JPH0558769A - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPH0558769A JPH0558769A JP22138491A JP22138491A JPH0558769A JP H0558769 A JPH0558769 A JP H0558769A JP 22138491 A JP22138491 A JP 22138491A JP 22138491 A JP22138491 A JP 22138491A JP H0558769 A JPH0558769 A JP H0558769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- raw material
- silicon
- granular
- silicon single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、粒状シリコン原料を使用し
てチョクラルスキ−法によりシリコン単結晶を製造する
に当り、粒状シリコン破片の発生数を低減し、粒状シリ
コン破片によるシリコン単結晶の転位発生確率を小さく
し、大口径のシリコン単結晶を製造することにある。 【構成】 粒状シリコン原料を連続的に供給しながらチ
ョクラルスキ−法によりシリコン単結晶を製造する方法
において、粒状ポリシリコン原料の破壊靱性値ＫICが
１．５以上である原料を用いることを特徴とするシリコ
ン単結晶の製造方法である。 【効果】 供給する原料の破壊靱性値ＫICを１．５以上
にすることにより、粒状シリコン破片の発生を抑制し、
シリコン単結晶の有転位化率を著しく低減させた。
てチョクラルスキ−法によりシリコン単結晶を製造する
に当り、粒状シリコン破片の発生数を低減し、粒状シリ
コン破片によるシリコン単結晶の転位発生確率を小さく
し、大口径のシリコン単結晶を製造することにある。 【構成】 粒状シリコン原料を連続的に供給しながらチ
ョクラルスキ−法によりシリコン単結晶を製造する方法
において、粒状ポリシリコン原料の破壊靱性値ＫICが
１．５以上である原料を用いることを特徴とするシリコ
ン単結晶の製造方法である。 【効果】 供給する原料の破壊靱性値ＫICを１．５以上
にすることにより、粒状シリコン破片の発生を抑制し、
シリコン単結晶の有転位化率を著しく低減させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は粒状シリコン原料を連続
的に供給しながらチョクラルスキ−法による大直径のシ
リコン単結晶の製造方法に関するものである。
的に供給しながらチョクラルスキ−法による大直径のシ
リコン単結晶の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ分野では、シリコン単結晶に要求
される直径は年々大きくなっている。今日、最新鋭デバ
イスでは、直径６インチのシリコン単結晶が使用されて
いる。これが将来直径８インチあるいはそれ以上の直径
のシリコン単結晶が、必要になるだろうといわれてい
る。
される直径は年々大きくなっている。今日、最新鋭デバ
イスでは、直径６インチのシリコン単結晶が使用されて
いる。これが将来直径８インチあるいはそれ以上の直径
のシリコン単結晶が、必要になるだろうといわれてい
る。
【０００３】チョクラルスキ−法（以下ＣＺ法という）
においては、シリコン単結晶の成長とともに、るつぼ内
のシリコン融液が減少する。従って、シリコン単結晶の
成長とともにシリコン単結晶中のド−パント濃度が上昇
し、酸素濃度が低下する。即ち、シリコン単結晶の成長
とともに、シリコン単結晶の性質がその成長方向により
変動する。シリコン単結晶の直径が大きくなるほど、シ
リコン単結晶の成長方向のド−パント濃度偏析が大きく
なるため、直径８インチ以上のシリコン単結晶では、有
効単結晶化率が著しく低下してしまう。
においては、シリコン単結晶の成長とともに、るつぼ内
のシリコン融液が減少する。従って、シリコン単結晶の
成長とともにシリコン単結晶中のド−パント濃度が上昇
し、酸素濃度が低下する。即ち、シリコン単結晶の成長
とともに、シリコン単結晶の性質がその成長方向により
変動する。シリコン単結晶の直径が大きくなるほど、シ
リコン単結晶の成長方向のド−パント濃度偏析が大きく
なるため、直径８インチ以上のシリコン単結晶では、有
