JPH0559540A - スパツタリングカソード - Google Patents
スパツタリングカソードInfo
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- JPH0559540A JPH0559540A JP24498291A JP24498291A JPH0559540A JP H0559540 A JPH0559540 A JP H0559540A JP 24498291 A JP24498291 A JP 24498291A JP 24498291 A JP24498291 A JP 24498291A JP H0559540 A JPH0559540 A JP H0559540A
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- back plate
- recess
- sputtering cathode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ボンディングを不要とした構造のスパッタリ
ングカソードを提供することを目的としている。 【構成】 裏板１の外側面内に凹部５が形成してある。
凹部５を覆うようにしたターゲット材２は、裏板１の外
周縁段部６に設置した押えリング８で、締付け固定され
ている。ターゲット材２は、外周縁段部６と接する部分
を支点として凹部５側に変形する力を受けて、裏板１の
対向面と互いに当接している。凹部５は断面が弧状に湾
曲した凹部としたり、断面矩形の凹部とする。ターゲッ
ト材２と裏板１の間に可撓性伝熱シート材を介在させて
も良い。
ングカソードを提供することを目的としている。 【構成】 裏板１の外側面内に凹部５が形成してある。
凹部５を覆うようにしたターゲット材２は、裏板１の外
周縁段部６に設置した押えリング８で、締付け固定され
ている。ターゲット材２は、外周縁段部６と接する部分
を支点として凹部５側に変形する力を受けて、裏板１の
対向面と互いに当接している。凹部５は断面が弧状に湾
曲した凹部としたり、断面矩形の凹部とする。ターゲッ
ト材２と裏板１の間に可撓性伝熱シート材を介在させて
も良い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ターゲット材を裏板
へボンディングすることなく取付けたスパッタリングカ
ソードに関する。
へボンディングすることなく取付けたスパッタリングカ
ソードに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、スパッタリングにより薄膜を形成
する場合に使用するスパッタリングカソードは、図５に
示したように、冷却水で冷却される裏板（熱伝導の良い
銅板などで構成されている）２１の外側面に、スパッタ
を受けるターゲット材２２を設けて構成されている。
する場合に使用するスパッタリングカソードは、図５に
示したように、冷却水で冷却される裏板（熱伝導の良い
銅板などで構成されている）２１の外側面に、スパッタ
を受けるターゲット材２２を設けて構成されている。
【０００３】前記ターゲット材２２は、スパッタリング
時に流入するイオン電流による温度上昇を抑えるため
に、裏板２１に対して、Ｉｎ、Ｉｎ−Ｓｎ、Ｓｎ、Ｐｂ
或いは合成樹脂等の伝熱材を用いたボンディング材２３
により固着していた。２４はターゲットシールドであ
る。
時に流入するイオン電流による温度上昇を抑えるため
に、裏板２１に対して、Ｉｎ、Ｉｎ−Ｓｎ、Ｓｎ、Ｐｂ
或いは合成樹脂等の伝熱材を用いたボンディング材２３
により固着していた。２４はターゲットシールドであ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ボンディングによって
ターゲット材を裏板へ固着した従来のスパッタリングカ
ソードは、スパッタリング時におけるターゲット材の過
度の温度上昇を抑える目的を達成できるものであった
が、ボンディングのために時間を要し（通常１〜２週間
を要している）、また、ボンディングによるコストアッ
プの問題があった。更には、ボンディングの不良や、何
らかのトラブルによる冷却水の停止、スパッタパワーの
上げすぎによって、ターゲット材の剥離が使用中に起る
