JPH0563301A - 半導体光素子および光通信システム - Google Patents
半導体光素子および光通信システムInfo
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- JPH0563301A JPH0563301A JP22564591A JP22564591A JPH0563301A JP H0563301 A JPH0563301 A JP H0563301A JP 22564591 A JP22564591 A JP 22564591A JP 22564591 A JP22564591 A JP 22564591A JP H0563301 A JPH0563301 A JP H0563301A
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- semiconductor optical
- optical device
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Abstract
(57)【要約】
【構成】二対の分布ブラッグ反射器のうちの一方が、ｐ
ｉｎ構造になっており、そのｉ領域１７の屈折率を制御
するために、三端子１３、１４、１５の構成になってい
る。つまり、発光領域である量子井戸９へキャリアを注
入するための電極１３と１４と独立に、ｉ領域１７の電
界あるいはキャリア密度を制御するための電極１４と１
５を設ける。 【効果】一波長キャビティ型マイクロ共振器レーザにお
いて、量子井戸の発光波長と分布ブラッグ反射器の共振
波長を容易に一致させることができる。また、変調にお
いてキャリアの出入りを伴わないので、超高速変調が可
能である。
ｉｎ構造になっており、そのｉ領域１７の屈折率を制御
するために、三端子１３、１４、１５の構成になってい
る。つまり、発光領域である量子井戸９へキャリアを注
入するための電極１３と１４と独立に、ｉ領域１７の電
界あるいはキャリア密度を制御するための電極１４と１
５を設ける。 【効果】一波長キャビティ型マイクロ共振器レーザにお
いて、量子井戸の発光波長と分布ブラッグ反射器の共振
波長を容易に一致させることができる。また、変調にお
いてキャリアの出入りを伴わないので、超高速変調が可
能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超高速光変調あるいは
低電流動作が必要とされる光ファイバ通信あるいは光に
よるコンピュータ内配線等に用いられる半導体レーザ等
の半導体光素子および光通信システムに関する。
低電流動作が必要とされる光ファイバ通信あるいは光に
よるコンピュータ内配線等に用いられる半導体レーザ等
の半導体光素子および光通信システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】自然放出光を制御する機能発光素子につ
いて、特公平２−６２３８号公報で、また、面発光型で
一波長キャビティが分布ブラッグ反射器で挾まれた量子
井戸型発光素子（一波長キャビティ型マイクロ共振器レ
ーザ）は、電子情報通信学会誌、第７２巻第９号、第１
０１４〜１０２０頁で知られている。
いて、特公平２−６２３８号公報で、また、面発光型で
一波長キャビティが分布ブラッグ反射器で挾まれた量子
井戸型発光素子（一波長キャビティ型マイクロ共振器レ
ーザ）は、電子情報通信学会誌、第７２巻第９号、第１
０１４〜１０２０頁で知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の一波長キャビテ
ィ型マイクロ共振器レーザでは、活性層（量子井戸）の
長さで決まる波長と、分布ブラッグ反射器の共振波長を
一致させることが困難であった。また、同レーザを、直
接、変調させると、従来の直接変調と同様にキャリアの
出入りを伴うため、緩和振動周波数で変調帯域が大きな
制限を受けていた。
ィ型マイクロ共振器レーザでは、活性層（量子井戸）の
長さで決まる波長と、分布ブラッグ反射器の共振波長を
一致させることが困難であった。また、同レーザを、直
接、変調させると、従来の直接変調と同様にキャリアの
出入りを伴うため、緩和振動周波数で変調帯域が大きな
制限を受けていた。
【０００４】本発明の目的は、分布ブラッグ反射器の少
なくとも一部の屈折率を制御することにより、波長を調
整でき、かつ、高速変調が可能な発光素子を提供するこ
とにある。
なくとも一部の屈折率を制御することにより、波長を調
整でき、かつ、高速変調が可能な発光素子を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、分布ブラッグ反射器の少なくとも一部
の屈折率が、電界、注入キャリア、あるいは光によって
制御できる発光素子を提供する。特に、分布ブラッグ反
射器の一部をｐｉｎ構造とし、また、ｉ領域を多重量子
井戸構造にすることで、この目的をより効果的に達成す
ることができる。
めに、本発明は、分布ブラッグ反射器の少なくとも一部
