JPH0564773B2 - - Google Patents
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- JPH0564773B2 JPH0564773B2 JP61150365A JP15036586A JPH0564773B2 JP H0564773 B2 JPH0564773 B2 JP H0564773B2 JP 61150365 A JP61150365 A JP 61150365A JP 15036586 A JP15036586 A JP 15036586A JP H0564773 B2 JPH0564773 B2 JP H0564773B2
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- liquid crystal
- scanning
- electrode
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Fax Reproducing Arrangements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶素子の駆動法に関し、特に電子写
真方式のプリンタ用ヘツド等に光変調素子として
用いられる液晶素子の駆動方法に関する。
真方式のプリンタ用ヘツド等に光変調素子として
用いられる液晶素子の駆動方法に関する。
液晶素子は従来、直視型の表示素子として精力
的に研究開発が行われ、現在では広く用いられて
いる。一方で液晶を用いた光変調素子も利用され
ている。例えば、感光体への照射光を光変調素子
を用いて強度変調し、この結果得られる感光体上
の潜像をトナーを用いて普通紙上に現像する方式
のプリンターが知られている。プリンターの光源
や光変調素子および結像光学系統を含めた部分は
プリンターヘツドと呼ばれている。プリンターヘ
ツドに用いられる液晶光変調素子は液晶光シヤツ
ターとして機能する。この他には液晶光変調素子
は光学理論素子等に広く応用されるが、いずれも
入射光強度を空間的に変調する機能を用いるもの
であり、以下では液晶光変調素子をプリンターヘ
ツドに用いる場合を例に挙げて説明する。
的に研究開発が行われ、現在では広く用いられて
いる。一方で液晶を用いた光変調素子も利用され
ている。例えば、感光体への照射光を光変調素子
を用いて強度変調し、この結果得られる感光体上
の潜像をトナーを用いて普通紙上に現像する方式
のプリンターが知られている。プリンターの光源
や光変調素子および結像光学系統を含めた部分は
プリンターヘツドと呼ばれている。プリンターヘ
ツドに用いられる液晶光変調素子は液晶光シヤツ
ターとして機能する。この他には液晶光変調素子
は光学理論素子等に広く応用されるが、いずれも
入射光強度を空間的に変調する機能を用いるもの
であり、以下では液晶光変調素子をプリンターヘ
ツドに用いる場合を例に挙げて説明する。
近年、プリンターに対しては高速・高解像度・
低価格・低騒音・コンパクトさ等の要求が高まり
つつあり、それに答えてレーザービムプリンター
等のノンインパクトプリンターが広く使われつつ
ある。このような状況において液晶シヤツターア
レイを用いた液晶プリンターは特にその低価格性
の故に大きな需要が見込まれ、活発に開発が進め
られている。
低価格・低騒音・コンパクトさ等の要求が高まり
つつあり、それに答えてレーザービムプリンター
等のノンインパクトプリンターが広く使われつつ
ある。このような状況において液晶シヤツターア
レイを用いた液晶プリンターは特にその低価格性
の故に大きな需要が見込まれ、活発に開発が進め
られている。
従来、液晶はその応答速度がせいぜい数ミリ秒
であり、これではA4版で１分間に数枚程度しか
プリントできず、実用とはほど遠いものであつ
た。近年、応答速度が速い液晶として強誘電性液
晶が開発され、高速化が図られている。
であり、これではA4版で１分間に数枚程度しか
プリントできず、実用とはほど遠いものであつ
た。近年、応答速度が速い液晶として強誘電性液
晶が開発され、高速化が図られている。
ここで強誘電性液晶の動作について説明する。
強誘電性液晶の高速応答動作はノーエル・エーク
ラーク（Noel A.Clark）とスベン・テー・ラゲ
ルバル（Sven T.Lagerwall）によつて確認され
た（アプライド・フイジツクス・レターズ
（Appl.Phys.rett.36（1980）899）。すなわち、強誘
