JPH0559554A - 金属ハロゲン化ガスの生成方法及び成膜方法並びに成膜装置 - Google Patents
金属ハロゲン化ガスの生成方法及び成膜方法並びに成膜装置Info
- Publication number
- JPH0559554A JPH0559554A JP21838591A JP21838591A JPH0559554A JP H0559554 A JPH0559554 A JP H0559554A JP 21838591 A JP21838591 A JP 21838591A JP 21838591 A JP21838591 A JP 21838591A JP H0559554 A JPH0559554 A JP H0559554A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas
- evaporation source
- reaction chamber
- metal oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】所望する金属ハロゲン化ガスを安価に、かつ、
容易に生成することができるハロゲンガスの生成方法を
提供するとともに、この方法を用いて安価、かつ、容易
に金属酸化物膜を生成することができる成膜方法及び成
膜装置を提供する。 【構成】金属酸化物および炭素からなる蒸発源７１を内
部に収容した反応室３１内に、ハロゲン含有ガスを導入
するとともに、ヒータにより蒸発源３１を所定温度に加
熱し、ハロゲン含有ガスと蒸発源７１とを反応させて金
属ハロゲン化ガスを生成する。
容易に生成することができるハロゲンガスの生成方法を
提供するとともに、この方法を用いて安価、かつ、容易
に金属酸化物膜を生成することができる成膜方法及び成
膜装置を提供する。 【構成】金属酸化物および炭素からなる蒸発源７１を内
部に収容した反応室３１内に、ハロゲン含有ガスを導入
するとともに、ヒータにより蒸発源３１を所定温度に加
熱し、ハロゲン含有ガスと蒸発源７１とを反応させて金
属ハロゲン化ガスを生成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属ハロゲン化ガスの
生成方法及びこの金属ハロゲン化ガスの生成方法を用い
た成膜方法並びにこの成膜方法に直接使用する成膜装置
に関するものである。
生成方法及びこの金属ハロゲン化ガスの生成方法を用い
た成膜方法並びにこの成膜方法に直接使用する成膜装置
に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、被成膜体に金属酸化物膜を生成する
装置としては、例えば、特開昭５９−９８７２６号公報
等に開示されるような成膜装置が知られている。
装置としては、例えば、特開昭５９−９８７２６号公報
等に開示されるような成膜装置が知られている。
【０００３】図５は、このような成膜装置を示すもの
で、符合１１は、膜を生成するための容器である円筒状
の水冷ジャケットを示している。この水冷ジャケット１
１の内部、即ち、反応室１３内には、雰囲気温度の均一
化を図るため円筒状のグラファイトインナーケース１５
が収容され、このグラファイトインナーケース１５と水
冷ジャケット１１との間には、反応室１３を加熱するた
めのカーボンからなるヒータ１７が装備されている。グ
ラファイトインナーケース１５は複数のケース片を連結
して形成されている。また、反応室１３のグラファイト
インナーケース１５内には、膜が生成される被成膜体１
９が収容されている。
で、符合１１は、膜を生成するための容器である円筒状
の水冷ジャケットを示している。この水冷ジャケット１
１の内部、即ち、反応室１３内には、雰囲気温度の均一
化を図るため円筒状のグラファイトインナーケース１５
が収容され、このグラファイトインナーケース１５と水
冷ジャケット１１との間には、反応室１３を加熱するた
めのカーボンからなるヒータ１７が装備されている。グ
ラファイトインナーケース１５は複数のケース片を連結
して形成されている。また、反応室１３のグラファイト
インナーケース１５内には、膜が生成される被成膜体１
９が収容されている。
【０００４】そして、水冷ジャケット１１の上下には、
水冷ジャケット１１を閉塞するための蓋部材２１，２３
が配置されており、その上側蓋部材２１には、例えば、
Ｓｉ，Ｃ等を含有する金属ハロゲン化ガスを導入するた
めのガス導入路２５が形成され、下側蓋部材２３には、
反応が生じた後の不要な排ガスを導出するためのガス導
出路２７が形成されている。
