JPH056124B2 - - Google Patents
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- JPH056124B2 JPH056124B2 JP62163537A JP16353787A JPH056124B2 JP H056124 B2 JPH056124 B2 JP H056124B2 JP 62163537 A JP62163537 A JP 62163537A JP 16353787 A JP16353787 A JP 16353787A JP H056124 B2 JPH056124 B2 JP H056124B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J11/00—Measuring the characteristics of individual optical pulses or of optical pulse trains
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/80—Camera processing pipelines; Components thereof
- H04N23/81—Camera processing pipelines; Components thereof for suppressing or minimising disturbance in the image signal generation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J11/00—Measuring the characteristics of individual optical pulses or of optical pulse trains
- G01J2011/005—Streak cameras
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、入射光の波形を観測する光波形観測
装置に関する。
装置に関する。
従来、一定の繰返し周波数をもつ光パルスの波
形を観測するために、ストリーク管を利用して光
パルスの時間的変化を螢光面上で輝度分布すなわ
ちストリーク像に変換しさらにサンプリングを行
なう型式の光波形観測装置が知られている。
形を観測するために、ストリーク管を利用して光
パルスの時間的変化を螢光面上で輝度分布すなわ
ちストリーク像に変換しさらにサンプリングを行
なう型式の光波形観測装置が知られている。
第3図は米国特許第4645918号に開示されてい
るような従来の光波形観測装置の構成図である。
色素レーザ発振器101から繰返し出力されるパ
ルス光ビームによつてヘマトポルフイリン誘導体
104を繰返し励起し、繰返して励起されたヘマ
トポルフイリン誘導体104からの螢光発光の波
形をストリーク管130によつて観測するように
なつている。第3図においてストリーク管130
は、螢光の入射する光電面131と、光電面から
放出される電子ビームを加速する加速電極135
と、加速電極135によつて加速された電子ビー
ムを集束する集束電極136と、有孔電極137
と、集束電極136および有孔電極137によつ
て集束され通過した電子ビームを掃引するための
偏向電極133と、偏向電極133によつて掃引
された電子ビームを増倍するマイクロチヤンネル
プレート132と、マイクロチヤンネルプレート
132からの電子ビームが入射する螢光面134
とを備えている。
るような従来の光波形観測装置の構成図である。
色素レーザ発振器101から繰返し出力されるパ
ルス光ビームによつてヘマトポルフイリン誘導体
104を繰返し励起し、繰返して励起されたヘマ
トポルフイリン誘導体104からの螢光発光の波
形をストリーク管130によつて観測するように
なつている。第3図においてストリーク管130
は、螢光の入射する光電面131と、光電面から
放出される電子ビームを加速する加速電極135
と、加速電極135によつて加速された電子ビー
ムを集束する集束電極136と、有孔電極137
と、集束電極136および有孔電極137によつ
て集束され通過した電子ビームを掃引するための
偏向電極133と、偏向電極133によつて掃引
された電子ビームを増倍するマイクロチヤンネル
プレート132と、マイクロチヤンネルプレート
132からの電子ビームが入射する螢光面134
とを備えている。
色素レーザ発振器101から繰返し出力される
パルス光ビームは、ビームスプリツタ102によ
り分岐され、一方のパルス光ビームはヘマトポル
フイリン誘導体104を繰返し励起し、ヘマトポ
ルフイリン誘導体104からの螢光発光を一定の
繰返し周波数で光学系116を介してストリーク
管130の光電面131に入射させるようになつ
ている。またビームスプリツタ102により分岐
された他方のパルス光ビームは、ストリーク管1
30の偏向電極133に印加する所定の偏向電圧
用の電気信号TRを作るために、フオトダイオー
ド105に加わるようになつている。フオトダイ
オード105では、パルス光ビームを光電変換し
てこれを電気トリガ信号TRとする。フオトダイ
オード105からの電気トリガ信号TRは、制御
回路110からの制御の下で時間掃引回路107
により遅延され偏向トリガ信号となつて、偏向回
路108に加わるようになつている。偏向回路1
08では、偏向トリガ信号に同期した偏向電圧を
発生する。
パルス光ビームは、ビームスプリツタ102によ
り分岐され、一方のパルス光ビームはヘマトポル
フイリン誘導体104を繰返し励起し、ヘマトポ
ルフイリン誘導体104からの螢光発光を一定の
繰返し周波数で光学系116を介してストリーク
管130の光電面131に入射させるようになつ
ている。またビームスプリツタ102により分岐
された他方のパルス光ビームは、ストリーク管1
30の偏向電極133に印加する所定の偏向電圧
用の電気信号TRを作るために、フオトダイオー
ド105に加わるようになつている。フオトダイ
オード105では、パルス光ビームを光電変換し
てこれを電気トリガ信号TRとする。フオトダイ
オード105からの電気トリガ信号TRは、制御
回路110からの制御の下で時間掃引回路107
により遅延され偏向トリガ信号となつて、偏向回
路108に加わるようになつている。偏向回路1
08では、偏向トリガ信号に同期した偏向電圧を
発生する。
またストリーク管130は、光電面131から
放出された電子ビームを偏向電極133に加わる
偏向電圧で掃引することで光電面131に入射し
た螢光発光の時間的変化を螢光面134上で空間
的な輝度分布に変換しストリーク像として観測し
うるようになつている。第3図の光波形観測装置
では螢光面134上の輝度分布すなわちストリー
ク像により発光された光をさらにレンズ118を
介してサンプリング板111に入射させ、サンプ
リング板111のスリツト109によりサンプリ
ングを行ないサンプリング波形として抽出し、光
電子増倍管112によつてサンプリング波形を光
電変換して増倍しさらに増倍器113を介して表
示装置114に出力するようになつている。
放出された電子ビームを偏向電極133に加わる
偏向電圧で掃引することで光電面131に入射し
た螢光発光の時間的変化を螢光面134上で空間
的な輝度分布に変換しストリーク像として観測し
うるようになつている。第3図の光波形観測装置
では螢光面134上の輝度分布すなわちストリー
ク像により発光された光をさらにレンズ118を
介してサンプリング板111に入射させ、サンプ
リング板111のスリツト109によりサンプリ
ングを行ないサンプリング波形として抽出し、光
電子増倍管112によつてサンプリング波形を光
電変換して増倍しさらに増倍器113を介して表
示装置114に出力するようになつている。
このような構成の光波形観測装置の動作を第4
図a乃至eのタイムチヤートを用いて説明する。
図a乃至eのタイムチヤートを用いて説明する。
色素レーザ発振器101から繰返し出力される
パルス光ビームによつてヘマトポルフイリン誘導
体104からは、第4図aに示すような繰返し周
期の螢光発光すなわち入射光INが出力され、ス
トリーク管130の光電面131に入射する。一
方、フオトダイオード105からは、色素レーザ
発振器101からのパルス光ビームによつて第4
図bに示すような電気トリガ信号TRが出力され
る。第4図a,bからわかるように、電気トリガ
信号TRは入射光INと完全に同期したものとなつ
ている。電気トリガ信号TRはさらに、時間掃引
回路107によつて第4図cに示すような徐々に
遅延した偏向トリガ信号になる。すなわち、この
時間掃引回路107は、制御回路110の制御の
下で、あるサンプリングタイミングで1回だけサ
ンプリングを行なつた後に、次のサンプリングタ
イミングに移るというサンプリングシーケンスの
偏向トリガ信号を作る。第4図cでは、n回目の
サンプリングタイミングにおける偏向トリガ信号
TR1は電気トリガ信号TRに対して時間n・t
だけ遅延し、(n+1)回目、(n+2)回目のサ
ンプリングタイミングにおける偏向トリガ信号
TR2,TR3は電気トリガ信号TRに対して時間
(n+1)・t,(n+2)・tだけそれぞれ遅延し
ている。なお、tは偏向トリガ信号の単位遅延時
間である。これらの偏向回路108は第4図dに
示すような偏向電圧Vを発生する。第4図dから
わかるように偏向電圧Vは、光電面131から放
出される電子ビームを掃引しないときには、電位
Vnに保持され、偏向トリガ信号が加わつたとき
に電位Vnから電位−Vnまでほぼ一定の傾きで降
下し、電子ビームを掃引するように作られる。こ
のような偏向電圧Vの降下によつて電子ビームは
上方から下方に掃引され螢光面134上で第4図
eに示すように各サンプリングタイミングでスト
リーク像FG1,FG2,FG3とし観測される。
すなわち入射光INの強度の時間的変化を輝度分
布として観測することができる。第4図aと第4
図eとを比較すれば明らかなように、各ストリー
ク像FG1,FG2,FG3は、入射光INの波形を
反映しているが、各ストリーク像FG1,FG2,
FG3は偏向電圧Vの位相が各サンプリングタイ
ミングごとにずれることによつて、互いに位相の
ずれたものとなつている。電子ビームを掃引中、
偏向電圧Vが“0”の近くでは、電子ビームは偏
向されずに螢光面134の中央部に達し、このと
き螢光面134の中央部から発光した光ビームが
サンプリング板111のスリツト109を主に通
過し、光電子増倍管112においてサンプリング
信号として検出される。すなわち第4図eに示す
ように、n回目、(n+1)回目、(n+2)回目
のサンプリングタイミングではそれぞれサンプリ
ング信号P1,P2,P3がサンプリング板11
1のスリツト109によつて抽出されて光電子増
倍管112で検出される。
パルス光ビームによつてヘマトポルフイリン誘導
体104からは、第4図aに示すような繰返し周
期の螢光発光すなわち入射光INが出力され、ス
トリーク管130の光電面131に入射する。一
方、フオトダイオード105からは、色素レーザ
発振器101からのパルス光ビームによつて第4
図bに示すような電気トリガ信号TRが出力され
る。第4図a,bからわかるように、電気トリガ
信号TRは入射光INと完全に同期したものとなつ
ている。電気トリガ信号TRはさらに、時間掃引
回路107によつて第4図cに示すような徐々に
遅延した偏向トリガ信号になる。すなわち、この
時間掃引回路107は、制御回路110の制御の
下で、あるサンプリングタイミングで1回だけサ
ンプリングを行なつた後に、次のサンプリングタ
イミングに移るというサンプリングシーケンスの
偏向トリガ信号を作る。第4図cでは、n回目の
サンプリングタイミングにおける偏向トリガ信号
TR1は電気トリガ信号TRに対して時間n・t
だけ遅延し、(n+1)回目、(n+2)回目のサ
ンプリングタイミングにおける偏向トリガ信号
TR2,TR3は電気トリガ信号TRに対して時間
(n+1)・t,(n+2)・tだけそれぞれ遅延し
ている。なお、tは偏向トリガ信号の単位遅延時
間である。これらの偏向回路108は第4図dに
示すような偏向電圧Vを発生する。第4図dから
わかるように偏向電圧Vは、光電面131から放
出される電子ビームを掃引しないときには、電位
Vnに保持され、偏向トリガ信号が加わつたとき
に電位Vnから電位−Vnまでほぼ一定の傾きで降
下し、電子ビームを掃引するように作られる。こ
のような偏向電圧Vの降下によつて電子ビームは
上方から下方に掃引され螢光面134上で第4図
eに示すように各サンプリングタイミングでスト
リーク像FG1,FG2,FG3とし観測される。
すなわち入射光INの強度の時間的変化を輝度分
布として観測することができる。第4図aと第4
図eとを比較すれば明らかなように、各ストリー
ク像FG1,FG2,FG3は、入射光INの波形を
反映しているが、各ストリーク像FG1,FG2,
FG3は偏向電圧Vの位相が各サンプリングタイ
ミングごとにずれることによつて、互いに位相の
ずれたものとなつている。電子ビームを掃引中、
偏向電圧Vが“0”の近くでは、電子ビームは偏
向されずに螢光面134の中央部に達し、このと
き螢光面134の中央部から発光した光ビームが
サンプリング板111のスリツト109を主に通
過し、光電子増倍管112においてサンプリング
信号として検出される。すなわち第4図eに示す
ように、n回目、(n+1)回目、(n+2)回目
のサンプリングタイミングではそれぞれサンプリ
ング信号P1,P2,P3がサンプリング板11
1のスリツト109によつて抽出されて光電子増
倍管112で検出される。
このように時系列的にサンプリング信号P1,
P2,P3を順次に検出し、これらのサンプリン
グ信号を組合わせることで、繰返し周波数をもつ
入射光INの1つのパルス波形を所定の時間分解
能で観測することができる。
P2,P3を順次に検出し、これらのサンプリン
グ信号を組合わせることで、繰返し周波数をもつ
入射光INの1つのパルス波形を所定の時間分解
能で観測することができる。
なお、第3図には、ストリーク管130の外部
にスリツト109を備えたサンプリング電極11
1を設けたが、第5図に示すストリーク管105
のように、サンプリング電極151をこのストリ
ーク管150の内部にすなわちマイクロチヤンネ
ルプレート132と螢光面134との間に設ける
ようにしても良い。第5図では、サンプリング電
極151は螢光面134と同じ電位に保持されて
いる。このようにサンプリング電極を内部に備え
たストリーク管を一般にサンプリングストリーク
管と称する。サンプリングストリーク管150を
用いる場合には、電子ビームが螢光面134に達
する前に、サンプリング波形を抽出することがで
きるので、掃引中、電子ビームを常に螢光面13
4に入射させる第3図の光波形観測装置の場合に
比べて、螢光面134の中央部にだけ必要な電子
ビームを入射させ、極く一部の輝度分布だけを光
電子増倍管112に送ることができて、螢光面か
らのバツクグランドノイズの少ないサンプリング
波形を検出することができる。
にスリツト109を備えたサンプリング電極11
1を設けたが、第5図に示すストリーク管105
のように、サンプリング電極151をこのストリ
ーク管150の内部にすなわちマイクロチヤンネ
ルプレート132と螢光面134との間に設ける
ようにしても良い。第5図では、サンプリング電
極151は螢光面134と同じ電位に保持されて
いる。このようにサンプリング電極を内部に備え
たストリーク管を一般にサンプリングストリーク
管と称する。サンプリングストリーク管150を
用いる場合には、電子ビームが螢光面134に達
する前に、サンプリング波形を抽出することがで
きるので、掃引中、電子ビームを常に螢光面13
4に入射させる第3図の光波形観測装置の場合に
比べて、螢光面134の中央部にだけ必要な電子
ビームを入射させ、極く一部の輝度分布だけを光
電子増倍管112に送ることができて、螢光面か
らのバツクグランドノイズの少ないサンプリング
波形を検出することができる。
ところで第3図に示すストリーク管130ある
いは第5図に示すサンプリングストリーク管15
0では、加速電極135に円形のメツシユ状のも
のを用いているために、加速電極135を通過す
る電子ビームにはバツクグランドノイズが含まれ
る。すなわち、加速電極135のメツシユの開口
率は通常60%であり、第6図aに示すように光電
面131で光電交換されずに突き抜けた入射光の
うち約40%の光は加速電極135のメツシユの非
開口部分で散乱され散乱光DFとなつて再び光電
面131に背後から入射して光電子BGを放出し
バツクグランドノイズとなる。第6図bはサンプ
リングストリーク管150においてサンプリング
電極151によつてサンプリングされた螢光面1
34上に到達した電子密度分布pを示すものであ
る。第6図bからわかるように、メツシユ状の加
速電極135を用いる場合には、電子密度分布p
には、信号電子による密度分布ppの他に、散乱光
の光電子による密度分布peが存在し、この密度分
布Peがバツクグランドノイズとなつてサンプリ
ング波形の観測精度を低下させることになる。密
度分布peからわかるように、散乱光による光電子
BGは入射光位置をピークとして周辺にゆくに従
つて徐々に減少するが、入射光に近い部分ではか
なりの量となり測定精度を悪化させる。この結
果、例えば系の時間分解能より十分短かい光パル
スを測定する場合、測定された光パルスの前後に
散乱光DFによるバツクグランドノイズが発生し、
光パルス波形を正確に測定することができない。
いは第5図に示すサンプリングストリーク管15
0では、加速電極135に円形のメツシユ状のも
のを用いているために、加速電極135を通過す
る電子ビームにはバツクグランドノイズが含まれ
る。すなわち、加速電極135のメツシユの開口
率は通常60%であり、第6図aに示すように光電
面131で光電交換されずに突き抜けた入射光の
うち約40%の光は加速電極135のメツシユの非
開口部分で散乱され散乱光DFとなつて再び光電
面131に背後から入射して光電子BGを放出し
バツクグランドノイズとなる。第6図bはサンプ
リングストリーク管150においてサンプリング
電極151によつてサンプリングされた螢光面1
34上に到達した電子密度分布pを示すものであ
る。第6図bからわかるように、メツシユ状の加
速電極135を用いる場合には、電子密度分布p
には、信号電子による密度分布ppの他に、散乱光
の光電子による密度分布peが存在し、この密度分
布Peがバツクグランドノイズとなつてサンプリ
ング波形の観測精度を低下させることになる。密
度分布peからわかるように、散乱光による光電子
BGは入射光位置をピークとして周辺にゆくに従
つて徐々に減少するが、入射光に近い部分ではか
なりの量となり測定精度を悪化させる。この結
果、例えば系の時間分解能より十分短かい光パル
スを測定する場合、測定された光パルスの前後に
散乱光DFによるバツクグランドノイズが発生し、
光パルス波形を正確に測定することができない。
またこのようなバツクグランドノイズすなわち
密度分布peは大きな広がりをもつているので、電
子ビームを掃引しない期間すなわち待機期間にお
いて光電面131に入射光が入射したような場合
にもサンプリングされる確率が多くサンプリング
波形の観測精度を低下させるので取除かれるのが
望ましい。このために従来の光波形観測装置で
は、偏向回路108から出力される偏向電圧Vを
大振幅かつ高いスルーレート(電圧/時間)のも
のに設定していた。すなわち、偏向電圧Vを大振
幅かつ高いスルーレートのものに設定することに
より、電子ビームを掃引中、散乱光による光電子
がサンプリングされる確率を低下させることがで
きる。また偏向電極Vを大振幅にすることで電子
ビームを掃引しない期間の偏向電圧Vの電位Vn
は大きなものとなり、たとえこの期間に光電面1
31に入射光が入射したとしても、この入射光に
よる信号電子は偏向電極133により大きく偏向
されて、第3図に示すストリーク管130の螢光
面134の中央部からかなり離れた位置に入射
し、これに伴ない散乱光の光電子もその大部分は
螢光面134の中央部から離れた位置に入射する
ので、散乱光による光電子の密度分布peが大きく
かつ広がりをもつていても螢光面134の中央部
に入射する確率は少なくなり、サンプリング波形
への影響を防止することができる。また第5図に
示すサンプリングストリーク管150において
も、偏向電圧Vの電位Vnを大きくすることで、
掃引しない期間中の電子ビームはサンプリング電
極151にそのスリツトからかなり離れた位置に
入射するので、同様にして、散乱光の光電子によ
るサンプリング波形への影響を防止することがで
きる。偏向電圧Vの電位Vn,−Vnは、具体的に
は、+1KV,−1KV程度である。
密度分布peは大きな広がりをもつているので、電
子ビームを掃引しない期間すなわち待機期間にお
いて光電面131に入射光が入射したような場合
にもサンプリングされる確率が多くサンプリング
波形の観測精度を低下させるので取除かれるのが
望ましい。このために従来の光波形観測装置で
は、偏向回路108から出力される偏向電圧Vを
大振幅かつ高いスルーレート(電圧/時間)のも
のに設定していた。すなわち、偏向電圧Vを大振
幅かつ高いスルーレートのものに設定することに
より、電子ビームを掃引中、散乱光による光電子
がサンプリングされる確率を低下させることがで
きる。また偏向電極Vを大振幅にすることで電子
ビームを掃引しない期間の偏向電圧Vの電位Vn
は大きなものとなり、たとえこの期間に光電面1
31に入射光が入射したとしても、この入射光に
よる信号電子は偏向電極133により大きく偏向
されて、第3図に示すストリーク管130の螢光
面134の中央部からかなり離れた位置に入射
し、これに伴ない散乱光の光電子もその大部分は
螢光面134の中央部から離れた位置に入射する
ので、散乱光による光電子の密度分布peが大きく
かつ広がりをもつていても螢光面134の中央部
に入射する確率は少なくなり、サンプリング波形
への影響を防止することができる。また第5図に
示すサンプリングストリーク管150において
も、偏向電圧Vの電位Vnを大きくすることで、
掃引しない期間中の電子ビームはサンプリング電
極151にそのスリツトからかなり離れた位置に
入射するので、同様にして、散乱光の光電子によ
るサンプリング波形への影響を防止することがで
きる。偏向電圧Vの電位Vn,−Vnは、具体的に
は、+1KV,−1KV程度である。
一方、サンプリングにより入射光の波形を観測
しようとする光波形観測装置では、入射光によつ
て光電面131から放出される電子ビームが偏向
によつてサンプリング電極151のスリツトを横
切る速度すなわち掃引速度Vtと電子ビームの太
さuおよびサンプリング電極151のスリツト幅
wがアパーチヤ時間すなわちサンプリング波形の
抽出される時間Δtを決定し、このアパーチヤ時
間Δtが時間分解能に相当する。アパーチヤ時間
Δtは、 Δt=√(2+2)/vt ……(1) として表わされ、また掃引速度vtは、サンプリン
グストリーク管150の偏向感度をS(cm/V)、
偏向電圧のスルーレートをT(V/秒)とすれば、 vt=S×T ……(2) として表わされる。
しようとする光波形観測装置では、入射光によつ
て光電面131から放出される電子ビームが偏向
によつてサンプリング電極151のスリツトを横
切る速度すなわち掃引速度Vtと電子ビームの太
さuおよびサンプリング電極151のスリツト幅
wがアパーチヤ時間すなわちサンプリング波形の
抽出される時間Δtを決定し、このアパーチヤ時
間Δtが時間分解能に相当する。アパーチヤ時間
Δtは、 Δt=√(2+2)/vt ……(1) として表わされ、また掃引速度vtは、サンプリン
グストリーク管150の偏向感度をS(cm/V)、
偏向電圧のスルーレートをT(V/秒)とすれば、 vt=S×T ……(2) として表わされる。
従つて(1)式と(2)式とからアバーチヤ時間Δtは、
偏向感度Sおよび偏向電圧のスルーレートTを大
きくすれば短かくなり、時間分解能を向上させる
ことのできることがわかる。
偏向感度Sおよび偏向電圧のスルーレートTを大
きくすれば短かくなり、時間分解能を向上させる
ことのできることがわかる。
しかしながら、従来の光波形観測装置では対を
なす偏向電極133の間隔を小さくして偏向感度
Sを向上させようとすると、偏向電圧Vを大振幅
のものにしたことによつて掃引を行なわない期間
の大きく偏向した電子ビームが偏向電極133に
衝突し反射されて螢光面134の中央部に入射す
るという事態が生ずる。従つて従来の光波形観測
装置では、偏向電極133の間隔を差程小さくす
ることができず、偏向感度Sを著しく向上させる
には限度があり、例えば数ピコ秒程度の時間分解
能をえることができず、さらには偏向の繰返し周
波数を上げることができないという問題があつ
た。
なす偏向電極133の間隔を小さくして偏向感度
Sを向上させようとすると、偏向電圧Vを大振幅
のものにしたことによつて掃引を行なわない期間
の大きく偏向した電子ビームが偏向電極133に
衝突し反射されて螢光面134の中央部に入射す
るという事態が生ずる。従つて従来の光波形観測
装置では、偏向電極133の間隔を差程小さくす
ることができず、偏向感度Sを著しく向上させる
には限度があり、例えば数ピコ秒程度の時間分解
能をえることができず、さらには偏向の繰返し周
波数を上げることができないという問題があつ
た。
この問題を解決するために、第7図に示すよう
な本願の出願人により本願と同日に出願された
「光波形観測装置」の名称の特許出願(1)に記載さ
れている光波形観測装置が案出された。
な本願の出願人により本願と同日に出願された
「光波形観測装置」の名称の特許出願(1)に記載さ
れている光波形観測装置が案出された。
第7図に示す光波形観測装置では、サンプリン
グストリーク管1は、入射光の入射する光電面1
31と、光電面から放出された電子ビームを加速
する加速電極2と、加速電極2を通過した電子ビ
ームを所定方向に掃引する偏向電極133と、偏
向電極133によつて偏向された電子ビームに対
しサンプリングを行なうサンプリング電極4と、
サンプリング電極4のスリツト5によつてサンプ
リングされた電子ビームを検出する螢光面134
とを備え、前記加速電極2は、開口3を備えた板
状のものとなつている。なお、偏向電極133と
サンプリング電極4との間には帰線期間中の電子
ビームがサンプリングされないようにするための
ブランキング偏向電極21が設けられている。ま
た、サンプリングストリーク管1の光電面131
への入射光は、波形の観測されるべき繰返し周波
数の光パルスであつて、パルス光源10によつて
出力され、ビームスプリツタ102、光学遅延手
段11、入力光学系12を介して入射するように
なつている。
グストリーク管1は、入射光の入射する光電面1
31と、光電面から放出された電子ビームを加速
する加速電極2と、加速電極2を通過した電子ビ
ームを所定方向に掃引する偏向電極133と、偏
向電極133によつて偏向された電子ビームに対
しサンプリングを行なうサンプリング電極4と、
サンプリング電極4のスリツト5によつてサンプ
リングされた電子ビームを検出する螢光面134
とを備え、前記加速電極2は、開口3を備えた板
状のものとなつている。なお、偏向電極133と
サンプリング電極4との間には帰線期間中の電子
ビームがサンプリングされないようにするための
ブランキング偏向電極21が設けられている。ま
た、サンプリングストリーク管1の光電面131
への入射光は、波形の観測されるべき繰返し周波
数の光パルスであつて、パルス光源10によつて
出力され、ビームスプリツタ102、光学遅延手
段11、入力光学系12を介して入射するように
なつている。
ビームスプリツタ102は前述したと同様にし
て、パルス光源10から出力される入射光の一部
を分岐し、フオトダイオード105に入射させる
ようになつている。入射光の一部はフオトダイオ
ード105で光電交換され電気トリガ信号TRと
なりこの電気トリガ信号TRは、前述のように、
時間掃引回路107においてあるサンプリングタ
イミングでのサンプリングが1回だけ行なわれる
ように連続して徐々に遅延され偏向トリガ信号に
変換され偏向回路13およびブランキング偏向回
路22に加わるようになつている。
て、パルス光源10から出力される入射光の一部
を分岐し、フオトダイオード105に入射させる
ようになつている。入射光の一部はフオトダイオ
ード105で光電交換され電気トリガ信号TRと
なりこの電気トリガ信号TRは、前述のように、
時間掃引回路107においてあるサンプリングタ
イミングでのサンプリングが1回だけ行なわれる
ように連続して徐々に遅延され偏向トリガ信号に
変換され偏向回路13およびブランキング偏向回
路22に加わるようになつている。
なお、電気トリガ信号TRをフオトダイオード
105で光電交換して作成するかわりに、スイツ
チ14を切換えてパルス光源10の駆動信号を電
気トリガ信号TRとして用いても良いようになつ
ている。
105で光電交換して作成するかわりに、スイツ
チ14を切換えてパルス光源10の駆動信号を電
気トリガ信号TRとして用いても良いようになつ
ている。
このような構成の光波形観測装置では、加速電
極2を開口3を備えた板状のものにしているの
で、加速電極2からの散乱光による光電子は加速
電極2の非開口部分で遮蔽され、バツクグランド
ノイズとなつて信号電子に混入する確率は著しく
減少する。これにより偏向電極133に加わる偏
向電圧を小振幅のものにしても掃引を行なわない
期間中に入射する入射光によるバツクグランドノ
イズは極めて少ないのでサンプリング電極4のス
リツト5によつてバツクグランドノイズをサンプ
リングする確率は低減する。従つて偏向電極13
3に加わる偏向電圧を小振幅のものにすることが
できて、これに付随して偏向電極133の間隔を
小さくできて偏向感度を向上させると同時に偏向
の繰返し周波数を高くすることができる。
極2を開口3を備えた板状のものにしているの
で、加速電極2からの散乱光による光電子は加速
電極2の非開口部分で遮蔽され、バツクグランド
ノイズとなつて信号電子に混入する確率は著しく
減少する。これにより偏向電極133に加わる偏
向電圧を小振幅のものにしても掃引を行なわない
期間中に入射する入射光によるバツクグランドノ
イズは極めて少ないのでサンプリング電極4のス
リツト5によつてバツクグランドノイズをサンプ
リングする確率は低減する。従つて偏向電極13
3に加わる偏向電圧を小振幅のものにすることが
できて、これに付随して偏向電極133の間隔を
小さくできて偏向感度を向上させると同時に偏向
の繰返し周波数を高くすることができる。
このように第7図の光波形観測装置では、加速
電極2に開口3を備えた板状のものを用いている
ので、掃引を行なわない期間すなわち偏向電圧V
が電位Vnに保持されている期間中にサンプリン
グされる散乱光の光電子によるバツクグランドノ
イズの確率を信号電子のピーク値に対し10-6程度
に著しく低減させることができて、偏向の繰返し
周波数を4MHz程度まで高くすることができる。
これにより繰返し周波数の高い入射光の波形をも
観測することができる。
電極2に開口3を備えた板状のものを用いている
ので、掃引を行なわない期間すなわち偏向電圧V
が電位Vnに保持されている期間中にサンプリン
グされる散乱光の光電子によるバツクグランドノ
イズの確率を信号電子のピーク値に対し10-6程度
に著しく低減させることができて、偏向の繰返し
周波数を4MHz程度まで高くすることができる。
これにより繰返し周波数の高い入射光の波形をも
観測することができる。
しかしながら、入射光の繰返し周波数が、偏向
の繰返し周波数よりもはるかに高い場合例えば
4GHz程度の場合には、掃引を行なわない期間中
においてサンプリングストリーク管1の光電面1
31への入射光の入射頻度が極めて大きくなり、
これにほぼ比例して掃引を行なわない期間中のバ
ツクグランドノイズが増加する。
の繰返し周波数よりもはるかに高い場合例えば
4GHz程度の場合には、掃引を行なわない期間中
においてサンプリングストリーク管1の光電面1
31への入射光の入射頻度が極めて大きくなり、
これにほぼ比例して掃引を行なわない期間中のバ
ツクグランドノイズが増加する。
第8図a乃至cは入射光の繰返し周波数が偏向
の繰返し周波数よりもはるかに高い場合の状態を
説明するための図であり、第8図aは入射光IN
のタイムチヤート、第8図bは偏向電圧Vのタイ
ムチヤート、第8図cはサンプリング波形のタイ
ムチヤートである。第8図a乃至cにおいて入射
光INの繰返し周期がT0、偏向電圧Vの繰返し周
期がT1であつて、T1がT0よらりもはるかに大き
いと、入射光INはT1/T0回に1回の割合で間引
き偏向され、第8図cに示すようなタイミングで
サンプリング波形P1、P2が抽出される。とこ
ろで偏向すなわち掃引が行なわれない期間T2に
は偏向電圧Vは電位Vnに保持されているが、こ
の期間T2中、約(T1/T0)回の入射光INがサン
プリングストリーク管1の光電面131に繰返し
入射し、これによるバツクグランドノイズが第8
図cに示すようにサンプリング波形Nとして抽出
される。すなわちバツクグランドノイズによるサ
ンプリング波形Nは、掃引を行なわない期間中、
(T1/T0)個観測されることになる。バツクグラ
ンドノイズによる各サンプリング波形Nの大きさ
は、前述のように信号電子によるサンプリング波
形P1、P2の大きさに比べて10-6程度小さいが、
サンプリング波形Nが繰返し観測されると、その
積算値は、(T1/T0)×10-6と非常に大きなもの
となり、信号電子によるサンプリング波形P1,
P2の大きさに対し無視できないものとなる。
の繰返し周波数よりもはるかに高い場合の状態を
説明するための図であり、第8図aは入射光IN
のタイムチヤート、第8図bは偏向電圧Vのタイ
ムチヤート、第8図cはサンプリング波形のタイ
ムチヤートである。第8図a乃至cにおいて入射
光INの繰返し周期がT0、偏向電圧Vの繰返し周
期がT1であつて、T1がT0よらりもはるかに大き
いと、入射光INはT1/T0回に1回の割合で間引
き偏向され、第8図cに示すようなタイミングで
サンプリング波形P1、P2が抽出される。とこ
ろで偏向すなわち掃引が行なわれない期間T2に
は偏向電圧Vは電位Vnに保持されているが、こ
の期間T2中、約(T1/T0)回の入射光INがサン
プリングストリーク管1の光電面131に繰返し
入射し、これによるバツクグランドノイズが第8
図cに示すようにサンプリング波形Nとして抽出
される。すなわちバツクグランドノイズによるサ
ンプリング波形Nは、掃引を行なわない期間中、
(T1/T0)個観測されることになる。バツクグラ
ンドノイズによる各サンプリング波形Nの大きさ
は、前述のように信号電子によるサンプリング波
形P1、P2の大きさに比べて10-6程度小さいが、
サンプリング波形Nが繰返し観測されると、その
積算値は、(T1/T0)×10-6と非常に大きなもの
となり、信号電子によるサンプリング波形P1,
P2の大きさに対し無視できないものとなる。
具体的な数値で示すと、入射光INの繰返し周
波数が4GHz程度、偏向の繰返し周波数が4MHzで
ある場合、入射光の波形は1000回に1回の割合で
偏向されサンプリングされるが、偏向すなわち掃
引を行なわれない期間中、入射光はサンプリング
ストリーク管1の光電面131に999回入射する
ので、そのときのバツクグランドノイズによるサ
ンプリング波形の積算値は、999×10-6=10-3程
度となり、高精度の観測を行なう際には無視でき
ないものとなる。
波数が4GHz程度、偏向の繰返し周波数が4MHzで
ある場合、入射光の波形は1000回に1回の割合で
偏向されサンプリングされるが、偏向すなわち掃
引を行なわれない期間中、入射光はサンプリング
ストリーク管1の光電面131に999回入射する
ので、そのときのバツクグランドノイズによるサ
ンプリング波形の積算値は、999×10-6=10-3程
度となり、高精度の観測を行なう際には無視でき
ないものとなる。
また、入射光INが直流光成分からなる場合に
も信号電子に対するバツクグランドノイズによる
影響が大きくなる。すなわち入射光INが直流光
成分からなる場合には、バツクグランドノイズに
よるサンプリング波形Nの積算値は、アパーチヤ
時間(時間分解能)を10ピコ秒、偏向の繰返し周
波数を4MHz(繰返し周期250ナノ秒)としたと
き、信号電子のピーク値に対し(250×10-9/10
×10-12)×10-6=0.025程度となり、観測を高精度
に行なう際問題となる。
も信号電子に対するバツクグランドノイズによる
影響が大きくなる。すなわち入射光INが直流光
成分からなる場合には、バツクグランドノイズに
よるサンプリング波形Nの積算値は、アパーチヤ
時間(時間分解能)を10ピコ秒、偏向の繰返し周
波数を4MHz(繰返し周期250ナノ秒)としたと
き、信号電子のピーク値に対し(250×10-9/10
×10-12)×10-6=0.025程度となり、観測を高精度
に行なう際問題となる。
さらには上述のような散乱光による光電子に基
づくバツクグランドノイズの他に、サンプリング
ストリーク管1の光電面131の暗電流、光電子
増倍管112の光電面の暗電流によつて観測精度
が低下するという問題がある。
づくバツクグランドノイズの他に、サンプリング
ストリーク管1の光電面131の暗電流、光電子
増倍管112の光電面の暗電流によつて観測精度
が低下するという問題がある。
本発明は、散乱光の光電子によるバツクグラン
ドノイズおよび暗電流の影響を軽減し、一層精度
の高い光波形観測データを得ることの可能な光波
形観測装置を提供することを目的としている。
ドノイズおよび暗電流の影響を軽減し、一層精度
の高い光波形観測データを得ることの可能な光波
形観測装置を提供することを目的としている。
本発明は、入射光の波形をサンプリングストリ
ーク管により観測する型式の光波形観測装置にお
いて、繰返し周波数をもつ電気トリガ信号を所定
時間遅延させ偏向トリガ信号として出力する時間
掃引手段と、前記時間掃引手段からの前記偏向ト
リガ信号の出力を所定時間停止させる停止手段
と、偏向トリガ信号を繰返し出力している期間中
に得られるサンプリングデータの積算値から偏向
トリガ信号の出力されていない期間中に得られる
データの積算値を減算する減算手段とを備えてい
ることを特徴とする光波形観測装置によつて、上
記従来技術の問題点を改善するものである。
ーク管により観測する型式の光波形観測装置にお
いて、繰返し周波数をもつ電気トリガ信号を所定
時間遅延させ偏向トリガ信号として出力する時間
掃引手段と、前記時間掃引手段からの前記偏向ト
リガ信号の出力を所定時間停止させる停止手段
と、偏向トリガ信号を繰返し出力している期間中
に得られるサンプリングデータの積算値から偏向
トリガ信号の出力されていない期間中に得られる
データの積算値を減算する減算手段とを備えてい
ることを特徴とする光波形観測装置によつて、上
記従来技術の問題点を改善するものである。
本発明では、時間掃引手段によつて電気トリガ
信号を所定時間遅延させ偏向トリガ信号に変換
し、この偏向トリガ信号に同期させてサンプリン
グストリーク管で入射光の波形をサンプリングし
観測する。ところで、偏向トリガ信号が繰返し出
力されている期間中に得られるサンプリングデー
タの積算値には、実際にサンプリングが行なわれ
ているとき以外のバツクグランドノイズ、暗電流
による影響が含まれている。サンプリングデータ
の積算値からこのようなバツクグランドノイズ、
暗電流による影響を取除くために、本発明では偏
向トリガ信号を所定期間停止させ、このときにバ
ツクグランドノイズ、暗電流のみのデータの積算
値を得る。偏向トリガ信号を停止させている期間
と偏向トリガ信号を繰返し出力している期間とを
同じにすれば、偏向トリガ信号を停止させている
期間におけるバツクグランドノイズ、暗電流のみ
のデータの積算値は、偏向トリガ信号を繰返し出
力している期間においた得られたサンプリングデ
ータの積算値に含まれるバツクグランドノイズ、
暗電流のデータの積算値と同じになるので、これ
らを減算手段によつて減算することにより、サン
プリングデータからバツクグランドノイズ、暗電
流の影響を取除くことができる。
信号を所定時間遅延させ偏向トリガ信号に変換
し、この偏向トリガ信号に同期させてサンプリン
グストリーク管で入射光の波形をサンプリングし
観測する。ところで、偏向トリガ信号が繰返し出
力されている期間中に得られるサンプリングデー
タの積算値には、実際にサンプリングが行なわれ
ているとき以外のバツクグランドノイズ、暗電流
による影響が含まれている。サンプリングデータ
の積算値からこのようなバツクグランドノイズ、
暗電流による影響を取除くために、本発明では偏
向トリガ信号を所定期間停止させ、このときにバ
ツクグランドノイズ、暗電流のみのデータの積算
値を得る。偏向トリガ信号を停止させている期間
と偏向トリガ信号を繰返し出力している期間とを
同じにすれば、偏向トリガ信号を停止させている
期間におけるバツクグランドノイズ、暗電流のみ
のデータの積算値は、偏向トリガ信号を繰返し出
力している期間においた得られたサンプリングデ
ータの積算値に含まれるバツクグランドノイズ、
暗電流のデータの積算値と同じになるので、これ
らを減算手段によつて減算することにより、サン
プリングデータからバツクグランドノイズ、暗電
流の影響を取除くことができる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
第1図は本発明に係る光波形観測装置の構成図
である。第1図において第7図と同様の箇所には
同じ符号を付して説明を省略する。
である。第1図において第7図と同様の箇所には
同じ符号を付して説明を省略する。
第1図の光波形観測装置では、所定回数のサン
プリング動作を行なつた直後に、掃引を停止しサ
ンプリング動作によりデータを取得したのと全く
同じ時間だけ散乱光の光電子によるバツクグラン
ドノイズ、サンプリングストリーク管1の光電面
131からの暗電流、光電子増倍管112の光電
面からの暗電流のみのデータを取得し、このデー
タをサンプリング動作により取得したデータから
減算することでバツクグランドノイズ、暗電流の
影響を取除くようになつている。
プリング動作を行なつた直後に、掃引を停止しサ
ンプリング動作によりデータを取得したのと全く
同じ時間だけ散乱光の光電子によるバツクグラン
ドノイズ、サンプリングストリーク管1の光電面
131からの暗電流、光電子増倍管112の光電
面からの暗電流のみのデータを取得し、このデー
タをサンプリング動作により取得したデータから
減算することでバツクグランドノイズ、暗電流の
影響を取除くようになつている。
このために、本実施例の光波形観測装置では、
電気トリガ信号TRの繰返し周波数および生起回
数を計数しこれらの情報を制御回路32に与える
トリガ回路30と、トリガ回路30から送られた
電気トリガ信号TRを制御回路32の制御の下で
所定時間遅延させ偏向トリガ信号に変換して出力
すると同時に、偏向トリガ信号が所定個数出力さ
れた後に、偏向トリガ信号TRの出力を所定期間
停止する時間掃引回路31とを設けている。なお
入射光の同じ波形部分を複数回繰返し連続してサ
ンプリングするために時間掃引回路31において
は所定回数のサンプリング動作が完了するたびに
偏向トリガ信号の遅延時間をステツプ的に順次に
変化させるようにしている。
電気トリガ信号TRの繰返し周波数および生起回
数を計数しこれらの情報を制御回路32に与える
トリガ回路30と、トリガ回路30から送られた
電気トリガ信号TRを制御回路32の制御の下で
所定時間遅延させ偏向トリガ信号に変換して出力
すると同時に、偏向トリガ信号が所定個数出力さ
れた後に、偏向トリガ信号TRの出力を所定期間
停止する時間掃引回路31とを設けている。なお
入射光の同じ波形部分を複数回繰返し連続してサ
ンプリングするために時間掃引回路31において
は所定回数のサンプリング動作が完了するたびに
偏向トリガ信号の遅延時間をステツプ的に順次に
変化させるようにしている。
また第1図の光波形観測装置において光電子増
倍管112には積分型増幅回路34が接続されて
おり、積分型増幅回路34は、光電子増倍管11
2からの出力電流を所定の期間にわたつて積算し
電圧に変換してA/D変換器35に出力するよう
になつている。A/D変換器35は、積分型増幅
回路34からのサンプリングデータのアナログ積
算値をデジタル演算値に変換して制御回路32に
与えるようになつている。
倍管112には積分型増幅回路34が接続されて
おり、積分型増幅回路34は、光電子増倍管11
2からの出力電流を所定の期間にわたつて積算し
電圧に変換してA/D変換器35に出力するよう
になつている。A/D変換器35は、積分型増幅
回路34からのサンプリングデータのアナログ積
算値をデジタル演算値に変換して制御回路32に
与えるようになつている。
このような構成の光波形観測装置の動作を第2
図a乃至dのタイムチヤートを用いて説明する。
図a乃至dのタイムチヤートを用いて説明する。
第2図aは繰返し周波数の高い入射光INのタ
イムチヤート、第2図bは電気トリガ信号TRの
タイムチヤート、第2図cは偏向トリガ信号のタ
イムチヤート、第2図dは偏向電圧のタイムチヤ
ートである。
イムチヤート、第2図bは電気トリガ信号TRの
タイムチヤート、第2図cは偏向トリガ信号のタ
イムチヤート、第2図dは偏向電圧のタイムチヤ
ートである。
第2図aに示すような繰返し周波数の非常に高
い(例えば4GHz)入射光INの波形を観測するた
め、この入射光INをサンプリングストリーク管
1の光電面131に入射させる。これと同時に入
射光INに同期しているが、入射光INの繰返し周
波数よりも低い周波数(例えば4MHz)の電気ト
リガ信号TRをトリガ回路30に加える。なお電
気トリガ信号の周波数4MHzは、入射光INの繰返
し周波数に比べれば低いものの、サンプリングス
トリーク管1において正常なサンプリング動作を
させるものとしては最大の周波数である。
い(例えば4GHz)入射光INの波形を観測するた
め、この入射光INをサンプリングストリーク管
1の光電面131に入射させる。これと同時に入
射光INに同期しているが、入射光INの繰返し周
波数よりも低い周波数(例えば4MHz)の電気ト
リガ信号TRをトリガ回路30に加える。なお電
気トリガ信号の周波数4MHzは、入射光INの繰返
し周波数に比べれば低いものの、サンプリングス
トリーク管1において正常なサンプリング動作を
させるものとしては最大の周波数である。
電気トリガ信号TRがトリガ回路30に加わる
と、トリガ回路30は、電気トリガ信号TRの繰
返し周波数並びに生起回数を計数し、これらの情
報を制御回路32に与える。一方、トリガ回路3
0は電気トリガ信号TRを時間掃引回路31に与
える。時間掃引回路31は、制御回路32の制御
の下で、電気トリガ信号を所定時間遅延させ、第
2図cのような偏向トリガ信号を出力する。とこ
ろで、トリガ回路30から送られる電気トリガ信
号TRの繰返し周波数並びに生起回路に基づい
て、制御回路31は期間TSを算出し、この期間
TS中は、時間掃引回路31に対して停止信号を
出力せず、時間掃引回路31から所定時間遅延し
た偏向トリガ信号を出力させる。一方、期間TS
が経過すると、制御回路31は時間掃引回路31
に対して期間TDの間停止信号を出力し、時間掃
引回路31からの偏向トリガ信号の出力を停止さ
せる。これにより、偏向回路13で作られる偏向
電圧Vは、第2図dに示すように、偏向トリガ信
号が出力されている期間TS中は、偏向トリガ信
号に同期して変化し掃引を行なうようになつてい
るが、偏向トリガ信号の出力されていない期間
TD中は、電位Vn′に保持され、掃引を行なわな
い状態になつている。期間TS中は、掃引が行な
われるので、入射光INの波形部分が繰返し抽出
され積分型増幅回路34においてサンプリングデ
ータとして積算され、A/D変換器35を介して
制御回路32に送られる。この際に偏向電圧Vは
大部分の期間、電位Vn′に保持されているので、
積算されたサンプリングデータにはほぼ期間TS
にわたる散乱光の光電子によるバツクグランドノ
イズ、暗電流の積算データが含まれている。一
方、期間TD中は、偏向電圧Vは電位Vn′に保持
され、掃引を行なわない状態となつているので、
このときに積分型増幅回路34では、散乱光の光
電子によるバツクグランドノイズ、暗電流のみの
データが積算され、A/D変換器35を介して制
御回路32に送られる。従つて、制御回路32に
おいて期間TDを期間TSと同じ長さに設定し、
期間TSにおいて得られた積算データから期間
TDにおいて得られたバツクグランドノイズ、暗
電流のみの積算データを減算することで、バツク
グランドノイズ、暗電流の影響の極めて少ないデ
ータを得ることができる。
と、トリガ回路30は、電気トリガ信号TRの繰
返し周波数並びに生起回数を計数し、これらの情
報を制御回路32に与える。一方、トリガ回路3
0は電気トリガ信号TRを時間掃引回路31に与
える。時間掃引回路31は、制御回路32の制御
の下で、電気トリガ信号を所定時間遅延させ、第
2図cのような偏向トリガ信号を出力する。とこ
ろで、トリガ回路30から送られる電気トリガ信
号TRの繰返し周波数並びに生起回路に基づい
て、制御回路31は期間TSを算出し、この期間
TS中は、時間掃引回路31に対して停止信号を
出力せず、時間掃引回路31から所定時間遅延し
た偏向トリガ信号を出力させる。一方、期間TS
が経過すると、制御回路31は時間掃引回路31
に対して期間TDの間停止信号を出力し、時間掃
引回路31からの偏向トリガ信号の出力を停止さ
せる。これにより、偏向回路13で作られる偏向
電圧Vは、第2図dに示すように、偏向トリガ信
号が出力されている期間TS中は、偏向トリガ信
号に同期して変化し掃引を行なうようになつてい
るが、偏向トリガ信号の出力されていない期間
TD中は、電位Vn′に保持され、掃引を行なわな
い状態になつている。期間TS中は、掃引が行な
われるので、入射光INの波形部分が繰返し抽出
され積分型増幅回路34においてサンプリングデ
ータとして積算され、A/D変換器35を介して
制御回路32に送られる。この際に偏向電圧Vは
大部分の期間、電位Vn′に保持されているので、
積算されたサンプリングデータにはほぼ期間TS
にわたる散乱光の光電子によるバツクグランドノ
イズ、暗電流の積算データが含まれている。一
方、期間TD中は、偏向電圧Vは電位Vn′に保持
され、掃引を行なわない状態となつているので、
このときに積分型増幅回路34では、散乱光の光
電子によるバツクグランドノイズ、暗電流のみの
データが積算され、A/D変換器35を介して制
御回路32に送られる。従つて、制御回路32に
おいて期間TDを期間TSと同じ長さに設定し、
期間TSにおいて得られた積算データから期間
TDにおいて得られたバツクグランドノイズ、暗
電流のみの積算データを減算することで、バツク
グランドノイズ、暗電流の影響の極めて少ないデ
ータを得ることができる。
なお期間TS,TDは適宜選択することができ
て、期間TSを例えば1000回の偏向トリガ信号が
生起する期間と定めることができる。
て、期間TSを例えば1000回の偏向トリガ信号が
生起する期間と定めることができる。
上述の例では、入射光INの繰返し周波数が電
気トリガ信号TRの繰返し周波数よりもはるかに
大きい場合について説明したが、入射光INの繰
返し周波数がこれよりも低い場合あるいは入射光
INが直流光成分だけをもつものであつても、本
実施例によれば、同様の仕方でバツクグランドノ
イズ、暗電流の影響を軽減することができる。
気トリガ信号TRの繰返し周波数よりもはるかに
大きい場合について説明したが、入射光INの繰
返し周波数がこれよりも低い場合あるいは入射光
INが直流光成分だけをもつものであつても、本
実施例によれば、同様の仕方でバツクグランドノ
イズ、暗電流の影響を軽減することができる。
以上に説明したように、本発明によれば、偏向
トリガ信号を繰返し出力している期間中に得られ
たサンプリングデータの積算値から偏向トリガ信
号の出力されていない期間中に得られるデータの
積算値を減算するようにしているので、サンプリ
ングデータの積算値からバツクグランドノイズ、
暗電流の影響を有効に取除き一層精度の高い光波
形観測データを得ることができる。
トリガ信号を繰返し出力している期間中に得られ
たサンプリングデータの積算値から偏向トリガ信
号の出力されていない期間中に得られるデータの
積算値を減算するようにしているので、サンプリ
ングデータの積算値からバツクグランドノイズ、
暗電流の影響を有効に取除き一層精度の高い光波
形観測データを得ることができる。
第1図は本発明に係る光波形観測装置の実施例
の構成図、第2図a乃至dはそれぞれ入射光IN、
電気トリガ信号TR、偏向トリガ信号、偏向電圧
Vのタイムチヤート、第3図は従来の光波形観測
装置の構成図、第4図a乃至eはそれぞれ入射光
IN、電気トリガ信号TR、偏向トリガ信号、偏向
電圧V、サンプリング波形のタイムチヤート、第
5図は従来のサンプリングストリーク管の構成
図、第6図aは加速電極がメツシユ状のものであ
るときの散乱光による光電子の遮蔽を説明するた
めの図、第6図bは加速電極がメツシユ状のもの
であるときのサンプリング電極上での電子密度分
布を示す図、第7図は本願の出願人により本願と
同日に出願された特許出願に記載の光波形観測装
置の構成図、第8図a,b,cはそれぞれ入射光
IN、偏向電圧V、サンプリング波形のタイムチ
ヤートである。 1……サンプリングストリーク管、30……ト
リガ回路、31……時間掃引回路、32……制御
回路、34……積分型増幅回路34。
の構成図、第2図a乃至dはそれぞれ入射光IN、
電気トリガ信号TR、偏向トリガ信号、偏向電圧
Vのタイムチヤート、第3図は従来の光波形観測
装置の構成図、第4図a乃至eはそれぞれ入射光
IN、電気トリガ信号TR、偏向トリガ信号、偏向
電圧V、サンプリング波形のタイムチヤート、第
5図は従来のサンプリングストリーク管の構成
図、第6図aは加速電極がメツシユ状のものであ
るときの散乱光による光電子の遮蔽を説明するた
めの図、第6図bは加速電極がメツシユ状のもの
であるときのサンプリング電極上での電子密度分
布を示す図、第7図は本願の出願人により本願と
同日に出願された特許出願に記載の光波形観測装
置の構成図、第8図a,b,cはそれぞれ入射光
IN、偏向電圧V、サンプリング波形のタイムチ
ヤートである。 1……サンプリングストリーク管、30……ト
リガ回路、31……時間掃引回路、32……制御
回路、34……積分型増幅回路34。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 入射光の波形をサンプリングストリーク管に
より観測する型式の光波形観測装置において、繰
返し周波数をもつ電気トリガ信号を所定時間遅延
させ偏向トリガ信号として出力する時間掃引手段
と、前記時間掃引手段からの前記偏向トリガ信号
の出力を所定期間停止させる停止手段と、偏向ト
リガ信号繰返し出力している期間中に得られるサ
ンプリングデータの積算値から偏向トリガ信号の
出力されていない期間中に得られるデータの積算
値を減算する減算手段とを備えていることを特徴
とする光波形観測装置。 2 偏向トリガ信号のデータされない前記期間
は、偏向トリガ信号の繰返し出力されている前記
期間と同じに設定されることを特徴とする特許請
求の範囲第1項に記載の光波形観測装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62163537A JPS649325A (en) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | Light waveform observing instrument |
| GB8830305A GB2227831B (en) | 1987-06-30 | 1988-12-28 | Optical waveform observing apparatus |
| US07/291,825 US4945224A (en) | 1987-06-30 | 1988-12-29 | Optical waveform observing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62163537A JPS649325A (en) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | Light waveform observing instrument |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS649325A JPS649325A (en) | 1989-01-12 |
| JPH056124B2 true JPH056124B2 (ja) | 1993-01-25 |
Family
ID=15775766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62163537A Granted JPS649325A (en) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | Light waveform observing instrument |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4945224A (ja) |
| JP (1) | JPS649325A (ja) |
| GB (1) | GB2227831B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2709135B2 (ja) * | 1989-04-11 | 1998-02-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光信号検出装置 |
| JP3079042B2 (ja) * | 1996-07-19 | 2000-08-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | ストリーク管の掃引方法および掃引装置 |
| US5949065A (en) * | 1997-12-12 | 1999-09-07 | Fastlite | Sweep generator circuit for a streak camera |
| US6642499B1 (en) | 1999-07-19 | 2003-11-04 | The University Of Rochester | System for photometric calibration of optoelectronic imaging devices especially streak cameras |
| JP4910424B2 (ja) * | 2006-03-01 | 2012-04-04 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
| JP4921274B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2012-04-25 | 東京パーツ工業株式会社 | プッシュスイッチ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2964884D1 (en) * | 1978-03-23 | 1983-03-31 | Daniel Joseph Bradley | Apparatus and method for recording high-speed repetitive optical phenomena |
| US4645918A (en) * | 1982-12-07 | 1987-02-24 | Hamamatsu Photonics Kabushiki Kaisha | Instruments for measuring light pulses clocked at high repetition rate and electron tube devices therefor |
| JPS62142235A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-25 | Hamamatsu Photonics Kk | ストリ−クカメラ装置 |
| JPS62188915A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 2重掃引ストリ−クカメラ装置 |
-
1987
- 1987-06-30 JP JP62163537A patent/JPS649325A/ja active Granted
-
1988
- 1988-12-28 GB GB8830305A patent/GB2227831B/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-29 US US07/291,825 patent/US4945224A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2227831A (en) | 1990-08-08 |
| US4945224A (en) | 1990-07-31 |
| JPS649325A (en) | 1989-01-12 |
| GB2227831B (en) | 1992-10-14 |
| GB8830305D0 (en) | 1989-02-22 |
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Legal Events
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