電性を示すカイラルスメクチツク液晶は第５図に
示すように自発分極１２１をもつた液晶分子１２
２が層構造をとると同時にら線構造を形成してい
る。このままでは自発分極１２１はらせん軸１２
３のまわりに均一に分布して打消しあつている
が、このような液晶を、そのらせん軸と平行な２
枚の基板で挟み、かつその間隙、すなわち液晶の
厚さを少なくともらせん構造のピツチ長以下に薄
くすると、液晶分子は自発分極１２１が基板に対
して垂直となるような２つの配向状態のいずれか
に強制的に配向させられる。
強誘電性液晶の高速応答動作はノーエル・エーク
ラーク（Noel A.Clark）とスベン・テー・ラゲ
ルバル（Sven T.Lagerwall）によつて確認され
た（アプライド・フイジツクス・レターズ
（Appl.Phys.rett.36（1980）899）。すなわち、強誘
電性を示すカイラルスメクチツク液晶は第５図に
示すように自発分極１２１をもつた液晶分子１２
２が層構造をとると同時にら線構造を形成してい
る。このままでは自発分極１２１はらせん軸１２
３のまわりに均一に分布して打消しあつている
が、このような液晶を、そのらせん軸と平行な２
枚の基板で挟み、かつその間隙、すなわち液晶の
厚さを少なくともらせん構造のピツチ長以下に薄
くすると、液晶分子は自発分極１２１が基板に対
して垂直となるような２つの配向状態のいずれか
に強制的に配向させられる。
第６図はその様子を示す図であり、領域Ａは自
発分極１２１が下側の基板１３１に向いた状態、
領域Ｂは自発分極１２１が上側の基板１３２に向
いた状態である。第７図は第６図に示す状態を基
板１３２の上面からみた図であり、領域Ａと領域
Ｂとでは液晶分子１４１，１４２で示すように液
晶分子が異なる配向状態をとつている。さらに、
このような状態を２枚の互いに偏光方向が直交す
る偏光板で挟み、かつ１枚の偏光板の偏光方向１
４３を液晶分子１４２の方向に一致させて観察す
ると、領域Ａは暗くみえ、領域Ｂは明るくみえ
る。
発分極１２１が下側の基板１３１に向いた状態、
領域Ｂは自発分極１２１が上側の基板１３２に向
いた状態である。第７図は第６図に示す状態を基
板１３２の上面からみた図であり、領域Ａと領域
Ｂとでは液晶分子１４１，１４２で示すように液
晶分子が異なる配向状態をとつている。さらに、
このような状態を２枚の互いに偏光方向が直交す
る偏光板で挟み、かつ１枚の偏光板の偏光方向１
４３を液晶分子１４２の方向に一致させて観察す
ると、領域Ａは暗くみえ、領域Ｂは明るくみえ
る。
このように、強誘電性を示すカイラルスメクチ
ツク液晶を間隙の狭い２枚の基板で挟むと、液晶
分子は光学的に識別される２つの配向状態のいず
れかをとるようになる。しかも、強誘電性液晶は
その自発分極が外部電界に直接的に応答して配向
する。従つて、外部から基板と直交する方向の直
流電界を印加して、その向きを反転すると、それ
に応じて自発分極の向きが反転する。すなわち、
第７図の領域Ａと領域Ｂとが電気的にスイツチン
グされる訳で、これは２枚の基板の内面に透明電
極の類を形成しておくことによつて容易に実現で
きる。さらに、この電気的スイツチング現象が自
発分極と外部電界との直接的な応答によるもので
あるために、極めて高速であり、前述の論文によ
るとマイクロ秒台の応答速度が確認されている。
ツク液晶を間隙の狭い２枚の基板で挟むと、液晶
分子は光学的に識別される２つの配向状態のいず
れかをとるようになる。しかも、強誘電性液晶は
その自発分極が外部電界に直接的に応答して配向
する。従つて、外部から基板と直交する方向の直
流電界を印加して、その向きを反転すると、それ
に応じて自発分極の向きが反転する。すなわち、
第７図の領域Ａと領域Ｂとが電気的にスイツチン
グされる訳で、これは２枚の基板の内面に透明電
極の類を形成しておくことによつて容易に実現で
きる。さらに、この電気的スイツチング現象が自
発分極と外部電界との直接的な応答によるもので
あるために、極めて高速であり、前述の論文によ
るとマイクロ秒台の応答速度が確認されている。
また、電圧を除去した後も、電圧印加時の配向
状態が保持されるという特性が、強誘電性液晶に
はある。これは、通常双安定性と呼ばれる。以上
のような強誘電性液晶を用いた光変調素子のプリ
ンタヘツドに用いてプリンターの高速化が図られ
ている。
状態が保持されるという特性が、強誘電性液晶に
はある。これは、通常双安定性と呼ばれる。以上
のような強誘電性液晶を用いた光変調素子のプリ