の屈折率が、電界、注入キャリア、あるいは光によって
制御できる発光素子を提供する。特に、分布ブラッグ反
射器の一部をｐｉｎ構造とし、また、ｉ領域を多重量子
井戸構造にすることで、この目的をより効果的に達成す
ることができる。
【０００６】
【作用】図３は、従来の一波長キャビティ型マイクロ共
振器発光素子の断面図である。本構造では、発光波長λ
Eが、量子井戸層２４の厚さで与えられ、一方、分布ブ
ラッグ反射器の共振波長λBは、その反射器を構成する
低屈折率層２１と高屈折率層２２の厚さで決まってい
た。従って、理想的に設計通り、膜厚が制御されない限
り、二つの波長λEとλBを一致させることは困難であっ
た。また、本素子を直接変調させると、量子井戸層２４
内のキャリア密度が大きく変動するため変調帯域が大幅
に制限されていた。
振器発光素子の断面図である。本構造では、発光波長λ
Eが、量子井戸層２４の厚さで与えられ、一方、分布ブ
ラッグ反射器の共振波長λBは、その反射器を構成する
低屈折率層２１と高屈折率層２２の厚さで決まってい
た。従って、理想的に設計通り、膜厚が制御されない限
り、二つの波長λEとλBを一致させることは困難であっ
た。また、本素子を直接変調させると、量子井戸層２４
内のキャリア密度が大きく変動するため変調帯域が大幅
に制限されていた。
【０００７】本発明は、図１に示してある通り、二対の
分布ブラッグ反射器のうち一方が、ｐｉｎ構造になって
おり、そのｉ領域１７の屈折率を制御するために、三端
子（１３，１４，１５）構成になっている。
分布ブラッグ反射器のうち一方が、ｐｉｎ構造になって
おり、そのｉ領域１７の屈折率を制御するために、三端
子（１３，１４，１５）構成になっている。
【０００８】つまり、発光領域である量子井戸層９へキ
ャリアを注入するための電極１３と１４と独立に、ｉ領
域１７の電界、あるいは、キャリア密度を制御するため
の電極１４と１５が付設されている。従って、量子井戸
層９内のキャリア密度をほぼ一定に保ったまま、ｉ領域
の屈折率を電極１４と電極１５の電圧、あるいは、外部
から注入した光によって制御することができるので、λ
EとλBを一致させることができ、さらに超高速に変調す
ることもできる。
ャリアを注入するための電極１３と１４と独立に、ｉ領
域１７の電界、あるいは、キャリア密度を制御するため
の電極１４と１５が付設されている。従って、量子井戸
層９内のキャリア密度をほぼ一定に保ったまま、ｉ領域
の屈折率を電極１４と電極１５の電圧、あるいは、外部
から注入した光によって制御することができるので、λ
EとλBを一致させることができ、さらに超高速に変調す
ることもできる。
【０００９】
【実施例】〔実施例１〕本発明の第一の実施例を図１を
用いて説明する。まず、本発明の作製方法について述べ
る。
用いて説明する。まず、本発明の作製方法について述べ
る。
【００１０】ＧａＡｓ基板１上に、分子線エピタキシ
（ＭＢＥ）法により、ｐ−ＡｌＡｓ層（８２ｎｍ）２と
ｐ−ＧａＡｓ（７０ｎｍ）３を交互に五周期積層する。
ここで、各層の厚さは、四分の一波長になっている。続
けて、ｉ−ＡｌＡｓ層（８２ｎｍ）４とｉ−ＧａＡｓ
（７０ｎｍ）５を交互に十周期、その上に、ｎ−ＡｌＡ
ｓ層（８２ｎｍ）６とｎ−ＧａＡｓ（７０ｎｍ）７を交
互に五周期成長する。そして、ｉ−Ｇａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ
光キャビティ層（０．１４μｍ）８、ｉ−Ｉｎ0.2Ｇａ
0.8Ａｓ歪み量子井戸層（８ｎｍ）９、ｉ−Ｇａ0.8Ａｌ
0.2Ａｓ光キャビティ層（０．１４μｍ）１０を形成し
た後、ｐ−ＡｌＡｓ層（８２ｎｍ）１１とｐ−ＧａＡｓ
層（７０ｎｍ）１２を交互に十二周期成長し、分布ブラ
ッグ反射率１９を設ける。ここで、一波長キャビティ構
成になるように、光キャビティ層８と１０および量子井
戸層９の三層の厚みの和は、一波長分にする。
（ＭＢＥ）法により、ｐ−ＡｌＡｓ層（８２ｎｍ）２と
ｐ−ＧａＡｓ（７０ｎｍ）３を交互に五周期積層する。
ここで、各層の厚さは、四分の一波長になっている。続
けて、ｉ−ＡｌＡｓ層（８２ｎｍ）４とｉ−ＧａＡｓ
（７０ｎｍ）５を交互に十周期、その上に、ｎ−ＡｌＡ
ｓ層（８２ｎｍ）６とｎ−ＧａＡｓ（７０ｎｍ）７を交
互に五周期成長する。そして、ｉ−Ｇａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ
光キャビティ層（０．１４μｍ）８、ｉ−Ｉｎ0.2Ｇａ
0.8Ａｓ歪み量子井戸層（８ｎｍ）９、ｉ−Ｇａ0.8Ａｌ
0.2Ａｓ光キャビティ層（０．１４μｍ）１０を形成し
た後、ｐ−ＡｌＡｓ層（８２ｎｍ）１１とｐ−ＧａＡｓ
層（７０ｎｍ）１２を交互に十二周期成長し、分布ブラ
ッグ反射率１９を設ける。ここで、一波長キャビティ構
成になるように、光キャビティ層８と１０および量子井
戸層９の三層の厚みの和は、一波長分にする。
【００１１】次に、電極１３をリフトオフ法で６μｍ×
６μｍの正方形になるように設ける。そして、その電極
１３をマスクにして、ｎドープの分布ブラッグ反射器１