効単結晶化率が著しく低下してしまう。
【０００４】ＬＳＩの高密度化とともに、シリコン単結
晶の直径は大口径化されており、またシリコン単結晶に
要求される品質も年々厳しくなるので、上記のようなド
−パント濃度偏析の問題は解決されねばならない。
晶の直径は大口径化されており、またシリコン単結晶に
要求される品質も年々厳しくなるので、上記のようなド
−パント濃度偏析の問題は解決されねばならない。
【０００５】この問題を解決するための手段として、Ｃ
Ｚ法における石英るつぼ内のシリコン融液を、小孔を有
する円筒状の石英製仕切り部材で仕切り、この仕切り部
材の外側に原料ポリシリコンを供給しながら、仕切り部
材の内側で円筒状のシリコン単結晶を育成する方法が古
くから、例えば米国特許2,892,739 号に開示されてい
る。一方、近年、直径 0.1〜4.0 mm程度の粒度分布を持
つ粒状多結晶シリコンが開発されたので、特にこれを用
いて連続的に原料供給を行うＣＺ法が盛んに研究開発さ
れている（例えば特開平2−80392 号公報）。しかし、
この方法は、結晶の有転位化率が通常のＣＺ法に比べて
まだ高いという問題点があり、そのため未だに実用化レ
ベルに至っていない。
Ｚ法における石英るつぼ内のシリコン融液を、小孔を有
する円筒状の石英製仕切り部材で仕切り、この仕切り部
材の外側に原料ポリシリコンを供給しながら、仕切り部
材の内側で円筒状のシリコン単結晶を育成する方法が古
くから、例えば米国特許2,892,739 号に開示されてい
る。一方、近年、直径 0.1〜4.0 mm程度の粒度分布を持
つ粒状多結晶シリコンが開発されたので、特にこれを用
いて連続的に原料供給を行うＣＺ法が盛んに研究開発さ
れている（例えば特開平2−80392 号公報）。しかし、
この方法は、結晶の有転位化率が通常のＣＺ法に比べて
まだ高いという問題点があり、そのため未だに実用化レ
ベルに至っていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、以上の
粒状シリコン原料を連続的に供給しながらＣＺ法により
シリコン単結晶を製造する方法において、得られた単結
晶の結晶転位に起因する点について詳細な調査研究した
結果、以下のことを見知した。
粒状シリコン原料を連続的に供給しながらＣＺ法により
シリコン単結晶を製造する方法において、得られた単結
晶の結晶転位に起因する点について詳細な調査研究した
結果、以下のことを見知した。
【０００７】前記のＣＺ法によりシリコン単結晶を引上
げる方法において、粒状シリコン原料をシリコン融液に
供給する時に、大粒径の粒状ポリシリコン粒が割れを起
こして弾け飛ぶ現象が見知される。
げる方法において、粒状シリコン原料をシリコン融液に
供給する時に、大粒径の粒状ポリシリコン粒が割れを起
こして弾け飛ぶ現象が見知される。
【０００８】特開平１−２８２１９４号公報では、粒状
シリコン中の水素含有量を７．５ppm 以下に低減すれば
シリコン融液上で発生する粒状シリコンの破裂飛散は防
止できることが開示されている。しかし、粒状シリコン
中の水素含有量が１ppm 以下と極めて微量な原料を使用
しても、破裂飛散現象が起き、粒状シリコン原料中の水
素量は上記現象の本質的なものでないことを見知した。
シリコン中の水素含有量を７．５ppm 以下に低減すれば
シリコン融液上で発生する粒状シリコンの破裂飛散は防
止できることが開示されている。しかし、粒状シリコン
中の水素含有量が１ppm 以下と極めて微量な原料を使用
しても、破裂飛散現象が起き、粒状シリコン原料中の水
素量は上記現象の本質的なものでないことを見知した。
【０００９】上記の粒状シリコン破片は、時にはホット
ゾ−ンの上部まで飛んでいることがあり、当然シリコン
融液内にも落下しているものと予想され、この様な状況
下では、粒状シリコン破片が成長中の結晶に付着した
り、結晶付近のシリコン融液に落下し、転位が発生す
る。
ゾ−ンの上部まで飛んでいることがあり、当然シリコン
融液内にも落下しているものと予想され、この様な状況
下では、粒状シリコン破片が成長中の結晶に付着した
り、結晶付近のシリコン融液に落下し、転位が発生す
る。
【００１０】本発明の目的は、原料特性の異なる粒状シ
リコン原料を使用してＣＺ法によりシリコン単結晶を製
造するに当り、粒状シリコン原料の特性を選択すること
により、前述の粒状シリコン破片の発生数を低減し、粒
状シリコン破片によるシリコン単結晶の転位発生確率を
