JPH055992A - 耐熱性ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents
耐熱性ポジ型フオトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPH055992A JPH055992A JP3065634A JP6563491A JPH055992A JP H055992 A JPH055992 A JP H055992A JP 3065634 A JP3065634 A JP 3065634A JP 6563491 A JP6563491 A JP 6563491A JP H055992 A JPH055992 A JP H055992A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide precursor
- group
- photoresist composition
- bond
- protective group
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 感光性を有するポリイミド前駆体がいかなる
構造であっても、充分に対応でき、しかも感度や解像度
に優れた耐熱性ポジ型フォトレジスト組成物を提供す
る。 【構成】 酸またはアルカリ条件下にて脱離可能な保護
基にてカルボキシル基を保護したポリイミド前駆体と、
活性光線の照射にて上記保護基の脱離反応を誘発できる
化合物とを含有してなる組成物である。このような化合
物としては光分解性プロトン発生剤が用いられる。
構造であっても、充分に対応でき、しかも感度や解像度
に優れた耐熱性ポジ型フォトレジスト組成物を提供す
る。 【構成】 酸またはアルカリ条件下にて脱離可能な保護
基にてカルボキシル基を保護したポリイミド前駆体と、
活性光線の照射にて上記保護基の脱離反応を誘発できる
化合物とを含有してなる組成物である。このような化合
物としては光分解性プロトン発生剤が用いられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は感光性を有するポリイミ
ド前駆体からなる耐熱性ポジ型フォトレジスト組成物に
関するものである。
ド前駆体からなる耐熱性ポジ型フォトレジスト組成物に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から感光性ポリイミドまたはその前
駆体を用いてなる耐熱性フォトレジストや、その用途に
ついては良く知られており、例えばネガ型ではポリイ
ミド前駆体にエステル結合またはイオン結合を介してメ
タクリロイル基を導入する方法（特開昭４９−１１５４
１号公報、特開昭５０−４０９２２号公報、特開昭５４
−１４５７９４号公報、特開昭５６−３８０３８号公
報）、光重合性オレフィンを有する可溶性ポリイミド
（特開昭５９−１０８０３１号公報、特開昭５９−２２
０７３０号公報、特開昭５９−２３２１２２号公報、特
開昭６０−６７２９号公報、特開昭６０−７２９２５号
公報、特開昭６１−５７６２０号公報）、ベンゾフェ
ノン骨格を有し、かつ窒素原子が結合する芳香環のオル
ソ位にアルキル基を有する自己増感型ポリイミド（特開
昭５９−２１９３３０号公報、特開昭５９−２３１５３
３号公報）、ポリイミドと同程度の耐熱性を有するポ
リベンゾオキサゾール前駆体（高分子学会年会予稿集，
ｐ６６４，１９８８）などが提案されている。
駆体を用いてなる耐熱性フォトレジストや、その用途に
ついては良く知られており、例えばネガ型ではポリイ
ミド前駆体にエステル結合またはイオン結合を介してメ
タクリロイル基を導入する方法（特開昭４９−１１５４
１号公報、特開昭５０−４０９２２号公報、特開昭５４
−１４５７９４号公報、特開昭５６−３８０３８号公
報）、光重合性オレフィンを有する可溶性ポリイミド
（特開昭５９−１０８０３１号公報、特開昭５９−２２
０７３０号公報、特開昭５９−２３２１２２号公報、特
開昭６０−６７２９号公報、特開昭６０−７２９２５号
公報、特開昭６１−５７６２０号公報）、ベンゾフェ
ノン骨格を有し、かつ窒素原子が結合する芳香環のオル
ソ位にアルキル基を有する自己増感型ポリイミド（特開
昭５９−２１９３３０号公報、特開昭５９−２３１５３
３号公報）、ポリイミドと同程度の耐熱性を有するポ
リベンゾオキサゾール前駆体（高分子学会年会予稿集，
ｐ６６４，１９８８）などが提案されている。
【０００３】一方、ポジ型ではポリイミド前駆体にエ
ステル結合を介してｏ−ニトロベンジル基を導入する方
法（J.Macromol.Sci.Chem.,A24, 10,1407,1987）、可
溶性ヒドロキシルイミドまたはポリオキサゾール前駆体
