モードで発振するような素子は極めて少
なくなり、歩留り向上の点で非常に有望である。
ところで、DFBレーザの回折格子の周期Λは、
発振波長λと次のような関係にある。
に完全に一致した１本の軸モードで発振すること
を特徴としている。このため、従来の素子でみら
れた２軸モードで発振するような素子は極めて少
なくなり、歩留り向上の点で非常に有望である。
ところで、DFBレーザの回折格子の周期Λは、
発振波長λと次のような関係にある。
Λ＝ｍλ／2ne＝ｍλg／２
ここで、neは素子内の等価屈折率、ｍは回折格
子の次数、λgは素子内を伝播する光の波長であ
る。従つて、１次の回折格子（ｍ＝１）の周期
は、 Λ＝λg／２ で与えられる。このことから、１次の回折格子を
使つたλ／４シフト型の回折格子は、シフト領域
を境にして左右の回折格子の凹凸を反転させれば
よいことがわかる。
子の次数、λgは素子内を伝播する光の波長であ
る。従つて、１次の回折格子（ｍ＝１）の周期
は、 Λ＝λg／２ で与えられる。このことから、１次の回折格子を
使つたλ／４シフト型の回折格子は、シフト領域
を境にして左右の回折格子の凹凸を反転させれば
よいことがわかる。
λ／４シフト型回折格子の製法としては、代表
的なものとして以下の４方法があげられる。
的なものとして以下の４方法があげられる。
第１の方法として、ノボラツク系ポジ型フオト
レジストと環化ゴム系ネガ型フオトレジストを重
ね塗りして干渉露光を行ない、ポジ型フオトレジ
ストとネガ型フオトレジストとの逆感光性を利用
した方法がある。この方法の文献としては、宇高
他著の1984年11月22日発光のエレクトロニクス・
レターズ誌（Electronics Letters）第20巻第４
号1008〜1010頁記載の論文をあげることができ
る。
レジストと環化ゴム系ネガ型フオトレジストを重
ね塗りして干渉露光を行ない、ポジ型フオトレジ
ストとネガ型フオトレジストとの逆感光性を利用
した方法がある。この方法の文献としては、宇高
他著の1984年11月22日発光のエレクトロニクス・
レターズ誌（Electronics Letters）第20巻第４
号1008〜1010頁記載の論文をあげることができ
る。
第２の方法としては、ノボラツク系のネガ型フ
オトレジストとノボラツク系のポジ型フオトレジ
ストとの間に中間層をはさんで干渉露光を行なう
方法があり、この方法の文献としては、昭和60年
秋季応用物理学会学術講演会予稿集202頁記載の
2a−Ｎ−９「ノボラツク系ネガ・ポジレジストに
よるλ／４シフト回折格子」をあげることができ
る。
オトレジストとノボラツク系のポジ型フオトレジ
ストとの間に中間層をはさんで干渉露光を行なう
方法があり、この方法の文献としては、昭和60年
秋季応用物理学会学術講演会予稿集202頁記載の
2a−Ｎ−９「ノボラツク系ネガ・ポジレジストに
よるλ／４シフト回折格子」をあげることができ
る。
第３の方法としては、位相シフトに相当する段
差を有する石英板をフオトレジストを塗布した基
板を密着させて干渉露光を行なう方法があり、こ
の方法の文献としては、白崎他著の電子通信学会
技術報告OQE85−60巻57〜64頁記載の論文をあ
げることができる。
差を有する石英板をフオトレジストを塗布した基
板を密着させて干渉露光を行なう方法があり、こ
の方法の文献としては、白崎他著の電子通信学会
技術報告OQE85−60巻57〜64頁記載の論文をあ
げることができる。
第４の方法としては、位相シフトに相当する段
差を有する石英板を光学系の中に組込んで、干渉
露光を行なう方法があり、この方法の文献として
は辻他著の昭和60年秋季第46回応用物理学会学術
講演会予稿集202頁記載の2a−Ｎ−10「位相面投
影型干渉露光法によるπシフト回折格子の作製」
をあげることができる。
差を有する石英板を光学系の中に組込んで、干渉
露光を行なう方法があり、この方法の文献として
は辻他著の昭和60年秋季第46回応用物理学会学術
講演会予稿集202頁記載の2a−Ｎ−10「位相面投
影型干渉露光法によるπシフト回折格子の作製」
をあげることができる。
（発明が解決しようとする問題点）
上述した回折格子の製造方法には、次のような
欠点が存在する。
欠点が存在する。
第１の方法では、環化ゴム系ネガ型フオトレジ
ストの解像度が悪いため形状が良好な回折格子を
得ることが難しい。
ストの解像度が悪いため形状が良好な回折格子を
得ることが難しい。
第２の方法では、第１の方法とは異なり形状が
良好な回折格子を得ることができるが、現像条件
の制御が難しく、またプロセス・ステツプ数も多
く複雑なため歩留りが悪い。
良好な回折格子を得ることができるが、現像条件
の制御が難しく、またプロセス・ステツプ数も多
く複雑なため歩留りが悪い。
第３の方法では、位相シフトに相当する段差を
有する石英板とフオトレジストのついた基板を密
着させる際に干渉縞ができてしまい、基板全面に
回折格子を形成することができないという欠点が
ある。
有する石英板とフオトレジストのついた基板を密
着させる際に干渉縞ができてしまい、基板全面に
回折格子を形成することができないという欠点が
ある。
第４の方法では、位相シフト板の段差の部分か
らの回折光の影響で収差が大きくなるが、この収
差をレンズ差で補正している。しかしながら、そ
