JPH0562834A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPH0562834A JPH0562834A JP22072791A JP22072791A JPH0562834A JP H0562834 A JPH0562834 A JP H0562834A JP 22072791 A JP22072791 A JP 22072791A JP 22072791 A JP22072791 A JP 22072791A JP H0562834 A JPH0562834 A JP H0562834A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 垂直異方性磁界Ｈｋ及び垂直保磁力の高い垂
直磁気記録媒体を提供する。 【構成】 ＣｏＰｔＢＯ系磁性層を、六方晶構造を有す
る直径４〜８ｎｍの針状晶から構成し、隣接する針状晶
間を１〜４ｎｍとし、その（００１）軸方向を非磁性支
持体面に垂直に向けて配向させた磁性層とする。
直磁気記録媒体を提供する。 【構成】 ＣｏＰｔＢＯ系磁性層を、六方晶構造を有す
る直径４〜８ｎｍの針状晶から構成し、隣接する針状晶
間を１〜４ｎｍとし、その（００１）軸方向を非磁性支
持体面に垂直に向けて配向させた磁性層とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は記録層の膜厚方向の磁化
によって情報記録がなされる垂直磁気記録媒体、特にＣ
ｏＰｔＢＯ系の磁性層による垂直磁化記録媒体に係わ
る。
によって情報記録がなされる垂直磁気記録媒体、特にＣ
ｏＰｔＢＯ系の磁性層による垂直磁化記録媒体に係わ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年の情報記録の分野においては、高記
録密度化、高記録容量化への要求に応えるべく、垂直磁
気記録に関する研究が各所で進められている。垂直磁気
記録は、記録波長が磁性層の膜厚と同等以下の短波長と
なっても異極が接近することにより減磁が抑制されて静
磁気学的な安定化が達成されること、急峻な磁化転移領
域が形成されるために再生ヘッドの誘導起電力を大きく
できること等の長所を有しており、本質的に高密度記録
に適した方式と言える。
録密度化、高記録容量化への要求に応えるべく、垂直磁
気記録に関する研究が各所で進められている。垂直磁気
記録は、記録波長が磁性層の膜厚と同等以下の短波長と
なっても異極が接近することにより減磁が抑制されて静
磁気学的な安定化が達成されること、急峻な磁化転移領
域が形成されるために再生ヘッドの誘導起電力を大きく
できること等の長所を有しており、本質的に高密度記録
に適した方式と言える。
【０００３】この垂直磁気記録媒体の磁性層としては、
ＣｏＣｒ、ＣｏＭｏ、ＣｏＶ、ＣｏＲｕ等の合金磁性薄
膜が知られている。
ＣｏＣｒ、ＣｏＭｏ、ＣｏＶ、ＣｏＲｕ等の合金磁性薄
膜が知られている。
【０００４】これら合金の中でも、高周波スパッタリン
グにより成膜されたＣｏ−Ｃｒ合金磁性層は、最も垂直
磁気特性に優れる材料として知られている。
グにより成膜されたＣｏ−Ｃｒ合金磁性層は、最も垂直
磁気特性に優れる材料として知られている。
【０００５】しかし、Ｃｏ−Ｃｒ合金磁性層には、その
ままでは磁気ヘッドとの摺接に際して耐久性が不足する
ので保護潤滑層を要すること、しかもスペーシングロス
を小さくするために上記保持潤滑層の膜厚を極めて薄く
形成する必要があるが、これが困難であること、飽和磁
束密度が比較的低いこと、成膜時の基板温度を高くしな
いと高保磁力が得られないこと等の問題点がある。
ままでは磁気ヘッドとの摺接に際して耐久性が不足する
ので保護潤滑層を要すること、しかもスペーシングロス
を小さくするために上記保持潤滑層の膜厚を極めて薄く
形成する必要があるが、これが困難であること、飽和磁
束密度が比較的低いこと、成膜時の基板温度を高くしな
いと高保磁力が得られないこと等の問題点がある。
【０００６】これに対して本出願人は、先に特開平２−
７４０１２号公報において膜厚を大としても充分なＨｃ