ンタヘツドに用いてプリンターの高速化が図られ
ている。
しかし、上述のような双安定性および高速性を
備えた液晶素子を得るためには、２枚の基板間隔
を1μ程度までに薄くし、なおかつ均一にしなけ
ればならず、素子製造技術上非常に困難である。
従つて、歩留りも悪く製造コストが高くなり、製
品が高価になつてしまう。
備えた液晶素子を得るためには、２枚の基板間隔
を1μ程度までに薄くし、なおかつ均一にしなけ
ればならず、素子製造技術上非常に困難である。
従つて、歩留りも悪く製造コストが高くなり、製
品が高価になつてしまう。
また、強誘電性液晶を用いれば、基板間隔が広
くて双安定性が実現されていない場合であつて
も、その高速応答性より従来より高速動作は可能
になるが、明確な閾値が存在していないために、
時分割駆動が困難で、スタテイツク駆動に近い駆
動が必要となり、回路数、接続端子共に多くな
り、やはり高価になつてしまうという欠点があ
る。
くて双安定性が実現されていない場合であつて
も、その高速応答性より従来より高速動作は可能
になるが、明確な閾値が存在していないために、
時分割駆動が困難で、スタテイツク駆動に近い駆
動が必要となり、回路数、接続端子共に多くな
り、やはり高価になつてしまうという欠点があ
る。
本発明の目的は、上記の欠点を除去して基板間
隔が広くて双安定性が実現されていない液晶素子
でも簡単な回路構成で時分割駆動が可能で液晶光
変素子として使用できる液晶素子の駆動方法を提
供することにある。
隔が広くて双安定性が実現されていない液晶素子
でも簡単な回路構成で時分割駆動が可能で液晶光
変素子として使用できる液晶素子の駆動方法を提
供することにある。
本発明の液晶素子の駆動方法は、内面にほぼ同
方向に平行な微細溝構造を形成する配向処理が施
された相対する２枚の電極基板の間隙に強誘導電
性液晶を充填し、かつこの強誘電性液晶が双安定
性を示さない構造の液晶素子の駆動方法におい
て、前記２枚の電極基板の一方に形成された複数
の走査電極に走査時に第１の電圧の次にこの第１
の電圧と同一の大きさで逆極性の電圧となる矩形
の波形の電圧を印加し非走査時に前記第１の電圧
により大きく前記第１の電圧と同極性の第２の電
圧を印加する時分割走査手段と、前記２枚の電極
基板の他方に前記走査電極に対向するように形成
された複数の選択電極に選択時に前記第１および
第２の電圧の中間の第３の電圧の次に前記第１お
よび第２の電圧の中間の第４の電圧となる矩形の
波形の電圧を印加し非選択時に前記第１の電圧の
次に前記第１の電圧と同一の大きさで逆極性の電
圧とる矩形の矩形の電圧を印加する時分割駆動手
段とを含み、前記走査電極および前記選択極間に
非選択時に印加される電圧による液晶分子の方向
が前記配向処理によるものと同一であることを特
徴とする。
方向に平行な微細溝構造を形成する配向処理が施
された相対する２枚の電極基板の間隙に強誘導電
性液晶を充填し、かつこの強誘電性液晶が双安定
性を示さない構造の液晶素子の駆動方法におい
て、前記２枚の電極基板の一方に形成された複数
の走査電極に走査時に第１の電圧の次にこの第１
の電圧と同一の大きさで逆極性の電圧となる矩形
の波形の電圧を印加し非走査時に前記第１の電圧
により大きく前記第１の電圧と同極性の第２の電
圧を印加する時分割走査手段と、前記２枚の電極
基板の他方に前記走査電極に対向するように形成
された複数の選択電極に選択時に前記第１および
第２の電圧の中間の第３の電圧の次に前記第１お
よび第２の電圧の中間の第４の電圧となる矩形の
波形の電圧を印加し非選択時に前記第１の電圧の
次に前記第１の電圧と同一の大きさで逆極性の電
圧とる矩形の矩形の電圧を印加する時分割駆動手
段とを含み、前記走査電極および前記選択極間に
非選択時に印加される電圧による液晶分子の方向
が前記配向処理によるものと同一であることを特
徴とする。
表面上にラビング、斜方蒸着等で同方向に平行
な微細溝を形成した２枚の電極基板と、この間に
挟持された液晶により作成された液晶素子の液晶
分子は一方向に配列する。この配列は本発明では
一方の極性の電圧印加によつて形成される配列と
等しいために、この一方の極性の電圧の除去後も
保持される。さらに反対極性の電圧を印加する
と、それに応じて強誘電性液晶分子の自発分極の
向きが反転して異なる配列状態となる。この現象
を利用して液晶光変調素子を形成する事が出来
る。つまり、２枚の電極基板により作成された液
晶素子を直交させた２枚の偏光板で挟むことによ