れでも充分に収差の影響を打ち消すことができ
ず、回折格子形成面積が〜７mm2（半径1.5mmの円）
と極端に小さくなるという欠点があつた。
らの回折光の影響で収差が大きくなるが、この収
差をレンズ差で補正している。しかしながら、そ
れでも充分に収差の影響を打ち消すことができ
ず、回折格子形成面積が〜７mm2（半径1.5mmの円）
と極端に小さくなるという欠点があつた。
本発明の目的は、λ／４シフトDFBレーザに
用いるための回折格子の製造方法として、形状が
良好な１次のλ／４シフト型回折格子を再現性よ
く製造する方法を提供することにある。
用いるための回折格子の製造方法として、形状が
良好な１次のλ／４シフト型回折格子を再現性よ
く製造する方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明による回折格子の製造方法は、所望の位
相シフトを生じさせる機能をもつ鏡を平行光で照
射し、前記鏡から第１の反射光を位相共役鏡に照
射し、前記位相共役鏡から反射した第２の反射波
面と参照光束とを干渉させる露光工程を少なくと
も含んで構成される。
相シフトを生じさせる機能をもつ鏡を平行光で照
射し、前記鏡から第１の反射光を位相共役鏡に照
射し、前記位相共役鏡から反射した第２の反射波
面と参照光束とを干渉させる露光工程を少なくと
も含んで構成される。
（作用）
本発明の原理を説明する。形状が良好な回折格
子を形成するためには、解像度のよいフオトレジ
ストを使えばよい。本発明の方法では、解像度の
よいフオトレジストを１種類だけ用いているの
で、形状の良好な回折格子を製作することができ
るばかりでなく、現像・エツチング工程も各１回
とプロセス・ステツプ数が少ないため歩留りがよ
い。従つて、本発明の方法では前記第１、第２の
方法における欠点を克服している。
子を形成するためには、解像度のよいフオトレジ
ストを使えばよい。本発明の方法では、解像度の
よいフオトレジストを１種類だけ用いているの
で、形状の良好な回折格子を製作することができ
るばかりでなく、現像・エツチング工程も各１回
とプロセス・ステツプ数が少ないため歩留りがよ
い。従つて、本発明の方法では前記第１、第２の
方法における欠点を克服している。
また、本発明の方法では、２光束干渉露光を行
なう際に基板と石英板を密着させる必要がなく、
前記第３の方法のようにモアレ縞のために回折格
子形成面積が小さくなるといつたような欠点は存
在しない。
なう際に基板と石英板を密着させる必要がなく、
前記第３の方法のようにモアレ縞のために回折格
子形成面積が小さくなるといつたような欠点は存
在しない。
前記第４の方法では、収差の影響で回折格子の
形状面積が極めて小さくなつてしまうが、本発明
の方法のように位相シフトを生じさせる機能をも
つ鏡（以下、位相シフト鏡と称す）からの反射光
をいつたん位相共役鏡に入射させ、位相共役鏡か
らの反射光束と参照光束とを干渉させれば収差は
補正され、基板全面に回折格子を形成することが
できる。
形状面積が極めて小さくなつてしまうが、本発明
の方法のように位相シフトを生じさせる機能をも
つ鏡（以下、位相シフト鏡と称す）からの反射光
をいつたん位相共役鏡に入射させ、位相共役鏡か
らの反射光束と参照光束とを干渉させれば収差は
補正され、基板全面に回折格子を形成することが
できる。
位相共役鏡とは、位相共役波を発生させる媒質
である。第３図は位相共役鏡３０と通常の鏡３３
との違いを示す図である。第３図は位相共役鏡３
０における入射波３１と反射波３２との関係を示
す図であり、第３図ｂは、通常の鏡３３における
入射波３４と反射波３５との関係を示す図であ
る。通常の鏡３３では反射波３５を発散させてし
まうが位相共役鏡３０では反射波３２を発散させ
ずに、入射波３１が入射してきた光路に沿つて戻
すことができる。すなわち、位相共役鏡を用いる
と、光路の途中で位相揺らぎや収差の時間変化が
光の往復に比べてゆつくりしていれば、往復でち
ようど位相収差が打ち消されることになる。この
ため、光路中のじよう乱の影響を受けない反射光
を得ることができるのである。
である。第３図は位相共役鏡３０と通常の鏡３３
との違いを示す図である。第３図は位相共役鏡３
０における入射波３１と反射波３２との関係を示
す図であり、第３図ｂは、通常の鏡３３における
入射波３４と反射波３５との関係を示す図であ
る。通常の鏡３３では反射波３５を発散させてし
まうが位相共役鏡３０では反射波３２を発散させ
ずに、入射波３１が入射してきた光路に沿つて戻
すことができる。すなわち、位相共役鏡を用いる
と、光路の途中で位相揺らぎや収差の時間変化が
光の往復に比べてゆつくりしていれば、往復でち
ようど位相収差が打ち消されることになる。この
ため、光路中のじよう乱の影響を受けない反射光
を得ることができるのである。
（実施例）
以下に、本発明の一実施例を図面を用いて詳細
に説明する。第１図は、λ／４シフト型回折格子
を製作するための光学系を示す図である。第２図
は位相シフトを生じさせるための段差を有する位
相シフト鏡への入射光束と反射光束を示す図であ
る。
に説明する。第１図は、λ／４シフト型回折格子
を製作するための光学系を示す図である。第２図
は位相シフトを生じさせるための段差を有する位
相シフト鏡への入射光束と反射光束を示す図であ
る。