が得られ、また成膜時の基板温度を高める必要がなく、
かつ充分な飽和磁束密度Ｂｓを得易いＣｏＰｔＢＯ系合
金を提案した。このＣｏＰｔＢＯ系合金は、その組成式
が（Ｃｏa Ｐｔb Ｂc ）100-x Ｏx で示され、その組成
範囲が、ａ＝１００−ｂ−ｃ、０≦ｂ≦５０、０．１≦
ｃ≦３０、０＜ｘ≦１５（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｘは原子
％）とされたもので、この磁性薄膜は、その成膜時の基
板温度が室温程度の比較的低い温度で、かつ比較的厚い
膜厚としても、３ｋＯｅ程度の高い垂直保磁力Ｈｃv 、
１０〜１２ｋＧ程度の高い飽和磁束密度Ｂｓ（４πＭ
ｓ）、１５ｋＯｅ程度の高い垂直異方性磁界Ｈｋを得て
いる。
７４０１２号公報において膜厚を大としても充分なＨｃ
が得られ、また成膜時の基板温度を高める必要がなく、
かつ充分な飽和磁束密度Ｂｓを得易いＣｏＰｔＢＯ系合
金を提案した。このＣｏＰｔＢＯ系合金は、その組成式
が（Ｃｏa Ｐｔb Ｂc ）100-x Ｏx で示され、その組成
範囲が、ａ＝１００−ｂ−ｃ、０≦ｂ≦５０、０．１≦
ｃ≦３０、０＜ｘ≦１５（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｘは原子
％）とされたもので、この磁性薄膜は、その成膜時の基
板温度が室温程度の比較的低い温度で、かつ比較的厚い
膜厚としても、３ｋＯｅ程度の高い垂直保磁力Ｈｃv 、
１０〜１２ｋＧ程度の高い飽和磁束密度Ｂｓ（４πＭ
ｓ）、１５ｋＯｅ程度の高い垂直異方性磁界Ｈｋを得て
いる。
【０００７】更に本願出願人は、ＣｏＰｔＢＯ系極性層
において、より良好な垂直磁気特性を得るには、この磁
性層を構成する結晶の形状、大きさ、配向状態、配列状
態等の微細構造に関連していることを究明し、これらを
制御することにより常に安定した特性を有する垂直磁性
記録媒体を、特開平３−５８３１６号に提示した。
において、より良好な垂直磁気特性を得るには、この磁
性層を構成する結晶の形状、大きさ、配向状態、配列状
態等の微細構造に関連していることを究明し、これらを
制御することにより常に安定した特性を有する垂直磁性
記録媒体を、特開平３−５８３１６号に提示した。
【０００８】しかしながら本発明者等は、更に鋭意、考
察、検討、解析を行った結果、より正確に垂直磁気特性
に得る結晶構造、配向状態等の知見を得るに至った。
察、検討、解析を行った結果、より正確に垂直磁気特性
に得る結晶構造、配向状態等の知見を得るに至った。
【０００９】尚、ここに垂直磁気記録媒体の記録磁性層
として垂直磁化膜とは、上述の磁性薄膜の垂直異方性磁
界Ｈｋと、飽和磁束密度４πＭｓとの関係が、それぞれ
Ｈｋの単位をｋＯｅで示し、４πＭｓの単位をｋＧで示
したときに、これらの値が下記数１で示す関係を満たせ
ば良いと考えられる。
として垂直磁化膜とは、上述の磁性薄膜の垂直異方性磁
界Ｈｋと、飽和磁束密度４πＭｓとの関係が、それぞれ
Ｈｋの単位をｋＯｅで示し、４πＭｓの単位をｋＧで示
したときに、これらの値が下記数１で示す関係を満たせ
ば良いと考えられる。
【数１】Ｈｋ≧４πＭｓ
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した新
しい知見に基いて、高い垂直異方性磁界を有し、垂直保
磁力の高い磁気記録媒体を提供する。
しい知見に基いて、高い垂直異方性磁界を有し、垂直保
磁力の高い磁気記録媒体を提供する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は非磁性支持体上
にＣｏＰｔＢＯ系磁性層を形成する。
にＣｏＰｔＢＯ系磁性層を形成する。
【００１２】そして、ＣｏＰｔＢＯ系磁性層を、六方晶
構造を有する直径４〜８ｎｍの針状晶から構成し、各針
状晶が〈００１〉軸方向を非磁性支持体面に垂直に向け
て配向すると共に、隣接する針状晶間に１〜４ｎｍの間
隙を介して配列した構成とする。
構造を有する直径４〜８ｎｍの針状晶から構成し、各針
状晶が〈００１〉軸方向を非磁性支持体面に垂直に向け
て配向すると共に、隣接する針状晶間に１〜４ｎｍの間
