JPH0560681A - 分光分析方法 - Google Patents
分光分析方法Info
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- JPH0560681A JPH0560681A JP24503091A JP24503091A JPH0560681A JP H0560681 A JPH0560681 A JP H0560681A JP 24503091 A JP24503091 A JP 24503091A JP 24503091 A JP24503091 A JP 24503091A JP H0560681 A JPH0560681 A JP H0560681A
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Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低コストで狭い実験室でもレーザ分光分析を
可能とする。 【構成】 分光分析を行いたい気体分子もしくは気体ラ
ジカルのエネルギ状態の励起にＡｌＧａＡｓ半導体レー
ザを用いる。 【効果】 半導体レーザは、色素レーザに較べてはるか
に小型かつ安価であり、消費電力も小さいため、扱いが
容易で小型化が可能であり、低コストの実験の実現が可
能となる。
可能とする。 【構成】 分光分析を行いたい気体分子もしくは気体ラ
ジカルのエネルギ状態の励起にＡｌＧａＡｓ半導体レー
ザを用いる。 【効果】 半導体レーザは、色素レーザに較べてはるか
に小型かつ安価であり、消費電力も小さいため、扱いが
容易で小型化が可能であり、低コストの実験の実現が可
能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザを用いた気
体分子の分光分析方法に関する。
体分子の分光分析方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、気体分子もしくは気体ラジカルの
分光分析方法において、窒素レーザ励起の色素レーザ、
エキシマーレーザ励起の色素レーザなどの可視光レーザ
を吸収スペクトルまたは蛍光励起スペクトルを得る際の
気体分子もしくは気体ラジカルの振動準位もしくは振電
準位の励起光として用いる分光分析方法として図５に示
すような方法が報告されている（片山幹郎「レーザと化
学」参照）。
分光分析方法において、窒素レーザ励起の色素レーザ、
エキシマーレーザ励起の色素レーザなどの可視光レーザ
を吸収スペクトルまたは蛍光励起スペクトルを得る際の
気体分子もしくは気体ラジカルの振動準位もしくは振電
準位の励起光として用いる分光分析方法として図５に示
すような方法が報告されている（片山幹郎「レーザと化
学」参照）。
【０００３】図５は、気体分子または気体ラジカルの吸
収スペクトルを測定して、振動分光を行う場合の従来例
の概念図である。図中、１１は、色素可変レーザ、１２
は測定したい気体を密閉するセルで、セル１２の両脇に
は、レーザ光をほぼ１００％通すウィンドウ１２ａが向
き合わせについている。
収スペクトルを測定して、振動分光を行う場合の従来例
の概念図である。図中、１１は、色素可変レーザ、１２
は測定したい気体を密閉するセルで、セル１２の両脇に
は、レーザ光をほぼ１００％通すウィンドウ１２ａが向
き合わせについている。
【０００４】１３は、レーザ光を半分通し、半分反射す
るミラーである。光出力検出器（例えばフォトダイオー
ド）１５によってレーザ光の強度を常時測定する。また
セル１２内を通過した後のレーザ光の強度を光出力検出
器１４によって測定する。光出力検出器１４の測定値を
Ａ、検出器１５の測定値をＢとすると、両検出器１４、
１５からそれぞれデータ処理装置（例えばボックスカー
積分器）１６へＡ、Ｂを送り、データ処理装置１６でデ
ータ処理を行い、Ａ／Ｂをチャートレコーダ１７におく
り、これを記録する。
るミラーである。光出力検出器（例えばフォトダイオー
ド）１５によってレーザ光の強度を常時測定する。また
セル１２内を通過した後のレーザ光の強度を光出力検出
器１４によって測定する。光出力検出器１４の測定値を
Ａ、検出器１５の測定値をＢとすると、両検出器１４、
１５からそれぞれデータ処理装置（例えばボックスカー
積分器）１６へＡ、Ｂを送り、データ処理装置１６でデ
ータ処理を行い、Ａ／Ｂをチャートレコーダ１７におく
り、これを記録する。
【０００５】色素可変レーザ１１の発振波長を変化させ
ていくことによって、セル１２内の気体の振動吸収スペ
クトルが得られる。また振電スペクトルを測定する場合
には、ミラー１３の前または後ろに非線形光学結晶を配
置し、それによってレーザ光の波長を半分にすることも
ある。また蛍光励起スペクトルを測定する場合には、ミ
ラー１３と光出力検出器１５を取り除き、セル１２の中
央部に穴を設け、その穴に光電子倍増管を装着する。光
電子倍増管からの検出信号がデータ処理装置１６に送ら
れるようにする。以上の方法によりレーザ光を用いるこ
とによって、他の方法では得られない気体分子もしくは
気体ラジカルの電子構造、振動構造に関する情報を得る
ことができる。
ていくことによって、セル１２内の気体の振動吸収スペ
クトルが得られる。また振電スペクトルを測定する場合
には、ミラー１３の前または後ろに非線形光学結晶を配
置し、それによってレーザ光の波長を半分にすることも
ある。また蛍光励起スペクトルを測定する場合には、ミ
ラー１３と光出力検出器１５を取り除き、セル１２の中
央部に穴を設け、その穴に光電子倍増管を装着する。光
電子倍増管からの検出信号がデータ処理装置１６に送ら
れるようにする。以上の方法によりレーザ光を用いるこ
とによって、他の方法では得られない気体分子もしくは
気体ラジカルの電子構造、振動構造に関する情報を得る
ことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の分光分析方法で
は、色素レーザの励起用に、エキシマーレーザ、窒素レ
ーザをスペクトル分析に色素レーザなどを用いている
が、これらのレーザ装置は、いずれもかなりの大きさを
持ち、実験を行うためには、広い実験室と冷却用水、高
圧電源、定盤、真空ポンプ、ガスボンベなどの大がかり
な設備が必要であった。そのため、実験設備を整え、実
験を行うためには、多大な費用と時間を要した。
は、色素レーザの励起用に、エキシマーレーザ、窒素レ
ーザをスペクトル分析に色素レーザなどを用いている
が、これらのレーザ装置は、いずれもかなりの大きさを
持ち、実験を行うためには、広い実験室と冷却用水、高
圧電源、定盤、真空ポンプ、ガスボンベなどの大がかり
な設備が必要であった。そのため、実験設備を整え、実
験を行うためには、多大な費用と時間を要した。
【０００７】本発明の目的は、分光分析に半導体レーザ
を用いることによって、装置を小型化、簡易化し、測定
時間の削減を可能ならしめた分光分析方法を提供するこ
とにある。
を用いることによって、装置を小型化、簡易化し、測定
時間の削減を可能ならしめた分光分析方法を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による分光分析方法においては、気体分子も
しくは気体ラジカルの分光分析において、半導体レーザ
からのレーザ光を気体分子もしくは気体ラジカルの吸収
スペクトルを得る際の気体分子もしくは気体ラジカルの
振動準位の励起光として用いるものである。
め、本発明による分光分析方法においては、気体分子も
しくは気体ラジカルの分光分析において、半導体レーザ
からのレーザ光を気体分子もしくは気体ラジカルの吸収
スペクトルを得る際の気体分子もしくは気体ラジカルの
振動準位の励起光として用いるものである。
【０００９】また、気体分子もしくは気体ラジカルの分
光分析において、半導体レーザからのレーザ光を気体分
子もしくは気体ラジカルの蛍光励起スペクトルを得る際
の気体分子もしくは気体ラジカルの振動準位の励起光と
して用いるものである。
光分析において、半導体レーザからのレーザ光を気体分
子もしくは気体ラジカルの蛍光励起スペクトルを得る際
の気体分子もしくは気体ラジカルの振動準位の励起光と
して用いるものである。
【００１０】また、気体分子もしくは気体ラジカルの分
光分析において、半導体レーザからのレーザ光を非線形
光学結晶により、半分の波長とし、気体分子もしくは気
体ラジカルの吸収スペクトルを得る際の気体分子もしく
は気体ラジカルの振動準位の励起光として用いるもので
ある。
光分析において、半導体レーザからのレーザ光を非線形
光学結晶により、半分の波長とし、気体分子もしくは気
体ラジカルの吸収スペクトルを得る際の気体分子もしく
は気体ラジカルの振動準位の励起光として用いるもので
ある。
【００１１】また、気体分子もしくは気体ラジカルの分
光分析において、半導体レーザからのレーザ光を非線形
光学結晶により、半分の波長とし、気体分子もしくは気
体ラジカルの蛍光励起スペクトルを得る際の気体分子も
しくは気体ラジカルの振電準位の励起光として用いるも
のである。
光分析において、半導体レーザからのレーザ光を非線形
光学結晶により、半分の波長とし、気体分子もしくは気
体ラジカルの蛍光励起スペクトルを得る際の気体分子も
しくは気体ラジカルの振電準位の励起光として用いるも
のである。
【００１２】半導体レーザとしては、ＡｌＧａＡｓ／Ｇ
ａＡｓ系レーザ、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系レーザ、Ａ
ｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系レーザ等、種々のレーザを用
いることができる。
ａＡｓ系レーザ、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系レーザ、Ａ
ｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系レーザ等、種々のレーザを用
いることができる。
【００１３】
【作用】ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザの温度による発振
波長の変化は、およそ０．２７ｎｍ／℃である（米津宏
雄 光通信素子工学 ２４４ｐ）。室温２５℃での発振
波長は、８３０ｎｍであるから、ペルチエ素子などによ
って半導体レーザの温度を０〜１００℃程度まで変える
ことによって、８２３〜８５０ｎｍ程度まで発振波長を
変えることが可能である。この波長帯は、気体分子もし
くは気体ラジカルの振動状態の励起エネルギに相当す
る。
波長の変化は、およそ０．２７ｎｍ／℃である（米津宏
雄 光通信素子工学 ２４４ｐ）。室温２５℃での発振
波長は、８３０ｎｍであるから、ペルチエ素子などによ
って半導体レーザの温度を０〜１００℃程度まで変える
ことによって、８２３〜８５０ｎｍ程度まで発振波長を
変えることが可能である。この波長帯は、気体分子もし
くは気体ラジカルの振動状態の励起エネルギに相当す
る。
【００１４】従って、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザを吸収
スペクトルまたは蛍光励起スペクトルを測定したい気体
分子または気体ラジカルに照射し、レーザ光の波長を温
度変化によって変えていくと、レーザ光の波長がそれら
の気体分子もしくは気体ラジカルの振動準位間の遷移エ
ネルギに共鳴したときに、それらの気体分子または気体
ラジカルによるレーザ光の吸収が起きる。
スペクトルまたは蛍光励起スペクトルを測定したい気体
分子または気体ラジカルに照射し、レーザ光の波長を温
度変化によって変えていくと、レーザ光の波長がそれら
の気体分子もしくは気体ラジカルの振動準位間の遷移エ
ネルギに共鳴したときに、それらの気体分子または気体
ラジカルによるレーザ光の吸収が起きる。
【００１５】従って、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザは、温
度による発振波長の制御によって、気体分子または気体
ラジカルの吸収スペクトルまたは、蛍光励起スペクトル
の測定を行う分光分析に用いることができる。
度による発振波長の制御によって、気体分子または気体
ラジカルの吸収スペクトルまたは、蛍光励起スペクトル
の測定を行う分光分析に用いることができる。
【００１６】また、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザの温度
による発振波長は、８２０〜８５０ｎｍ程度まで発振波
長を変えることが可能であるが、更に非線形結晶を用い
て波長を半分にすることによって４１０〜４２５ｎｍの
光を得ることができる。この波長帯は、気体分子もしく
は気体ラジカルの振電状態の励起エネルギに相当する。
による発振波長は、８２０〜８５０ｎｍ程度まで発振波
長を変えることが可能であるが、更に非線形結晶を用い
て波長を半分にすることによって４１０〜４２５ｎｍの
光を得ることができる。この波長帯は、気体分子もしく
は気体ラジカルの振電状態の励起エネルギに相当する。
【００１７】従ってＡｌＧａＡｓ半導体レーザからのレ
ーザ光を非線形結晶によって半分の波長にした後、吸収
スペクトルまたは蛍光励起スペクトルを測定したい気体
分子または気体ラジカルに照射し、レーザ光の波長を温
度変化によって変えていくと、非線形結晶通過後の光の
波長がそれらの気体分子もしくは気体ラジカルの振電準
位間の遷移エネルギに共鳴したときに、それらの気体分
子または気体ラジカルによる光の吸収が起きる。
ーザ光を非線形結晶によって半分の波長にした後、吸収
スペクトルまたは蛍光励起スペクトルを測定したい気体
分子または気体ラジカルに照射し、レーザ光の波長を温
度変化によって変えていくと、非線形結晶通過後の光の
波長がそれらの気体分子もしくは気体ラジカルの振電準
位間の遷移エネルギに共鳴したときに、それらの気体分
子または気体ラジカルによる光の吸収が起きる。
【００１８】従って、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザは、温
度による発振波長の制御によって、気体分子または気体
ラジカルの吸収スペクトルまたは、蛍光励起スペクトル
の測定を行う分光分析に用いることができる。
度による発振波長の制御によって、気体分子または気体
ラジカルの吸収スペクトルまたは、蛍光励起スペクトル
の測定を行う分光分析に用いることができる。
【００１９】半導体レーザは、色素レーザなどに較べ
て、はるかに小型かつ安価で消費電力も小さいため、扱
いが容易で、低コストの実験が可能となる。また狭い実
験室にも設置できるので、分光分析の研究者数増大にも
つながる。以上のように半導体レーザを振電分光分析に
用いることによって、振動分光分析は従来より容易なも
のとなる。
て、はるかに小型かつ安価で消費電力も小さいため、扱
いが容易で、低コストの実験が可能となる。また狭い実
験室にも設置できるので、分光分析の研究者数増大にも
つながる。以上のように半導体レーザを振電分光分析に
用いることによって、振動分光分析は従来より容易なも
のとなる。
【００２０】
【実施例】以下に本発明の分光分析方法の実施例を、図
面を用いて説明する。
面を用いて説明する。
【００２１】図１は、本発明において気体分子または気
体ラジカルの吸収スペクトルを測定して、振動分光を行
う場合の概念図である。図中、２１は、ＡｌＧａＡｓ半
導体レーザ、２２は、測定したい気体を密閉するセル
で、セル２２の両脇には、レーザ光をほぼ１００％通す
ウィンドウ２２ａが向き合わせについている。
体ラジカルの吸収スペクトルを測定して、振動分光を行
う場合の概念図である。図中、２１は、ＡｌＧａＡｓ半
導体レーザ、２２は、測定したい気体を密閉するセル
で、セル２２の両脇には、レーザ光をほぼ１００％通す
ウィンドウ２２ａが向き合わせについている。
【００２２】２３は、レーザ光を半分通し、半分反射す
るミラーである。光出力検出器２５によってレーザ光の
強度を常時測定する。またセル２２内を通過した後のレ
ーザ光の強度を光出力検出器２４によって測定する。検
出器２４の測定値をＡ、検出器２５の測定値をＢとする
と、両検出器２４，２５からそれぞれデータ処理装置２
６へＡ，Ｂを送り、データ処理装置２６でデータ処理を
行い、Ａ／Ｂをチャートレコーダ２７におくり、これを
記録する。
るミラーである。光出力検出器２５によってレーザ光の
強度を常時測定する。またセル２２内を通過した後のレ
ーザ光の強度を光出力検出器２４によって測定する。検
出器２４の測定値をＡ、検出器２５の測定値をＢとする
と、両検出器２４，２５からそれぞれデータ処理装置２
６へＡ，Ｂを送り、データ処理装置２６でデータ処理を
行い、Ａ／Ｂをチャートレコーダ２７におくり、これを
記録する。
【００２３】半導体レーザ２１は、ペルチエ素子を用い
た温度制御装置２８に組み込んである。半導体レーザ２
１の発振波長を温度を変えて変化させていくことによっ
て、セル２２内の気体の振動吸収スペクトルが得られ
る。この手法によってＮＯ2 の分光分析を行ったとこ
ろ、振動吸収スペクトルが得られた。
た温度制御装置２８に組み込んである。半導体レーザ２
１の発振波長を温度を変えて変化させていくことによっ
て、セル２２内の気体の振動吸収スペクトルが得られ
る。この手法によってＮＯ2 の分光分析を行ったとこ
ろ、振動吸収スペクトルが得られた。
【００２４】図２は、本発明において気体分子または気
体ラジカルの蛍光励起スペクトルを測定して、振動分光
を行う場合の概念図である。３１は、ＡｌＧａＡｓ半導
体レーザ、３２は、測定したい気体を密閉するセルで、
セル３２の両脇にはレーザ光をほぼ１００％通すウィン
ドウ３２ａが向き合わせについている。
体ラジカルの蛍光励起スペクトルを測定して、振動分光
を行う場合の概念図である。３１は、ＡｌＧａＡｓ半導
体レーザ、３２は、測定したい気体を密閉するセルで、
セル３２の両脇にはレーザ光をほぼ１００％通すウィン
ドウ３２ａが向き合わせについている。
【００２５】また、セル３２の中央部には、レーザ光と
垂直な方向に穴が設けられており、これに光電子増倍管
３３が取り付けられている。またレーザ光がセル３２に
入射する直前にレンズ３５が設けられており、レンズ３
５によってレーザ光は、セル３２の中央部で集光される
ようになっている。集光されたレーザ光の一部は、セル
３２内の気体によって吸収され、光を吸収した気体は、
蛍光を発する。この気体が発した蛍光を、光電子増倍管
３３で検出する。光出力検出器３４によってセル３２内
を通過した後のレーザ光の強度を測定する。光電子増倍
管３３の測定値をＡ，光出力検出器３４の測定値をＢと
すると、光電子増倍管３３および光出力検出器３４から
それぞれデータ処理装置３６へ測定値Ａ，Ｂを送り、デ
ータ処理装置３６でデータ処理を行い、Ａ／Ｂをチャー
トレコーダ３７におくり、これを記録する。
垂直な方向に穴が設けられており、これに光電子増倍管
３３が取り付けられている。またレーザ光がセル３２に
入射する直前にレンズ３５が設けられており、レンズ３
５によってレーザ光は、セル３２の中央部で集光される
ようになっている。集光されたレーザ光の一部は、セル
３２内の気体によって吸収され、光を吸収した気体は、
蛍光を発する。この気体が発した蛍光を、光電子増倍管
３３で検出する。光出力検出器３４によってセル３２内
を通過した後のレーザ光の強度を測定する。光電子増倍
管３３の測定値をＡ，光出力検出器３４の測定値をＢと
すると、光電子増倍管３３および光出力検出器３４から
それぞれデータ処理装置３６へ測定値Ａ，Ｂを送り、デ
ータ処理装置３６でデータ処理を行い、Ａ／Ｂをチャー
トレコーダ３７におくり、これを記録する。
【００２６】半導体レーザ３１は、ペルチエ素子を用い
た温度制御装置３８に組み込んである。３１の発振波長
を温度を変えて変化させていくことによって、セル３２
内の気体の振動蛍光励起スペクトルが得られる。この手
法によってＮＯ2 の分光分析を行ったところ、振動蛍光
励起スペクトルが得られた。
た温度制御装置３８に組み込んである。３１の発振波長
を温度を変えて変化させていくことによって、セル３２
内の気体の振動蛍光励起スペクトルが得られる。この手
法によってＮＯ2 の分光分析を行ったところ、振動蛍光
励起スペクトルが得られた。
【００２７】図３は、本発明において気体分子または気
体ラジカルの吸収スペクトルを測定して、振電分光を行
う場合の概念図である。４１は、ＡｌＧａＡｓ半導体レ
ーザ、４２は、測定したい気体を密閉するセルで、セル
４２の両脇には、レーザ光をほぼ１００％通すウィンド
ウ４２ａが向き合わせについている。
体ラジカルの吸収スペクトルを測定して、振電分光を行
う場合の概念図である。４１は、ＡｌＧａＡｓ半導体レ
ーザ、４２は、測定したい気体を密閉するセルで、セル
４２の両脇には、レーザ光をほぼ１００％通すウィンド
ウ４２ａが向き合わせについている。
【００２８】４９は、レーザ光の波長を半分にする非線
形結晶である。４３は、レーザ光を半分通し、半分反射
するミラーである。光出力検出器４５によってレーザ光
の強度を常時測定する。またセル４２内を通過した後の
レーザ光の強度を光出力検出器４４によって測定する。
検出器４４の測定値をＡ、検出器４５の測定値をＢとす
ると、両検出器４４，４５からそれぞれデータ処理装置
４６へ測定値Ａ，Ｂを送り、データ処理装置４６でデー
タ処理を行い、Ａ／Ｂをチャートレコーダ４８におく
り、これを記録する。
形結晶である。４３は、レーザ光を半分通し、半分反射
するミラーである。光出力検出器４５によってレーザ光
の強度を常時測定する。またセル４２内を通過した後の
レーザ光の強度を光出力検出器４４によって測定する。
検出器４４の測定値をＡ、検出器４５の測定値をＢとす
ると、両検出器４４，４５からそれぞれデータ処理装置
４６へ測定値Ａ，Ｂを送り、データ処理装置４６でデー
タ処理を行い、Ａ／Ｂをチャートレコーダ４８におく
り、これを記録する。
【００２９】半導体レーザ４１は、ペルチエ素子を用い
た温度制御装置４８に組み込んである。半導体レーザ４
１の発振波長を温度を変えて変化させていくことによっ
て、セル４２内の気体の振電吸収スペクトルが得られ
る。この手法によってＮＯ2 の分光分析を行ったとこ
ろ、振電吸収スペクトルが得られた。
た温度制御装置４８に組み込んである。半導体レーザ４
１の発振波長を温度を変えて変化させていくことによっ
て、セル４２内の気体の振電吸収スペクトルが得られ
る。この手法によってＮＯ2 の分光分析を行ったとこ
ろ、振電吸収スペクトルが得られた。
【００３０】図４は、本発明において気体分子または気
体ラジカルの蛍光励起スペクトルを測定して、振電分光
を行う場合の概念図である。５１は、ＡｌＧａＡｓ半導
体レーザ、５２は、測定したい気体を密閉するセルで、
セル５２の両脇には、レーザ光をほぼ１００％通すウィ
ンドウ５２ａが向き合わせについている。
体ラジカルの蛍光励起スペクトルを測定して、振電分光
を行う場合の概念図である。５１は、ＡｌＧａＡｓ半導
体レーザ、５２は、測定したい気体を密閉するセルで、
セル５２の両脇には、レーザ光をほぼ１００％通すウィ
ンドウ５２ａが向き合わせについている。
【００３１】５９は、レーザ光の波長を半分にする非線
形光学結晶である。またセル５２の中央部には、レーザ
光と垂直な方向に穴が設けられており、これに光電子増
倍管５３が取り付けられるようになっている。またレー
ザ光がセル５２に入射する直前にレンズ５５が設けられ
ており、レンズ５５によってレーザ光はセル５２の中央
部で集光されるようになっている。集光されたレーザ光
の一部は、セル５２内の気体によって吸収され、光を吸
収した気体は蛍光を発する。この気体が発した蛍光を光
電子増倍管５３で検出する。光出力検出器５４によって
セル５２内を通過した後のレーザ光の強度を測定する。
光電子増倍管５３の測定値をＡ、光出力検出器５４の測
定値をＢとすると、光電子増倍管５３および光出力検出
器５４からそれぞれデータ処理装置５６へ測定値Ａ，Ｂ
を送り、データ処理装置５６でデータ処理を行い、Ａ／
Ｂをチャートレコーダ５７におくり、これを記録する。
形光学結晶である。またセル５２の中央部には、レーザ
光と垂直な方向に穴が設けられており、これに光電子増
倍管５３が取り付けられるようになっている。またレー
ザ光がセル５２に入射する直前にレンズ５５が設けられ
ており、レンズ５５によってレーザ光はセル５２の中央
部で集光されるようになっている。集光されたレーザ光
の一部は、セル５２内の気体によって吸収され、光を吸
収した気体は蛍光を発する。この気体が発した蛍光を光
電子増倍管５３で検出する。光出力検出器５４によって
セル５２内を通過した後のレーザ光の強度を測定する。
光電子増倍管５３の測定値をＡ、光出力検出器５４の測
定値をＢとすると、光電子増倍管５３および光出力検出
器５４からそれぞれデータ処理装置５６へ測定値Ａ，Ｂ
を送り、データ処理装置５６でデータ処理を行い、Ａ／
Ｂをチャートレコーダ５７におくり、これを記録する。
【００３２】半導体レーザ５１は、ペルチエ素子を用い
た遠度制御装置５８に組み込んである。半導体レーザ５
１の発振波長を、温度を変えて変化させていくことによ
って、セル５２内の気体の振電蛍光励起スペクトルが得
られる。この手法によってＮＯ2 の分光分析を行ったと
ころ、振電蛍光励起スペクトルが得られた。
た遠度制御装置５８に組み込んである。半導体レーザ５
１の発振波長を、温度を変えて変化させていくことによ
って、セル５２内の気体の振電蛍光励起スペクトルが得
られる。この手法によってＮＯ2 の分光分析を行ったと
ころ、振電蛍光励起スペクトルが得られた。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明の半導体レーザを用
いた分光分析方法によれば、装置を小型化、簡易化し、
低コストで、狭い実験室でも分光分析を行うことが可能
となる。
いた分光分析方法によれば、装置を小型化、簡易化し、
低コストで、狭い実験室でも分光分析を行うことが可能
となる。
【図１】本発明の方法によって気体の振動吸収スペクト
ルを得る場合の実験図である。
ルを得る場合の実験図である。
【図２】本発明の方法によって気体の振動蛍光励起スペ
クトルを得る場合の実験図である。
クトルを得る場合の実験図である。
【図３】本発明の方法によって気体の振電吸収スペクト
ルを得る場合の実験図である。
ルを得る場合の実験図である。
【図４】本発明の方法によって気体の振電蛍光励起スペ
クトルを得る場合の実験図である。
クトルを得る場合の実験図である。
【図５】従来の方法によって振動吸収スペクトルを得る
場合の実験図である。
場合の実験図である。
２１，３１，４１，５１ 半導体レーザ ２２，３２，４２，５２ セル ４９，５９ 非線形光学結晶 Ａ，Ｂ 各測定器からの出力 Ａ／Ｂ データ処理装置からの出力で、ＡをＢで除算し
た値
た値
Claims (4)
- 【請求項１】 気体分子もしくは気体ラジカルの分光分
析において、 半導体レーザからのレーザ光を気体分子もしくは気体ラ
ジカルの吸収スペクトルを得る際の気体分子もしくは気
体ラジカルの振動準位の励起光として用いることを特徴
とする分光分析方法。 - 【請求項２】 気体分子もしくは気体ラジカルの分光分
析において、 半導体レーザからのレーザ光を気体分子もしくは気体ラ
ジカルの蛍光励起スペクトルを得る際の気体分子もしく
は気体ラジカルの振動準位の励起光として用いることを
特徴とする分光分析方法。 - 【請求項３】 気体分子もしくは気体ラジカルの分光分
析において、 半導体レーザからのレーザ光を非線形光学結晶により、
半分の波長とし、気体分子もしくは気体ラジカルの吸収
スペクトルを得る際の気体分子もしくは気体ラジカルの
振動準位の励起光として用いることを特徴とする分光分
析方法。 - 【請求項４】 気体分子もしくは気体ラジカルの分光分
析において、 半導体レーザからのレーザ光を非線形光学結晶により、
半分の波長とし、気体分子もしくは気体ラジカルの蛍光
励起スペクトルを得る際の気体分子もしくは気体ラジカ
ルの振電準位の励起光として用いることを特徴とする分
光分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24503091A JPH0560681A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 分光分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24503091A JPH0560681A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 分光分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0560681A true JPH0560681A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=17127537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24503091A Pending JPH0560681A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 分光分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0560681A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990050179A (ko) * | 1997-12-16 | 1999-07-05 | 이구택 | 용액중의 슬러지 농도 측정방법 |
| JP2007309849A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Japan Science & Technology Agency | 酸素分子の検出及び定量装置及び方法 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP24503091A patent/JPH0560681A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990050179A (ko) * | 1997-12-16 | 1999-07-05 | 이구택 | 용액중의 슬러지 농도 측정방법 |
| JP2007309849A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Japan Science & Technology Agency | 酸素分子の検出及び定量装置及び方法 |
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