つて構成された光変調素子は第８図に示す様な電
気光学特性を示す。
な微細溝を形成した２枚の電極基板と、この間に
挟持された液晶により作成された液晶素子の液晶
分子は一方向に配列する。この配列は本発明では
一方の極性の電圧印加によつて形成される配列と
等しいために、この一方の極性の電圧の除去後も
保持される。さらに反対極性の電圧を印加する
と、それに応じて強誘電性液晶分子の自発分極の
向きが反転して異なる配列状態となる。この現象
を利用して液晶光変調素子を形成する事が出来
る。つまり、２枚の電極基板により作成された液
晶素子を直交させた２枚の偏光板で挟むことによ
つて構成された光変調素子は第８図に示す様な電
気光学特性を示す。
例えば、２枚の電極基板の一方を基準として、
液晶に負の電圧が印加された場合の配向状態は、
電圧が印加されていない場合と同じであり、逆に
液晶に十分な正の電圧が印加された場合は、別の
配向状態をとるようにする。偏光板の直交してい
る偏光軸の一方の方向を負の電圧が印加されてい
る場合の配光方向と一致させると、負の電圧が印
加された場合は、光の透過率は０％になり、正の
電圧が印加された場合は透過率は100％となる。
光を透過させる場合は、液晶分子が基板表面上に
平行に形成されている細溝によつて規制されてい
る安定な状態から正の電圧を印加する事により、
配向状態を変化させる。反対に光を遮断する場合
は、負の電圧を加え安定な状態にもどすことにな
る。従つて、立下りは遅く、立上りが速いという
電気光学特性を示す。
液晶に負の電圧が印加された場合の配向状態は、
電圧が印加されていない場合と同じであり、逆に
液晶に十分な正の電圧が印加された場合は、別の
配向状態をとるようにする。偏光板の直交してい
る偏光軸の一方の方向を負の電圧が印加されてい
る場合の配光方向と一致させると、負の電圧が印
加された場合は、光の透過率は０％になり、正の
電圧が印加された場合は透過率は100％となる。
光を透過させる場合は、液晶分子が基板表面上に
平行に形成されている細溝によつて規制されてい
る安定な状態から正の電圧を印加する事により、
配向状態を変化させる。反対に光を遮断する場合
は、負の電圧を加え安定な状態にもどすことにな
る。従つて、立下りは遅く、立上りが速いという
電気光学特性を示す。
この液晶素子の２枚の電極基板の一方に走査電
極を設け、他方に選択電極を設け、これらの電極
に第３図に示す波形の電圧を印加する。第３図に
示す表の左側の欄は走査電極に与える非走査時の
電圧波形と走査時の電圧波形を示し、上側の欄は
選択電極に与える選択時の波形と非選択時の波形
を示し、右下の４つの欄に選択電極と走査電極の
間の電圧波形を選択時または非選択時で非走査時
または走査時である場合のそれぞれについて示
す。
極を設け、他方に選択電極を設け、これらの電極
に第３図に示す波形の電圧を印加する。第３図に
示す表の左側の欄は走査電極に与える非走査時の
電圧波形と走査時の電圧波形を示し、上側の欄は
選択電極に与える選択時の波形と非選択時の波形
を示し、右下の４つの欄に選択電極と走査電極の
間の電圧波形を選択時または非選択時で非走査時
または走査時である場合のそれぞれについて示
す。
第３図に示すように走査電極には走走査時に
V1の次に−V1となる矩形の電圧を、非走査時に
V2の電圧を印加し、選択電極には選択時にV3の
次にV4となる矩形の電圧を、非選択時にV1の次
に−V1となる矩形の電圧を印加すれば（但し、
V1＜V3＜V2、V1＜V4＜V2）、走査時の選択画素
（ここで画素とは２枚の電極部分によつて挟まれ
た小面積部分を言う）に（V3−V1）の次に（V4
＋V1）となるの矩形の電圧が、非選択画素には
０の電圧が、非走査時の選択画素には（V3−V2）
の次に（V4−V2）となる矩形の電圧が、非選択
画素には（V1−V2）の次に（−V1−V2）となる
矩形の電圧が印加される。つまり、走査電極が走
査時で選択電極が選択時である選択画素にのみ正
の電圧が印加され光を透過させる事になる。それ
により、プリンターの感光体ドラムが感光され、
印字が行なわれる。
V1の次に−V1となる矩形の電圧を、非走査時に
V2の電圧を印加し、選択電極には選択時にV3の
次にV4となる矩形の電圧を、非選択時にV1の次
に−V1となる矩形の電圧を印加すれば（但し、
V1＜V3＜V2、V1＜V4＜V2）、走査時の選択画素
（ここで画素とは２枚の電極部分によつて挟まれ
た小面積部分を言う）に（V3−V1）の次に（V4
＋V1）となるの矩形の電圧が、非選択画素には