隙を介して配列した構成とする。
【００１３】
【作用】上述した結晶構造による針状晶、配列状態によ
って良好に単磁区が微小化されることにより減磁の抑制
がなされ、更に〈００１〉方向は、六方晶における磁化
容易軸であると同時に針状結晶の長軸方向であり、した
がって上述の配向は、結晶磁気異方性、形状磁気異方性
の双方から垂直磁気記録層として高い垂直磁気異方性、
垂直保磁力が高められる。
って良好に単磁区が微小化されることにより減磁の抑制
がなされ、更に〈００１〉方向は、六方晶における磁化
容易軸であると同時に針状結晶の長軸方向であり、した
がって上述の配向は、結晶磁気異方性、形状磁気異方性
の双方から垂直磁気記録層として高い垂直磁気異方性、
垂直保磁力が高められる。
【００１４】即ち、本発明では、良好な垂直磁気異方性
を有するＣｏＰｔＢＯ系磁性層の結晶配向を極点図測定
によって調べ、また透過電子顕微鏡により断面組織観察
を行った結果、磁性層が六方晶と面心立方晶の両成分を
有する柱状晶の場合には良好な垂直磁気異方性が現れに
くく、これに比し、六方晶を有する個々の針状晶が一定
の間隙を介して長軸方向を膜面に垂直に向けた構造をと
り、かつ六方晶の〈００１〉方向が膜面に対し垂直配向
している場合に良好な垂直磁気異方性が現われることを
見い出したものである。
を有するＣｏＰｔＢＯ系磁性層の結晶配向を極点図測定
によって調べ、また透過電子顕微鏡により断面組織観察
を行った結果、磁性層が六方晶と面心立方晶の両成分を
有する柱状晶の場合には良好な垂直磁気異方性が現れに
くく、これに比し、六方晶を有する個々の針状晶が一定
の間隙を介して長軸方向を膜面に垂直に向けた構造をと
り、かつ六方晶の〈００１〉方向が膜面に対し垂直配向
している場合に良好な垂直磁気異方性が現われることを
見い出したものである。
【００１５】
【実施例】本発明は非磁性支持体上にＣｏＰｔＢＯ系磁
性層を、六方晶構造を有する直径４〜８ｎｍの針状晶か
ら構成し、各針状晶が〈００１〉軸方向を非磁性支持体
面に垂直に向けて配向すると共に、隣接する針状晶間に
１〜４ｎｍの間隙を介して配列した構成によって形成す
る。
性層を、六方晶構造を有する直径４〜８ｎｍの針状晶か
ら構成し、各針状晶が〈００１〉軸方向を非磁性支持体
面に垂直に向けて配向すると共に、隣接する針状晶間に
１〜４ｎｍの間隙を介して配列した構成によって形成す
る。
【００１６】このＣｏＰｔＢＯ系磁性層下には、Ｐｔ下
地膜を形成し得る。
地膜を形成し得る。
【００１７】このＰｔ下地膜は、そのＸ線回折像のＰｔ
（１１１）ピークのロッキングカーブより求めた配向度
Δθ50が、Δθ50≦１０゜とする。
（１１１）ピークのロッキングカーブより求めた配向度
Δθ50が、Δθ50≦１０゜とする。
【００１８】また、ＣｏＰｔＢＯ系磁性層としては、そ
の組成式が（ＣｏaＰｔb Ｂc ）10 0-x Ｏx（ａ，ｂ，
ｃ，ｘは原子％）で表され、かつ、 ａ＝１００−ｂ−ｃ ０≦ｂ≦５０ ０．１≦ｃ≦３０ ０＜ｘ≦１５ とする。
の組成式が（ＣｏaＰｔb Ｂc ）10 0-x Ｏx（ａ，ｂ，
ｃ，ｘは原子％）で表され、かつ、 ａ＝１００−ｂ−ｃ ０≦ｂ≦５０ ０．１≦ｃ≦３０ ０＜ｘ≦１５ とする。
【００１９】実施例１ スライドガラス基板上に、Ｐｔ下地膜とＣｏＰｔＢＯ系
磁性層とを順次マグネトロン型スパッタリング装置でス
パッタした。これらスパッタリングの条件は、次のよう
に設定した。 バックグラウンド真空度：１．３×１０-4Ｐａ 基板温度：室温 投入パワー：ＤＣ３００Ｗ
磁性層とを順次マグネトロン型スパッタリング装置でス
パッタした。これらスパッタリングの条件は、次のよう
に設定した。 バックグラウンド真空度：１．３×１０-4Ｐａ 基板温度：室温 投入パワー：ＤＣ３００Ｗ
【００２０】そして、Ｐｔ下地膜のスパッタについて
は、 スパッタガス圧：２．０Ｐａ（ガスはアルゴンガス使
用） 全ガス流量：５０ｓｃｃｍ 膜厚：１００ｎｍ とした。ＣｏＰｔＢＯ系磁性層のスパッタについては、 スパッタガス圧：２．０Ｐａ（ガスはアルゴンと酸素の