にナフトキノンジアジド化合物を混合する方法（特公昭
６４−６０６３０号公報、米国特許明細書４３９５４８
２号）、可溶性ポリイミドにエステル結合を介してナ
フトキノンジアジドを導入する方法（Macromolecules,2
3,1990）、化学増幅型のポリイミド（特開平３−７６
３号公報）、ポリイミド前駆体にナフトキノンジアジ
ドを混合するもの（特開昭５２−１３３１５号公報）な
どが提案されている。
ステル結合を介してｏ−ニトロベンジル基を導入する方
法（J.Macromol.Sci.Chem.,A24, 10,1407,1987）、可
溶性ヒドロキシルイミドまたはポリオキサゾール前駆体
にナフトキノンジアジド化合物を混合する方法（特公昭
６４−６０６３０号公報、米国特許明細書４３９５４８
２号）、可溶性ポリイミドにエステル結合を介してナ
フトキノンジアジドを導入する方法（Macromolecules,2
3,1990）、化学増幅型のポリイミド（特開平３−７６
３号公報）、ポリイミド前駆体にナフトキノンジアジ
ドを混合するもの（特開昭５２−１３３１５号公報）な
どが提案されている。
【０００４】しかしながら、ネガ型ではその機能上、解
像度に問題があったり用途によっては製造時の歩留まり
低下を招くなどの問題がある。また、上記、、の
ものでは用いるポリマーの構造が限定されるために、最
終的に得られる被膜の物性が限定されてしまい多目的用
途には不向きなものである。一方、ポジ型においても上
記のように感光剤の吸収波長に伴う問題から感度や解
像度が低かったり、上記、、も構造が限定される
ので、上記限定からの、、と同様な問題を有す
る。さらに、上記では画像形成後の高温処理に伴う膜
減りの問題があり、未だ実用化に至るものはないのが実
状である。
像度に問題があったり用途によっては製造時の歩留まり
低下を招くなどの問題がある。また、上記、、の
ものでは用いるポリマーの構造が限定されるために、最
終的に得られる被膜の物性が限定されてしまい多目的用
途には不向きなものである。一方、ポジ型においても上
記のように感光剤の吸収波長に伴う問題から感度や解
像度が低かったり、上記、、も構造が限定される
ので、上記限定からの、、と同様な問題を有す
る。さらに、上記では画像形成後の高温処理に伴う膜
減りの問題があり、未だ実用化に至るものはないのが実
状である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
からのフォトレジストが有する課題を解決し、感光性を
付与するポリイミド前駆体がいかなる構造であっても充
分に対応でき、しかも感度や解像度も良好な耐熱性ポジ
型フォトレジスト組成物を提供することを目的とする。
からのフォトレジストが有する課題を解決し、感光性を
付与するポリイミド前駆体がいかなる構造であっても充
分に対応でき、しかも感度や解像度も良好な耐熱性ポジ
型フォトレジスト組成物を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討を
重ねた結果、酸またはアルカリ条件下で脱離可能な保護
基にてカルボキシル基を保護したポリイミド前駆体に、
活性光線の照射により上記ポリイミド前駆体中の保護基
の脱離反応を誘発できる化合物を配合することによっ
て、上記目的を達成できる組成物が得られることを見い
出し、本発明を完成するに至った。
重ねた結果、酸またはアルカリ条件下で脱離可能な保護
基にてカルボキシル基を保護したポリイミド前駆体に、
活性光線の照射により上記ポリイミド前駆体中の保護基
の脱離反応を誘発できる化合物を配合することによっ
て、上記目的を達成できる組成物が得られることを見い
出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】即ち、本発明の耐熱性ポジ型フォトレジス
ト組成物は、下記（化２）にて示される構造単位を有す
るポリイミド前駆体と、
ト組成物は、下記（化２）にて示される構造単位を有す
るポリイミド前駆体と、
【０００８】
【化２】
【０００９】（但し、（化２）中の矢印の結合は異性化
によって置換可能な結合を示し、Ｒ1 およびＲ2 はそれ
ぞれ４価および２価の芳香族または脂肪族炭化水素残
基、Ｒ3 およびＲ4 は水素原子または有機基であって、
少なくとも一方の基は酸またはアルカリ条件下で脱離可
能な保護基である。）
によって置換可能な結合を示し、Ｒ1 およびＲ2 はそれ
ぞれ４価および２価の芳香族または脂肪族炭化水素残
基、Ｒ3 およびＲ4 は水素原子または有機基であって、
少なくとも一方の基は酸またはアルカリ条件下で脱離可
能な保護基である。）
【００１０】活性光線の照射によりポリイミド前駆体中
の保護基の脱離反応を誘発しうる化合物、とを含有して