水冷ジャケット１１を閉塞するための蓋部材２１，２３
が配置されており、その上側蓋部材２１には、例えば、
Ｓｉ，Ｃ等を含有する金属ハロゲン化ガスを導入するた
めのガス導入路２５が形成され、下側蓋部材２３には、
反応が生じた後の不要な排ガスを導出するためのガス導
出路２７が形成されている。
【０００５】以上のように構成された成膜装置では、反
応室１３の水冷ジャケット１１内に被成膜体１９を収容
し、ヒータ１７により反応室１３内を所定温度に加熱
し、所望の組成の膜を析出するため、各組成成分を含有
する金属ハロゲン化ガスを、ＡｒやＨ2 等のキャリアー
ガスにより導入路２５から反応室１３内に導入し、その
導入量，流速，析出温度，炉内圧力等を制御することに
より、被成膜体１９に所望の膜を生成させることができ
る。
応室１３の水冷ジャケット１１内に被成膜体１９を収容
し、ヒータ１７により反応室１３内を所定温度に加熱
し、所望の組成の膜を析出するため、各組成成分を含有
する金属ハロゲン化ガスを、ＡｒやＨ2 等のキャリアー
ガスにより導入路２５から反応室１３内に導入し、その
導入量，流速，析出温度，炉内圧力等を制御することに
より、被成膜体１９に所望の膜を生成させることができ
る。
【０００６】ところで、上記の成膜装置を使用して被成
膜体１９に所望の膜を生成する場合には、高純度の金属
ハロゲン化ガスが使用されるが、このような金属ハロゲ
ン化ガスは、大規模なプラントで何回も反応を行わせて
工業的に量産されている。
膜体１９に所望の膜を生成する場合には、高純度の金属
ハロゲン化ガスが使用されるが、このような金属ハロゲ
ン化ガスは、大規模なプラントで何回も反応を行わせて
工業的に量産されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、上記
のような従来の成膜装置で使用される金属ハロゲン化ガ
スは、非常に高価であるという問題があった。また、金
属ハロゲン化ガスの種類が少なく、被成膜体１９に所望
する膜を生成することが困難な場合があるという問題が
あった。
のような従来の成膜装置で使用される金属ハロゲン化ガ
スは、非常に高価であるという問題があった。また、金
属ハロゲン化ガスの種類が少なく、被成膜体１９に所望
する膜を生成することが困難な場合があるという問題が
あった。
【０００８】さらに、従来の成膜装置では、金属ハロゲ
ン化ガスの導入量，流速，析出温度、炉内圧力等を制御
する必要があるが、このためには、高価な制御ユニット
や十分な蒸気圧を得るための部分的な加熱手段が必要と
なり、装置自体が大型化し、コスト高になるという問題
があった。
ン化ガスの導入量，流速，析出温度、炉内圧力等を制御
する必要があるが、このためには、高価な制御ユニット
や十分な蒸気圧を得るための部分的な加熱手段が必要と
なり、装置自体が大型化し、コスト高になるという問題
があった。
【０００９】本発明は、所望する金属ハロゲン化ガスを
安価、かつ、容易に得ることができる金属ハロゲン化ガ
スの生成方法を提供するとともに、この方法を用いて安
価、かつ、容易に金属酸化物膜を生成することができる
成膜方法及び成膜装置を提供することを目的とする。
安価、かつ、容易に得ることができる金属ハロゲン化ガ
スの生成方法を提供するとともに、この方法を用いて安
価、かつ、容易に金属酸化物膜を生成することができる
成膜方法及び成膜装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【問題点を解決するための手段】本発明の金属ハロゲン
化ガスの生成方法は、金属酸化物および炭素からなる蒸
発源を内部に収容した反応室内に、ハロゲン含有ガスを
導入するとともに、前記蒸発源を所定温度に加熱し、前
記ハロゲン含有ガスと前記蒸発源とを反応させて金属ハ
ロゲン化ガスを生成する方法である。
化ガスの生成方法は、金属酸化物および炭素からなる蒸
発源を内部に収容した反応室内に、ハロゲン含有ガスを
導入するとともに、前記蒸発源を所定温度に加熱し、前
記ハロゲン含有ガスと前記蒸発源とを反応させて金属ハ
ロゲン化ガスを生成する方法である。
【００１１】また、本発明の成膜方法は、金属酸化物お
よび炭素からなる蒸発源にハロゲン含有ガスを供給する
とともに、前記蒸発源を所定温度に加熱し、前記ハロゲ
ン含有ガスと前記蒸発源とを反応させて金属ハロゲン化
ガスを生成し、この金属ハロゲン化ガスを反応室内の被
成膜体表面に供給すると同時に酸素含有ガスを前記被成
膜体表面に供給することにより、前記金属ハロゲン化ガ
スと酸素とを反応させて金属酸化物を生成し、前記被成
膜体の表面に金属酸化物膜を析出させる方法である。こ