０の電圧が、非走査時の選択画素には（V3−V2）
の次に（V4−V2）となる矩形の電圧が、非選択
画素には（V1−V2）の次に（−V1−V2）となる
矩形の電圧が印加される。つまり、走査電極が走
査時で選択電極が選択時である選択画素にのみ正
の電圧が印加され光を透過させる事になる。それ
により、プリンターの感光体ドラムが感光され、
印字が行なわれる。
また、前述したように光を透過させる立上りよ
りも光を遮断する立下りの時間の方が長いため
に、画素を選択し終えた後も、立下りの時間だけ
光を透過していて、その間も感光体ドラムを感光
している。したがつて、画素の選択時間を短くし
ても十分な感光が行われ、画素を時分割駆動する
場合に一つのフレーム周期で多くの画素を駆動す
ることが可能になり、デユーテイー比が上がり、
時分割駆動が容易になる。
りも光を遮断する立下りの時間の方が長いため
に、画素を選択し終えた後も、立下りの時間だけ
光を透過していて、その間も感光体ドラムを感光
している。したがつて、画素の選択時間を短くし
ても十分な感光が行われ、画素を時分割駆動する
場合に一つのフレーム周期で多くの画素を駆動す
ることが可能になり、デユーテイー比が上がり、
時分割駆動が容易になる。
さらに強誘電性液晶の応答は、液晶に印加され
る電圧値と時間幅に依存する（電圧が高く、また
は時間幅が長いと応答は速くなる）。従つて、非
走査時には画素に階段状の波形が印加されるが、
その周期を変化させることにより第３図には、走
査時間と周期が一致している場合が示されてい
る）、液晶の応答時間を変化させることが可能に
なる。これを利用すれば画素選択後に、光が遮断
されるまでの時間を調節することが出来る。それ
により感光体の電位を調節出来、良好な印字品質
を得る事が出来る。
る電圧値と時間幅に依存する（電圧が高く、また
は時間幅が長いと応答は速くなる）。従つて、非
走査時には画素に階段状の波形が印加されるが、
その周期を変化させることにより第３図には、走
査時間と周期が一致している場合が示されてい
る）、液晶の応答時間を変化させることが可能に
なる。これを利用すれば画素選択後に、光が遮断
されるまでの時間を調節することが出来る。それ
により感光体の電位を調節出来、良好な印字品質
を得る事が出来る。
以下、本発明の実施例を挙げて詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を使用する液晶光変
調素子を模式的に示す分解斜視図で、第２図は第
１図に示すAA′断面図である。走査電極１５が設
けられポリイミドの配向膜１９が塗布されたガラ
ス基板１１を一方向にラビングし、さらに基板１
１に対向し選択電極１４が設けられ配向膜１９が
塗布された基板２０を一方向にラビングし、基板
１１，２０をスペーサー１８を介して5μｍの間
隔でラビング方向が平行になるように接着し、基
板１１，２０間に液晶材１３としてメルク社製の
ZLI−3079を充填してある。走査電極１５は１mm
あたり16本形成されていて、1/4デユーテイーの
時分割駆動で駆動するため、選択電極１４は１本
で走査電極１５と対向する形状になつている。選
択電極１４は選択電極駆動回路１６で走査電極１
５は走査電極駆動回路１７で駆動される。さらに
素子は、２枚の偏光板１２で挟まれている。
調素子を模式的に示す分解斜視図で、第２図は第
１図に示すAA′断面図である。走査電極１５が設
けられポリイミドの配向膜１９が塗布されたガラ
ス基板１１を一方向にラビングし、さらに基板１
１に対向し選択電極１４が設けられ配向膜１９が
塗布された基板２０を一方向にラビングし、基板
１１，２０をスペーサー１８を介して5μｍの間
隔でラビング方向が平行になるように接着し、基
板１１，２０間に液晶材１３としてメルク社製の
ZLI−3079を充填してある。走査電極１５は１mm
あたり16本形成されていて、1/4デユーテイーの
時分割駆動で駆動するため、選択電極１４は１本
で走査電極１５と対向する形状になつている。選
択電極１４は選択電極駆動回路１６で走査電極１
５は走査電極駆動回路１７で駆動される。さらに
素子は、２枚の偏光板１２で挟まれている。
第１図、第２図に示す液晶光変調素子に第４図
に示すような電圧を印加して動作させる。すなわ
ち、走査電極１５には走査駆動回路１７により走
査時に5Vの次に−5Vとなる電圧の矩形波、非走
査時には20Vの電圧、選択電極１４には選択電極
駆動回路１６により選択時に20Vの次に10Vとな
