JPH0562883A - 照度分布補正機能付き投影露光装置 - Google Patents

照度分布補正機能付き投影露光装置

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JPH0562883A
JPH0562883A JP3245053A JP24505391A JPH0562883A JP H0562883 A JPH0562883 A JP H0562883A JP 3245053 A JP3245053 A JP 3245053A JP 24505391 A JP24505391 A JP 24505391A JP H0562883 A JPH0562883 A JP H0562883A
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JP
Japan
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mask
illuminance distribution
illuminance
substrate
light
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Pending
Application number
JP3245053A
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English (en)
Inventor
Shigeru Hirukawa
茂 蛭川
Tetsuo Kikuchi
哲男 菊池
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JPH0562883A publication Critical patent/JPH0562883A/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 マスク上のパターン形状に影響を受けること
なく基板上での照度分布を適正にする。 【構成】 基板501上の露光領域内での照度分布を測
定する照度分布測定手段502と、照度分布測定手段5
02で測定した、マスクを載置しない状態での基板50
1上の照度分布および基準面積の遮光部を有するテスト
マスク503を載置した状態での照度分布と、実マスク
505から反射される照明光の反射光量とに基づいて、
実マスク505を載置したときの基板501上の露光領
域内での照度分布を推定する推定手段504と、推定さ
れた照度分布に基づいて、実マスク505を載置した時
の基板501上の照度分布が予め定めた適正照度分布と
なるように、照明光学系506からの照明光の分布を補
正する補正手段507とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光源からの照明光をマ
スクに照射し、このマスクに形成されたパターンを基板
上に結像投影する投影露光装置に関し、とくに、基板
(ウエハやガラスプレート)上の照度分布の補正を精度
よく行なうように改良したものである。
【0002】
【従来の技術】この種の投影露光装置においては、ウエ
ハなどの基板上の照度分布にむらがあると、たとえばマ
スク上の同じ線幅のパターンであっても照度むらにより
焼き付けられる線幅が変ってしまう。そこで、従来は、
マスクがない状態で基板上の照度分布を計測し、その照
度分布が基板の露光領域内で均一になるように、照明光
学系を調節している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにして照度分布を補正しても次の理由により基板上で
照度むらが生じてしまう。照明光学系からマスクに入射
した光のうち、マスクの遮光部(クロム部)に入射した
光が反射して照明光学系に戻り、その光学部材で反射し
てマスクに再入射する。この再入射光により照度分布に
むらが生じる。
【0004】本発明の目的は、マスク上のパターン形状
に影響を受けることなく基板上での照度分布を適正にす
ることのできる照度分布補正機能付き投影露光装置を提
供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】クレーム対応図である図
1に対応付けて本発明を説明すると、本発明に係る投影
露光装置は、基板501上の露光領域内での照度分布を
測定する照度分布測定手段502と、照度分布測定手段
502で測定した、マスクを載置しない状態での基板5
01上の照度分布および基準面積の遮光部を有するテス
トマスク503を載置した状態での照度分布と、マスク
505から反射される照明光の反射光量とに基づいて、
マスク505を載置したときの基板501上の露光領域
内での照度分布を推定する推定手段504と、推定され
た照度分布に基づいて、マスク505を載置した時の基
板501上の照度分布が予め定めた適正照度分布となる
ように、照明光学系506からの照明光の分布を補正す
る補正手段507とを具備し、これにより、上述の目的
を達成する。請求項2における推定手段504は、マス
クを載置しない状態で照度分布測定手段502で測定さ
れた露光領域内の複数の点jでのそれぞれの照度値Po
jと、テストマスク503を載置した状態で照度分布測
定手段502で測定された露光領域内の点jでのそれぞ
れの照度値Ptijとの差Dijを演算する第1の演算
手段504Aと、マスク505で露光を行なう際に用い
るマスクブラインド設定状態での、マスク505の領域
iからの反射光量と、露光領域内の複数点のそれぞれの
差Dijとに基づいて、マスク505を載置した状態に
おける基板501上の露光領域内での照度分布を推定演
算する第2の演算手段504Bとを有する。請求項3に
おける第1の演算手段504Aは、マスクの全域に照明
光を照射した場合の照度値Pojと照度値Ptjとの差
Djを求めるものである。請求項4における第1の演算
手段504Aは、それぞれ異なった領域iに反射率が既
知であるような基準面積の遮光部がそれぞれ設けられた
n枚のテストマスク503をそれぞれ用い、マスク50
5を載置しない状態で照度分布測定手段502により測
定された基板501上の複数点jの照度値Pojと、n
枚のテストマスクをそれぞれ載置した状態で照度分布測
定手段502により測定された基板501上の露光領域
内の複数点jのそれぞれのマスクごとの照度値Ptij
との差Dijの総和を求め、第2の演算手段504B
は、マスク505の反射光量と差Dijの総和とに基づ
いて、マスク505を載置して使用する状態にマスクブ
ラインドを設定した状態における基板上の露光領域内で
の照度分布を推定演算するものである。請求項5におけ
る第1の演算手段504Aは、それぞれ異なった領域i
(i=1〜n)に基準面積の遮光部がそれぞれ設けられ
た反射率が既知のテストマスク503を用い、マスクブ
ラインドにより、上記各テストマスクの遮光部i以外の
領域を遮蔽した状態で測定された露光領域内の複数の点
j(j=1〜m)の照度値Pijを照度変化量Dijに
置き換え、第2の演算手段504Bは、マスク505の
反射光量と照度変化量Dijの総和とに基づいて、マス
ク505を載置し、マスクブラインドを実使用時とした
状態における基板上の露光領域内での照度分布を推定演
算するものである。請求項6における第1の演算手段5
04Aは、照明光学系506を構成する各光学部材の各
面の曲率半径とその面の反射防止コーティングの反射率
の入射角度特性、およびマスクの反射光の光路より、マ
スク面の領域R1〜Rn(図7)からの反射光の光線追
跡をそれぞれ行ない、マスクの各部分Riからの反射光
が露光領域jに及ぼす光量の変化量Dijを計算するも
のであり、第2の演算手段504Bは、マスク505の
反射光量と変化量Dijの総和とに基づいて、マスク5
05を載置した状態における基板501上の露光領域内
での照度分布を推定演算するものである。
【0006】
【作用】本発明による第1の方法では、照度分布測定手
段502により、マスクを載置しない状態での基板50
1上の照度分布および基準面積の遮光部を有するテスト
マスク503を載置した状態での照度分布を測定する。
推定手段504は、これらの照度分布と、マスク505
の各領域で反射される照明光の反射光量とに基づいて、
マスク505を載置したときの基板501上の露光領域
内での照度分布を推定する。本発明による第2の方法で
は、第1の演算手段は、照明光学系506の設計、製造
データを用いて、それぞれ異なった領域R1〜Rnから
の反射光が照明光学系506を構成する各光学部材に反
射されて再度マスク505に入射する光量を計算する。
すなわち、マスク505上の領域Riからの反射光の光
線追跡を、照明光学系506の開口数、各光学部材の各
面の曲率半径、各面に施した反射防止コーティングの反
射率の入射角度特性を用いて行ない、その光線がマスク
505に再び入射するマスク505上での位置とその光
量を計算する。これを基板上の位置jでのマスクによる
照度変化量Dijとする。第2の演算手段504Bは、
マスク505の反射光量と照度変化量Dijの総和とに
基づいて、マスク505を載置した状態における基板上
の露光領域内での照度分布を推定演算する。補正手段5
07は、推定された照度分布(の変位)に基づいて、マ
スク505を載置した時の基板501上の照度分布が予
め定めた適正照度分布となるように、照明光学系506
からの照明光の分布を補正する。
【0007】
【実施例】図2〜図9により本発明に係る投影露光装置
の一実施例を説明する。図2は全体の構成図である。図
2において、超高圧水銀ランプ11からの光束は楕円鏡
12での反射により、コールドミラー13によって反射
された後、楕円鏡12の第2焦点上に収束され、集光レ
ンズ14によってフライアイレンズ16に入射する。こ
れら各要素で構成される光源からの照明光の光路中に
は、後述する3種類のパターンドフィルタ15A〜15
Cを備えたフィルタ装置15が配置される。
【0008】また、図2において、フライアイレンズ1
6を通過した光束は第1リレーレンズ17を通って複数
枚の可動ブレードからなるレチクルブラインド18に達
する。ブラインド18は、レチクル22(パターン面)
と光学的にほぼ共役に配置されており、可動ブレードを
独立駆動することにより、レチクル22上での照明領域
の形状、位置を任意に設定する。ここで、ブラインド1
8の開口面積(形状、位置)は付設したエンコーダ42
(図4参照)により検出される。ブラインド18で所望
の面積に制御された照明光は第2リレーレンズ19、反
射鏡20、コンデンサレンズ21を経てレチクル22上
に入射され、レチクル22を照明する。この照明光は、
レチクル22に形成されたパターンを投影光学系23に
よりウエハ24上に結像投影する。
【0009】ウエハ24はウエハステージ25上に保持
されている。このウエハステージ25は周知のように不
図示のXYステージ、Zステージおよびθステージ上に
設置されており、ウエハ24をXYZ方向に移動するこ
とはもとより、光軸回りに回転可能にされている。2
6,27は、ウエハステージ25のX方向およびY方向
の微小移動量を正確に測定する干渉計のミラーであり、
不図示のレーザ光が照射される。28は、ウエハ24の
露光領域(投影光学系23によるレチクルパターンの投
影領域に相当)全体の照度を検出する照度計、29は、
露光領域内の複数の点の照度を検出するピンホール型の
照度計である。なお、30はレチクルアライメント顕微
鏡であり、レチクル22の位置決め時に供される。
【0010】パターンドフィルタ15A〜15Cとフラ
イアイレンズ16について図3により説明する。図3
(a)はパターンドフィルタ15A〜15Cの平面図、
図(b)はパターンドフィルタ15A〜15Cとフライ
アイレンズ16の側面図である。フライアイレンズ16
は、断面が4角形状の多数の小レンズが組合されてな
り、その入射光側レンズ面16aの後側焦点はほぼ射出
光側レンズ面16bの位置にあり、射出光側のレンズ面
16bの前側焦点は入射光側レンズ面16aの位置にあ
る。このため、フライアイレンズ16に入射する平行光
束は各小レンズの射出光側レンズ面16bの近傍に集光
され、フライアイレンズ16の射出面近傍には小レンズ
の数に等しい数の2次光源が形成される。各小レンズの
射出光側レンズ面16bは各2次光源に対してフィール
ドレンズとして機能し、コンデンサレンズ21によりフ
ライアイレンズ16の入射面16aがレチクル面とほぼ
共役にされている。したがって、フライアイレンズ16
の射出面近傍に形成される多数の2次光源からの光束が
それぞれレチクル22に重畳してほぼ均一な照度で照明
される。また、コンデンサレンズ21により、フライア
イレンズ16の射出面近傍に形成された多数の2次光源
の像が投影光学系23の入射瞳面上に投影され、いわゆ
るケラー照明によってウエハ面上においても均一な照明
が行なわれる。
【0011】パターンドフィルタ15A〜15Cはたと
えば透明な石英ガラス製の平行平面板であり、図3
(a)に示すように、パターンドフィルタ15A〜15
Cには、たとえば、フライアイレンズ16の多数の小レ
ンズのうちの2つの小レンズ、すなわち光軸対称な2つ
の小レンズ161、162に入射する光束の中央部分を
遮光する円形の遮光部151,152が形成されてい
る。遮光部はクロムなどの金属を蒸着するなどして形成
できる。このような2つの遮光部151,152を設け
ると、これらの遮光部の作用を受ける小レンズを通過し
た光束によって、レチクル22の中央では円形の低輝度
部が生じる。レチクル22上での輝度は、遮光する小レ
ンズの数Nと、パターンドフィルタ15A〜15Cとフ
ライアイレンズ16の入射面16aとの距離Dに依存す
るから、これらNとDを適宜変更することにより任意の
照度分布に補正できる。
【0012】図4は図2に示した投影露光装置の制御系
を示す。41は、CPU、ROM、RAMなどからなる
マイクロコンピュータとその周辺回路とを含む制御回路
である。42は、ブラインド18の開度を検出するエン
コーダ、28は、ウエハ24の露光領域の照度を検出す
る照度センサ、29は、露光領域内の複数の微小領域の
照度を検出するピンホール式の照度センサである。30
は、レチクル22をアライメントするために使用される
レチクルアライメント顕微鏡であり、レチクル22上の
アライメントマークを検出するイメージセンサなどを有
する。これらの要素からの出力信号は制御回路41に入
力される。46は、パターンドフィルタ15A〜15C
のいずれか1つを照明光路中に対して挿脱するためのア
クチュエータ、47は、ブラインド18の開口面積と位
置とを制御するアクチュエータであり、これらのアクチ
ュエータは制御回路41からの指令により制御される。
【0013】図5および図6は、照度分布を適正な分布
に補正するための手順例を示すフローチャートである。
手順を説明する前に、以下で使用するテストレチクルに
ついて図7により説明する。図7に示すように、n枚の
テストレチクル22−1〜22−nが使用される。各テ
ストレチクルにはそれぞれ異なる領域R1〜Rnに遮光
部を設けておく。すなわち、テストレチクル22−1に
は領域R1に遮光部を、テストレチクル22−2には領
域R2に遮光部を……、テストレチクル22−nには領
域Rnに遮光部をそれぞれ設ける。ここで、各遮光部は
既知の反射率のクロムを用いて作成され、その面積も既
知である。また、以下の説明においては、テストレチク
ル22−iの領域Riを単に領域iと呼び、ウエハ上の
対応する領域も単に領域iと呼ぶ。また、ウエハ上には
領域iとは別に照度計測点として点j(j=1〜m)を
設定する。
【0014】−図5− 図5のステップS11において、ウエハ上の露光領域全
域に照明光が照射されるようにブラインド18の開口を
アクチュエータ47で調節する。ステップS12におい
て、レチクル無しの状態で露光領域の複数点jの照度P
jをセンサ29で検出する。センサ29はXYステージ
25により露光領域内の任意の計測点に移動して、各計
測点j(j=1〜m)での照度を計測することができ
る。なお、レチクル無しの状態とは露光領域全体がガラ
スのレチクルを載置した状態も含むものである。ステッ
プS13において、テストレチクル22−iをセットし
た状態で、レチクルブラインド18を露光領域全面が露
光されるように設定し、露光領域の複数点の照度Pri
jをセンサ29で検出する。ステップS14において、
レチクルの各領域R1〜Rnと対応するウエハ上の領域
W1〜Wn(不図示)のうち、セットされたテストレチ
クルの領域Riに対応する領域Wiを除いた領域Wjの
中心において、レチクル無しとの照度差Dijを演算す
る。
【0015】たとえば、テストレチクル22−1につい
て説明すると、テストレチクル22−1をセットした時
の照度分布をPt1jとすれば、領域R1に対応しない
ウエハ上の領域W2〜Wnについて、Pt1j−Pjを
演算する。これが領域R1についての照度差D1jであ
り、一般的にDijで表す。なお、テストレチクル22
−iをセットしたときに、その露光領域iのみが照明さ
れるようにレチクルブラインドを設定し、ステップS1
4において、レチクルの各領域R1〜Rnと対応するウ
エハ上の領域W1〜Wnの照度を求め、この値を上記照
度差Dijとしてもよい。なお、レチクルの領域数とウ
エハの領域数を等しいものとして説明したが、必ずしも
等しくなくてもよい。
【0016】ステップS15において、i=nと判定さ
れるまでステップS11〜14を繰り返す。ステップS
16においては、レチクル無しの状態で、かつブライン
ド開口をテストレチクル22−iの遮光領域に等しく
し、露光領域全体の照度Pwi(i=1〜n)をセンサ
28で検出する。ステップS17において、i=nと判
定されるまでステップS16を繰り返す。ステップS1
8において、実レチクルをセットし、かつブラインド開
口をテストレチクル22−iの遮光領域に等しくし、露
光領域全体の照度Pwri(i=1〜n)をセンサ28
で検出する。ステップS19において、実レチクル上の
領域i(i=1〜n)における遮光部の面積の比Vi
を、 Vi=(Pwi−Pwri)/Pwi として演算する。ステップS20でi=nと判定される
までステップS17〜S19を繰り返し行なう。
【0017】そしてステップS21において、露光時に
設定するブラインド開口面積Abを露光データファイル
から読み出し、ステップS22において、レチクル上の
領域iの面積中のブラインド開口部の割合Miを領域1
〜nまで演算する。図8により説明すると、実レチクル
での露光に用いるブラインド設定領域より、レチクル上
の領域i(図8のハッチング部の面積So)について、
領域i中のブラインド設定による露光領域部分(図8の
塗り潰し部の面積Si)の比Si/Soを計算すると、
割合Miが求まる。
【0018】ステップS23において、照度差Iijと、
実レチクルの領域iにおける遮光部の面積比Viと、各
領域iにおけるそれぞれのブラインド開口部の割合Mi
と、テストレチクルの反射率Roおよび実レチクルの反
射率Rとに基づいて、実レチクルの領域iからの反射光
がウエハ上の領域jに及ぼす照度の増加量Δijを、 Δij=Iij・Mi・(R/Ro)・Vi により演算する。そして、その総和
【数1】 を求めれば、実レチクルを用い、実際の露光ブラインド
開口を設定した場合のWj(j=1〜n)での照度変化
量を求めることができる。
【0019】照度変化量、すなわち照度分布Djがたと
えば図9のD3のように求まったら、この照度分布が適
正な照度分布、たとえば図9のD0のようなフラットな
照度分布になるように、パターンドフィルタ15A〜1
5Cの中から図9のD2の特性のフィルタを選択し、そ
のフィルタをアクチュエータ46で照明光学系の光路に
挿入する。したがって、従来はレチクル無しでD2の特
性に調節しても、レチクルを載置するとD1の特性にな
ってしまったが、本例によれば、D0のようなフラット
な特性にすることができる。
【0020】以上ではテストレチクルの照明光学系側の
反射率R0と実レチクルの照明光学系側の反射率Rが既
知であるとして説明したが、次のようにして各反射率を
測定することもできる。露光光と同一の波長の光を反
射率が既知(R100)の基板100に照射し、その反射
光強度I100をレチクルアライメント顕微鏡30で計測
する。ついで、テストレチクル200にも同様の光を照
射してその反射光強度I200を計測する。ここで、テス
トレチクル200の反射率をR200とする時、両者の反
射光強度の比Kは、 K=I100/I200 =R100/R200 と表せるから、未知の反射率R200は、 R200=R100/K により求めることができる。
【0021】あるいは次のようにしてもよい。露光光
と同一の波長の光を反射率が既知の2種類の基板101
と102(それぞれの反射率R101,R102)と反射率R
200が未知のテストレチクル200に同時に照射し、そ
れぞれからの反射光強度I101,I102,I200を計測す
る。そして、次式から反射率R200を求める。 R200=R102+(I200−I102)・(R101−R102)/(I101−I102
【0022】なお、レチクルアライメント顕微鏡30を
用いずに、投影露光装置とは別設の光強度センサを用い
て反射率を計測してもよい。
【0023】以上では、レチクルの照明光学系側の反射
により発生する照度分布むらを補正する場合について説
明したが、レチクルの投影レンズ側の反射率を測定し、
レチクルの投影レンズ側の面で反射した光により発生す
る照度分布むらを上述したのと同様な手法により補正す
ることができる。この場合、さらに好ましくは、ウエハ
などの被露光基板面の反射率も測定し、ここで反射した
光が各部から反射して再入射することに起因する照度む
らを補正する。
【0024】なお、以上の照度分布の測定とそれに伴う
照明光学系の補正操作は、実レチクルごとに行なえば、
ウエハごとにする必要はない。また、特定の実レチクル
に対する補正操作を記憶しておけば、すなわち、ある実
レチクルに対して使用するパターンドフィルタを1度決
定しておけば、実レチクルをセットするごとに計測と補
正操作を繰り返し行なう必要はない。さらに、照度分布
の補正をパターンドフィルタにより行なうこととした
が、これ以外の種々の補正方式が使用でき、たとえば、
コリメートレンズ14を光軸に沿って移動させて行なう
ことも可能である。さらには、コリメートレンズ14の
移動とパターンドフィルタとの組合せでもよい。また、
以上ではウエハに露光する場合について説明したが、被
露光基板はウエハに限られず、どのようなものでもよ
く、露光方式もどの様な方式でもよい。たとえば、プロ
キシミティ方式、コンタクト方式、ミラープロジェクシ
ョン方式などの露光方式が採用できる。
【0025】なお、上の実施例ではテストレチクルを用
いてレチクル上の各領域iでの反射光が与える照度変化
を実測したが、以下のようにDijを計算することもで
きる。レチクルを照明する照明光学系の開口数より、レ
チクルのある点iに入射する照明光の角度範囲を求める
ことができる。この照明光を複数本の光線とみなし、そ
のそれぞれがレチクルの遮光部で、所定の反射率で反射
されるものとする。このそれぞれの光線を、照明光学系
を構成するガラス部材の位置とその表面の曲率半径の設
計データ、およびその表面に施されている反射防止コー
ティングの反射率の入射角度特性から、照明光学系の各
光学部材表面に入射する入射角を求め、その角度とコー
ティングの反射率特性とから、それぞれの光線が照明光
学系で反射され、再びレチクルに戻る位置と、その強度
を計算する。これにより、レチクル上の各点iで反射さ
れた照明光がウエハ上の各領域Wiに対応するレチクル
上の領域Riに入射する光量、すなわち上記Dijを求
めることができる。このDijを用いて各実レチクルに
ついて照度変化をそれぞれ求めてもよい。
【0026】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、実レチクルを載置した状態での照度分布を推定し
て補正するようにしたので、照明光学系から射出される
照明光それ自体の照度分布はもとより、実レチクルから
反射する光によって生じる照度むらをも確実に補正で
き、高精度の露光が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】クレーム対応図
【図2】本発明に係る投影露光装置の全体構成を示す斜
視図
【図3】パターンドフィルタとフライアイレンズを説明
する図
【図4】制御系を示すブロック図
【図5】照度分布補正手順を示すフローチャート
【図6】図5の続きのフローチャート
【図7】テストレチクルを説明する図
【図8】テストレチクルの遮光部領域iがブラインド設
定領域に占める割合を説明する図
【図9】照度分布特性を示す図
【符号の説明】
11 水銀ランプ 15 パターンドフィルタ装置 15A〜C パターンドフィルタ 16 フライアイレンズ 18 ブラインド 22 レチクル 23 投影レンズ 24 ウエハ 25 ウエハステージ 28 照度センサ 29 ピンホール式照度センサ 41 制御回路 42 ブラインド開口検出用エンコーダ 46 パターンドフィルタ用アクチュエータ 47 ブラインド用アクチュエータ 501 基板 502 照度分布測定手段 503 テストマスク 504 推定手段 504A 第1の演算手段 504B 第2の演算手段 505 実マスク 506 照明光学系 507 補正手段

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光源からの照明光を保持手段に載置され
    ているマスクに照射するための照明光学系を有し、 前記マスクに形成されたパターンをステージに保持され
    ている基板上に結像投影する投影露光装置において、 前記基板上の露光領域内での照度分布を測定する照度分
    布測定手段と、 前記照度分布測定手段で測定した、前記マスクを載置し
    ない状態での基板上の照度分布および基準面積の遮光部
    を有するテストマスクを載置した状態での照度分布と、
    前記マスクから反射される前記照明光の反射光量とに基
    づいて、前記マスクを載置したときの前記基板上の露光
    領域内での照度分布を推定する推定手段と、 前記推定された照度分布に基づいて、前記マスクを載置
    した時の基板上の照度分布が予め定めた適正照度分布と
    なるように、前記照明光学系からの照明光の分布を補正
    する補正手段とを具備することを特徴とする照度分布補
    正機能付き投影露光装置。
  2. 【請求項2】 請求項1の投影露光装置において、前記
    推定手段は、 マスクを載置しない状態で前記照度分布測定手段で測定
    された露光領域内の複数の点j(j=1〜m)でのそれ
    ぞれの照度値Pojと、前記テストマスクを載置した状
    態で前記照度分布測定手段で測定された露光領域内の点
    jでのそれぞれの照度値Ptijとの差Dijを演算す
    る第1の演算手段と、 前記マスクで露光を行なう際に用いるマスクブラインド
    設定状態での、前記マスクの領域i(i=1〜n)から
    の反射光量と、露光領域内の複数点のそれぞれの前記差
    Dijとに基づいて、前記マスクを載置した状態におけ
    る基板上の露光領域内での照度分布を推定演算する第2
    の演算手段とを有することを特徴とする照度分布補正機
    能付き投影露光装置。
  3. 【請求項3】 請求項2の投影露光装置において、前記
    第1の演算手段は、 前記マスクの全域に照明光を照射した場合の前記照度値
    Pojと照度値Ptjとの差Djを求めること特徴とす
    る照度分布補正機能付き投影露光装置。
  4. 【請求項4】 請求項2の投影露光装置において、 前記第1の演算手段は、 それぞれ異なった領域i(i=1〜n)に反射率が既知
    であるような基準面積の遮光部がそれぞれ設けられたn
    枚のテストマスクをそれぞれ用い、 マスクを載置しない状態で前記照度分布測定手段により
    測定された基板上の複数点jの照度値Pojと、前記n
    枚のテストマスクをそれぞれ載置した状態で前記照度分
    布測定手段により測定された基板上の露光領域内の複数
    点jのそれぞれのマスクごとの照度値Ptij(i=1
    〜n)との差Dijの総和を求め、 前記第2の演算手段は、 前記マスクの反射光量と前記差Dijの総和とに基づい
    て、前記マスクを載置し、使用する状態にマスクブライ
    ンドを設定した状態における基板上の露光領域内での照
    度分布を推定演算することを特徴とする照度分布補正機
    能付き投影露光装置。
  5. 【請求項5】 請求項2の投影露光装置において、 前記第1の演算手段は、 それぞれ異なった領域i(i=1〜n)に基準面積の遮
    光部がそれぞれ設けられた反射率が既知のテストマスク
    を用い、 マスクブラインドにより、前記各テストマスクの遮光部
    i以外の領域を遮蔽した状態で測定された露光領域内の
    複数の点j(j=1〜m)のそれぞれの照度値Ptij
    を照度変化量Dijに置き換え、 前記第2の演算手段は、 前記マスクの反射光量と前記照度変化量Dijの総和と
    に基づいて、前記マスクを載置し、マスクブラインドを
    実使用時とした状態における基板上の露光領域内での照
    度分布を推定演算することを特徴とする照度分布補正機
    能付き投影露光装置。
  6. 【請求項6】 請求項2の投影露光装置において、 前記第1の演算手段は、 前記照明光学系を構成する各光学部材の各面の曲率半径
    とその面の反射防止コーティングの反射率の入射角度特
    性、および前記マスクの反射光の光路より、マスク面の
    領域R1〜Rnからの反射光の光線追跡をそれぞれ行な
    い、前記マスクの各部分Riからの反射光が露光領域j
    に及ぼす光量の変化量Dijを計算し、前記第2の演算
    手段は、 前記マスクの反射光量と前記変化量Dijの総和とに基
    づいて、前記マスクを載置した状態における基板上の露
    光領域内での照度分布を推定演算することを特徴とする
    照度分布補正機能付き投影露光装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5905569A (en) * 1996-03-29 1999-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Illuminance measuring method, an exposure apparatus using the method, and a device manufacturing method
EP2144118A1 (en) * 2008-07-07 2010-01-13 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method of manufacturing device

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US5905569A (en) * 1996-03-29 1999-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Illuminance measuring method, an exposure apparatus using the method, and a device manufacturing method
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