小さくし、もって大口径のシリコン単結晶の製造方法を
提供することにある。
リコン原料を使用してＣＺ法によりシリコン単結晶を製
造するに当り、粒状シリコン原料の特性を選択すること
により、前述の粒状シリコン破片の発生数を低減し、粒
状シリコン破片によるシリコン単結晶の転位発生確率を
小さくし、もって大口径のシリコン単結晶の製造方法を
提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前述した
知見に基づき、本発明の目的を達成するために粒状シリ
コン原料の物性を詳細に調査した結果、粒状シリコン原
料の機械的強度と粒状シリコン原料の破裂飛散現象が極
めてよく整理できることを知見した。
知見に基づき、本発明の目的を達成するために粒状シリ
コン原料の物性を詳細に調査した結果、粒状シリコン原
料の機械的強度と粒状シリコン原料の破裂飛散現象が極
めてよく整理できることを知見した。
【００１２】機械的強度として、破壊靱性値を採用し
た。この破壊靱性値は、ＡＳＴＭの平面ひずみ破壊靱性
試験法では、モ−ドＩの亀裂の進展開始条件に相当する
応力拡大係数ＫI の値として定義されＫICと名付けられ
ている。（物理学辞典）この破壊靱性値ＫICは粒状シリ
コン原料の断面を角錐ダイヤモンド圧子を用いて圧入し
たときにできる圧痕の対角線の延長方向に発生する４個
の亀裂長さから算出して求める。
た。この破壊靱性値は、ＡＳＴＭの平面ひずみ破壊靱性
試験法では、モ−ドＩの亀裂の進展開始条件に相当する
応力拡大係数ＫI の値として定義されＫICと名付けられ
ている。（物理学辞典）この破壊靱性値ＫICは粒状シリ
コン原料の断面を角錐ダイヤモンド圧子を用いて圧入し
たときにできる圧痕の対角線の延長方向に発生する４個
の亀裂長さから算出して求める。
【００１３】本発明者らは、この粒状シリコン原料の破
壊靱性値とシリコン単結晶の転位発生確率を調べた結
果、以下のことを発明したものである。本発明は、粒状
シリコン原料を連続的に供給しながらチョクラルスキ−
法によりシリコン単結晶を製造する方法において、上記
粒状シリコン原料を、機械的強度として破壊靱性値ＫIC
が１．５以上である原料を用いることを特徴とするシリ
コン単結晶の製造方法である。
壊靱性値とシリコン単結晶の転位発生確率を調べた結
果、以下のことを発明したものである。本発明は、粒状
シリコン原料を連続的に供給しながらチョクラルスキ−
法によりシリコン単結晶を製造する方法において、上記
粒状シリコン原料を、機械的強度として破壊靱性値ＫIC
が１．５以上である原料を用いることを特徴とするシリ
コン単結晶の製造方法である。
【００１４】
【作用】本発明のシリコン単結晶の製造方法は、後述す
る実施例に示す図１の粒状シリコン原料の破壊靱性値Ｋ
ICと無転位化率の関係グラフから破壊靱性値ＫICが、
１．５以上であればシリコン単結晶の無転位化率が７５
％以上になることが明らかになったものである。従って
本発明のシリコン単結晶の製造方法は、機械的強度とし
ての破壊靱性値ＫICが１．５以上である破壊靱性の高い
粒状シリコンを原料として用いたので、シリコン融液上
に粒状シリコン原料を供給した場合、シリコン融液上で
発生する粒状シリコンの破裂飛散現象は防止できる。こ
の破裂飛散現象防止により結晶成長中に転位が発生する
確率が激減し、安定した結晶成長が達成される。次に本
発明の実施例について述べる。
る実施例に示す図１の粒状シリコン原料の破壊靱性値Ｋ
ICと無転位化率の関係グラフから破壊靱性値ＫICが、
１．５以上であればシリコン単結晶の無転位化率が７５
％以上になることが明らかになったものである。従って
本発明のシリコン単結晶の製造方法は、機械的強度とし
ての破壊靱性値ＫICが１．５以上である破壊靱性の高い
粒状シリコンを原料として用いたので、シリコン融液上
に粒状シリコン原料を供給した場合、シリコン融液上で
発生する粒状シリコンの破裂飛散現象は防止できる。こ
の破裂飛散現象防止により結晶成長中に転位が発生する
確率が激減し、安定した結晶成長が達成される。次に本
発明の実施例について述べる。
【００１５】
【実施例】図２は、本発明の実施例において、直径６イ
ンチのシリコン単結晶を育成場合の装置を模式的に示し
た断面図である。
ンチのシリコン単結晶を育成場合の装置を模式的に示し
た断面図である。
【００１６】図において、１は直径２０インチの石英る
つぼで、ペデスタル４で支えられている黒鉛るつぼ２の