混合ガス使用） 全ガス流量：５０ｓｃｃｍ 酸素分圧：０．０３５Ｐａ 膜厚：１００ｎｍ ターゲット組成：Ｃｏ68Ｐｔ23Ｂ9 （原子％） ターゲット形状：直径１０ｃｍ、厚さ３ｍｍ とした。
は、 スパッタガス圧：２．０Ｐａ（ガスはアルゴンガス使
用） 全ガス流量：５０ｓｃｃｍ 膜厚：１００ｎｍ とした。ＣｏＰｔＢＯ系磁性層のスパッタについては、 スパッタガス圧：２．０Ｐａ（ガスはアルゴンと酸素の
混合ガス使用） 全ガス流量：５０ｓｃｃｍ 酸素分圧：０．０３５Ｐａ 膜厚：１００ｎｍ ターゲット組成：Ｃｏ68Ｐｔ23Ｂ9 （原子％） ターゲット形状：直径１０ｃｍ、厚さ３ｍｍ とした。
【００２１】実施例２ スライドガラス基板上に、直接ＣｏＰｔＢＯ系磁性層を
作製した。この場合、Ｐｔ下地膜は設けなかったもので
あり、このこと以外は全て実施例１と同様とした。
作製した。この場合、Ｐｔ下地膜は設けなかったもので
あり、このこと以外は全て実施例１と同様とした。
【００２２】比較例１ 酸素を含まないＣｏＰｔＢ系磁性層を有する垂直磁気記
録媒体を作製した。成膜条件はスパッタガスに酸素を含
まないアルゴンガスを用いたこと以外は実施例１と同様
とした。
録媒体を作製した。成膜条件はスパッタガスに酸素を含
まないアルゴンガスを用いたこと以外は実施例１と同様
とした。
【００２３】比較例２ スライドガラス基板上に、直接ＣｏＰｔＢ系磁性層を比
較例１と同様に形成した。
較例１と同様に形成した。
【００２４】上述の実施例１、２及び比較例１、２によ
る磁性層の垂直磁気異方性磁界Ｈｋを測定したところ、
そのＨｋは、実施例１及び２がそれぞれ１４ｋＯｅ及び
１０ｋＯｅ、比較例１及び２は、それぞれＨｋが７ｋＯ
ｅ及び３ｋＯｅとなった。
る磁性層の垂直磁気異方性磁界Ｈｋを測定したところ、
そのＨｋは、実施例１及び２がそれぞれ１４ｋＯｅ及び
１０ｋＯｅ、比較例１及び２は、それぞれＨｋが７ｋＯ
ｅ及び３ｋＯｅとなった。
【００２５】そして、４πＭｓは、１０〜１２ｋＧであ
るので、実施例１及び２では、Ｈｋ≧４πＭｓを満足し
ているので、これら実施例１及び２で垂直磁化膜が実現
していることがわかる。
るので、実施例１及び２では、Ｈｋ≧４πＭｓを満足し
ているので、これら実施例１及び２で垂直磁化膜が実現
していることがわかる。
【００２６】次に、実施例１、２、比較例１、２につい
ての結晶学的構造をみる。実施例２の場合の磁性層のＸ
線ディフラクトメータによるＸ線回折チャートを図１に
示す。また図２は、その解析結果を示す表図である。こ
の測定は、粉末にしたＣｏＰｔＢＯ系薄膜を用いて行っ
たものである。図１中符号２〜７はピーク番号を示した
ものである。図２は、計算で求めた面心立方晶（ｆｃ
ｃ）及び六方晶（ｈｃｐ）の格子面間隔ｄと実測値のｄ
とを示したものである。この場合の計算値は、実測値の
２．１１２Å（図１のピークＮｏ．２）をそれぞれｆｃ
ｃ（１１１）結晶面及びｈｃｐ（００２）結晶面の格子
面間隔として求めたものである。この実測値によれば、
ＣｏＰｔＢＯ系磁性層は面心立方晶ｆｃｃと、六方晶ｈ
ｃｐの成分を含んでいることになる。つまり、実測値を
計算値と比較して明らかなように、ｆｃｃでは存在する
はずのないピーク１とピーク５とが実測されていて、こ
れによれば少なくとも六方晶ｈｃｐが生じていることが
わかる。尚、ｈｃｐにおいて（２００）面及び（２０
１）面によるピークが実測されていないが、全結晶面に
ついてピークの発生が生じるとは限らないので、これに
よって、ｈｃｐの存在が否定されることはない。
ての結晶学的構造をみる。実施例２の場合の磁性層のＸ
線ディフラクトメータによるＸ線回折チャートを図１に
示す。また図２は、その解析結果を示す表図である。こ
の測定は、粉末にしたＣｏＰｔＢＯ系薄膜を用いて行っ
たものである。図１中符号２〜７はピーク番号を示した
ものである。図２は、計算で求めた面心立方晶（ｆｃ
ｃ）及び六方晶（ｈｃｐ）の格子面間隔ｄと実測値のｄ
とを示したものである。この場合の計算値は、実測値の
２．１１２Å（図１のピークＮｏ．２）をそれぞれｆｃ
ｃ（１１１）結晶面及びｈｃｐ（００２）結晶面の格子
面間隔として求めたものである。この実測値によれば、
