JPH0563039U - 表面処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本考案は、反応炉内全体を短時間で所定温度ま
で均一に冷却することができる表面処理装置を提供する
ことを目的とする。 【構成】 炉体１１、上記炉体１１に設けられたヒ−タ
１２、上記炉体１１との間に所要空間Ａを区画して該炉
体１１内に挿入された石英管１３、上記空間Ａ内を外部
と連通する通路１５、一端が上記空間Ａ内に開口する外
部配管２４に接続されたブロア２３を備え、上記ブロア
２３を駆動させ上記通路１５から外部空気を上記空間Ａ
内に導いて上記炉体１１内を冷却する表面処理装置にお
いて、上記外部配管２４は上記空間内に複数開口させ、
上記通路１５は上記炉体１１の軸方向、かつ周方向に一
定間隔たもたせ複数設けたことを特徴とする。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、半導体ウエハを加熱処理するための反応炉を備えた表面処理装置に 関する。

【０００２】

【従来の技術】

以下、従来の技術を図面を参照して説明する。

【０００３】 図２において、１０は縦型反応炉、１１は縦型反応炉の炉体、１２はヒ−タで ある。１３は石英管であって、炉体１１との間に空間Ａを区画して挿入されてい る。炉体１１の開口端とこれを受ける支持フランジ１４との間には通路１５が形 成されており、炉体１１の上部には空間Ａに開口する口管１６が設けられている 。１７はマニホ−ルド、１７Ａはマニホ−ルドの被処理物搬入・搬出口である。 このマニホ−ルド１７はそのフランジ部１７Ｂで石英管を受けている。１８，１ ９はシ−ルリングである。

【０００４】 ２０は処理される半導体ウエハＷ_Pとダミ−ウエハＷ_D及びフィラ−ウエハＷ_F の多数枚を段々に保持するボ−トであって、ボ−トエレベ−タの昇降台２１上の ボ−ト支持台２２に載置される。２３はブロワであって、外部配管２４により口 管１６に接続されている。

【０００５】 この構成において、上記ボ−ト２０は、図示しない移載装置によりボ−トエレ ベ−タのボ−ト支持台２２上にセットされた後、ボ−トエレベ−タにより持ち上 げられマニホ−ルド１７の搬入・搬出口１７Ａから石英管１３内の所定位置へ搬 入される。石英管１７内には、図示しないガス供給管から処理流体が供給され、 石英管１７内に搬入された半導体ウエハＷ_Pは高温の処理流体雰囲気中に曝され ることになり、半導体ウエハＷ_Pの処理が行なわれる。

【０００６】 半導体ウエハＷ_Pの処理が終了すると、ボ−トエレベタの昇降台２１は元の位 置に下降し、ボ−ト２０は上記移載装置により別の所定位置へ移載され、ここで 、処理された半導体ウエハＷ_Pのボ−ト２０からの取り出しと処理前の半導体ウ エハＷ_Pのボ−ト２０への移載が行なわれる。

【０００７】 ところで、処理の１プロセス終了後の反応炉１０内は高温域に達する（１００ ０℃程度）ため、ブロア２３を駆動して、反応炉１０下部にある通路１５から炉 内の空間Ａそして外部配管２４の冷却風流路を形成せしめ、炉体内の空間Ａに外 部空気を導いて、この外部空気で炉体内を冷却して、半導体ウエハＷ_Pの取り出 しに適した温度（８５０℃〜５００℃程度）にしている。

【０００８】

【考案が解決しようとする課題】

この従来の表面処理装置では、炉体下部に開口する通路から炉体内の空間そし て炉体上部の外部配管から炉体外に外部空気が流れる冷却風流路を形成している ので、通路から炉体内の空間に流入した外部空気は、上方に流れて行く毎に炉体 の熱を吸収して昇温するので、炉体軸方向には温度勾配が生じて、炉体内上部付 近の冷却効率は低下する。このため、炉体内全体を均等に所定温度に冷却するこ とが困難であった。

【０００９】 本考案は、このような問題を解決するためになされたもので、炉体内全体を短 時間で均等に所定温度に冷却することができる表面処理装置を提供することを目 的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】

炉体、上記炉体に設けられたヒ−タ、上記炉体との間に所要空間を区画して該 炉体内に挿入された石英管、上記空間内を外部と連通する通路、一端が上記空間 内に開口する外部配管に接続されたブロアを備え、上記ブロアを駆動させ上記通 路から外部空気を上記空間内に導いて上記炉体内を冷却する表面処理装置におい て、上記外部配管は上記空間内に複数開口させ、上記通路は炉体の軸方向、かつ 周方向に一定間隔たもたせ複数設けたことを特徴とする。

【００１１】

【作用】

上述した本考案の表面処理装置では、反応炉の空間内と外部とに連通する通路 が所定間隔を隔てて複数設けてあるので、ブロアを駆動させた時には、外部空気 が該複数の通路から同時に反応炉の空間内全体に渡って同時に流入させることが できる。

【００１２】

【実施例】

以下、本考案の一実施例を図面を参照して説明する。

【００１３】 図１において、炉体１１の上部には、周方向所定間隔を隔てて複数の口管１６ と複数の通路１５が交互に形成され、炉体１１の開口端と支持フランジ部１４と の間には、周方向所定間隔を隔てて複数の口管１６が形成されている。

【００１４】 ヒ−タ１２は、炉体１１軸方向の炉体１１上部の口管１６と開口端の口管１６ との間にあって、軸方向所定間隔を隔てて炉体１１に設けられ、炉体１１のヒ− タ１２と隣接するヒ−タ１２のそれぞれの間には、複数の通路１５が周方向所定 間隔を隔てて形成されている。外部配管２４は、多枝に分かれる管部２４ａ〜２ ４ｄで形成されている。ブロア２３は、外部配管２４により各口管１６それぞれ に接続されている。その他の構成は図２のものと同一である。

【００１５】 本実施例では、処理の１プロセス終了後、反応炉１０内を所定温度まで冷却す るために、ブロア２３を駆動させると、外部空気が反応炉１０の軸方向、及び周 方向に所定間隔を隔てて設けてある各通路１５から炉体内の空間Ａ全体に渡って 同時に流入し、各通路１５の近傍にある外部配管２４から外部に流れるという冷 却風流路を形成しているので、炉体内の空間を通過する外部空気の温度を均一化 すことができる。

【００１６】 尚、本実施例では、半導体ウエハの処理に用いられる表面処理装置の炉体内の 冷却を行なう機構を示したが、これに限定されるものでなく、各種の反応炉を有 するものに用いてもよい。

【００１７】

【考案の効果】

本考案は、以上説明した通り、炉体の軸方向、及び周方向に所定間隔を隔てて 炉体内の空間と外部を連通する複数の通路を設けて、ブロアを駆動させると、外 部空気が炉体内の空間内全体に渡って同時に流入するかたちとしているので、炉 体内を通過する外部空気の温度は均一化し、炉体内の冷却効率を均等にすること ができる。このため、短時間で炉体内全体を均等に所定温度に冷却することがで きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例としての表面処理装置を示す
縦断面概略構成図である。

【図２】従来技術の表面処理装置を示す縦断面概略構成
図である。

【符号の説明】

１０ 縦型反応炉 １１ 炉体 １２ ヒ−タ １３ 石英管 １５ 通路 １６ 口管 ２０ ボ−ト ２１ ボ−ト昇降台 ２２ ボ−ト支持台 ２３ ブロア ２４ 外部配管

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】炉体、上記炉体に設けられたヒ−タ、上記
   炉体との間に所要空間を区画して該炉体内に挿入された
   石英管、上記空間内を外部と連通する通路、一端が上記
   空間内に開口する外部配管に接続されたブロアを備え、
   上記ブロアを駆動させ上記通路から外部空気を上記空間
   内に導いて上記炉体内を冷却する表面処理装置におい
   て、 上記外部配管は上記空間内に複数開口させ、上記通路は
   炉体の軸方向、かつ周方向に一定間隔たもたせ複数設け
   たことを特徴とする表面処理装置。