中にセットされている。ペデスタル４は炉外で電動モ−
タ−（図示せず）に結合されており、黒鉛るつぼ２に回
転運動（１０rpm ）を与える働きをする。３は黒鉛るつ
ぼ２を取り囲む電気抵抗加熱体（ヒーター）である。５
はシリコン単結晶で、６はこの電気抵抗加熱体３を取り
囲む断熱材からなるホットゾーンの保温部材で、７は石
英るつぼ１内に入れられたシリコン溶融原料液である。
これから柱状のシリコン単結晶５が回転（２０rpm ）し
ながら引き上げられる。雰囲気ガスは引き上げチャンバ
−内２０から炉内に導入され最終的に炉底の排出口１９
から減圧装置（図示せず）により排出される。炉内（チ
ャンバ−上蓋１６、及びチャンバ−胴１７内）の圧力は
０．０１〜０．０３気圧である。以上は通常のＣＺ法に
よるシリコン単結晶製造装置と基本的には同じである。
つぼで、ペデスタル４で支えられている黒鉛るつぼ２の
中にセットされている。ペデスタル４は炉外で電動モ−
タ−（図示せず）に結合されており、黒鉛るつぼ２に回
転運動（１０rpm ）を与える働きをする。３は黒鉛るつ
ぼ２を取り囲む電気抵抗加熱体（ヒーター）である。５
はシリコン単結晶で、６はこの電気抵抗加熱体３を取り
囲む断熱材からなるホットゾーンの保温部材で、７は石
英るつぼ１内に入れられたシリコン溶融原料液である。
これから柱状のシリコン単結晶５が回転（２０rpm ）し
ながら引き上げられる。雰囲気ガスは引き上げチャンバ
−内２０から炉内に導入され最終的に炉底の排出口１９
から減圧装置（図示せず）により排出される。炉内（チ
ャンバ−上蓋１６、及びチャンバ−胴１７内）の圧力は
０．０１〜０．０３気圧である。以上は通常のＣＺ法に
よるシリコン単結晶製造装置と基本的には同じである。
【００１７】８は石英るつぼ１内にこれと同心円的に配
設された高純度石英からなるリング状の仕切り部材で、
その直径は３５cmである。この仕切り部材８には小孔１
０が開けられており、原料溶解部１２の溶融原料はこの
小孔１０を通って単結晶育成部１３に流入する。この仕
切り部材８の下縁部は石英るつぼ１と予め融着されてい
るか、シリコン原料を溶融する際の熱により融着してお
り、原料溶解部１２の高温の溶融原料は、この小孔１０
のみを通り単結晶育成部１３に流入する。９は粒状ポリ
シリコン原料である。１４は原料供給管で、原料溶解部
１２の上部に開口を持っており、粒状シリコン原料１４
はこの原料供給管１４を通って原料溶解部１２に供給さ
れる。この原料供給管１４はチャンバー上蓋１６の外部
に設けた原料供給チャンバ−（図示せず）に連結されて
おり、粒状シリコン原料１４を連続的に供給する。１５
は保温カバ−であり、これらはチャンバー内に収容され
ており、板厚 0.2mmのタンタル板で構成され、これは仕
切り部材８及び原料溶解部１２からの熱の放散を抑制す
る。１７はチャンバ−胴でチャンバー上蓋１６とでチャ
ンバー本体を形成し、１９は排出口である。
設された高純度石英からなるリング状の仕切り部材で、
その直径は３５cmである。この仕切り部材８には小孔１
０が開けられており、原料溶解部１２の溶融原料はこの
小孔１０を通って単結晶育成部１３に流入する。この仕
切り部材８の下縁部は石英るつぼ１と予め融着されてい
るか、シリコン原料を溶融する際の熱により融着してお
り、原料溶解部１２の高温の溶融原料は、この小孔１０
のみを通り単結晶育成部１３に流入する。９は粒状ポリ
シリコン原料である。１４は原料供給管で、原料溶解部
１２の上部に開口を持っており、粒状シリコン原料１４
はこの原料供給管１４を通って原料溶解部１２に供給さ
れる。この原料供給管１４はチャンバー上蓋１６の外部
に設けた原料供給チャンバ−（図示せず）に連結されて
おり、粒状シリコン原料１４を連続的に供給する。１５
は保温カバ−であり、これらはチャンバー内に収容され
ており、板厚 0.2mmのタンタル板で構成され、これは仕
切り部材８及び原料溶解部１２からの熱の放散を抑制す
る。１７はチャンバ−胴でチャンバー上蓋１６とでチャ
ンバー本体を形成し、１９は排出口である。
【００１８】なお、本発明においては、図示しないが原
料溶解部１２及び単結晶育成部１３の温度を確実に制御
する制御手段、単結晶引上げ及び回転手段、るつぼ回転
手段、不活性ガスの供給及び排出手段を備えることは勿
論である。
料溶解部１２及び単結晶育成部１３の温度を確実に制御
する制御手段、単結晶引上げ及び回転手段、るつぼ回転