可能性があり、このような事故の発生によって、スパッ
タリング装置の運転中止を招き、また、ターゲット材の
交換、裏板の着脱のため、リークチェックも必要となる
など、量産装置の稼動率を低下させる問題もあった。
ターゲット材を裏板へ固着した従来のスパッタリングカ
ソードは、スパッタリング時におけるターゲット材の過
度の温度上昇を抑える目的を達成できるものであった
が、ボンディングのために時間を要し（通常１〜２週間
を要している）、また、ボンディングによるコストアッ
プの問題があった。更には、ボンディングの不良や、何
らかのトラブルによる冷却水の停止、スパッタパワーの
上げすぎによって、ターゲット材の剥離が使用中に起る
可能性があり、このような事故の発生によって、スパッ
タリング装置の運転中止を招き、また、ターゲット材の
交換、裏板の着脱のため、リークチェックも必要となる
など、量産装置の稼動率を低下させる問題もあった。
【０００５】
【課題を解決する為の手段】この発明は前記のような問
題点に鑑みてなされたもので、ボンディングを不要とし
た構造のスパッタリングカソードを提供することを目的
としている。
題点に鑑みてなされたもので、ボンディングを不要とし
た構造のスパッタリングカソードを提供することを目的
としている。
【０００６】前記目的を達成するこの発明のスパッタリ
ングカソードは、冷却水で冷却される裏板の外側面にタ
ーゲット材を設けてなるスパッタリングカソードにおい
て、前記裏板の外側面内に凹部が形成してあり、前記タ
ーゲット材が凹部を覆うように設置され、かつターゲッ
ト材が、前記凹部の外周縁段部と接する部分を支点とし
て、凹部側に変形する力を受けて、締付け固定され、タ
ーゲット材と裏板の対向面が互いに当接していることを
特徴としている。
ングカソードは、冷却水で冷却される裏板の外側面にタ
ーゲット材を設けてなるスパッタリングカソードにおい
て、前記裏板の外側面内に凹部が形成してあり、前記タ
ーゲット材が凹部を覆うように設置され、かつターゲッ
ト材が、前記凹部の外周縁段部と接する部分を支点とし
て、凹部側に変形する力を受けて、締付け固定され、タ
ーゲット材と裏板の対向面が互いに当接していることを
特徴としている。
【０００７】前記凹部は、断面が弧状に湾曲した凹部
や、断面が矩形の凹部で構成する。凹部の表面とターゲ
ット材は、可能なかぎり広い面積で当接するのが望まし
いのは言うまでもなく、対向面間に隙間が生じないよう
に、可撓性伝熱シート材（例えばＩｎ、Ａｌ等の熱伝導
率の高い金属シートまたは金属メッシュ、合成樹脂シー
ト等）を介在させても良い。凹部を断面矩形の凹部とし
た場合には、この可撓性伝熱シート材を介在させるのが
望ましい。
や、断面が矩形の凹部で構成する。凹部の表面とターゲ
ット材は、可能なかぎり広い面積で当接するのが望まし
いのは言うまでもなく、対向面間に隙間が生じないよう
に、可撓性伝熱シート材（例えばＩｎ、Ａｌ等の熱伝導
率の高い金属シートまたは金属メッシュ、合成樹脂シー
ト等）を介在させても良い。凹部を断面矩形の凹部とし
た場合には、この可撓性伝熱シート材を介在させるのが
望ましい。
【０００８】ターゲット材に凹部側へ変形する力を与え
るためには、裏板の周縁部に設置した押えリング（ＳＵ
Ｓ、Ａｌ製等の）を介してターゲット材を締付け固定す
ることによって行うことができる。
るためには、裏板の周縁部に設置した押えリング（ＳＵ
Ｓ、Ａｌ製等の）を介してターゲット材を締付け固定す
ることによって行うことができる。
【０００９】裏板の凹部における、ターゲット材と対向
する面の厚さは、冷却水の圧力（通常２〜３Kgf ）を受
けた時にターゲット材側にわずかに凸に変形できる厚さ
とするのが望ましい。この厚さは、裏板の材質や大きさ
を考慮して決定されるものであるが、銅製の裏板の場
合、ターゲット材の直径の２〜４％程度の厚さにするこ
とで変形可能とすることができた。
する面の厚さは、冷却水の圧力（通常２〜３Kgf ）を受
けた時にターゲット材側にわずかに凸に変形できる厚さ
とするのが望ましい。この厚さは、裏板の材質や大きさ
を考慮して決定されるものであるが、銅製の裏板の場
合、ターゲット材の直径の２〜４％程度の厚さにするこ
とで変形可能とすることができた。
【００１０】
【作用】この発明のスパッタリングカソードによれば、