８の表面が露出するまでエッチングし、図のようなメサ
形状を作製する。その後、通常のホトレジ工程により電
極１４を設け、最後に、電極１５を形成する。
６μｍの正方形になるように設ける。そして、その電極
１３をマスクにして、ｎドープの分布ブラッグ反射器１
８の表面が露出するまでエッチングし、図のようなメサ
形状を作製する。その後、通常のホトレジ工程により電
極１４を設け、最後に、電極１５を形成する。
【００１２】この実施例の素子で、電極１４を接地（０
Ｖ）し、電極１３を−３．０Ｖ、電極１５を−３．２Ｖ
に設定することで、発振波長０．９８μｍの光を基板１
側から取り出すことができる。また、電極１５を−３．
４Ｖにし、キャリアをアンドープの分布ブラッグ反射器
１７に注入すると、発振が停止する。そして、電極１５
を０Ｖと−３．２Ｖの間で変化させることにより、３ｄ
Ｂダウンの変調帯域として２０ＧＨｚを得ることができ
る。
Ｖ）し、電極１３を−３．０Ｖ、電極１５を−３．２Ｖ
に設定することで、発振波長０．９８μｍの光を基板１
側から取り出すことができる。また、電極１５を−３．
４Ｖにし、キャリアをアンドープの分布ブラッグ反射器
１７に注入すると、発振が停止する。そして、電極１５
を０Ｖと−３．２Ｖの間で変化させることにより、３ｄ
Ｂダウンの変調帯域として２０ＧＨｚを得ることができ
る。
【００１３】〔実施例２〕第二の実施例について、図１
と図２を用いて説明する。本実施例の作製方法は、アン
ドープの分布ブラッグ反射器１７の部分を除いて、第一
の実施例と同じである。本実施例では、図２に示すよう
にアンドープ分布ブラッグ反射器の高屈折率部が、ｉ−
ＧａＡｓ井戸層（１４ｎｍ）２０ａとｉ−Ｇａ0.5Ａｌ
0.5Ａｓバリア層（５ｎｍ）２０ｂが交互に形成された
多重量子井戸（ＭＱＷ）型層（７１ｎｍ）２０になって
いる。このため、励起子が井戸層２０ａに閉じ込めら
れ、量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）を利用す
ることができる。
と図２を用いて説明する。本実施例の作製方法は、アン
ドープの分布ブラッグ反射器１７の部分を除いて、第一
の実施例と同じである。本実施例では、図２に示すよう
にアンドープ分布ブラッグ反射器の高屈折率部が、ｉ−
ＧａＡｓ井戸層（１４ｎｍ）２０ａとｉ−Ｇａ0.5Ａｌ
0.5Ａｓバリア層（５ｎｍ）２０ｂが交互に形成された
多重量子井戸（ＭＱＷ）型層（７１ｎｍ）２０になって
いる。このため、励起子が井戸層２０ａに閉じ込めら
れ、量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）を利用す
ることができる。
【００１４】上記実施例の素子において、電極１４を接
地（０Ｖ）し、電極１３を−３．０Ｖにする。また、電
極１５を＋１Ｖと−３．２Ｖの間で変化させることによ
り、３ｄＢダウンの変調帯域として２５ＧＨｚを得るこ
とができる。
地（０Ｖ）し、電極１３を−３．０Ｖにする。また、電
極１５を＋１Ｖと−３．２Ｖの間で変化させることによ
り、３ｄＢダウンの変調帯域として２５ＧＨｚを得るこ
とができる。
【００１５】〔実施例３〕構造および作製方法は、第二
の実施例と同じである。本実施例で、電極１４を接地
（０Ｖ）し、電極１３を−３．０Ｖにする。また、電極
１５を−１．０Ｖにしておき、基板側から波長０．８３
μｍ、パワー１Ｗ／ｃｍ2の光を入射する。この光によ
って発生したキャリアによって、アンドープ分布反射器
２０内の電界がスクリーニングされ、屈折率が変化す
る。このことにより、外部光のオン／オフにより、本発
明の素子のスイッチングが可能である。
の実施例と同じである。本実施例で、電極１４を接地
（０Ｖ）し、電極１３を−３．０Ｖにする。また、電極
１５を−１．０Ｖにしておき、基板側から波長０．８３
μｍ、パワー１Ｗ／ｃｍ2の光を入射する。この光によ
って発生したキャリアによって、アンドープ分布反射器
２０内の電界がスクリーニングされ、屈折率が変化す
る。このことにより、外部光のオン／オフにより、本発
明の素子のスイッチングが可能である。
【００１６】〔実施例４〕構造および作製方法は、第二
の実施例と同じである。本実施例において、電極１４を
接地（０Ｖ）し、電極１３を−３．０Ｖにする。また、
電極１５を−１．０Ｖにしておき、基板に平行な方向
（横方向）から、アンドープ分布反射器１７に照射され
るように、波長０．９２μｍ、パワー１×１０7Ｗ／ｃ
ｍ2の光を入射する。この波長は、吸収端波長よりも長
波長であるため、キャリアが仮想励起され、それによっ
てアンドープ分布反射器２０内の電界がスクリーニング
され、屈折率が変化する。このことにより、外部光のオ
ン／オフで、本発明の素子の超高速なスイッチングがで
きる。
の実施例と同じである。本実施例において、電極１４を
接地（０Ｖ）し、電極１３を−３．０Ｖにする。また、
電極１５を−１．０Ｖにしておき、基板に平行な方向
（横方向）から、アンドープ分布反射器１７に照射され
るように、波長０．９２μｍ、パワー１×１０7Ｗ／ｃ
ｍ2の光を入射する。この波長は、吸収端波長よりも長
波長であるため、キャリアが仮想励起され、それによっ
てアンドープ分布反射器２０内の電界がスクリーニング
され、屈折率が変化する。このことにより、外部光のオ
ン／オフで、本発明の素子の超高速なスイッチングがで
きる。
【００１７】〔実施例５〕図４は、第一の実施例の半導
体光素子３２を光通信に応用した実施例を示す系統図で
ある。半導体光素子３２には、キャリア注入用電極３８
とスイッチング用信号源３１が接続されている。半導体
光素子３２で変調されたレーザ光３３は、光ファイバ３
４を通り、その出射光３５は光検出器３６によって電気
信号に変換され、復元器３７で判別された。本実施例で
は、伝送速度を１５Ｇｂｉｔ／ｓ、ファイバ長５０ｋｍ
で行った。
体光素子３２を光通信に応用した実施例を示す系統図で
ある。半導体光素子３２には、キャリア注入用電極３８
とスイッチング用信号源３１が接続されている。半導体
光素子３２で変調されたレーザ光３３は、光ファイバ３
４を通り、その出射光３５は光検出器３６によって電気
信号に変換され、復元器３７で判別された。本実施例で
は、伝送速度を１５Ｇｂｉｔ／ｓ、ファイバ長５０ｋｍ
で行った。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、一波長キャビティ型マ
イクロ共振器レーザにおいて、量子井戸の発光波長と分
布ブラッグ反射器の共振波長を容易に一致させることが
できる。さらに、本発明では、分布ブラッグ反射器の共
振波長を第三の電極によって制御するので、超高速な半
導体レーザを提供することができる。
イクロ共振器レーザにおいて、量子井戸の発光波長と分
布ブラッグ反射器の共振波長を容易に一致させることが
できる。さらに、本発明では、分布ブラッグ反射器の共
振波長を第三の電極によって制御するので、超高速な半
導体レーザを提供することができる。
【図１】本発明の第一の実施例である半導体光素子の断
面図
面図
【図２】本発明の第二の実施例である半導体素子のアン
ドープ分布ブラッグ反射器の高屈折率部の断面図
ドープ分布ブラッグ反射器の高屈折率部の断面図
【図３】従来の一波長キャビティ型マイクロ共振器レー
ザの断面図
ザの断面図
【図４】第一の実施例の半導体光素子を用いた光ファイ
バ通信の実施例を示す系統図
バ通信の実施例を示す系統図
９、２４…量子井戸層、１６…ｐドープ分布ブラッグ反
射器、１７…アンドープ分布ブラッグ反射器、１８…ｎ
ドープ分布ブラッグ反射器、１９…ｐドープ分布ブラッ
グ反射器、１３、１４、１５…電極。
射器、１７…アンドープ分布ブラッグ反射器、１８…ｎ
ドープ分布ブラッグ反射器、１９…ｐドープ分布ブラッ
グ反射器、１３、１４、１５…電極。
Claims (5)
- 【請求項１】半導体基板上に、光を発生する活性層と、
前記活性層を上下から挾むように設けた一対の分布反射
器とを含む垂直共振器型の半導体光素子において、前記
一対の分布反射器の一方の屈折率を電界あるいはキャリ
ア注入、あるいは光注入で変化させることで前記活性層
から放出される光を制御してなることを特徴とする半導
体光素子。 - 【請求項２】請求項１において、前記一対の分布反射器
によって挾まれた前記活性層を含む領域の厚さが一波長
分に相当し、前記活性層の位置に共振器内に形成される
定在波の腹がくる、いわゆる、一波長共振器の構成にな
っている半導体光素子。 - 【請求項３】請求項１または２において、一対の前記分
布反射器のうち少なくとも一方がｐｉｎ構造になってお
り、前記ｐ領域と前記ｎ領域の一部に電極が付設され、
その電極から印加される電界、あるいは電極から注入さ
れるキャリアによって前記ｉ領域の屈折率が変化する半
導体光素子。 - 【請求項４】請求項３において、少なくとも前記ｉ領域
が多重量子井戸構造になっている半導体光素子。 - 【請求項５】請求項１、２、３または４に記載の半導体
光素子を光源として用いた光通信システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22564591A JPH0563301A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 半導体光素子および光通信システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22564591A JPH0563301A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 半導体光素子および光通信システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563301A true JPH0563301A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16832547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22564591A Pending JPH0563301A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 半導体光素子および光通信システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563301A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09135051A (ja) * | 1995-11-09 | 1997-05-20 | Nec Corp | 面発光デバイスおよびその製造方法 |
| JPH09232631A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ３−５族化合物半導体発光素子 |
| US5748665A (en) * | 1996-01-16 | 1998-05-05 | Motorola, Inc. | Visible VCSEL with hybrid mirrors |
| JP2002185043A (ja) * | 2001-10-19 | 2002-06-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | ３−５族化合物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2006041013A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Yokohama National Univ | 光制御素子、発光素子、光回路装置 |
| US7391800B2 (en) | 2005-02-02 | 2008-06-24 | Ricoh Company, Ltd. | Vertical cavity surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission module, optical transmission device, and optical switching method |
| JP2015079831A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および原子発振器 |
-
1991
- 1991-09-05 JP JP22564591A patent/JPH0563301A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09135051A (ja) * | 1995-11-09 | 1997-05-20 | Nec Corp | 面発光デバイスおよびその製造方法 |
| US5748665A (en) * | 1996-01-16 | 1998-05-05 | Motorola, Inc. | Visible VCSEL with hybrid mirrors |
| JPH09232631A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ３−５族化合物半導体発光素子 |
| JP2002185043A (ja) * | 2001-10-19 | 2002-06-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | ３−５族化合物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2006041013A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Yokohama National Univ | 光制御素子、発光素子、光回路装置 |
| US7391800B2 (en) | 2005-02-02 | 2008-06-24 | Ricoh Company, Ltd. | Vertical cavity surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission module, optical transmission device, and optical switching method |
| US7881357B2 (en) | 2005-02-02 | 2011-02-01 | Ricoh Company, Ltd. | Vertical cavity surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission module, optical transmission device, and optical switching method |
| JP2015079831A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および原子発振器 |
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