手段、不活性ガスの供給及び排出手段を備えることは勿
論である。
【００１９】次に、破壊靱性値は次のようにして求め
た。前述の如く、破壊靱性値ＫICは粒状シリコン原料の
断面を角錐ダイヤモンド圧子を用いて圧入したときにで
きる圧痕の対角線の延長方向に発生する４個の亀裂長さ
から算出して求めるもので、具体的には、圧痕の対角線
の長さを２ａ、圧痕の中央からの亀裂の長さをｃとし、
硬さをＨそしてヤング率をＥとするとＫICは以下のよう
に表わされる。 ＫIC＝０．０２８×ｃ-1.5×ａ2 （Ｅ・Ｈ）0.5
た。前述の如く、破壊靱性値ＫICは粒状シリコン原料の
断面を角錐ダイヤモンド圧子を用いて圧入したときにで
きる圧痕の対角線の延長方向に発生する４個の亀裂長さ
から算出して求めるもので、具体的には、圧痕の対角線
の長さを２ａ、圧痕の中央からの亀裂の長さをｃとし、
硬さをＨそしてヤング率をＥとするとＫICは以下のよう
に表わされる。 ＫIC＝０．０２８×ｃ-1.5×ａ2 （Ｅ・Ｈ）0.5
【００２０】［実施例１］粒状シリコン破片は、時には
ホットゾ−ンの上部まで飛んでいることがあり、当然シ
リコン融液内にも落下しているものと予想される。この
様な状況下では、粒状シリコン破片が成長中の結晶に付
着したり、結晶付近の融液に落下し、転位が発生するこ
とは十分に考えられる。
ホットゾ−ンの上部まで飛んでいることがあり、当然シ
リコン融液内にも落下しているものと予想される。この
様な状況下では、粒状シリコン破片が成長中の結晶に付
着したり、結晶付近の融液に落下し、転位が発生するこ
とは十分に考えられる。
【００２１】上記のように構成したシリコン単結晶製造
装置にて、シリコン単結晶の育成条件は直径６インチ、
ボデイ長さ１ｍで、また、引き上げ速度は１mm／min
で、粒状シリコン原料の供給速度は４５ｇ／min でシリ
コン単結晶の引上げを行った。
装置にて、シリコン単結晶の育成条件は直径６インチ、
ボデイ長さ１ｍで、また、引き上げ速度は１mm／min
で、粒状シリコン原料の供給速度は４５ｇ／min でシリ
コン単結晶の引上げを行った。
【００２２】引上げ後の装置内の粒状シリコン破片の残
留数と、シリコン単結晶の有転位化確率を調べ表１に示
す。表１は一回の引上げ実験で生じた粒状シリコン破片
残留数により計算される、原料供給量１ｋｇ当りの粒状
シリコン破片残留数とその時に転位が発生したか否かの
関係を示したものである。表１より、粒状ポリシリコン
破片の残留数が少ない実験４，５の場合、結晶の転位の
発生が無く、この結果、粒状ポリシリコン破片の残留数
とそのときの転位の発生との両者間には相関があること
が判る。即ち、表１より、粒状シリコン破片の残留数が
少ない場合、有転位化確率は明らかに低いことが判る。
留数と、シリコン単結晶の有転位化確率を調べ表１に示
す。表１は一回の引上げ実験で生じた粒状シリコン破片
残留数により計算される、原料供給量１ｋｇ当りの粒状
シリコン破片残留数とその時に転位が発生したか否かの
関係を示したものである。表１より、粒状ポリシリコン
破片の残留数が少ない実験４，５の場合、結晶の転位の
発生が無く、この結果、粒状ポリシリコン破片の残留数
とそのときの転位の発生との両者間には相関があること
が判る。即ち、表１より、粒状シリコン破片の残留数が
少ない場合、有転位化確率は明らかに低いことが判る。
【００２３】なお、本実施例において、粒状シリコン破
片の残留数というのは、上記のようにシリコン単結晶を
育成した後、装置内を開放し、装置内のホットゾ−ン部
分に付着したり、乗っている粒状ポリシリコン破片及び
装置内底部に溜まっている粒状シリコン破片を回収し、
その破片の残留数を指すものである。
片の残留数というのは、上記のようにシリコン単結晶を
育成した後、装置内を開放し、装置内のホットゾ−ン部
分に付着したり、乗っている粒状ポリシリコン破片及び
装置内底部に溜まっている粒状シリコン破片を回収し、
その破片の残留数を指すものである。
【００２４】
【表１】
【００２５】［実施例２］実施例１と同様な装置並びに
育成条件で、破壊靱性値の異なる４つの粒状シリコン原
料のケ−スについて４回ずつシリコン単結晶の引上げを
行った。
育成条件で、破壊靱性値の異なる４つの粒状シリコン原
料のケ−スについて４回ずつシリコン単結晶の引上げを
行った。
【００２６】無転位化率は各原料に対して４回の引き上
げを行い、直径６インチ、長さ１ｍ以上のインゴットが
引き上がった場合の無転位本数をカウントした。
げを行い、直径６インチ、長さ１ｍ以上のインゴットが
引き上がった場合の無転位本数をカウントした。
【００２７】図１に前記の破壊靱性値のＫIC値を横軸
に、縦軸に上記のようにして求めた無転位化率を示し
た。
に、縦軸に上記のようにして求めた無転位化率を示し
た。
【００２８】図１より、シリコン単結晶引上げ中に供給
する粒状シリコン原料の破壊靱性値ＫICが、１．５以上
であればシリコン単結晶の無転位化率が７５％以上にな
ることが明らかになった。本発明において用いる粒状シ
リコン原料は、モノシランまたはトリクロルシランのい
ずれの方法によるものでも適用でき、さらに、単結晶製
造装置は図２に限定されるものでは無く、粒状シリコン
原料を連続供給しながらシリコン単結晶を育成する装置
であれば良い。
する粒状シリコン原料の破壊靱性値ＫICが、１．５以上
であればシリコン単結晶の無転位化率が７５％以上にな
ることが明らかになった。本発明において用いる粒状シ
リコン原料は、モノシランまたはトリクロルシランのい
ずれの方法によるものでも適用でき、さらに、単結晶製
造装置は図２に限定されるものでは無く、粒状シリコン
原料を連続供給しながらシリコン単結晶を育成する装置
であれば良い。
【００２９】
【発明の効果】本発明では、連続的に粒状シリコン原料
を供給しながら結晶を育成するタイプのＣＺ法におい
て、供給する粒状シリコン原料について、粒状シリコン
原料の破壊靱性値ＫICを１．５以上にすることにより、
粒状シリコン破片の発生を抑制し、シリコン単結晶の有
転位化率を著しく低減させた。これは連続的に粒状ポリ
シリコン原料を供給しながら結晶を育成するタイプのＣ
Ｚ法の製造技術を確立するに当って効果が大である。
を供給しながら結晶を育成するタイプのＣＺ法におい
て、供給する粒状シリコン原料について、粒状シリコン
原料の破壊靱性値ＫICを１．５以上にすることにより、
粒状シリコン破片の発生を抑制し、シリコン単結晶の有
転位化率を著しく低減させた。これは連続的に粒状ポリ
シリコン原料を供給しながら結晶を育成するタイプのＣ
Ｚ法の製造技術を確立するに当って効果が大である。
【図１】粒状ポリシリコン原料の破壊靱性値ＫICと無転
位化率の関係を示す説明図。
位化率の関係を示す説明図。
【図２】本発明の実施例において用いた単結晶製造装置
の模式的断面図である。
の模式的断面図である。
１ 石英るつぼ、 ２ 黒鉛るつぼ、 ３ 電気抵抗加熱体（ヒ−タ）、 ４ ペディスタル、 ５ シリコン単結晶、 ６ 保温部材、 ７ 溶融原料、 ８ 仕切り部材、 ９ 粒状シリコン原料、 １０ 小孔、 １２ 原料溶解部、 １３ 単結晶育成部、 １４ 原料供給管、 １５ 保温カバ−、 １６ チャンバ−上蓋、 １７ チャンバ−胴、 １９ 排出口、 ２０ 引上げチャンバ−内、 ２１ シリコン融液。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中濱 泰光 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 粒状シリコン原料を連続的に供給しなが
らチョクラルスキ−法によりシリコン単結晶を製造する
方法において、 上記粒状シリコン原料の破壊靱性値ＫICが１．５以上で
ある原料を用いることを特徴とするシリコン単結晶の製
造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22138491A JPH0558769A (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | シリコン単結晶の製造方法 |
| DE19924207750 DE4207750A1 (de) | 1991-03-11 | 1992-03-11 | Verfahren zur herstellung von silizium - einkristallen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22138491A JPH0558769A (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | シリコン単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0558769A true JPH0558769A (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=16765934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22138491A Pending JPH0558769A (ja) | 1991-03-11 | 1991-09-02 | シリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0558769A (ja) |