ボンディングによることなく、ターゲット材を裏板に取
付けることができる。
ボンディングによることなく、ターゲット材を裏板に取
付けることができる。
【００１１】スパッタリングを実行し、ターゲット材が
イオン衝撃を受けて昇温すると、ターゲット材は熱膨脹
係数によって伸びを生じる。この伸びは、締付け固定に
よってターゲット材に与えた変形力を助長するように作
用するので、ターゲット材と裏板の面接触圧力が高ま
り、当接面における伝熱効率をさらに向上することがで
きる。 裏板の凹部の、ターゲット材と対向する面の厚
さを、冷却水の圧力を受けてターゲット材側へ変形可能
の厚さとした場合には、水圧を受けた変形によって、タ
ーゲット材と裏板の面接触圧力をさらに高くすることが
できるので、当接面の伝熱効率を一層向上することがで
きる。
イオン衝撃を受けて昇温すると、ターゲット材は熱膨脹
係数によって伸びを生じる。この伸びは、締付け固定に
よってターゲット材に与えた変形力を助長するように作
用するので、ターゲット材と裏板の面接触圧力が高ま
り、当接面における伝熱効率をさらに向上することがで
きる。 裏板の凹部の、ターゲット材と対向する面の厚
さを、冷却水の圧力を受けてターゲット材側へ変形可能
の厚さとした場合には、水圧を受けた変形によって、タ
ーゲット材と裏板の面接触圧力をさらに高くすることが
できるので、当接面の伝熱効率を一層向上することがで
きる。
【００１２】
【実施例】以下この発明の実施例を図を参照して説明す
る。
る。
【００１３】図１ (a)、(b) は第１実施例で、６インチ
ターゲット用のスパッタリングカソードで、銅製の円盤
状の裏板１（例えば直径２００mm、厚さ６mm）と、円盤
状のターゲット材（例えば、クロム、アルミニウム等、
直径１７０mm、厚さ８mm）２とで構成されている。裏板
１は、スパッタリングカソードを支持する基体３にネジ
止めなどにより固着されるもので、基体３側に構成した
冷却水循環路４を流れる冷却水で冷却されるようになっ
ている。また、裏板１の外側面１ａの中央部には、図１
(b)に示したように、断面を弧状に湾曲させた形状の凹
部５（直径１６５mm、深さ Max０．５mm）が形成してあ
ると共に、凹部５の外周縁段部６には、複数のネジ７、
７を介して押えリング８が設置してある。押えリング８
はＳＵＳ、Ａｌ等で作られており、その内径は６インチ
より多少大きい径となるようにしてある。
ターゲット用のスパッタリングカソードで、銅製の円盤
状の裏板１（例えば直径２００mm、厚さ６mm）と、円盤
状のターゲット材（例えば、クロム、アルミニウム等、
直径１７０mm、厚さ８mm）２とで構成されている。裏板
１は、スパッタリングカソードを支持する基体３にネジ
止めなどにより固着されるもので、基体３側に構成した
冷却水循環路４を流れる冷却水で冷却されるようになっ
ている。また、裏板１の外側面１ａの中央部には、図１
(b)に示したように、断面を弧状に湾曲させた形状の凹
部５（直径１６５mm、深さ Max０．５mm）が形成してあ
ると共に、凹部５の外周縁段部６には、複数のネジ７、
７を介して押えリング８が設置してある。押えリング８
はＳＵＳ、Ａｌ等で作られており、その内径は６インチ
より多少大きい径となるようにしてある。
【００１４】前記凹部５の径は、ターゲット材２の径よ
り小さい径としてあると共に、前記押えリング８のター
ゲット押え８ａは、前記外周縁段部６より内側に臨ませ
てあり、ネジ７、７を緊締することによって、ターゲッ
ト材２は、外周縁段部６と接する部分を支点として、タ
ーゲット材２の中心側が凹部５側に凹入変形する締付力
を受けて固定され、凹入変形によって、ターゲット材２
の下面２ａが凹部５の上面５ａと互いに当接している。
り小さい径としてあると共に、前記押えリング８のター
ゲット押え８ａは、前記外周縁段部６より内側に臨ませ
てあり、ネジ７、７を緊締することによって、ターゲッ
ト材２は、外周縁段部６と接する部分を支点として、タ
ーゲット材２の中心側が凹部５側に凹入変形する締付力
を受けて固定され、凹入変形によって、ターゲット材２
の下面２ａが凹部５の上面５ａと互いに当接している。
【００１５】上記実施例のスパッタリングカソードは、
薄膜形成装置（スパッタリング装置）の真空室内に、薄
膜を形成すべき基板とターゲット材２が対向するように