の場合に、蒸発源と被成膜体が同一反応室内に設置され
ることが望ましい。
よび炭素からなる蒸発源にハロゲン含有ガスを供給する
とともに、前記蒸発源を所定温度に加熱し、前記ハロゲ
ン含有ガスと前記蒸発源とを反応させて金属ハロゲン化
ガスを生成し、この金属ハロゲン化ガスを反応室内の被
成膜体表面に供給すると同時に酸素含有ガスを前記被成
膜体表面に供給することにより、前記金属ハロゲン化ガ
スと酸素とを反応させて金属酸化物を生成し、前記被成
膜体の表面に金属酸化物膜を析出させる方法である。こ
の場合に、蒸発源と被成膜体が同一反応室内に設置され
ることが望ましい。
【００１２】さらに、本発明の成膜装置は、内部が減圧
下に維持される反応室と、この反応室内の所定位置に収
容されるとともに金属酸化物に炭素を添加してなる蒸発
源と、前記反応室内の蒸発源にハロゲン含有ガスを導入
する導入路と、前記蒸発源よりも下流側の反応室に収容
された被成膜体と、この被成膜体の表面に酸素含有ガス
を供給する酸素供給路とを備えてなるものである。
下に維持される反応室と、この反応室内の所定位置に収
容されるとともに金属酸化物に炭素を添加してなる蒸発
源と、前記反応室内の蒸発源にハロゲン含有ガスを導入
する導入路と、前記蒸発源よりも下流側の反応室に収容
された被成膜体と、この被成膜体の表面に酸素含有ガス
を供給する酸素供給路とを備えてなるものである。
【００１３】
【作用】本発明の金属ハロゲン化ガスの生成方法によれ
ば、格別な装置を用いることなく、単純に単一反応室内
で金属酸化物およびハロゲン含有ガスを用いて、所望す
る金属ハロゲン化ガスを安価、かつ、容易に得ることが
できる。また、このようにして得られる金属ハロゲン化
ガスを被成膜体表面で酸素と反応させることにより、被
成膜体表面に金属酸化物膜を安価、かつ、容易に生成す
ることができる。
ば、格別な装置を用いることなく、単純に単一反応室内
で金属酸化物およびハロゲン含有ガスを用いて、所望す
る金属ハロゲン化ガスを安価、かつ、容易に得ることが
できる。また、このようにして得られる金属ハロゲン化
ガスを被成膜体表面で酸素と反応させることにより、被
成膜体表面に金属酸化物膜を安価、かつ、容易に生成す
ることができる。
【００１４】また、金属ハロゲン化ガスと金属酸化物膜
の生成は、単に温度条件のみが相違する反応系でできる
ため、温度条件を制御することにより、金属酸化物膜の
生成において原料の生成から成膜までを単一反応室内で
行うことができる。これにより、高純度の金属ハロゲン
化ガスと、酸化物粉末を主原料として用いることがで
き、装置的に小型化が可能であり、所望する金属ハロゲ
ン化ガスおよび金属酸化物膜を安価、かつ、容易に得る
ことができる。
の生成は、単に温度条件のみが相違する反応系でできる
ため、温度条件を制御することにより、金属酸化物膜の
生成において原料の生成から成膜までを単一反応室内で
行うことができる。これにより、高純度の金属ハロゲン
化ガスと、酸化物粉末を主原料として用いることがで
き、装置的に小型化が可能であり、所望する金属ハロゲ
ン化ガスおよび金属酸化物膜を安価、かつ、容易に得る
ことができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の成膜装置を図面に基づいて詳
細に説明する。図１および図２は、本発明の成膜装置の
一実施例を示すもので、符合３１は、成膜を行う反応室
を示している。この反応室３１は、それ自体気密性に優
れるとともに加熱に対しても十分に耐久性のある高気密
性円筒体３３により構成され、例えば、化学的に安定で
熱伝導性に優れたアルミナやムライト等のセラミック等
が好適で、相対密度９５％以上の高緻密体であることが
望まれる。
細に説明する。図１および図２は、本発明の成膜装置の
一実施例を示すもので、符合３１は、成膜を行う反応室
を示している。この反応室３１は、それ自体気密性に優
れるとともに加熱に対しても十分に耐久性のある高気密
性円筒体３３により構成され、例えば、化学的に安定で
熱伝導性に優れたアルミナやムライト等のセラミック等
が好適で、相対密度９５％以上の高緻密体であることが
望まれる。
【００１６】また、この高気密性円筒体３３の内部、即
ち、反応室３１内には雰囲気温度を均一化するための円
筒状のグラファイトチューブ３５が収容されており、こ
のグラファイトチューブ３５内には、有底円管状の長尺
な被成膜体３７が４本収容されている。これらの被成膜
体３７は、例えば、ガス透過性を有するポーラスなＮｉ
−ＺｒＯ2 により形成されている。
ち、反応室３１内には雰囲気温度を均一化するための円