る電圧の矩形波、非選択時には5Vの次に−5Vと
なる電圧の矩形波を印加すると、選択画素の部分
の液晶にのみ15Vの正の電圧が印加され光を透過
するようになる。しかし、選択画素以外の画素に
は０又は負の電圧が印加されるので、光を遮断し
ている。なお、駆動電圧は125μsの矩形波で、フ
レーム周期は1msになる。以上の様な駆動をする
ことによりコントラストは30：１が得られる。
に示すような電圧を印加して動作させる。すなわ
ち、走査電極１５には走査駆動回路１７により走
査時に5Vの次に−5Vとなる電圧の矩形波、非走
査時には20Vの電圧、選択電極１４には選択電極
駆動回路１６により選択時に20Vの次に10Vとな
る電圧の矩形波、非選択時には5Vの次に−5Vと
なる電圧の矩形波を印加すると、選択画素の部分
の液晶にのみ15Vの正の電圧が印加され光を透過
するようになる。しかし、選択画素以外の画素に
は０又は負の電圧が印加されるので、光を遮断し
ている。なお、駆動電圧は125μsの矩形波で、フ
レーム周期は1msになる。以上の様な駆動をする
ことによりコントラストは30：１が得られる。
この第１図に示す液晶光変調素子をプリンタヘ
ツドに用いて周知の構成の電子写真方式のプリン
タを構成すると、16ドツト／１mmで鮮明な品質の
印刷が毎分12枚可能である。本実施例の液晶光変
調素子は基板の間隙が5μｍなので、従来の液晶
素子製造技術で十分対応出来、歩留りよく作製可
能である。また駆動回路も1/4デユーテイー時分
割駆動なので、回路数も少なくて済み低価格の光
変調素子が実現される。
ツドに用いて周知の構成の電子写真方式のプリン
タを構成すると、16ドツト／１mmで鮮明な品質の
印刷が毎分12枚可能である。本実施例の液晶光変
調素子は基板の間隙が5μｍなので、従来の液晶
素子製造技術で十分対応出来、歩留りよく作製可
能である。また駆動回路も1/4デユーテイー時分
割駆動なので、回路数も少なくて済み低価格の光
変調素子が実現される。
また、駆動電圧をさらに高周波にすると、15V
の電圧が印加された後に、0V、−10Vか−15V、−
20Vの高周波の矩形波が印加される事になり、光
を遮断するまでの時間が長くなり、フレーム周期
は1msのままで1/6デユーテイーの駆動が可能に
なりさらに回路数を少なくすることができる。
の電圧が印加された後に、0V、−10Vか−15V、−
20Vの高周波の矩形波が印加される事になり、光
を遮断するまでの時間が長くなり、フレーム周期
は1msのままで1/6デユーテイーの駆動が可能に
なりさらに回路数を少なくすることができる。
以上述べたように、本発明は程度広い間隔で対
向する２枚の電極基板間に強誘電性液晶を充填し
た液晶素子を電極に矩形波形の電圧を印加するこ
とにより、時分割駆動することができる効果があ
る。
向する２枚の電極基板間に強誘電性液晶を充填し
た液晶素子を電極に矩形波形の電圧を印加するこ
とにより、時分割駆動することができる効果があ
る。
従つて、本発明は容易に歩留りよく製作できる
液晶素子を高速に時分割駆動することができ、安
価な光変調素子等を実現することができる。
液晶素子を高速に時分割駆動することができ、安
価な光変調素子等を実現することができる。
第１図は本発明の一実施例に使用する液晶光変
調素子の模式的は斜視図、第２図は第１図に示す
AA′断面図、第３図は本発明により液晶素子に印
加する電圧波形を示す表、第４図は第１図に示す
実施例に印加する電圧波形を示す表、第５図は強
誘電性液晶分子のらせん配列状態を示す模式図、
第６図および第７図は２枚の基板間の強誘電性液
晶分子の配向状態を模式的に示す側面図および平
面図、第８図は偏向軸が互いに直交する２枚の偏
向板で挟んだ液晶光変調素子に印加される電圧と
光の透過率の関係を示すグラフである。 １１，２０……ガラス基板、１２……偏光板、
１３……強誘電性液晶、１４……選択電極、１５
……走査電極、１６……選択電極駆動回路、１７
……走査電極駆動回路、１８……スペーサ、１９
……配向膜。
調素子の模式的は斜視図、第２図は第１図に示す
AA′断面図、第３図は本発明により液晶素子に印
加する電圧波形を示す表、第４図は第１図に示す
実施例に印加する電圧波形を示す表、第５図は強
誘電性液晶分子のらせん配列状態を示す模式図、
第６図および第７図は２枚の基板間の強誘電性液
晶分子の配向状態を模式的に示す側面図および平
面図、第８図は偏向軸が互いに直交する２枚の偏
向板で挟んだ液晶光変調素子に印加される電圧と
光の透過率の関係を示すグラフである。 １１，２０……ガラス基板、１２……偏光板、
１３……強誘電性液晶、１４……選択電極、１５
……走査電極、１６……選択電極駆動回路、１７
……走査電極駆動回路、１８……スペーサ、１９
……配向膜。
Claims (1)
- １ 内面にほぼ同方向に平行な微細溝構造を形成
する配向処理が施された相対する２枚の電極基板
の間隙に強誘導電性液晶を充填し、かつこの強誘
電性液晶が双安定性を示さない構造の液晶素子の
駆動方法において、前記２枚の電極基板の一方に
形成された複数の走査電極に走査時に第１の電圧
の次にこの第１の電圧と同一の大きさで逆極性の
電圧となる矩形の波形の電圧を印加し非走査時に
前記第１の電圧により大きく前記第１の電圧と同
極性の第２の電圧を印加する時分割走査手段と、
前記２枚の電極基板の他方に前記走査電極に対向
するように形成された複数の選択電極に選択時に
前記第１および第２の電圧の中間の第３の電圧の
次に前記第１および第２の電圧の中間の第４の電
圧となる矩形の波形の電圧を印加し非選択時に前
記第１の電圧の次に前記第１の電圧と同一の大き
さで逆極性の電圧となる波形の矩形の電圧を印加
する時分割駆動手段とを含み、前記走査電極およ
び前記選択電極間に非選択時に印加される電圧に
よる液晶分子の方向が前記配向処理によるものと
同一であることを特徴とする液晶素子の駆動方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150365A JPS635326A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 液晶素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150365A JPS635326A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 液晶素子の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS635326A JPS635326A (ja) | 1988-01-11 |
| JPH0564773B2 true JPH0564773B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=15495402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61150365A Granted JPS635326A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 液晶素子の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS635326A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01193814A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-03 | Nec Corp | 液晶光シャッタアレイの駆動方法 |
| KR101013379B1 (ko) * | 2004-02-03 | 2011-02-14 | 삼성전자주식회사 | 공기청정기 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59193426A (ja) * | 1983-04-19 | 1984-11-02 | Canon Inc | 液晶装置 |
| JPS60156047A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-16 | Canon Inc | 液晶装置 |
| JPS6170531A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-11 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP61150365A patent/JPS635326A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS635326A (ja) | 1988-01-11 |
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