設置して使用される。スパッタリングを行うには、ター
ゲット材２側に直流（負）電圧を印加したり、スパッタ
リングカソードと基板間に高周波電力を投入して行い、
この時、冷却水循環路４には冷却水を循環させて、ター
ゲット材２を冷却する。 スパッタリングカソードと基
板間に放電が形成されて、イオンがターゲット材２に入
射してスパッタリングが開始すると、裏板１を介して冷
却されているターゲット材は約３０〜８０℃の温度で平
衡状態となる。
薄膜形成装置（スパッタリング装置）の真空室内に、薄
膜を形成すべき基板とターゲット材２が対向するように
設置して使用される。スパッタリングを行うには、ター
ゲット材２側に直流（負）電圧を印加したり、スパッタ
リングカソードと基板間に高周波電力を投入して行い、
この時、冷却水循環路４には冷却水を循環させて、ター
ゲット材２を冷却する。 スパッタリングカソードと基
板間に放電が形成されて、イオンがターゲット材２に入
射してスパッタリングが開始すると、裏板１を介して冷
却されているターゲット材は約３０〜８０℃の温度で平
衡状態となる。
【００１６】ターゲット材２が前記のように昇温する
と、熱膨脹係数によって伸びを生じるが、ターゲット材
２は押えリング８で下向き（凹部５へ向けて）の力を受
けているので、凹部５側へ更に突出するように変形する
ことになり、凹部５の上面５ａとの当接圧力が増大し
て、ターゲット材２と裏板１の間の伝熱効率を向上す
る。
と、熱膨脹係数によって伸びを生じるが、ターゲット材
２は押えリング８で下向き（凹部５へ向けて）の力を受
けているので、凹部５側へ更に突出するように変形する
ことになり、凹部５の上面５ａとの当接圧力が増大し
て、ターゲット材２と裏板１の間の伝熱効率を向上す
る。
【００１７】実験で求めた冷却効率の一例を次に説明す
る。
る。
【００１８】冷却水に逃げる熱量Ｐ2 は、 Ｐ2 ＝４．２×（ｔ2 −ｔ1 ）×Ｑ［Ｗ］ (1) である。ｔ1 は冷却水の入口側温度、ｔ2 は冷却水の出
口側温度、Ｑは冷却水の流量である。
口側温度、Ｑは冷却水の流量である。
【００１９】また、冷却効率Ｒは、 Ｒ＝Ｐ2 ／Ｐ1 ×１００［％］ (2) である。Ｐ1 は放電の為に投入した電力である。実験で
はＰ1＝１．８kw、Ｑ＝３．６l/min 、ｔ1 ＝２３．２
℃、ｔ2 ＝２９．８℃であったので、これらを式(1) 、
(2) に代入すると、Ｐ2 ＝１．６６３ＫＷ、Ｒ＝９２．
４％となり、ターゲット材２が十分冷却されていること
が確認できた。従来のボンディングターゲットではター
ゲット材の温度は約６０℃であり、冷却効率は前記とほ
ぼ同等である。
はＰ1＝１．８kw、Ｑ＝３．６l/min 、ｔ1 ＝２３．２
℃、ｔ2 ＝２９．８℃であったので、これらを式(1) 、
(2) に代入すると、Ｐ2 ＝１．６６３ＫＷ、Ｒ＝９２．
４％となり、ターゲット材２が十分冷却されていること
が確認できた。従来のボンディングターゲットではター
ゲット材の温度は約６０℃であり、冷却効率は前記とほ
ぼ同等である。
【００２０】前記の実施例において、裏板１の凹部５の
底部、即ちターゲット材２と当接する部分９を薄くし
（およそターゲット材２の径の２〜６％前後とする）、
この部分９が冷却水の圧力で変形可能とすれば、冷却水
の循環によって前記部分９はターゲット材２側約０．１
〜０．３mmに突出するように変形する力を受ける。従っ
て、ターゲット材２と裏板１が当接する圧力が更に増大
し、伝熱効率を一層向上することができる。 図２はこ
の発明の第２実施例のスパッタリングカソードである。
裏板１およびターゲット材２は、前記実施例と同様で、
裏板１の外側面に形成した凹部１０が断面矩形の凹部１
０とした点で異なっている。凹部１０には、可撓性伝熱
シート材１１（インジウム、アルミニウム等のシートま
たはメッシュ、合成樹脂シート等が採用できる）が敷設
してあり、押えリング８で締め付けられたターゲット材
２が裏板１に対して隙間無く当接できるようにしてあ
る。
底部、即ちターゲット材２と当接する部分９を薄くし
（およそターゲット材２の径の２〜６％前後とする）、
この部分９が冷却水の圧力で変形可能とすれば、冷却水
の循環によって前記部分９はターゲット材２側約０．１
〜０．３mmに突出するように変形する力を受ける。従っ