筒状のグラファイトチューブ３５が収容されており、こ
のグラファイトチューブ３５内には、有底円管状の長尺
な被成膜体３７が４本収容されている。これらの被成膜
体３７は、例えば、ガス透過性を有するポーラスなＮｉ
−ＺｒＯ2 により形成されている。
【００１７】高気密性円筒体３３の上部には上側水冷ジ
ャケット３９が配置されており、金属ハロゲン化ガスで
あるＨＣｌやキャリアーガスであるＡｒ等のガスを反応
室３１内に導入するための導入路４１が上側水冷ジャケ
ット３９を挿通し、この導入路４１の一端はガス制御装
置４３に接続されている。このガス制御装置４３によ
り、ＨＣｌやＡｒ等のガスの導入量，流速等が調製さ
れ、導入路４１を介して反応室３１内に導入される。
ャケット３９が配置されており、金属ハロゲン化ガスで
あるＨＣｌやキャリアーガスであるＡｒ等のガスを反応
室３１内に導入するための導入路４１が上側水冷ジャケ
ット３９を挿通し、この導入路４１の一端はガス制御装
置４３に接続されている。このガス制御装置４３によ
り、ＨＣｌやＡｒ等のガスの導入量，流速等が調製さ
れ、導入路４１を介して反応室３１内に導入される。
【００１８】また、高気密性円筒体３３の下部には下側
水冷ジャケット４５が配置されており、排ガスを外部に
導出するための導出路４７が下側水冷ジャケット４５を
挿通し、この導出路４７の一端は排気ユニット４９に接
続されている。
水冷ジャケット４５が配置されており、排ガスを外部に
導出するための導出路４７が下側水冷ジャケット４５を
挿通し、この導出路４７の一端は排気ユニット４９に接
続されている。
【００１９】そして、高気密性円筒体３３の周りにはヒ
ータ５１が装備され、このヒータ５１の周りには、図２
に示すように一側がヒンジ５３で連結された２個の断面
半円状の断熱部材５５が配置され、これらの断熱部材５
５は、図３に示すように開閉自在とされている。
ータ５１が装備され、このヒータ５１の周りには、図２
に示すように一側がヒンジ５３で連結された２個の断面
半円状の断熱部材５５が配置され、これらの断熱部材５
５は、図３に示すように開閉自在とされている。
【００２０】また、ヒータ５１は、図１に示したよう
に、高気密性円筒体３３の軸長方向に５個に分割された
ヒータ体５７，５９，６１，６３，６５により構成され
ており、これらのヒータ体５７，５９，６１，６３，６
５は、図２に示したように、高気密性円筒体３３の周方
向にも１０個の発熱体６７に分割されている。これらの
発熱体６７は、例えば、ＺｒＳｉ2 により形成されてお
り、断熱部材５５の内面に取り付けられている。
に、高気密性円筒体３３の軸長方向に５個に分割された
ヒータ体５７，５９，６１，６３，６５により構成され
ており、これらのヒータ体５７，５９，６１，６３，６
５は、図２に示したように、高気密性円筒体３３の周方
向にも１０個の発熱体６７に分割されている。これらの
発熱体６７は、例えば、ＺｒＳｉ2 により形成されてお
り、断熱部材５５の内面に取り付けられている。
【００２１】ヒータ体５７，５９，６１，６３，６５
は、図１に示したようにヒータ制御装置６９にそれぞれ
接続され、反応室３１内に配置された被成膜体３７の長
さに応じて所定位置のヒータ体５７，５９，６１，６
３，６５が、例えば、図１の場合にはヒータ体５７，５
９，６１が作動されることになる。
は、図１に示したようにヒータ制御装置６９にそれぞれ
接続され、反応室３１内に配置された被成膜体３７の長
さに応じて所定位置のヒータ体５７，５９，６１，６
３，６５が、例えば、図１の場合にはヒータ体５７，５
９，６１が作動されることになる。
【００２２】さらに、グラファイトチューブ３５には、
所望の組成の膜を析出するための金属酸化物と炭素から
なる蒸発源７１、例えば、８モル％のＹ2 Ｏ3 が固溶さ
れた安定化ＺｒＯ2 からなる金属酸化物にＺｒＯ2 中の
酸素を十分にトラップできる程度の炭素を添加して調製
された蒸発源７１が、被成膜体３７の上方に配置されて
いる。即ち、図４に示すように、グラファイトチューブ
３５は上下に２分割されており、上側チューブ７３の下
部には多孔質の原料支持部材７５が螺合され、その上部
に蒸発源７１が収容されている。また、被成膜体３７内
には、下側から酸素供給路７７が挿入されており、この
酸素供給路７７は、Ｈ2 Ｏ（蒸気）およびＨ2 の混合ガ
スを発生させるバブリング装置７９に接続されている。
このバブリング装置７９は、水（Ｈ2 Ｏ）内にＨ2 を導
入し、Ｈ2 ＯおよびＨ2 を蒸気として発生させるもので
ある。
所望の組成の膜を析出するための金属酸化物と炭素から