-
1991
- 1991-09-02 JP JP22138491A patent/JPH0558769A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4813021B2 (ja) | ポリシリコンの製造方法 | |
| JP2010155762A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| US20100006022A1 (en) | Silica glass crucible and method for pulling up silicon single crystal using the same | |
| JP2004149324A (ja) | 多結晶シリコンロッド及びその製造方法、並びにそのロッドの製造に使用されるシリコン芯材 | |
| EP1897977B1 (en) | Method of growing silicon single crystal | |
| EP1895026B1 (en) | Method of growing silicon single crystal | |
| CN106715766B (zh) | 单晶硅的制造方法 | |
| WO2007000864A1 (ja) | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボおよびシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボの製造方法 | |
| JPH0558769A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JPH1149597A (ja) | シリコン単結晶引き上げ用石英るつぼ | |
| JP2531415B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
| US7871590B2 (en) | Mass of silicon solidified from molten state and process for producing the same | |
| JPH01282194A (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JPH05148073A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JPH0570281A (ja) | シリコン単結晶製造方法 | |
| JPH07277874A (ja) | シリコン単結晶の引上げ方法 | |
| US7442251B2 (en) | Method for producing silicon single crystals and silicon single crystal produced thereby | |
| US7473314B2 (en) | Method for growing silicon single crystal | |
| JPH09278581A (ja) | 単結晶製造装置および単結晶製造方法 | |
| JP2595693B2 (ja) | 半導体単結晶育成装置 | |
| JP2002128593A (ja) | シリコンウェーハの製造方法及びその方法により製造されたシリコンウェーハ | |
| CN116783333A (zh) | 在单晶硅锭生长期间使用缓冲剂 | |
| JP2005289751A (ja) | シリコン単結晶の引上方法 | |
| JPH0550478B2 (ja) | ||
| JP2007176717A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 |