て、ターゲット材２と裏板１が当接する圧力が更に増大
し、伝熱効率を一層向上することができる。 図２はこ
の発明の第２実施例のスパッタリングカソードである。
裏板１およびターゲット材２は、前記実施例と同様で、
裏板１の外側面に形成した凹部１０が断面矩形の凹部１
０とした点で異なっている。凹部１０には、可撓性伝熱
シート材１１（インジウム、アルミニウム等のシートま
たはメッシュ、合成樹脂シート等が採用できる）が敷設
してあり、押えリング８で締め付けられたターゲット材
２が裏板１に対して隙間無く当接できるようにしてあ
る。
【００２１】この実施例も前記実施例と同様で、イオン
の入射によって、ターゲット材２が温度上昇し，伸長す
るとターゲット材２と裏板１の当接圧力が向上し、伝熱
効率を向上することが可能である。
の入射によって、ターゲット材２が温度上昇し，伸長す
るとターゲット材２と裏板１の当接圧力が向上し、伝熱
効率を向上することが可能である。
【００２２】マグネトロンスパッタリングにおけるスパ
ッタリングカソードのように、ターゲット材の表面に形
成した磁界の影響を受けて、ターゲット材の表面に環状
のエロージョンプロファイルが形成されるものがある
（勿論、スパッタリングを長時間に亘って行った場合で
ある）。
ッタリングカソードのように、ターゲット材の表面に形
成した磁界の影響を受けて、ターゲット材の表面に環状
のエロージョンプロファイルが形成されるものがある
（勿論、スパッタリングを長時間に亘って行った場合で
ある）。
【００２３】このようなエロージョンプロファイルの形
成を考慮した実施例が図３のスパッタリングカソードで
ある。図中１２が裏板、１３がターゲット材、１４がエ
ロージョンプロファイル、１５が磁界形成用マグネット
である。尚、エロージョンプロファイルは磁界の印加状
況によって、２重、３重の環状に変化するが、図はこれ
らのエロージョンをまとめて、エロージョンの傾向とし
て示している。
成を考慮した実施例が図３のスパッタリングカソードで
ある。図中１２が裏板、１３がターゲット材、１４がエ
ロージョンプロファイル、１５が磁界形成用マグネット
である。尚、エロージョンプロファイルは磁界の印加状
況によって、２重、３重の環状に変化するが、図はこれ
らのエロージョンをまとめて、エロージョンの傾向とし
て示している。
【００２４】前記裏板１２の外側面１２ａには、断面矩
形とした凹部１６が環状に形成してあり、ターゲット材
１３は、中心部分が裏板１２に止めネジ１７で固定され
ていると共に、裏板１２の外周縁段部１８に設置した押
えリング１９を介して、締付け固定してあり、ターゲッ
ト材１３には凹部１６に凹入変形する力が与えてある。
また、凹部１６内には環状の可撓性伝熱シート材２０が
敷設してあり、ターゲット材１３と裏板１２間に隙間が
生じないようにしてある。尚，ターゲット材１３の中心
部分は磁界が垂直で、スパッタリングを受けず、スパッ
タ膜が堆積するので、止めネジ１７の設置が可能であ
る。また押えリング１９の内径は、エロージョンの最大
径より大きくする必要があり、ターゲット材１３は大き
な直径とする必要がある。
形とした凹部１６が環状に形成してあり、ターゲット材
１３は、中心部分が裏板１２に止めネジ１７で固定され
ていると共に、裏板１２の外周縁段部１８に設置した押
えリング１９を介して、締付け固定してあり、ターゲッ
ト材１３には凹部１６に凹入変形する力が与えてある。
また、凹部１６内には環状の可撓性伝熱シート材２０が
敷設してあり、ターゲット材１３と裏板１２間に隙間が
生じないようにしてある。尚，ターゲット材１３の中心
部分は磁界が垂直で、スパッタリングを受けず、スパッ
タ膜が堆積するので、止めネジ１７の設置が可能であ
る。また押えリング１９の内径は、エロージョンの最大
径より大きくする必要があり、ターゲット材１３は大き
な直径とする必要がある。
【００２５】この実施例も、ターゲット材１３が昇温し
て膨脹すると、凹部１６側に凹入変形する力が増大し、
裏板１２との当接圧力が増すので、伝熱効率を向上する
ことができる。スパッタリングによるターゲット材１３
の表面に形成されるエロージョンが進行すると、押えリ
ング１９の締付力による、ターゲット材１３の中心部を
押える力が弱くなるが、中心部は止めネジ１７で裏板１
２の中心部に固定した構造であるので、伝熱効率が低下
するおそれを無くすることができる。
て膨脹すると、凹部１６側に凹入変形する力が増大し、
裏板１２との当接圧力が増すので、伝熱効率を向上する
ことができる。スパッタリングによるターゲット材１３
の表面に形成されるエロージョンが進行すると、押えリ
ング１９の締付力による、ターゲット材１３の中心部を
押える力が弱くなるが、中心部は止めネジ１７で裏板１
２の中心部に固定した構造であるので、伝熱効率が低下
するおそれを無くすることができる。
【００２６】図４は図３に示した実施例における各種の
データで、(a) はエロージョンプロファイル、(b) は積
算電力とエロージョン深さの関係のグラフである。
データで、(a) はエロージョンプロファイル、(b) は積
算電力とエロージョン深さの関係のグラフである。
【００２７】以上、実施例について説明したが、種々の
径のターゲット材（例えば３〜１２インチ）や矩形のタ
ーゲット材に同様に実施することができる。
径のターゲット材（例えば３〜１２インチ）や矩形のタ
ーゲット材に同様に実施することができる。
【００２８】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、ターゲット材のボンディングを不要としたスパッタ
リングカソードを提供できる効果がある。従来必要とし
ていたボンディングの為の時間と費用を節約できる効果
がある。また、ターゲット材は、裏板と独立に交換する
ことが可能であるので、スパッタリング装置の保守管理
を容易にできると共に、裏板の着脱が不要なので、装置
内への水もれを無くし、かつリークテストを不要とでき
るなどの効果がある。
ば、ターゲット材のボンディングを不要としたスパッタ
リングカソードを提供できる効果がある。従来必要とし
ていたボンディングの為の時間と費用を節約できる効果
がある。また、ターゲット材は、裏板と独立に交換する
ことが可能であるので、スパッタリング装置の保守管理
を容易にできると共に、裏板の着脱が不要なので、装置
内への水もれを無くし、かつリークテストを不要とでき
るなどの効果がある。
【図１】この発明の第１実施例の図で、(a) は要部断面
図、(b) は裏板の形状を示す断面図である。
図、(b) は裏板の形状を示す断面図である。
【図２】この発明の第２実施例の要部断面図である。
【図３】この発明の第３実施例の要部断面図である。
【図４】第３実施例のランニングデータを示すグラフ
で、(a) はエロージョンプロファイル、(b) は精算電力
とエロージョン深さの関係のグラフである。
で、(a) はエロージョンプロファイル、(b) は精算電力
とエロージョン深さの関係のグラフである。
【図５】従来のスパッタリングカソードの要部断面図で
ある。
ある。
１、１２、２１ 裏板 ２、１３、２２ ターゲット材 ４ 冷却水循環路 ５、１０、１６ 凹部 ６、１８ 外周縁段部 ８、１９ 押えリング ２３ ボンディング材 ２４ ターゲットシールド
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年２月１４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】 ターゲット材に凹部側へ変形する力を与
えるためには、裏板の周縁部に設置した押えリング（Ｓ
ＵＳ、Ａｌ製等或いはターゲット材と同材料の）を介し
てターゲット材を締付け固定することによって行うこと
ができる。
えるためには、裏板の周縁部に設置した押えリング（Ｓ
ＵＳ、Ａｌ製等或いはターゲット材と同材料の）を介し
てターゲット材を締付け固定することによって行うこと
ができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】 裏板の凹部における、ターゲット材と対
向する面の厚さは、冷却水の圧力（通常２〜４Kgf ）を
受けた時にターゲット材側にわずかに凸に変形できる厚
さとするのが望ましい。この厚さは、裏板の材質や大き
さを考慮して決定されるものであるが、銅製の裏板の場
合、ターゲット材の直径の２〜４％程度の厚さにするこ
とで変形可能とすることができた。
向する面の厚さは、冷却水の圧力（通常２〜４Kgf ）を
受けた時にターゲット材側にわずかに凸に変形できる厚
さとするのが望ましい。この厚さは、裏板の材質や大き
さを考慮して決定されるものであるが、銅製の裏板の場
合、ターゲット材の直径の２〜４％程度の厚さにするこ
とで変形可能とすることができた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】 図１ (a)、(b) は第１実施例で、６イン
チターゲット用のスパッタリングカソードで、銅製の円
盤状の裏板１（例えば直径２００mm、厚さ６mm）と、円
盤状のターゲット材（例えば、クロム、アルミニウム
等、直径１７０mm、厚さ８mm）２とで構成されている。
裏板１は、スパッタリングカソードを支持する基体３に
ネジ止めなどにより固着されるもので、基体３側に構成
した冷却水循環路４を流れる冷却水で冷却されるように
なっている。また、裏板１の外側面１ａの中央部には、
図１ (b)に示したように、断面を弧状に湾曲させた形状
の凹部５（直径１６５mm、深さ Max０．５mm）が形成し
てあると共に、凹部５の外周縁段部６には、複数のネジ
７、７を介して押えリング８が設置してある。押えリン
グ８はＳＵＳ、Ａｌ等或いはターゲット材と同材料で作
られており、その内径は６インチより多少大きい径とな
るようにしてある。
チターゲット用のスパッタリングカソードで、銅製の円
盤状の裏板１（例えば直径２００mm、厚さ６mm）と、円
盤状のターゲット材（例えば、クロム、アルミニウム
等、直径１７０mm、厚さ８mm）２とで構成されている。
裏板１は、スパッタリングカソードを支持する基体３に
ネジ止めなどにより固着されるもので、基体３側に構成
した冷却水循環路４を流れる冷却水で冷却されるように
なっている。また、裏板１の外側面１ａの中央部には、
図１ (b)に示したように、断面を弧状に湾曲させた形状
の凹部５（直径１６５mm、深さ Max０．５mm）が形成し
てあると共に、凹部５の外周縁段部６には、複数のネジ
７、７を介して押えリング８が設置してある。押えリン
グ８はＳＵＳ、Ａｌ等或いはターゲット材と同材料で作
られており、その内径は６インチより多少大きい径とな
るようにしてある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】 第３実施例のランニングデータを示すグラフ
で、(a) はエロージョンプロファイル、(b) は積算電力
とエロージョン深さの関係のグラフである。
で、(a) はエロージョンプロファイル、(b) は積算電力
とエロージョン深さの関係のグラフである。
Claims (6)
- 【請求項１】 冷却水で冷却される裏板の外側面にター
ゲット材を設けてなるスパッタリングカソードにおい
て、前記裏板の外側面内に凹部が形成してあり、前記タ
ーゲット材が凹部を覆うように設置され、かつターゲッ
ト材が、前記凹部の外周縁段部と接する部分を支点とし
て、凹部側に変形する力を受けて、締付け固定され、タ
ーゲット材と裏板の対向面が互いに当接していることを
特徴とするスパッタリングカソード。 - 【請求項２】 凹部は、断面が弧状に湾曲した凹部とし
た請求項１記載のスパッタリングカソード。 - 【請求項３】 凹部は、断面が矩形の凹部とした請求項
１記載のスパッタリングカソード。 - 【請求項４】 凹部の表面とターゲット材は、可撓性伝
熱シート材を介して当接している請求項１乃至３の何れ
か１項記載のスパッタリングカソード。 - 【請求項５】 ターゲット材は、裏板の周縁部に設置し
た押えリングを介して裏板に締付け固定されている請求
項１記載のスパッタリングカソード。 - 【請求項６】 裏板の凹部は、ターゲット材と対向する
面が、冷却水の圧力を受けて、ターゲット材側へ変形可
能の厚さで形成してある請求項１記載のスパッタリング
カソード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24498291A JP3498291B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | スパッタリングカソード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24498291A JP3498291B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | スパッタリングカソード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0559540A true JPH0559540A (ja) | 1993-03-09 |