第１図において、光束１０と参照光束１７は１
台のHe−Cdレーザから出射したレーザ光をビー
ム・スプリツタで２本に分けた後、それぞれビー
ム・エクスパンダで通したものである。なお、こ
こで用いたHe−Cdレーザ光の波長は3250Åであ
る。所望の位相シフトを生じさせる機能をもつ位
相シフト鏡１を斜入射の平行光１０で照射し、位
相シフト鏡１からの反射光１１を半透明鏡２に入
射させる。次に半透明鏡２からの透過波１２をレ
ンズ３を通して位相共役鏡４に集光する。これ
は、位相共役鏡４として用いたCS2混合結晶の大
きさが小さいためである。本実施例では、位相共
役鏡４としてCS2混合結晶を四光波混合という方
法を用いて励起したものを使つている。位相共役
鏡４からの反射光１４を再びレンズ３に入射さ
せ、レンズ３からの透過波１５を半透明鏡２に入
射させる。透過光１５の一部が半透明鏡２によつ
て平行光束１６となる。この平行光束１６と参照
光束１７とを水平面に対する入射角42.6度で半導
体基板５に照射する。半導体基板には、リボラツ
ク系ポジ型フオトレジストであるAZ1350（ヘキス
ト社製）を膜厚500Åとなるように塗布しておく。
露光後、AZ現像液（ヘキスト社製）を用いて現
像し、臭化水素系のエツチヤントを用いて半導体
基板に転写したところ不整や架橋のない周期2400
Å、深さ1000Åのλ／４シフト回折格子を形成す
ることができた。
台のHe−Cdレーザから出射したレーザ光をビー
ム・スプリツタで２本に分けた後、それぞれビー
ム・エクスパンダで通したものである。なお、こ
こで用いたHe−Cdレーザ光の波長は3250Åであ
る。所望の位相シフトを生じさせる機能をもつ位
相シフト鏡１を斜入射の平行光１０で照射し、位
相シフト鏡１からの反射光１１を半透明鏡２に入
射させる。次に半透明鏡２からの透過波１２をレ
ンズ３を通して位相共役鏡４に集光する。これ
は、位相共役鏡４として用いたCS2混合結晶の大
きさが小さいためである。本実施例では、位相共
役鏡４としてCS2混合結晶を四光波混合という方
法を用いて励起したものを使つている。位相共役
鏡４からの反射光１４を再びレンズ３に入射さ
せ、レンズ３からの透過波１５を半透明鏡２に入
射させる。透過光１５の一部が半透明鏡２によつ
て平行光束１６となる。この平行光束１６と参照
光束１７とを水平面に対する入射角42.6度で半導
体基板５に照射する。半導体基板には、リボラツ
ク系ポジ型フオトレジストであるAZ1350（ヘキス
ト社製）を膜厚500Åとなるように塗布しておく。
露光後、AZ現像液（ヘキスト社製）を用いて現
像し、臭化水素系のエツチヤントを用いて半導体
基板に転写したところ不整や架橋のない周期2400
Å、深さ1000Åのλ／４シフト回折格子を形成す
ることができた。
（発明の効果）
本発明の回折格子の製造方法は、位相共役鏡を
用いることにより、光学系の収差を打ち消すこと
に特徴がある。本発明の方法により、不整や架橋
のない周期2400Å、深さ〜1000Åのλ／４シフト
回折格子を半導体基板全面に再現性よく形成する
ことができた。この回折格子を用いて半導体レー
ザを製作したところ、従来の方法で形成された回
折格子に比べてしきい値電流が数mA低下し、ま
た歩留りが98％と向上し、本発明の方法が有効で
あることがわかつた。
用いることにより、光学系の収差を打ち消すこと
に特徴がある。本発明の方法により、不整や架橋
のない周期2400Å、深さ〜1000Åのλ／４シフト
回折格子を半導体基板全面に再現性よく形成する
ことができた。この回折格子を用いて半導体レー
ザを製作したところ、従来の方法で形成された回
折格子に比べてしきい値電流が数mA低下し、ま
た歩留りが98％と向上し、本発明の方法が有効で
あることがわかつた。
第１図は本発明の一実施例の光学系を示す図で
ある。１は位相シフト板、２は半透明鏡、３はレ
ンズ、４は位相共役鏡、５は半導体基板、１０は
入射光束、１１は位相シフト鏡１からの反射光、
１２は半透明鏡２からの透過光、１３はレンズ３
からの透過光、１４は位相共役鏡４からの反射
光、１５はレンズ３からの透過光、１６は半透明
鏡２からの反射光、１７は参照光束である。 第２図は位相シフト鏡と入射光束、反射光束を
示す断面図である。２０は位相シフト鏡の段差部
である。 第３図は、位相共役鏡と通常の鏡との違いを説
明する図であり、３０は位相共役鏡、３３は通常
の鏡、３１，３４は入射光、３２，３５は反射光
である。
ある。１は位相シフト板、２は半透明鏡、３はレ
ンズ、４は位相共役鏡、５は半導体基板、１０は
入射光束、１１は位相シフト鏡１からの反射光、
１２は半透明鏡２からの透過光、１３はレンズ３
からの透過光、１４は位相共役鏡４からの反射
光、１５はレンズ３からの透過光、１６は半透明
鏡２からの反射光、１７は参照光束である。 第２図は位相シフト鏡と入射光束、反射光束を
示す断面図である。２０は位相シフト鏡の段差部
である。 第３図は、位相共役鏡と通常の鏡との違いを説
明する図であり、３０は位相共役鏡、３３は通常
の鏡、３１，３４は入射光、３２，３５は反射光
である。
Claims (1)
- １ 塗布・露光・現像工程により基板上にパター
ン状のフオトレジストを形成した後、当該パター
ンを基板に転写する回折格子の製造方法におい
て、所望の位相シフトを生じさせる機能をもつ鏡
を平行光を照射し、前記鏡からの第１の反射光を
位相共役鏡に照射し、前記位相共役鏡から反射し
た第２の反射波面と参照光束とを干渉させて露光
する露光工程を含むことを特徴とする回折格子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19137386A JPS6347707A (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 回折格子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19137386A JPS6347707A (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 回折格子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6347707A JPS6347707A (ja) | 1988-02-29 |
| JPH0558522B2 true JPH0558522B2 (ja) | 1993-08-26 |
Family
ID=16273508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19137386A Granted JPS6347707A (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 回折格子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6347707A (ja) |
-
1986
- 1986-08-15 JP JP19137386A patent/JPS6347707A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6347707A (ja) | 1988-02-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5340637A (en) | Optical device diffraction gratings and a photomask for use in the same | |
| EP0188919B1 (en) | A method for the formation of a diffraction grating | |
| US4859548A (en) | Method for generating a lattice structure with a phase shift on the surface of a substrate | |
| JPH09508713A (ja) | 光格子 | |
| JP4124417B2 (ja) | ピコ秒レーザーによるホログラムの製造方法 | |
| JPH0672962B2 (ja) | 回折格子形成方法及び装置 | |
| EP0817981B1 (en) | Method of writing photosensitive grating using lloyd's mirror | |
| JPS61190368A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| US6633385B2 (en) | System and method for recording interference fringes in a photosensitive medium | |
| JPH0558522B2 (ja) | ||
| JPH0558521B2 (ja) | ||
| US5221429A (en) | Method of manufacturing phase-shifted diffraction grating | |
| JPH0558523B2 (ja) | ||
| JPS63108304A (ja) | 回折格子の製造装置 | |
| JPH0258285A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JP2735589B2 (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JPH0827405B2 (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JPH0258284A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JP2761899B2 (ja) | 回折格子露光装置 | |
| JPH0461331B2 (ja) | ||
| JPS62262004A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JP2515734B2 (ja) | 回析格子の作成方法 | |
| JPS63150984A (ja) | 回折格子の形成方法 | |
| JPH0690323B2 (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JP2000075776A (ja) | ホログラム複製方法 |