なる蒸発源７１、例えば、８モル％のＹ2 Ｏ3 が固溶さ
れた安定化ＺｒＯ2 からなる金属酸化物にＺｒＯ2 中の
酸素を十分にトラップできる程度の炭素を添加して調製
された蒸発源７１が、被成膜体３７の上方に配置されて
いる。即ち、図４に示すように、グラファイトチューブ
３５は上下に２分割されており、上側チューブ７３の下
部には多孔質の原料支持部材７５が螺合され、その上部
に蒸発源７１が収容されている。また、被成膜体３７内
には、下側から酸素供給路７７が挿入されており、この
酸素供給路７７は、Ｈ2 Ｏ（蒸気）およびＨ2 の混合ガ
スを発生させるバブリング装置７９に接続されている。
このバブリング装置７９は、水（Ｈ2 Ｏ）内にＨ2 を導
入し、Ｈ2 ＯおよびＨ2 を蒸気として発生させるもので
ある。
【００２３】以上のように構成された成膜装置を用い
て、被成膜体３７への金属酸化物膜を生成する例とし
て、Ｙ2 Ｏ3 を８モル％の割合で固溶したＺｒＯ2 膜の
生成方法を説明する。成膜される所定の基体である被成
膜体３７を炉内圧力を２０ｔｏｒｒに保持した反応室３
１内に収容し、ヒータ５１により反応室３１内を所定温
度（例えば、蒸発源７１を１２５０℃、被成膜体３７近
傍を１１５０℃）に加熱しながら、導入路４１からＨＣ
ｌガスを２００ｓｃｃｍの流量で、またキャリアーガス
としてＡｒガスを５０００ｓｃｃｍの流量で、反応室３
１内に導入し不要となった排ガスを導出路４７から外部
に排出することにより行われる。
て、被成膜体３７への金属酸化物膜を生成する例とし
て、Ｙ2 Ｏ3 を８モル％の割合で固溶したＺｒＯ2 膜の
生成方法を説明する。成膜される所定の基体である被成
膜体３７を炉内圧力を２０ｔｏｒｒに保持した反応室３
１内に収容し、ヒータ５１により反応室３１内を所定温
度（例えば、蒸発源７１を１２５０℃、被成膜体３７近
傍を１１５０℃）に加熱しながら、導入路４１からＨＣ
ｌガスを２００ｓｃｃｍの流量で、またキャリアーガス
としてＡｒガスを５０００ｓｃｃｍの流量で、反応室３
１内に導入し不要となった排ガスを導出路４７から外部
に排出することにより行われる。
【００２４】即ち、導入路４１から導入されたＨＣｌガ
スが反応室３１内の蒸発源７１と反応し、ＹＣｌ3 とＺ
ｒＣｌ4 の金属ハロゲン化ガスを生成する。この生成ガ
スを被成膜体３７表面に供給するとともに被成膜体３７
の反対側より６００ｓｃｃｍの流量でＨ2 ＯとＨ2 から
なる酸素含有ガスを供給し、金属ハロゲン化ガスと、被
成膜体３７を透過したＨ2 ，Ｏ2 とを反応させることに
より、被成膜体３７の表面に緻密な８モル％のＹ2 Ｏ3
が固溶したＺｒＯ2 の金属酸化物膜が生成される。
スが反応室３１内の蒸発源７１と反応し、ＹＣｌ3 とＺ
ｒＣｌ4 の金属ハロゲン化ガスを生成する。この生成ガ
スを被成膜体３７表面に供給するとともに被成膜体３７
の反対側より６００ｓｃｃｍの流量でＨ2 ＯとＨ2 から
なる酸素含有ガスを供給し、金属ハロゲン化ガスと、被
成膜体３７を透過したＨ2 ，Ｏ2 とを反応させることに
より、被成膜体３７の表面に緻密な８モル％のＹ2 Ｏ3
が固溶したＺｒＯ2 の金属酸化物膜が生成される。
【００２５】上記反応系を詳細に説明すると、導入され
たＨＣｌガスが反応室３１内の蒸発
たＨＣｌガスが反応室３１内の蒸発
【００２６】源７１と反応し、下記
【化１】
【００２７】
【化１】
【００２８】の反応が生じ、金属ハロゲン化ガス等を生
成する。なお、この反応によれば、金属ハロゲン化ガス
と同時に生成されたＣＯ2 ガスおよびＨ2 Ｏガスは、炉
内で分解し、ＣＯガス、Ｏ2 ガス、Ｈ2 ガスが生成する
こともある。
成する。なお、この反応によれば、金属ハロゲン化ガス
と同時に生成されたＣＯ2 ガスおよびＨ2 Ｏガスは、炉
内で分解し、ＣＯガス、Ｏ2 ガス、Ｈ2 ガスが生成する
こともある。
【００２９】次に、この金属ハロゲン化ガスが被成膜体
３７を透過したＨ2，Ｏ2 ガスと下
３７を透過したＨ2，Ｏ2 ガスと下
【００３０】記
【化２】
【００３１】
【化２】
【００３２】のように反応し、被成膜体３７の表面に緻
密な８モル％Ｙ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 の金属酸化物固溶体膜
が生成される。尚、被成膜体３７を透過したＯ2 の酸素
分圧、即ち、被成膜体３７近傍の酸素分圧は、１０-10
ａｔｍ％より低いと酸化物膜が生成されず、１０-10 ａ
ｔｍ％以上で上記酸化物膜が生成し始める。
密な８モル％Ｙ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 の金属酸化物固溶体膜
が生成される。尚、被成膜体３７を透過したＯ2 の酸素
分圧、即ち、被成膜体３７近傍の酸素分圧は、１０-10
ａｔｍ％より低いと酸化物膜が生成されず、１０-10 ａ
ｔｍ％以上で上記酸化物膜が生成し始める。
【００３３】以上のような金属ハロゲン化ガスの生成方
法では、金属酸化物および炭素からなる蒸発源７１を内
部に収容した反応室３１内に、ハロゲン含有ガスを導入
するとともに、蒸発源７１を所定温度に加熱し、ハロゲ
ン含有ガスと蒸発源７１とを反応させることにより、所
望する金属ハロゲン化ガスを安価、かつ、容易に得るこ
とができる。このようにして得られる金属ハロゲン化ガ
スを被成膜体３７表面で酸素と反応させることにより、
被成膜体３７表面に金属酸化物膜を安価、かつ、容易に
生成することができる。また、内部が減圧下に維持され
る反応室３１と、この反応室３１内の所定位置に収容さ
れるとともに金属酸化物に炭素を添加してなる蒸発源７
１と、反応室３１内の蒸発源７１にハロゲン含有ガスを
導入する導入路４１と、蒸発源７１よりも下流側の反応
室３１に収容された被成膜体３７と、この被成膜体３７
の表面に酸素含有ガスを供給する酸素供給路７７とから
構成したので、金属ハロゲン化ガスと金属酸化物膜の生
成において温度条件を制御することにより、金属酸化物
膜の生成において原料の生成から成膜までを単一反応室
３１内で行うことができ、装置的に小型化が可能であ
り、所望する金属酸化物膜を安価、かつ、容易に得るこ
とができる。
法では、金属酸化物および炭素からなる蒸発源７１を内
部に収容した反応室３１内に、ハロゲン含有ガスを導入
するとともに、蒸発源７１を所定温度に加熱し、ハロゲ
ン含有ガスと蒸発源７１とを反応させることにより、所
望する金属ハロゲン化ガスを安価、かつ、容易に得るこ
とができる。このようにして得られる金属ハロゲン化ガ
スを被成膜体３７表面で酸素と反応させることにより、
被成膜体３７表面に金属酸化物膜を安価、かつ、容易に
生成することができる。また、内部が減圧下に維持され
る反応室３１と、この反応室３１内の所定位置に収容さ
れるとともに金属酸化物に炭素を添加してなる蒸発源７
１と、反応室３１内の蒸発源７１にハロゲン含有ガスを
導入する導入路４１と、蒸発源７１よりも下流側の反応
室３１に収容された被成膜体３７と、この被成膜体３７
の表面に酸素含有ガスを供給する酸素供給路７７とから
構成したので、金属ハロゲン化ガスと金属酸化物膜の生
成において温度条件を制御することにより、金属酸化物
膜の生成において原料の生成から成膜までを単一反応室
３１内で行うことができ、装置的に小型化が可能であ
り、所望する金属酸化物膜を安価、かつ、容易に得るこ
とができる。
【００３４】尚、上記実施例では、被成膜体３７の表面
に緻密なＹ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 の固溶体膜を生成した例に
ついて説明したが、本発明の成膜装置は上記実施例に限
定されるものではなく、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 膜を生成す
る場合に使用しても良い。
に緻密なＹ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 の固溶体膜を生成した例に
ついて説明したが、本発明の成膜装置は上記実施例に限
定されるものではなく、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 膜を生成す
る場合に使用しても良い。
【００３５】また、上記実施例では、高気密性円筒体３
３をアルミナやムライトにより形成した例について説明
したが、本発明の成膜装置は上記実施例に限定されるも
のではなく、高気密性円筒体は内部を減圧状態に維持で
きれば良く、アルミナやムライト以外の公知のセラミッ
クであっても良い。
３をアルミナやムライトにより形成した例について説明
したが、本発明の成膜装置は上記実施例に限定されるも
のではなく、高気密性円筒体は内部を減圧状態に維持で
きれば良く、アルミナやムライト以外の公知のセラミッ
クであっても良い。
【００３６】さらに、上記実施例では、導入路４１から
ハロゲン含有ガスであるＣｌ2 ガスを導入した例につい
て説明したが、本発明の成膜装置は上記実施例に限定さ
れるものではなく、例えば、ＨＣｌを導入しても同様の
結果が得られる。
ハロゲン含有ガスであるＣｌ2 ガスを導入した例につい
て説明したが、本発明の成膜装置は上記実施例に限定さ