| JP3498291B2 JP3498291B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=17126837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24498291A Expired - Fee Related JP3498291B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | スパッタリングカソード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3498291B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5474667A (en) * | 1994-02-22 | 1995-12-12 | Materials Research Corporation | Reduced stress sputtering target and method of manufacturing therefor |
| JP2012241239A (ja) * | 2011-05-20 | 2012-12-10 | Ulvac Japan Ltd | バッキングプレート、ターゲット装置及びスパッタリング装置 |
| JP2016003388A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 板状部材の固定機構、ｐｖｄ処理装置及び板状部材の固定方法 |
| US20180044778A1 (en) * | 2015-03-02 | 2018-02-15 | Tosoh Smd, Inc. | Sputtering target having reverse bowng target geometry |
| CN112063977A (zh) * | 2020-09-18 | 2020-12-11 | 长沙神弧离子镀膜有限公司 | 高钪铝钪合金靶及其靶材绑定方法 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP24498291A patent/JP3498291B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5474667A (en) * | 1994-02-22 | 1995-12-12 | Materials Research Corporation | Reduced stress sputtering target and method of manufacturing therefor |
| JP2012241239A (ja) * | 2011-05-20 | 2012-12-10 | Ulvac Japan Ltd | バッキングプレート、ターゲット装置及びスパッタリング装置 |
| JP2016003388A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 板状部材の固定機構、ｐｖｄ処理装置及び板状部材の固定方法 |
| US20180044778A1 (en) * | 2015-03-02 | 2018-02-15 | Tosoh Smd, Inc. | Sputtering target having reverse bowng target geometry |
| CN112063977A (zh) * | 2020-09-18 | 2020-12-11 | 长沙神弧离子镀膜有限公司 | 高钪铝钪合金靶及其靶材绑定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3498291B2 (ja) | 2004-02-16 |
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