ＣｏＰｔＢＯ系磁性層は面心立方晶ｆｃｃと、六方晶ｈ
ｃｐの成分を含んでいることになる。つまり、実測値を
計算値と比較して明らかなように、ｆｃｃでは存在する
はずのないピーク１とピーク５とが実測されていて、こ
れによれば少なくとも六方晶ｈｃｐが生じていることが
わかる。尚、ｈｃｐにおいて（２００）面及び（２０
１）面によるピークが実測されていないが、全結晶面に
ついてピークの発生が生じるとは限らないので、これに
よって、ｈｃｐの存在が否定されることはない。
【００２７】このようにディフラクトメータによる測定
では、ＣｏＰｔＢＯ系磁性層では、極点図測定を行って
ｆｃｃであるか、ｈｃｐであるかの確認を行った。図３
〜図５は本発明による実施例１の場合、図６〜図８は比
較例１の酸素を含まなかった場合の極点図測定の結果を
示し、各図Ａは実測結果、各図Ｂは仰角に対する回折強
度分布を示す。仰角０°は膜面内方向を、仰角９０°は
膜面の法線方向を示す。各図Ｂの回折強度は、測定中の
回折に寄与する体積変化、検出効率の変化、Ｐｔ下地に
よる散乱の寄与を補正したものである。
では、ＣｏＰｔＢＯ系磁性層では、極点図測定を行って
ｆｃｃであるか、ｈｃｐであるかの確認を行った。図３
〜図５は本発明による実施例１の場合、図６〜図８は比
較例１の酸素を含まなかった場合の極点図測定の結果を
示し、各図Ａは実測結果、各図Ｂは仰角に対する回折強
度分布を示す。仰角０°は膜面内方向を、仰角９０°は
膜面の法線方向を示す。各図Ｂの回折強度は、測定中の
回折に寄与する体積変化、検出効率の変化、Ｐｔ下地に
よる散乱の寄与を補正したものである。
【００２８】図４Ｂと図５Ｂとはこれらを比較するた
め、図５Ｂの最高強度１３２ｃｐｓを１としたときの相
対強度で示した。
め、図５Ｂの最高強度１３２ｃｐｓを１としたときの相
対強度で示した。
【００２９】理想的なｈｃｐ（００１）配向の場合、ｈ
ｃｐ（００１）極点図において仰角９０°の方向に回折
ピークが現れ、またｈｃｐ（１０１）極点図において仰
角２８°の方向に回折ピークが現れる。一方、理想的な
ｆｃｃ（１１１）配向の場合、ｆｃｃ（１１１）極点図
において仰角９０°および仰角１９．５°に回折ピーク
が現れ、またｆｃｃ（１００）極点図において仰角３
４．５°の方向に回折ピークが現れる。
ｃｐ（００１）極点図において仰角９０°の方向に回折
ピークが現れ、またｈｃｐ（１０１）極点図において仰
角２８°の方向に回折ピークが現れる。一方、理想的な
ｆｃｃ（１１１）配向の場合、ｆｃｃ（１１１）極点図
において仰角９０°および仰角１９．５°に回折ピーク
が現れ、またｆｃｃ（１００）極点図において仰角３
４．５°の方向に回折ピークが現れる。
【００３０】図３及び図５は理想的なｈｃｐ（００１）
極点図の回折強度分布と一致している。図３の最大強度
に対する図４の最大強度比は０．００７８である。一
方、図３の最大強度に対する図５の最強強度比は０．０
６０である。
極点図の回折強度分布と一致している。図３の最大強度
に対する図４の最大強度比は０．００７８である。一
方、図３の最大強度に対する図５の最強強度比は０．０
６０である。
【００３１】次に図６〜図８の比較例１の場合について
みると、理想的なｈｃｐ（００１）配向および理想的な
ｆｃｃ（１１１）配向の特徴は前述したと同様である。
図７Ｂと図８Ｂとを比較するため、図８Ｂの最高強度６
３ｃｐｓを１としたときの相対強度で示した。
みると、理想的なｈｃｐ（００１）配向および理想的な
ｆｃｃ（１１１）配向の特徴は前述したと同様である。
図７Ｂと図８Ｂとを比較するため、図８Ｂの最高強度６
３ｃｐｓを１としたときの相対強度で示した。
【００３２】図７は一見理想的なｆｃｃ（１１１）配向
におけるｆｃｃ（１００）極点図の特徴を示している。
しかし図６をみると仰角９０゜にしたピークが無い。さ
らに、図８は理想的なｈｃｐ（００１）配向の特徴を示
していない。図６の最大強度に対する図７の最大強度比
は０．０１７である。一方図６の最大強度に対する図８
の最大強度比は０．０２１である。図８の仰角２０°の
ピークをｈｃｐ（００１）配向のｈｃｐ（１０１）極成
分と仮定して計算しても、ｈｃｐ（００１）配向の割合