れるものではなく、例えば、ＨＣｌを導入しても同様の
結果が得られる。
【００３７】また、ハロゲン含有ガスの流量は２〜２０
０ｓｃｃｍ、蒸発源７１の温度は１１５０〜１４００
℃、被成膜体３７の温度は１０００〜１２００℃である
ことが望ましく、また、反応室３１の圧力は減圧下であ
れば良く、好ましくは２００ｔｏｒｒ以下であることが
望ましい。
０ｓｃｃｍ、蒸発源７１の温度は１１５０〜１４００
℃、被成膜体３７の温度は１０００〜１２００℃である
ことが望ましく、また、反応室３１の圧力は減圧下であ
れば良く、好ましくは２００ｔｏｒｒ以下であることが
望ましい。
【００３８】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の金属ハロゲ
ン化ガスの生成方法によれば、単一反応室内で金属酸化
物およびハロゲン含有ガスを用いて、所望する金属ハロ
ゲン化ガスを安価、かつ、容易に得ることができる。ま
た、このようにして得られる金属ハロゲン化ガスを被成
膜体表面で酸素と反応させることにより、被成膜体表面
に金属酸化物膜を安価、かつ、容易に生成することがで
きる。さらに、金属ハロゲン化ガスの生成と被成膜体表
面へ金属酸化物膜の生成を、単一反応室内で行うことが
でき、これにより、装置的に小型化が可能であり、所望
する金属酸化物膜を安価、かつ、容易に得ることができ
る。
ン化ガスの生成方法によれば、単一反応室内で金属酸化
物およびハロゲン含有ガスを用いて、所望する金属ハロ
ゲン化ガスを安価、かつ、容易に得ることができる。ま
た、このようにして得られる金属ハロゲン化ガスを被成
膜体表面で酸素と反応させることにより、被成膜体表面
に金属酸化物膜を安価、かつ、容易に生成することがで
きる。さらに、金属ハロゲン化ガスの生成と被成膜体表
面へ金属酸化物膜の生成を、単一反応室内で行うことが
でき、これにより、装置的に小型化が可能であり、所望
する金属酸化物膜を安価、かつ、容易に得ることができ
る。
【図１】本発明の成膜装置およびその近傍を示す説明図
である。
である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う横断面図である。
【図３】図２の断熱部材が開いた状態を示す平面図であ
る。
る。
【図４】図１の反応室内の反応を説明するための説明図
である。
である。
【図５】従来の成膜装置を示す縦断面図である。
３１ 反応室 ３３ 高気密性円筒体 ３７ 被成膜体 ４１ 導入路 ７１ 蒸発源 ７７ 酸素供給路
Claims (4)
- 【請求項１】金属酸化物および炭素からなる蒸発源を内
部に収容した反応室内に、ハロゲン含有ガスを導入する
とともに、前記蒸発源を所定温度に加熱し、前記ハロゲ
ン含有ガスと前記蒸発源とを反応させて金属ハロゲン化
ガスを生成することを特徴とする金属ハロゲン化ガスの
生成方法。 - 【請求項２】金属酸化物および炭素からなる蒸発源にハ
ロゲン含有ガスを供給するとともに、前記蒸発源を所定
温度に加熱し、前記ハロゲン含有ガスと前記蒸発源とを
反応させて金属ハロゲン化ガスを生成し、この金属ハロ
ゲン化ガスを反応室内の被成膜体表面に供給すると同時
に酸素含有ガスを前記被成膜体表面に供給することによ
り、前記金属ハロゲン化ガスと酸素とを反応させて金属
酸化物を生成し、前記被成膜体の表面に金属酸化物膜を
析出させたことを特徴とする成膜方法。 - 【請求項３】蒸発源と被成膜体が同一反応室内に設置さ
れる請求項２記載の成膜方法。 - 【請求項４】内部が減圧下に維持される反応室と、この
反応室内の所定位置に収容されるとともに金属酸化物に
炭素を添加してなる蒸発源と、前記反応室内の蒸発源に
ハロゲン含有ガスを導入する導入路と、前記蒸発源より
も下流側の反応室に収容された被成膜体と、この被成膜
体の表面に酸素含有ガスを供給する酸素供給路とを備え
てなることを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3218385A JP3020668B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 金属ハロゲン化ガスの生成方法及び成膜方法並びに成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3218385A JP3020668B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 金属ハロゲン化ガスの生成方法及び成膜方法並びに成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0559554A true JPH0559554A (ja) | 1993-03-09 |
| JP3020668B2 JP3020668B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=16719080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3218385A Expired - Fee Related JP3020668B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 金属ハロゲン化ガスの生成方法及び成膜方法並びに成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3020668B2 (ja) |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP3218385A patent/JP3020668B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3020668B2 (ja) | 2000-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100783841B1 (ko) | 열처리 시스템 | |
| US3594216A (en) | Vapor phase deposition of metal from a metal-organic beta-ketoamine chelate | |
| KR100814594B1 (ko) | 반도체 처리용 열처리 장치 및 방법 | |
| US4632849A (en) | Method for making a fine powder of a metal compound having ceramic coatings thereon | |
| JPH06135703A (ja) | 有機金属化学蒸着による無機薄膜の製造方法 | |
| US20130323157A1 (en) | Apparatus and Methods for the Synthesis of Graphene by Chemical Vapor Deposition | |
| JP2001115263A (ja) | ２つのフリットを有するバブラー | |
| JPH0149671B2 (ja) | ||
| JP3020668B2 (ja) | 金属ハロゲン化ガスの生成方法及び成膜方法並びに成膜装置 | |
| JPS63225528A (ja) | 超伝導性複合酸化物の製造方法 | |
| JP3012098B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| JPH0643248B2 (ja) | 遷移金属ほう化物繊維の製造法 | |
| JP3103685B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JP2989944B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JPS62112781A (ja) | 化学蒸着装置及び化学蒸着方法 | |
| WO1999043877A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing carbon fiber coils | |
| JP7658192B2 (ja) | 窒化ガリウム層製造装置および窒化ガリウム層の製造方法 | |
| JPH03253570A (ja) | 化学気相析出法による金属酸化物の製造方法 | |
| JP2020190014A (ja) | 成膜方法および成膜装置、ならびに処理容器のクリーニング方法 | |
| JPH03130366A (ja) | 炭化珪素膜製造装置 | |
| JPS6250466A (ja) | 窒化珪素膜を有する物品の製造法 | |
| JPH0551750A (ja) | 化学蒸着による薄膜形成方法 | |
| JPS61177372A (ja) | 窒化ホウ素膜の製造方法 | |
| JP2006219362A (ja) | 液相中への気相導入によるカーボンナノチューブ膜の合成方法および合成装置 | |
| JP2001345316A (ja) | 熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |