JPH0559833U - 光起電力装置の製造装置 - Google Patents
光起電力装置の製造装置Info
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- JPH0559833U JPH0559833U JP511792U JP511792U JPH0559833U JP H0559833 U JPH0559833 U JP H0559833U JP 511792 U JP511792 U JP 511792U JP 511792 U JP511792 U JP 511792U JP H0559833 U JPH0559833 U JP H0559833U
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 8
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この考案は、基板上の成膜状態の安定性を高
められるようにした光起電力装置の製造装置を提供する
ことを目的とする。 【構成】 真空チャンバ１内でアノード側の基板５とカ
ソード側の電極３とを対向させ、電極３にＲＦ電圧を印
加する光起電力装置の製造装置において、上記電極３を
振動させる超音波発振器７を設けてなる。
められるようにした光起電力装置の製造装置を提供する
ことを目的とする。 【構成】 真空チャンバ１内でアノード側の基板５とカ
ソード側の電極３とを対向させ、電極３にＲＦ電圧を印
加する光起電力装置の製造装置において、上記電極３を
振動させる超音波発振器７を設けてなる。
Description
【０００１】
本考案は、光起電力装置の製造装置に係り、特に基板上の成膜状態の安定性を 高められるようにした光起電力装置の製造装置に関する。
【０００２】
従来、光起電力装置の製造装置としては、真空チャンバ内にアノード側の基板 とカソード側の電極（ＲＦ電極）とを対向させて配置し、上記真空チャンバ内に 例えばＳｉＨ4 等の反応ガスを導入する一方、真空チャンバ内の排気を行う排気 系を設けて真空チャンバ内の圧力を適当な一定の圧力に保つようにしている。ま た、上記電極に高周波（ＲＦ）電圧を印加するＲＦ電源を設けて、所定圧の反応 ガスが充満している真空チャンバ内の電極にＲＦ電圧を印加できるようにしてい る。
【０００３】 この従来の光起電力装置の製造装置においては、所定圧の反応ガスが充満して いる真空チャンバ内の電極にＲＦ電圧を印加することにより電極と基板との間で グロー放電を発生させ、反応ガスを分解させる。そして、分解された反応ガスの ラジカルがアノード側の基板の表面に付着し、更に堆積して、アモルファスまた は微結晶のＳｉ膜に生長する。
【０００４】
この従来の光起電力装置の製造装置では、基板への成膜と同時に分解した反応 ガスのラジカルが電極の表面に付着してシリコン（Ｓｉ）チップを形成し、更に 、このＳｉチップが堆積して電極の表面を被覆すると、電極と基板との間のグロ ー放電の状態が変動し、基板上の成膜状態がＳｉチップの発生前に比べるとＳｉ チップ発生後に変動して不安定になるという問題がある。
【０００５】 本考案は上記の事情を鑑みてなされたものであり、その目的は基板上の成膜状 態の安定性を高められるようにした光起電力装置の製造装置を提供することにあ る。
【０００６】
本考案に係る光起電力装置の製造装置は、真空チャンバ内でアノード側の基板 とカソード側の電極とを対向させ、電極にＲＦ電圧を印加する光起電力装置の製 造装置において、上記電極を振動させる超音波発振器を設けたことを特徴とする 。
【０００７】
本考案においては、電極に超音波発振器で振動を印加して、電極を振動させる ので、電極へのＳｉチップが付着して堆積することが防止され、電極・基板間で のグロー放電の放電状態が安定する。
【０００８】
以下、本考案の一実施例に係る光起電力装置の製造装置を図１に基づいて具体 的に説明する。
【０００９】 図１の模式図に示すように、この光起電力装置の製造装置は、真空チャンバ１ 内に図示しない反応ガス供給装置から反応ガス２をＲＦ電極３内を通して導入す る一方、排気路４を介して図示しない排気系によって排気することにより真空チ ャンバ１内を一定の圧力に保つようにしてある。
【００１０】 上記真空チャンバ１内にはカソードとしてのＲＦ電極３に対向させたアノード としての基板５が配置され、ＲＦ電極３は真空チャンバ１外に設けられ、ＲＦ電 圧を供給するＲＦ電源６に接続される。
【００１１】 また、この光起電力装置の製造装置には、公知の超音波発振器７が設けられ、 ＲＦ電圧の印加と同時にこの超音波発振器７でＲＦ電極３を超音波振動させるよ うにしている。
【００１２】 この光起電力装置の製造装置においては、所定圧の反応ガス２を真空チャンバ １内に充満させた状態で、ＲＦ電極３にＲＦ電源６からＲＦ電圧を印加すると、 ＲＦ電極３と基板５との間でグロー放電８が発生して反応ガスが分解される。こ れにより発生したラジカルは基板５に付着し、更に堆積して、基板５の表面上に アモルファスまたは微結晶のＳｉ膜が形成される。
【００１３】 これと同時に反応ガスの分解により生成されるラジカルはＲＦ電極３にも付着 して堆積しようとするが、ＲＦ電極３を超音波振動させることにより、ＲＦ電極 ３にラジカルが付着し難くなり、また、ＲＦ電極３に付着するラジカルが堆積し て形成されるアモルファスまたは微結晶のＳｉチップ９が振動でＲＦ電極３から 剥離される。
【００１４】 これにより、ＲＦ電極３の表面へのＳｉチップ９の堆積が防止され、ＲＦ電極 ３の表面を常に露出させることができるので、グロー放電８の放電状態が安定し 、基板５上でのＳｉ膜の形成状態、すなわち、成膜状態が安定する。
【００１５】
以上説明したように、本考案は、電極を振動させる超音波発振器を設け、電極 へのＲＦ電圧の印加と同時に超音波発振器で電極を超音波振動させることにより 、電極表面へのＳｉチップの堆積を防止しているので、電極・基板間のグロー放 電の放電状態を安定させることができ、その結果、基板上でのＳｉ膜の成膜状態 を安定させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の一実施例の構成を示す模式図である。
１ 真空チャンバ ３ 電極 ５ 基板 ７ 超音波発振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 西脇 秀則 守口市京阪本通２丁目18番地 三洋電機株 式会社内 (72)考案者 大西 三千年 守口市京阪本通２丁目18番地 三洋電機株 式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 真空チャンバ内でアノード側の基板とカ
ソード側の電極とを対向させ、電極に高周波電圧を印加
する光起電力装置の製造装置において、上記電極を振動
させる超音波発振器を設けたことを特徴とする光起電力
装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992005117U JP2551028Y2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 光起電力装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992005117U JP2551028Y2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 光起電力装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0559833U true JPH0559833U (ja) | 1993-08-06 |
| JP2551028Y2 JP2551028Y2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=11602387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992005117U Expired - Fee Related JP2551028Y2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 光起電力装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2551028Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6327011A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Hitachi Ltd | 薄膜の形成方法および装置 |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP1992005117U patent/JP2551028Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6327011A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Hitachi Ltd | 薄膜の形成方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2551028Y2 (ja) | 1997-10-22 |
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