JPH0560936A - 光結合回路及び光結合回路の製造方法 - Google Patents
光結合回路及び光結合回路の製造方法Info
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- JPH0560936A JPH0560936A JP3220095A JP22009591A JPH0560936A JP H0560936 A JPH0560936 A JP H0560936A JP 3220095 A JP3220095 A JP 3220095A JP 22009591 A JP22009591 A JP 22009591A JP H0560936 A JPH0560936 A JP H0560936A
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- Japan
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- fiber
- optical
- coupling circuit
- optical coupling
- thin film
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡易な方法により出射ビームサイズを拡大し
て光軸整合時の寸法精度を緩和する。 【構成】 単一モード光ファイバからの出射ビームがフ
ァイバ固有の光ビームサイズよりも大きく拡大されてフ
ァイバ同士との結合を行う光結合回路及び光結合回路の
製造方法において、単一モード光ファイバ１１の外周に
均一で所定の厚さの金属薄膜層１３を所定の長さに渡っ
て形成し、そのファイバ１１の先端近傍において所定の
長さに渡って所定の時間金属薄膜層１３へヒータ供給電
源１５により通電し、真空または不活性ガス中にて部分
的に高温加熱処理し、高温加熱処理が施されたた光ファ
イバ１１の端面同士を結合させて光結合回路を構成す
る。
て光軸整合時の寸法精度を緩和する。 【構成】 単一モード光ファイバからの出射ビームがフ
ァイバ固有の光ビームサイズよりも大きく拡大されてフ
ァイバ同士との結合を行う光結合回路及び光結合回路の
製造方法において、単一モード光ファイバ１１の外周に
均一で所定の厚さの金属薄膜層１３を所定の長さに渡っ
て形成し、そのファイバ１１の先端近傍において所定の
長さに渡って所定の時間金属薄膜層１３へヒータ供給電
源１５により通電し、真空または不活性ガス中にて部分
的に高温加熱処理し、高温加熱処理が施されたた光ファ
イバ１１の端面同士を結合させて光結合回路を構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は接続損失が低くかつ反射
戻り光が少なく、更に、接続に伴う光軸整合寸法精度の
緩和された光結合回路光結合回路及び光結合回路の製造
方法に関するものである。
戻り光が少なく、更に、接続に伴う光軸整合寸法精度の
緩和された光結合回路光結合回路及び光結合回路の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】単一モード光ファイバからの出射光ビー
ムの直径は、通常、１０μｍ程度であり、このような光
ファイバ同士を十分に低損失で接続する際には対向する
光ファイバ間の光軸を１〜２μｍ程度の厳しい寸法精度
で合わせる必要がある。そのため、このことが光接続部
の安定性確保や光ファイバ接続用品の低価格化の阻害要
因になっている。
ムの直径は、通常、１０μｍ程度であり、このような光
ファイバ同士を十分に低損失で接続する際には対向する
光ファイバ間の光軸を１〜２μｍ程度の厳しい寸法精度
で合わせる必要がある。そのため、このことが光接続部
の安定性確保や光ファイバ接続用品の低価格化の阻害要
因になっている。
【０００３】これを解決する手段として、単一モードフ
ァイバからの出射ビームサイズを拡大して光軸整合時の
寸法精度を緩和する方法がある。単一モードファイバか
らの出射ビームサイズ、即ち、モードフィールド径を拡
大するための技術としては従来から種々のものが提案さ
れているが、簡易な手法として、例えば、白石や川上氏
によるファイバ加熱法によるビームサイズの拡大法（白
石他、１９８９年電子情報通信学会春季総合全国大会、
Ｃ−４５１、川上、電子情報通信学会研究会ＯＣＳ８８
−１）がある。即ち、この方法は単一モード光ファイバ
を電気炉中で千数百度にて数時間加熱することによって
光ファイバのコアのＧｅドーパントをクラッド方向へ拡
散させてモードフィールド径を拡大させる手法である。
ァイバからの出射ビームサイズを拡大して光軸整合時の
寸法精度を緩和する方法がある。単一モードファイバか
らの出射ビームサイズ、即ち、モードフィールド径を拡
大するための技術としては従来から種々のものが提案さ
れているが、簡易な手法として、例えば、白石や川上氏
によるファイバ加熱法によるビームサイズの拡大法（白
石他、１９８９年電子情報通信学会春季総合全国大会、
Ｃ−４５１、川上、電子情報通信学会研究会ＯＣＳ８８
−１）がある。即ち、この方法は単一モード光ファイバ
を電気炉中で千数百度にて数時間加熱することによって
光ファイバのコアのＧｅドーパントをクラッド方向へ拡
散させてモードフィールド径を拡大させる手法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の出射ビ
ームサイズを拡大して光軸整合時の寸法精度を緩和する
方法にあっては、裸の光ファイバが使用され、保護樹脂
層を有する通常のファイバ芯線の先端一部分を効率的に
加熱してビーム拡大領域を得ることが必要であるが、こ
れは非常に困難性を伴うものである。また、電気炉内の
温度分布によって所定のファイバ位置にビーム拡大部分
を形成することは難しい。
ームサイズを拡大して光軸整合時の寸法精度を緩和する
方法にあっては、裸の光ファイバが使用され、保護樹脂
層を有する通常のファイバ芯線の先端一部分を効率的に
加熱してビーム拡大領域を得ることが必要であるが、こ
れは非常に困難性を伴うものである。また、電気炉内の
温度分布によって所定のファイバ位置にビーム拡大部分
を形成することは難しい。
【０００５】更に、長時間ファイバをその軟化温度近傍
で加熱することはファイバの塑性変形や強度劣化の発生
が懸念される。電気炉の使用に代わり、バーナにより加
熱する方法も考えられているが、加熱部分が変形しやす
く、温度制御が難しいことから所定のサイズの拡大ビー
ムを再現性良く確保することが困難であるなどの問題が
ある。
で加熱することはファイバの塑性変形や強度劣化の発生
が懸念される。電気炉の使用に代わり、バーナにより加
熱する方法も考えられているが、加熱部分が変形しやす
く、温度制御が難しいことから所定のサイズの拡大ビー
ムを再現性良く確保することが困難であるなどの問題が
ある。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決するもの
であって、極めて簡単な方法で出射ビームサイズを拡大
して光軸整合時の寸法精度を緩和するすることができ、
且つ、所定のサイズの拡大ビームを再現性良く確保する
ことのできる光結合回路及び光結合回路の製造方法を提
供することを目的とする。
であって、極めて簡単な方法で出射ビームサイズを拡大
して光軸整合時の寸法精度を緩和するすることができ、
且つ、所定のサイズの拡大ビームを再現性良く確保する
ことのできる光結合回路及び光結合回路の製造方法を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的を実施するた
めの本発明の光結合回路は、単一モード光ファイバから
の出射ビームが該ファイバ固有の光ビームサイズよりも
大きく拡大されたファイバ同士との結合を行う光結合回
路において、前記単一モード光ファイバの外周に均一で
所定の厚さの金属薄膜層が所定の長さに渡って形成さ
れ、該金属薄膜層に所定時間通電して部分的に高温加熱
処理が施されることで前記ファイバの光ビームサイズが
拡大され、該光ファイバの端面同士が結合されたことを
特徴とするものである。
めの本発明の光結合回路は、単一モード光ファイバから
の出射ビームが該ファイバ固有の光ビームサイズよりも
大きく拡大されたファイバ同士との結合を行う光結合回
路において、前記単一モード光ファイバの外周に均一で
所定の厚さの金属薄膜層が所定の長さに渡って形成さ
れ、該金属薄膜層に所定時間通電して部分的に高温加熱
処理が施されることで前記ファイバの光ビームサイズが
拡大され、該光ファイバの端面同士が結合されたことを
特徴とするものである。
【０００８】また、本発明の光結合回路の製造方法は、
単一モード光ファイバからの出射ビームが該ファイバ固
有の光ビームサイズよりも大きく拡大されてファイバ同
士との結合を行う光結合回路の製造方法において、単一
モード光ファイバの外周に均一で所定の厚さの金属薄膜
層を所定の長さに渡って形成し、該ファイバの先端近傍
において所定の長さに渡って所定の時間前記金属薄膜層
へ通電し、真空または不活性ガス中にて部分的に高温加
熱処理し、高温加熱処理が施されたた光ファイバの端面
同士を結合させることを特徴とするものである。
単一モード光ファイバからの出射ビームが該ファイバ固
有の光ビームサイズよりも大きく拡大されてファイバ同
士との結合を行う光結合回路の製造方法において、単一
モード光ファイバの外周に均一で所定の厚さの金属薄膜
層を所定の長さに渡って形成し、該ファイバの先端近傍
において所定の長さに渡って所定の時間前記金属薄膜層
へ通電し、真空または不活性ガス中にて部分的に高温加
熱処理し、高温加熱処理が施されたた光ファイバの端面
同士を結合させることを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】単一モード光ファイバに形成した薄膜金属層を
高温加熱処理すると、コア含有ドーパントであるＧｅを
クラッド外周方向へ熱拡散して出射ビームサイズが拡大
されることで、簡易な方法によって光軸整合時の寸法精
度が緩和それ、所望のビームサイズを再現性良く短時間
で得られる。
高温加熱処理すると、コア含有ドーパントであるＧｅを
クラッド外周方向へ熱拡散して出射ビームサイズが拡大
されることで、簡易な方法によって光軸整合時の寸法精
度が緩和それ、所望のビームサイズを再現性良く短時間
で得られる。
【００１０】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１１】図１に本発明の一実施例に係る光結合回路
及び光結合回路の製造方法を表す単一モードファイバを
示す。
及び光結合回路の製造方法を表す単一モードファイバを
示す。
【００１２】図１に示すように、１１は単一モードファ
イバであり、標準的には１０μｍφのビームサイズ（モ
ードフィールド直径、ＭＦＤ）を有している。１２はＧ
ｅ等をドープして屈折率を高めているコア部分を示して
おり、１３はファイバ１１のクラッド外周へ形成したヒ
ータ用の薄膜金属層である。拡大ビームはＧｅドーパン
トの熱拡散によって得られ、その際の加熱温度は１１０
０〜１５００℃におよぶためこの温度範囲で溶融断線し
ない薄膜金属層を形成する必要がある。具体的にはカー
ボン（融点３５００℃以上）、白金（１７７２℃）、モ
リブデン（２６１０℃）、クロム（１８９０℃）、チタ
ン（１６７５℃）、ニッケル（１４４５℃）、タングス
テン（３３８７℃）等やこれらの合金膜を使用すれば良
い。
イバであり、標準的には１０μｍφのビームサイズ（モ
ードフィールド直径、ＭＦＤ）を有している。１２はＧ
ｅ等をドープして屈折率を高めているコア部分を示して
おり、１３はファイバ１１のクラッド外周へ形成したヒ
ータ用の薄膜金属層である。拡大ビームはＧｅドーパン
トの熱拡散によって得られ、その際の加熱温度は１１０
０〜１５００℃におよぶためこの温度範囲で溶融断線し
ない薄膜金属層を形成する必要がある。具体的にはカー
ボン（融点３５００℃以上）、白金（１７７２℃）、モ
リブデン（２６１０℃）、クロム（１８９０℃）、チタ
ン（１６７５℃）、ニッケル（１４４５℃）、タングス
テン（３３８７℃）等やこれらの合金膜を使用すれば良
い。
【００１３】これら金属薄膜層の形成法としては、真空
蒸着法や鍍金法が良い。例えば、光ファイバの線引き工
程で気相成長法によって数１００Å〜１０００Å程度の
厚さにカーボン被覆層を連続的にファイバクラッド表面
へ形成することは容易であり、更に、この被覆層の上に
数μｍのニッケル被膜層を湿式鍍金によって形成するこ
ともできる。
蒸着法や鍍金法が良い。例えば、光ファイバの線引き工
程で気相成長法によって数１００Å〜１０００Å程度の
厚さにカーボン被覆層を連続的にファイバクラッド表面
へ形成することは容易であり、更に、この被覆層の上に
数μｍのニッケル被膜層を湿式鍍金によって形成するこ
ともできる。
【００１４】図１（ａ）はこのようにしてカーボン被膜
単体またはカーボン被膜の上にニッケル被膜を形成した
単一モードファイバ１１を示しているが、ヒータ用の金
属薄膜層形成ファイバの構成はこの実施例に限定される
ことはなく、例えば、通常の保護樹脂層を形成したファ
イバの先端近傍へ所定の長さに渡って上述した金属薄膜
を部分的に成膜しても良いものである。
単体またはカーボン被膜の上にニッケル被膜を形成した
単一モードファイバ１１を示しているが、ヒータ用の金
属薄膜層形成ファイバの構成はこの実施例に限定される
ことはなく、例えば、通常の保護樹脂層を形成したファ
イバの先端近傍へ所定の長さに渡って上述した金属薄膜
を部分的に成膜しても良いものである。
【００１５】次に、図１（ｂ）に示すように、金属薄膜
層が形成された単一モードファイバ１１の先端近傍へ所
定の距離を隔てて電極１４を配置して所定の時間、ヒー
タ供給電源１５によって所定の電流を通電して金属薄膜
層１３を加熱させる。この加熱作業を図示せざる気密容
器内にて真空または不活性ガス雰囲気中にて行うことに
より金属薄膜層１３の酸化による断線防止や効果的な加
熱が可能となる。
層が形成された単一モードファイバ１１の先端近傍へ所
定の距離を隔てて電極１４を配置して所定の時間、ヒー
タ供給電源１５によって所定の電流を通電して金属薄膜
層１３を加熱させる。この加熱作業を図示せざる気密容
器内にて真空または不活性ガス雰囲気中にて行うことに
より金属薄膜層１３の酸化による断線防止や効果的な加
熱が可能となる。
【００１６】真空中にて加熱する場合には、金属薄膜層
１３表面からの熱放散形態が主に輻射となり、温度上昇
ΔＴと供給電力Ｐ（Ｗ）との間には次式が成り立つ。 Ｐ＝４・ε・σ・Ｓ・（ΔＴ）4 ここでεは輻射率、σはステファンボルツマン定数
（５．６７×１０-8Ｗ／ｍ 2 ・Ｋ4 ）、Ｓは発熱体表面
積である。例えば、通常のクラッド外径（１２５μｍ
φ）のファイバ表面へ２．５μｍの厚みにニッケル金属
膜が形成されたファイバを１０mmの長さに渡って真空中
で通電加熱する場合、温度上昇を１５００℃とするため
には、上式より高々１Ｗの電力供給で良い（但しε＝
０．２１，Ｓ＝４．１×１０-6ｍ2 ）。このように光フ
ァイバクラッド外周の金属薄膜層１３を直接高温加熱す
ることによって極めて効率良くコアドーパントであるＧ
ｅのクラッド外周方向への熱拡散が可能となり、図１に
１６で示すビームサイズ拡大領域を容易に形成すること
ができる。
１３表面からの熱放散形態が主に輻射となり、温度上昇
ΔＴと供給電力Ｐ（Ｗ）との間には次式が成り立つ。 Ｐ＝４・ε・σ・Ｓ・（ΔＴ）4 ここでεは輻射率、σはステファンボルツマン定数
（５．６７×１０-8Ｗ／ｍ 2 ・Ｋ4 ）、Ｓは発熱体表面
積である。例えば、通常のクラッド外径（１２５μｍ
φ）のファイバ表面へ２．５μｍの厚みにニッケル金属
膜が形成されたファイバを１０mmの長さに渡って真空中
で通電加熱する場合、温度上昇を１５００℃とするため
には、上式より高々１Ｗの電力供給で良い（但しε＝
０．２１，Ｓ＝４．１×１０-6ｍ2 ）。このように光フ
ァイバクラッド外周の金属薄膜層１３を直接高温加熱す
ることによって極めて効率良くコアドーパントであるＧ
ｅのクラッド外周方向への熱拡散が可能となり、図１に
１６で示すビームサイズ拡大領域を容易に形成すること
ができる。
【００１７】所定のビームサイズを得るには供給電力と
時間の調整によって可能であるが、図１（ｃ）に示すよ
うにビームサイズを拡大する単一モードファイバ１１同
士を図示せざるＶ状溝へ所定の間隙を設けて対向配置
し、一方のファイバを光源へ、他一方のファイバを受光
器へ接続し、光パワーを観測しながら両ファイバ１１の
先端近傍を加熱する事によって所定のビームサイズに拡
大形成することもできる。即ち、ファイバ１１間の間隙
距離が一定の場合には接続損失はビームサイズから簡易
に算出できるために出射光のパワーモニターによってビ
ームサイズも推定することができる。
時間の調整によって可能であるが、図１（ｃ）に示すよ
うにビームサイズを拡大する単一モードファイバ１１同
士を図示せざるＶ状溝へ所定の間隙を設けて対向配置
し、一方のファイバを光源へ、他一方のファイバを受光
器へ接続し、光パワーを観測しながら両ファイバ１１の
先端近傍を加熱する事によって所定のビームサイズに拡
大形成することもできる。即ち、ファイバ１１間の間隙
距離が一定の場合には接続損失はビームサイズから簡易
に算出できるために出射光のパワーモニターによってビ
ームサイズも推定することができる。
【００１８】ファイバ同士の接続において、接続損失の
低減化や光軸整合トレランスの緩和が重要となるが、こ
の他にもファイバの端面からの反射戻り光の抑制が重要
となる。
低減化や光軸整合トレランスの緩和が重要となるが、こ
の他にもファイバの端面からの反射戻り光の抑制が重要
となる。
【００１９】図２に端面形状の異なる単一モードファイ
バを示す。例えば、図２（ａ）に示すように、ビームサ
イズを拡大した単一モードファイバ２１の端面に反射防
止膜２２を形成したり、図２（ｂ）に示すように、端面
２３を僅かに斜めに研磨加工したり、図２（ｃ）に示す
ように、端面２４を半球面状に加工したりして反射戻り
光の抑制を実施してもよいものである。
バを示す。例えば、図２（ａ）に示すように、ビームサ
イズを拡大した単一モードファイバ２１の端面に反射防
止膜２２を形成したり、図２（ｂ）に示すように、端面
２３を僅かに斜めに研磨加工したり、図２（ｃ）に示す
ように、端面２４を半球面状に加工したりして反射戻り
光の抑制を実施してもよいものである。
【００２０】図３にファイバの端面同士の空間部分に光
ビームの制御を行う光学要素が配置された光スイッチ回
路を示す。
ビームの制御を行う光学要素が配置された光スイッチ回
路を示す。
【００２１】図３に示すように、ビーム拡大によって対
向ファイバ間隙の増加に伴う損失増大を抑制できること
から、対向ファイバ３１と３２，３３の間隙に光学要素
としての微小なプリズム３４を配置し、このプリズム３
４を同図に矢印で示すように移動させることでファイバ
３１からの出射ビーム３５を実線で示す矢印方向か、ま
たは点線で示す矢印方向かへ切り替える光スイッチ回路
が構成されている。なお、光学要素としての微小なプリ
ズム３４の他にミラーなどを用いても良いものである。
向ファイバ間隙の増加に伴う損失増大を抑制できること
から、対向ファイバ３１と３２，３３の間隙に光学要素
としての微小なプリズム３４を配置し、このプリズム３
４を同図に矢印で示すように移動させることでファイバ
３１からの出射ビーム３５を実線で示す矢印方向か、ま
たは点線で示す矢印方向かへ切り替える光スイッチ回路
が構成されている。なお、光学要素としての微小なプリ
ズム３４の他にミラーなどを用いても良いものである。
【００２２】図４に単一モードファイバ同士の異なる接
続方法を示す。
続方法を示す。
【００２３】図４に示すように、単一モードファイバ４
１，４２同士の接続に際して、一方のビームサイズ拡大
ファイバ端面４３を凹状に、他方のビームサイズ拡大フ
ァイバ端面４４を凸状に加工して両者を突き合わせて勘
合させるものである。これによって低損失で反射戻り光
の極めて少ない良好な接続特性が得られる。凹凸状にフ
ァイバ端面を加工するには、弗化水素酸溶液（ＨＦ）や
緩衝弗化水素酸溶液（ＨＦとＮＨ4 Ｆとの混合液）によ
るファイバ端面のエッチングが簡易である。即ち、これ
らの溶液にファイバ端面を浸すと、コアとクラッドとの
エッチング速度が異なるため選択エッチングが可能とな
り、弗化水素酸使用時にはコア部分が凹状に、緩衝弗化
水素酸使用時にはコア部分が凸状にエッチング加工さ
れ、その際の凹，凸形状は拡散されたＧｅドーパントの
外径方向濃度分布に従って形成される。
１，４２同士の接続に際して、一方のビームサイズ拡大
ファイバ端面４３を凹状に、他方のビームサイズ拡大フ
ァイバ端面４４を凸状に加工して両者を突き合わせて勘
合させるものである。これによって低損失で反射戻り光
の極めて少ない良好な接続特性が得られる。凹凸状にフ
ァイバ端面を加工するには、弗化水素酸溶液（ＨＦ）や
緩衝弗化水素酸溶液（ＨＦとＮＨ4 Ｆとの混合液）によ
るファイバ端面のエッチングが簡易である。即ち、これ
らの溶液にファイバ端面を浸すと、コアとクラッドとの
エッチング速度が異なるため選択エッチングが可能とな
り、弗化水素酸使用時にはコア部分が凹状に、緩衝弗化
水素酸使用時にはコア部分が凸状にエッチング加工さ
れ、その際の凹，凸形状は拡散されたＧｅドーパントの
外径方向濃度分布に従って形成される。
【００２４】
【発明の効果】以上、実施例をあげて詳細に説明したよ
うに本発明の光結合回路及び光結合回路の製造方法によ
れば、ファイバクラッド表面へ形成した薄膜金属層をヒ
ータとして用いて高温加熱処理し、コア含有ドーパント
であるＧｅをクラッド外周方向へ熱拡散するという極め
て簡易な方法によって出射ビームサイズを拡大して光軸
整合時の寸法精度を緩和するすることができ、所望のビ
ームサイズを再現性良く短時間で得られると共に、樹脂
保護層を有するファイバ芯線の先端近傍へのビームサイ
ズ拡大領域形成も可能とすることができる。更に、この
拡大法によって作製したビームサイズ拡大ファイバ先端
へ反射防止膜を成膜したり、同端面を斜めまたは半球状
に加工することで、ファイバ同士の接続に際して接続損
失の低減化と共に反射戻り光の大幅な抑制を可能とする
ことができる。
うに本発明の光結合回路及び光結合回路の製造方法によ
れば、ファイバクラッド表面へ形成した薄膜金属層をヒ
ータとして用いて高温加熱処理し、コア含有ドーパント
であるＧｅをクラッド外周方向へ熱拡散するという極め
て簡易な方法によって出射ビームサイズを拡大して光軸
整合時の寸法精度を緩和するすることができ、所望のビ
ームサイズを再現性良く短時間で得られると共に、樹脂
保護層を有するファイバ芯線の先端近傍へのビームサイ
ズ拡大領域形成も可能とすることができる。更に、この
拡大法によって作製したビームサイズ拡大ファイバ先端
へ反射防止膜を成膜したり、同端面を斜めまたは半球状
に加工することで、ファイバ同士の接続に際して接続損
失の低減化と共に反射戻り光の大幅な抑制を可能とする
ことができる。
【図１】本発明の一実施例に係る光結合回路及び光結合
回路の製造方法を表す単一モードファイバの正面図であ
る。
回路の製造方法を表す単一モードファイバの正面図であ
る。
【図２】端面形状の異なる単一モードファイバの正面図
である。
である。
【図３】ファイバの端面同士の空間部分に光学要素が配
置された光スイッチ回路の正面図である。
置された光スイッチ回路の正面図である。
【図４】単一モードファイバ同士の異なる接続方法を表
す単一モードファイバの正面図である。
す単一モードファイバの正面図である。
１１，２１，３１，３２，３３，４１，４２ 単一モー
ドファイバ １２ ファイバコア １３ ヒータ用金属薄膜層 １４ 電極 １５ ヒータ供給電源 １６ ビームサイズ拡大領域 ２２ 反射防止膜 ２３ 斜め研磨面 ２４ 凸球面加工面 ３４ プリズム ３５ 出射光ビーム ４３ 凹球面加工面 ４４ 凸球面加工面
ドファイバ １２ ファイバコア １３ ヒータ用金属薄膜層 １４ 電極 １５ ヒータ供給電源 １６ ビームサイズ拡大領域 ２２ 反射防止膜 ２３ 斜め研磨面 ２４ 凸球面加工面 ３４ プリズム ３５ 出射光ビーム ４３ 凹球面加工面 ４４ 凸球面加工面
Claims (4)
- 【請求項１】 単一モード光ファイバからの出射ビーム
が該ファイバ固有の光ビームサイズよりも大きく拡大さ
れたファイバ同士との結合を行う光結合回路において、
前記単一モード光ファイバの外周に均一で所定の厚さの
金属薄膜層が所定の長さに渡って形成され、該金属薄膜
層に所定時間通電して部分的に高温加熱処理が施される
ことで前記ファイバの光ビームサイズが拡大され、該光
ファイバの端面同士が結合されたことを特徴とする光結
合回路。 - 【請求項２】 単一モード光ファイバからの出射ビーム
が該ファイバ固有の光ビームサイズよりも大きく拡大さ
れてファイバ同士との結合を行う光結合回路の製造方法
において、単一モード光ファイバの外周に均一で所定の
厚さの金属薄膜層を所定の長さに渡って形成し、該ファ
イバの先端近傍において所定の長さに渡って所定の時間
前記金属薄膜層へ通電し、真空または不活性ガス中にて
部分的に高温加熱処理し、高温加熱処理が施されたた光
ファイバの端面同士を結合させることを特徴とする光結
合回路の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の光結合回路において、前
記加熱される側の光ファイバの端面が平面あるいは傾斜
面あるいは球面状に加工され、且つ、該端面に反射防止
膜が形成されていることを特徴とする光結合回路。 - 【請求項４】 請求項１記載の光結合回路において、前
記ファイバの端面同士を所定の距離隔てて対向接続し、
その空間部分に光ビームの制御を行う光学要素を配置し
たことを特徴とする光結合回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3220095A JPH0560936A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 光結合回路及び光結合回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3220095A JPH0560936A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 光結合回路及び光結合回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0560936A true JPH0560936A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16745851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3220095A Withdrawn JPH0560936A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 光結合回路及び光結合回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0560936A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0821921A (ja) * | 1994-07-06 | 1996-01-23 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光ファイバ先端の曲面加工方法および装置 |
| JP2001228353A (ja) * | 2000-02-17 | 2001-08-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ファイバの接続構造及び光ファイバ通信システム |
| JP2003107284A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-09 | Nhk Sales Co Ltd | プラスチック光ファイバの接続方法 |
| JP2004061533A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-26 | Univ Kansai | 光ファイバの加工方法および光ファイバ |
| JP2013033159A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光接続装置及びその接続方法 |
| JP2018163370A (ja) * | 2014-01-31 | 2018-10-18 | オーエフエス ファイテル，エルエルシー | 低後方反射の光ファイバ成端 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP3220095A patent/JPH0560936A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0821921A (ja) * | 1994-07-06 | 1996-01-23 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光ファイバ先端の曲面加工方法および装置 |
| JP2001228353A (ja) * | 2000-02-17 | 2001-08-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ファイバの接続構造及び光ファイバ通信システム |
| JP2003107284A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-09 | Nhk Sales Co Ltd | プラスチック光ファイバの接続方法 |
| JP2004061533A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-26 | Univ Kansai | 光ファイバの加工方法および光ファイバ |
| JP2013033159A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光接続装置及びその接続方法 |
| JP2018163370A (ja) * | 2014-01-31 | 2018-10-18 | オーエフエス ファイテル，エルエルシー | 低後方反射の光ファイバ成端 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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