なるものである。
の保護基の脱離反応を誘発しうる化合物、とを含有して
なるものである。
【００１１】上記（化２）で示される構造単位中のＲ1
は、具体的にはベンゼン、ナフタレン、ペリレン、ジフ
ェニル、ジフェニルエーテル、ジフェニルスルホン、ジ
フェニルプロパン、ジフェニルヘキサフルオロプロパ
ン、ベンゾフェノン、ブタン、シクロブタンなどの骨格
を有する４価の芳香族または脂肪族炭化水素残基が典型
的な例として例示されるが、これらに限定されるもので
はない。好ましい基としてはフェニルおよびベンゾフェ
ノンである。なお、必要に応じてＲ1 として上記にて例
示した基の二種類以上を含有させることもできる。例え
ば、下記（化３）で示されるポリイミド前駆体が用いら
れる。
は、具体的にはベンゼン、ナフタレン、ペリレン、ジフ
ェニル、ジフェニルエーテル、ジフェニルスルホン、ジ
フェニルプロパン、ジフェニルヘキサフルオロプロパ
ン、ベンゾフェノン、ブタン、シクロブタンなどの骨格
を有する４価の芳香族または脂肪族炭化水素残基が典型
的な例として例示されるが、これらに限定されるもので
はない。好ましい基としてはフェニルおよびベンゾフェ
ノンである。なお、必要に応じてＲ1 として上記にて例
示した基の二種類以上を含有させることもできる。例え
ば、下記（化３）で示されるポリイミド前駆体が用いら
れる。
【００１２】
【化３】
【００１３】また、Ｒ2 としては、具体的にはジフェニ
ルエーテル、ジフェニルチオエーテル、ベンゾフェノ
ン、ジフェニルメタン、ジフェニルプロパン、ジフェニ
ルヘキサフルオロプロパン、ジフェニルスルホキシド、
ジフェニルスルホン、ビフェニル、ピリジン、ベンゼン
などの骨格を有する２価の芳香族または脂肪族炭化水素
残基が典型的な例として例示されるが、これらに限定さ
れるものではない。好ましい基としてはジフェニルエー
テル、ジフェニルスルホン、およびベンゼンである。な
お、必要に応じてＲ2 として上記にて例示した基の二種
類以上を含有させることもできる。例えば、下記（化
４）で示されるポリイミド前駆体が用いられる。
ルエーテル、ジフェニルチオエーテル、ベンゾフェノ
ン、ジフェニルメタン、ジフェニルプロパン、ジフェニ
ルヘキサフルオロプロパン、ジフェニルスルホキシド、
ジフェニルスルホン、ビフェニル、ピリジン、ベンゼン
などの骨格を有する２価の芳香族または脂肪族炭化水素
残基が典型的な例として例示されるが、これらに限定さ
れるものではない。好ましい基としてはジフェニルエー
テル、ジフェニルスルホン、およびベンゼンである。な
お、必要に応じてＲ2 として上記にて例示した基の二種
類以上を含有させることもできる。例えば、下記（化
４）で示されるポリイミド前駆体が用いられる。
【００１４】
【化４】
【００１５】上記（化２）にて示される構造単位中のＲ
3 およびＲ4 は、カルボキシル基に結合する有機基であ
って、少なくとも一方の基は酸またはアルカリ条件下で
脱離して、上記ポリイミド前駆体中にカルボキシル基を
有せしめる保護基である。このような基としては、テト
ラヒドロピラニル基、フタルイミドメチル基、ｐ−ニト
ロベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基，ｔ−ブチル基
などがあげられる。これらのうち好ましい基としては、
テトラヒドロピラニル基である。なお、上記Ｒ3 および
Ｒ4 のうち何れか一方の基が上記のような保護基であれ
ば、他方の基は有機基である必要はなく、水素原子であ
ってもよい。また、Ｒ3 およびＲ4 が保護基として（化
２）中のカルボキシル基を保護する割合は、２０％以
上、好ましくは７０％以上が望ましい。
3 およびＲ4 は、カルボキシル基に結合する有機基であ
って、少なくとも一方の基は酸またはアルカリ条件下で
脱離して、上記ポリイミド前駆体中にカルボキシル基を
有せしめる保護基である。このような基としては、テト
ラヒドロピラニル基、フタルイミドメチル基、ｐ−ニト
ロベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基，ｔ−ブチル基
などがあげられる。これらのうち好ましい基としては、
テトラヒドロピラニル基である。なお、上記Ｒ3 および
Ｒ4 のうち何れか一方の基が上記のような保護基であれ
ば、他方の基は有機基である必要はなく、水素原子であ
ってもよい。また、Ｒ3 およびＲ4 が保護基として（化
２）中のカルボキシル基を保護する割合は、２０％以
上、好ましくは７０％以上が望ましい。
【００１６】上記ポリイミド前駆体は、例えば以下の方
法で得ることができる。上記Ｒ1 を分子内に有する芳香
族もしくは脂肪族テトラカルボン酸二無水物と、上記Ｒ
2 を分子内に有する芳香族もしくは脂肪族ジアミンの略
等モル量を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルア
セトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、ヘキサメチルホスホルアミドなどの有機溶媒中に
て反応させる。
法で得ることができる。上記Ｒ1 を分子内に有する芳香
族もしくは脂肪族テトラカルボン酸二無水物と、上記Ｒ
2 を分子内に有する芳香族もしくは脂肪族ジアミンの略
等モル量を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルア
セトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、ヘキサメチルホスホルアミドなどの有機溶媒中に
て反応させる。
【００１７】次いで、上記反応によって得られたポリイ
ミド前駆体に、Ｒ3およびＲ4 を有するカルボキシル基
の保護化剤と、必要に応じて反応触媒とを加え、室温〜
８０℃程度の温度で保護化反応させて、（化２）で示さ
れる構造単位を有するポリイミド前駆体を得ることがで
きる。
ミド前駆体に、Ｒ3およびＲ4 を有するカルボキシル基
の保護化剤と、必要に応じて反応触媒とを加え、室温〜
８０℃程度の温度で保護化反応させて、（化２）で示さ
れる構造単位を有するポリイミド前駆体を得ることがで
きる。
【００１８】本発明の耐熱性ポジ型フォトレジスト組成
物は、上記（化２）で示される構造単位を有するポリイ
ミド前駆体と、活性光線の照射により上記ポリイミド前
駆体中の保護基の脱離反応を誘発しうる化合物とを含む
ものである。このような化合物としては、例えばジアリ
ルスルホニウム塩、トリアリルスルホニウム塩、ジアル
キルフェナシルスルホニウム塩、アリルジアゾニウム
塩、芳香族テトラカルボン酸エステル、芳香族スルホン
酸エステル、ニトロベンジルエステル、芳香族スルファ
ミドなどが用いられる。このような化合物は必要に応じ
て二種類以上併用したり、他の増感剤と組み合わせて使
用することができ、前記ポリイミド前駆体１００重量部
に対して５〜５０重量部、好ましくは１０〜２０重量部
の範囲で配合する。配合量が少ない場合は前駆体中の保
護基の脱離速度が遅くなり感度が低下し、また、多い場
合は溶液保存性や画像性に悪影響を与える場合がある。
物は、上記（化２）で示される構造単位を有するポリイ
ミド前駆体と、活性光線の照射により上記ポリイミド前
駆体中の保護基の脱離反応を誘発しうる化合物とを含む
ものである。このような化合物としては、例えばジアリ
ルスルホニウム塩、トリアリルスルホニウム塩、ジアル
キルフェナシルスルホニウム塩、アリルジアゾニウム
塩、芳香族テトラカルボン酸エステル、芳香族スルホン
酸エステル、ニトロベンジルエステル、芳香族スルファ
ミドなどが用いられる。このような化合物は必要に応じ
て二種類以上併用したり、他の増感剤と組み合わせて使
用することができ、前記ポリイミド前駆体１００重量部
に対して５〜５０重量部、好ましくは１０〜２０重量部
の範囲で配合する。配合量が少ない場合は前駆体中の保
護基の脱離速度が遅くなり感度が低下し、また、多い場
合は溶液保存性や画像性に悪影響を与える場合がある。
【００１９】次に、本発明の耐熱性ポジ型フォトレジス
ト組成物を用いて画像を形成する方法の一例を示す。
ト組成物を用いて画像を形成する方法の一例を示す。
【００２０】まず、前記にて示したポリイミド前駆体
と、活性光線の照射により該前駆体中に存在する保護基
の脱離反応を誘発しうる化合物を、前記有機溶剤に溶解
して感光液を調製する。次いで、この感光液を基材上に
乾燥後の膜厚が１〜３０μｍ、好ましくは３〜１０μｍ
となるように塗布する。
と、活性光線の照射により該前駆体中に存在する保護基
の脱離反応を誘発しうる化合物を、前記有機溶剤に溶解
して感光液を調製する。次いで、この感光液を基材上に
乾燥後の膜厚が１〜３０μｍ、好ましくは３〜１０μｍ
となるように塗布する。
【００２１】塗布した塗膜を乾燥した後に通常のフォト
マスクを通して露光を行ない、露光後、後加熱（８０〜
１２０℃）を行ったのち、照射部を除去すべく浸漬法や
スプレー法などを用いて現像処理を行う。このときに用
いる現像液としては、露光膜を適当な時間内で完全に溶
解除去できるものが好ましく、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウムなどの無機アルカリ性水溶液、またはプロピ
ルアミン、ブチルアミン、モノエタノールアミン、テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（以下、ＴＭ
ＡＨという）、コリンなどの有機アルカリ性水溶液など
を単独もしくは二種以上混合して用いる。また、このア
ルカリ性水溶液には必要に応じてアルコール類などの有
機溶剤や、各種界面活性剤を含有させることもできる。
マスクを通して露光を行ない、露光後、後加熱（８０〜
１２０℃）を行ったのち、照射部を除去すべく浸漬法や
スプレー法などを用いて現像処理を行う。このときに用
いる現像液としては、露光膜を適当な時間内で完全に溶
解除去できるものが好ましく、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウムなどの無機アルカリ性水溶液、またはプロピ
ルアミン、ブチルアミン、モノエタノールアミン、テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（以下、ＴＭ
ＡＨという）、コリンなどの有機アルカリ性水溶液など
を単独もしくは二種以上混合して用いる。また、このア
ルカリ性水溶液には必要に応じてアルコール類などの有
機溶剤や、各種界面活性剤を含有させることもできる。
【００２２】現像したのち、リンス液で洗浄することに
より所望のポリイミド前駆体を用いた画像が得られる。
より所望のポリイミド前駆体を用いた画像が得られる。
【００２３】以上のようにして得られた画像は、高温加
熱処理（約２００〜４００℃）することによって耐熱性
を有するポリイミド画像となる。
熱処理（約２００〜４００℃）することによって耐熱性
を有するポリイミド画像となる。
【００２４】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明をさら
に具体的に説明する。
に具体的に説明する。
【００２５】実施例１ 表１に示すＲ1 およびＲ2 を有するテトラカルボン酸二
無水物およびジアミンの略等モル量を、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン（以下、ＮＭＰという）中、室温下で反応
させ、前記（化１）にて示される構造単位を有するポリ
イミド前駆体溶液１〜５を得た。
無水物およびジアミンの略等モル量を、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン（以下、ＮＭＰという）中、室温下で反応
させ、前記（化１）にて示される構造単位を有するポリ
イミド前駆体溶液１〜５を得た。
【００２６】次に、３，４−ジヒドロ−α−ピランをＮ
ＭＰの１／２重量加えたものに、酸性触媒としてのｐ−
トルエンスルホン酸をテトラカルボン酸二無水物の１／
２モル量添加したものを、上記にて得た各ポリイミド前
駆体溶液に添加し、室温で一晩攪拌する。そののち、固
形分をメタノール（−１０℃）にて再沈澱処理して得、
真空乾燥機（０．１ｔｏｒｒ，３５℃）で一晩乾燥し
た。このようにして得た固形分を再びＮＭＰに溶解し、
その溶液に光分解性プロトン発生剤であるｐ−ニトロベ
ンジル−９，１０−ジメトキシアントラセン−２−スル
ホナート（以下、ＮＢＡＳという）を表２に示す配合量
で添加した。
ＭＰの１／２重量加えたものに、酸性触媒としてのｐ−
トルエンスルホン酸をテトラカルボン酸二無水物の１／
２モル量添加したものを、上記にて得た各ポリイミド前
駆体溶液に添加し、室温で一晩攪拌する。そののち、固
形分をメタノール（−１０℃）にて再沈澱処理して得、
真空乾燥機（０．１ｔｏｒｒ，３５℃）で一晩乾燥し
た。このようにして得た固形分を再びＮＭＰに溶解し、
その溶液に光分解性プロトン発生剤であるｐ−ニトロベ
ンジル−９，１０−ジメトキシアントラセン−２−スル
ホナート（以下、ＮＢＡＳという）を表２に示す配合量
で添加した。
【００２７】これらの溶液をシリコンウエハ上にスピン
コートして、乾燥膜厚３〜５μｍの塗膜を形成し、その
のちガラスマスクを通して２５０Ｗ超高圧水銀灯を用い
て光源から３０ｃｍのところで３分間、真空密着露光を
行った。
コートして、乾燥膜厚３〜５μｍの塗膜を形成し、その
のちガラスマスクを通して２５０Ｗ超高圧水銀灯を用い
て光源から３０ｃｍのところで３分間、真空密着露光を
行った。
【００２８】露光後、１１０℃で１０分間加熱し、表２
に示す現像液により現像、水でリンスしたところ、表２
に示す解像性ならびに高温加熱（３２０℃／１時間）後
の残膜厚率を得た。
に示す現像液により現像、水でリンスしたところ、表２
に示す解像性ならびに高温加熱（３２０℃／１時間）後
の残膜厚率を得た。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【表２】
【００３１】実施例２ 実施例１において表１中のポリイミド前駆体５を用い、
ピラニル化反応の酸性触媒を塩酸に代えてピラニル反応
を行い、過剰の３，４−ジヒドロ−α−ピランおよび塩
酸を真空蒸留にて除去したのち、直接その溶液にＮＢＡ
Ｓを添加した。
ピラニル化反応の酸性触媒を塩酸に代えてピラニル反応
を行い、過剰の３，４−ジヒドロ−α−ピランおよび塩
酸を真空蒸留にて除去したのち、直接その溶液にＮＢＡ
Ｓを添加した。
【００３２】その他は実施例１と同様にしてスピンコー
ト、露光、現像を行ったところ、実施例１と同様の結果
が得られた。
ト、露光、現像を行ったところ、実施例１と同様の結果
が得られた。
【００３３】比較例１ 実施例１において表１中のポリイミド前駆体５を用い、
ＮＢＡＳ添加量を２．５重量％とした以外は、実施例１
と同様に行った。
ＮＢＡＳ添加量を２．５重量％とした以外は、実施例１
と同様に行った。
【００３４】その結果、現像後の塗膜に明確なコントラ
ストが得られず、レリーフ画像を得ることができなかっ
た。
ストが得られず、レリーフ画像を得ることができなかっ
た。
【００３５】比較例２ 実施例１において表１中のポリイミド前駆体５を用い、
ＮＢＡＳ添加量を６０重量％添加したが、得られた塗膜
が不均一になると共に、高温加熱処理してイミド化した
際の膜減り率が大きく良好なレリーフ画像の再現ができ
なかった。
ＮＢＡＳ添加量を６０重量％添加したが、得られた塗膜
が不均一になると共に、高温加熱処理してイミド化した
際の膜減り率が大きく良好なレリーフ画像の再現ができ
なかった。
【００３６】
【発明の効果】本発明の耐熱性ポジ型フォトレジスト組
成物は、活性光線を照射することによって（化２）で示
される構造単位を有するポリイミド前駆体中の保護基の
脱離反応が誘発され、その結果、ポリイミド前駆体中に
カルボキシル基が復活し、アルカリ可溶性の性質を呈す
るようになり、従来の耐熱性フォトレジスト組成物では
達成できなかった高感度、高解像度で実用に供しうるポ
ジ型のパターン形成が可能となる。
成物は、活性光線を照射することによって（化２）で示
される構造単位を有するポリイミド前駆体中の保護基の
脱離反応が誘発され、その結果、ポリイミド前駆体中に
カルボキシル基が復活し、アルカリ可溶性の性質を呈す
るようになり、従来の耐熱性フォトレジスト組成物では
達成できなかった高感度、高解像度で実用に供しうるポ
ジ型のパターン形成が可能となる。
【００３７】しかも、最終的に高温加熱処理にて得られ
るポリイミドは、耐熱性や電気的特性、機械的特性に優
れるので、半導体工業における固体素子や回路基板の保
護膜や絶縁膜形成のための材料として好適に用いること
ができるものである。
るポリイミドは、耐熱性や電気的特性、機械的特性に優
れるので、半導体工業における固体素子や回路基板の保
護膜や絶縁膜形成のための材料として好適に用いること
ができるものである。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年４月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【化１】 （但し、（化１）中の矢印の結合は異性化によって置換
可能な結合を示し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ４価およ
び２価の芳香族または脂肪族炭化水素残基、Ｒ３および
Ｒ４は水素原子または有機基であって、少なくとも一方
の基は酸またはアルカリ条件下で脱離可能な保護基であ
る。）活性光線の照射によりポリイミド前駆体中の保護
基の脱離反応を誘発しうる化合物、とを含有してなる耐
熱性ポジ型フォトレジスト組成物。
可能な結合を示し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ４価およ
び２価の芳香族または脂肪族炭化水素残基、Ｒ３および
Ｒ４は水素原子または有機基であって、少なくとも一方
の基は酸またはアルカリ条件下で脱離可能な保護基であ
る。）活性光線の照射によりポリイミド前駆体中の保護
基の脱離反応を誘発しうる化合物、とを含有してなる耐
熱性ポジ型フォトレジスト組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【化２】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】
【表２】
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 下記（化１）にて示される構造単位を
有するポリイミド前駆体と、 【化１】 （但し、（化１）中の矢印の結合は異性化によって置換
可能な結合を示し、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれ４価およ
び２価の芳香族または脂肪族炭化水素残基、Ｒ3 および
Ｒ4 は水素原子または有機基であって、少なくとも一方
の基は酸またはアルカリ条件下で脱離可能な保護基であ
る。）活性光線の照射によりポリイミド前駆体中の保護
基の脱離反応を誘発しうる化合物、とを含有してなる耐
熱性ポジ型フォトレジスト組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3065634A JPH055992A (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | 耐熱性ポジ型フオトレジスト組成物 |
| EP19920103100 EP0502400B1 (en) | 1991-03-05 | 1992-02-24 | Heat-resistant positive photoresist composition, photosensitive substrate, and process for preparing heat-resistant positive pattern |
| DE1992622203 DE69222203T2 (de) | 1991-03-05 | 1992-02-24 | Hitzebeständige, positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung, lichtempfindliches Substrat, und Verfahren zur Herstellung eines hitzebeständigen positiven Musters |
| US08/769,829 US5851736A (en) | 1991-03-05 | 1996-12-20 | Heat-resistant photoresist composition, photosensitive substrate, and process for forming heat-resistant positive or negative pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3065634A JPH055992A (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | 耐熱性ポジ型フオトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH055992A true JPH055992A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=13292654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3065634A Pending JPH055992A (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | 耐熱性ポジ型フオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH055992A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05197148A (ja) * | 1991-08-14 | 1993-08-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 感光性ポリアミック・アルキル・エステル組成物およびその使用方法 |
| JP2003084435A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | ネガ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
-
1991
- 1991-03-05 JP JP3065634A patent/JPH055992A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05197148A (ja) * | 1991-08-14 | 1993-08-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 感光性ポリアミック・アルキル・エステル組成物およびその使用方法 |
| JP2003084435A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | ネガ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
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