は本発明による実施例１の場合、図５の３５％である。
一方ｆｃｃ（１１１）配向成分は同様の本発明実施例の
図６の約２倍に増加している。
におけるｆｃｃ（１００）極点図の特徴を示している。
しかし図６をみると仰角９０゜にしたピークが無い。さ
らに、図８は理想的なｈｃｐ（００１）配向の特徴を示
していない。図６の最大強度に対する図７の最大強度比
は０．０１７である。一方図６の最大強度に対する図８
の最大強度比は０．０２１である。図８の仰角２０°の
ピークをｈｃｐ（００１）配向のｈｃｐ（１０１）極成
分と仮定して計算しても、ｈｃｐ（００１）配向の割合
は本発明による実施例１の場合、図５の３５％である。
一方ｆｃｃ（１１１）配向成分は同様の本発明実施例の
図６の約２倍に増加している。
【００３３】また、図９〜図１１の各Ａ図及びＢ図は、
本発明による実施例２の実測結果の極点図及び仰角に対
する回折強度分布を示す。図１２〜１４の各Ａ図及びＢ
図は、比較例２の同様の実測結果の極点図及び仰角に対
する回折強度分布を示す。
本発明による実施例２の実測結果の極点図及び仰角に対
する回折強度分布を示す。図１２〜１４の各Ａ図及びＢ
図は、比較例２の同様の実測結果の極点図及び仰角に対
する回折強度分布を示す。
【００３４】図９及び図１１は理想的なｈｃｐ（００
１）極点図の回折強度分布と一致している。図９の最大
強度に対する図１０の最大強度比は０．０１０３、図９
の最大強度に対する図１１の最大強度比は０．０４６９
である。
１）極点図の回折強度分布と一致している。図９の最大
強度に対する図１０の最大強度比は０．０１０３、図９
の最大強度に対する図１１の最大強度比は０．０４６９
である。
【００３５】図１３は一見理想的なｆｃｃ（１１１）配
向におけるｆｃｃ（１００）極点図の特徴を示してい
る。しかし、図１２では仰角９０゜のピークが支配的で
ある。また、図１４はｈｃｐ（００１）配向の特徴を示
していない。
向におけるｆｃｃ（１００）極点図の特徴を示してい
る。しかし、図１２では仰角９０゜のピークが支配的で
ある。また、図１４はｈｃｐ（００１）配向の特徴を示
していない。
【００３６】図１２の最大強度に対する図１３の最大強
度比は０．０３４９、図１２の最大強度に対する図１４
の最大強度比は０．０５１である。
度比は０．０３４９、図１２の最大強度に対する図１４
の最大強度比は０．０５１である。
【００３７】比較例２の図１２におけるｆｃｃ（１１
１）配向成分は、実施例２の図１２における場合の約
３．４倍に増加している。このとき図１４の仰角２０°
のピークをｈｃｐ（００１）配向のｈｃｐ（１０１）極
成分と仮定すると、ｈｃｐ（００１）配向の割合は実施
例２（図１１）とほぼ同じである。
１）配向成分は、実施例２の図１２における場合の約
３．４倍に増加している。このとき図１４の仰角２０°
のピークをｈｃｐ（００１）配向のｈｃｐ（１０１）極
成分と仮定すると、ｈｃｐ（００１）配向の割合は実施
例２（図１１）とほぼ同じである。
【００３８】上述したところから明らかなように、比較
例１、２は、本発明実施例１及び２に比し、ｈｃｐ｛１
１１｝配向が弱く、かつｆｃｃ｛２００｝配向成分も認
められる。即ち、本発明実施例において大なる垂直異方
性磁界Ｈｋが得られるのは、ｈｃｐ｛００１｝配向によ
る結晶磁気異方性が寄与していることに因ると云える。
例１、２は、本発明実施例１及び２に比し、ｈｃｐ｛１
１１｝配向が弱く、かつｆｃｃ｛２００｝配向成分も認
められる。即ち、本発明実施例において大なる垂直異方
性磁界Ｈｋが得られるのは、ｈｃｐ｛００１｝配向によ
る結晶磁気異方性が寄与していることに因ると云える。
【００３９】また、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて
実施例１及び比較例１の断面観察を行ったところ、実施
例１の場合、断面組織が膜面に対して垂直に成長した微
細な粒径（長軸方向）４〜８ｎｍの針状であり、各針状
結晶は１〜４μｍの間隔を介して配列されているのに比
し、比較例１では、柱状組織となっていることが観察さ
れた。これにより、本発明実施例による場合、その形状
が形状磁気異方性を高めるように形成されていて、この
ことから垂直異方性磁界Ｈｋが高められている。
実施例１及び比較例１の断面観察を行ったところ、実施
例１の場合、断面組織が膜面に対して垂直に成長した微
細な粒径（長軸方向）４〜８ｎｍの針状であり、各針状
結晶は１〜４μｍの間隔を介して配列されているのに比
し、比較例１では、柱状組織となっていることが観察さ
れた。これにより、本発明実施例による場合、その形状
が形状磁気異方性を高めるように形成されていて、この
ことから垂直異方性磁界Ｈｋが高められている。
【００４０】また、上述したように、Ｐｔ下地層は、そ
のＸ線回折像のＰｔ（１１１）ピークのロッキングカー
ブより求めた配向Δθ50を１０゜以下に選定するもので
あるが、この配向度Δθ50とは、Ｘ線回折のいわゆるθ
−２θスキャンによる表面解析法において、Ｐｔ下地層
２の（１１１）結晶面上に２θを固定して求めたロッキ
ングカーブにおける強度が、最大強度をＩとしたときに
Ｉ／２以上となる角度範囲を示す。
のＸ線回折像のＰｔ（１１１）ピークのロッキングカー
ブより求めた配向Δθ50を１０゜以下に選定するもので
あるが、この配向度Δθ50とは、Ｘ線回折のいわゆるθ
−２θスキャンによる表面解析法において、Ｐｔ下地層
２の（１１１）結晶面上に２θを固定して求めたロッキ
ングカーブにおける強度が、最大強度をＩとしたときに
Ｉ／２以上となる角度範囲を示す。
【００４１】図１５にＰｔ下地層のΔθ50とＨｋとの関
係の測定結果を示すように、上述したようにΔθ50を１
０°以下に選定することによって、高い垂直異方性磁界
Ｈｋを得ることができるものである。
係の測定結果を示すように、上述したようにΔθ50を１
０°以下に選定することによって、高い垂直異方性磁界
Ｈｋを得ることができるものである。
【００４２】これは、一般にΔθ50が大である程、その
結晶性が悪くなるため、上述したようにΔθ50を比較的
小さく抑えることによって、Ｐｔ下地層２の結晶性を良
好に保持し、これによってこの上の磁性層の磁気特性、
例えば磁気異方性が大となって、上述のＨｋ≧４πＭｓ
の条件を満足するための条件の緩和がはかられるものと
思われる。
結晶性が悪くなるため、上述したようにΔθ50を比較的
小さく抑えることによって、Ｐｔ下地層２の結晶性を良
好に保持し、これによってこの上の磁性層の磁気特性、
例えば磁気異方性が大となって、上述のＨｋ≧４πＭｓ
の条件を満足するための条件の緩和がはかられるものと
思われる。
【００４３】尚、上述した例では、非磁性支持体がスラ
イドガラス基板の場合であるが、上述したように下地の
Ｐｔ及び磁性層の形成スパッタにおける基板温度は室温
で良いことからガラス基板に限らず、耐熱性の低い支持
体、例えばポリエチレンテレフタレート等を使用するこ
ともできる。
イドガラス基板の場合であるが、上述したように下地の
Ｐｔ及び磁性層の形成スパッタにおける基板温度は室温
で良いことからガラス基板に限らず、耐熱性の低い支持
体、例えばポリエチレンテレフタレート等を使用するこ
ともできる。
【図１】ＣｏＰｔＢＯ系の薄膜のＸ線ディフラクトメー
タの回折チャートである。
タの回折チャートである。
【図２】図１による回折チャートの実測値と計算値で求
めたｆｃｃ及びｈｃｐの格子面間隔の表図である。
めたｆｃｃ及びｈｃｐの格子面間隔の表図である。
【図３】実施例１におけるｈｃｐ（００１）またはｆｃ
ｃ（１１１）極点図及び仰角に対する回折強度を示す図
である。
ｃ（１１１）極点図及び仰角に対する回折強度を示す図
である。
【図４】実施例１におけるｆｃｃ（１００）極点図及び
仰角に対する回折強度を示す図である。
仰角に対する回折強度を示す図である。
【図５】実施例１におけるｈｃｐ（１０１）極点図及び
仰角に対する回折強度を示す図である。
仰角に対する回折強度を示す図である。
【図６】比較例１におけるｈｃｐ（００１）またはｆｃ
ｃ（１１１）極点図及び仰角に対する回折強度を示す図
である。
ｃ（１１１）極点図及び仰角に対する回折強度を示す図
である。
【図７】比較例１におけるｆｃｃ（１００）極点図及び
仰角に対する回折強度を示す図である。
仰角に対する回折強度を示す図である。
【図８】比較例１におけるｈｃｐ（１０１）極点図及び
仰角に対する回折強度図である。
仰角に対する回折強度図である。
【図９】実施例２におけるｈｃｐ（００１）またはｆｃ
ｃ（１１１）極点図及び仰角に対する回折強度を示す図
である。
ｃ（１１１）極点図及び仰角に対する回折強度を示す図
である。
【図１０】実施例２におけるｆｃｃ（１００）極点図及
び仰角に対する回折強度を示す図である。
び仰角に対する回折強度を示す図である。
【図１１】実施例２におけるｈｃｐ（１０１）極点図及
び仰角に対する回折強度を示す図である。
び仰角に対する回折強度を示す図である。
【図１２】比較例２におけるｈｃｐ（００１）またはｆ
ｃｃ（１１１）極点図及び仰角に対する回折強度を示す
図である。
ｃｃ（１１１）極点図及び仰角に対する回折強度を示す
図である。
【図１３】比較例２におけるｆｃｃ（１００）極点図及
び仰角に対する回折強度を示す図である。
び仰角に対する回折強度を示す図である。
【図１４】比較例２におけるｈｃｐ（１０１）極点図及
び仰角に対する回折強度を示す図である。
び仰角に対する回折強度を示す図である。
【図１５】Ｐｔ下地層のΔθ50と垂直異方性磁界Ｈｋと
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 非磁性支持体上にＣｏＰｔＢＯ系磁性層
が形成されて成り、 上記ＣｏＰｔＢＯ系磁性層が六方晶構造を有する直径４
〜８ｎｍの針状晶から構成され、各針状晶が〈００１〉
軸方向に非磁性支持体面に垂直に向けて配向されると共
に、隣接する針状晶間に１〜４ｎｍの間隙を介して配列
されて成ることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03220727A JP3141436B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03220727A JP3141436B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562834A true JPH0562834A (ja) | 1993-03-12 |
| JP3141436B2 JP3141436B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=16755578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03220727A Expired - Fee Related JP3141436B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3141436B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6541131B1 (en) | 2000-05-25 | 2003-04-01 | Seagate Technology Llc | Perpendicular recording media with enhanced coercivity |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP03220727A patent/JP3141436B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6541131B1 (en) | 2000-05-25 | 2003-04-01 | Seagate Technology Llc | Perpendicular recording media with enhanced coercivity |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3141436B2 (ja) | 2001-03-05 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |