JPH0565513A - Raw material charging method and apparatus for bellless blast furnace - Google Patents
Raw material charging method and apparatus for bellless blast furnaceInfo
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- JPH0565513A JPH0565513A JP22544491A JP22544491A JPH0565513A JP H0565513 A JPH0565513 A JP H0565513A JP 22544491 A JP22544491 A JP 22544491A JP 22544491 A JP22544491 A JP 22544491A JP H0565513 A JPH0565513 A JP H0565513A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】原料ホッパーが上、下２段に設置された単ポー
ト式センターフィード型ベルレス炉頂装入装置を有する
ベルレス高炉の下段ホッパーからの原料の排出特性を改
善し、炉内の半径方向における原料の粒度分布を制御し
て炉内のガスの流れを安定化し得る原料装入方法、およ
びそのための装置を提供する。
【構成】下段ホッパー５内に、このホッパー５の軸芯と
同じ軸芯を有する円筒形状もしくは多角面筒形状の仕切
壁13と、この仕切壁13で仕切られた中央部空所イの中心
部に、前記仕切壁13との間に環状の間隙部を有し、その
大きさと高さを調節することの可能な原料反発板16、も
しくは、原料排出時に原料が通過できる複数個の開孔が
設けられた原料反発板16が設けられているベルレス高炉
における原料装入装置、ならびに、この装置を用いて行
う原料装入方法。
(57) [Summary] [Purpose] To improve the discharge characteristics of raw materials from the lower hopper of the bellless blast furnace, which has a single port type center feed type bellless furnace top charging device with upper and lower raw material hoppers installed. (EN) A raw material charging method capable of controlling a particle size distribution of a raw material in a radial direction in a furnace to stabilize a gas flow in the furnace, and an apparatus therefor. [Structure] In the lower hopper 5, a partition wall 13 having a cylindrical shape or a polygonal tube shape having the same axis as the axis of the hopper 5, and a central portion of the central space a partitioned by the partition wall 13 The material repulsion plate 16 having an annular gap between the partition wall 13 and its size and height can be adjusted, or a plurality of openings through which the material can pass when discharging the material. A raw material charging device in a bellless blast furnace provided with the provided raw material repulsion plate 16, and a raw material charging method performed using this device.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、ベルレス高炉におけ
る原料装入方法およびその装置、詳しくは、炉頂に原料
ホッパーが上、下２段に設置された単ポート式センター
フィード型ベルレス炉頂装入装置を有するベルレス高炉
において、炉内に装入される原料の粒径の経時変化を制
御することができる原料装入方法およびその装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a raw material charging method and apparatus for a bellless blast furnace, and more specifically, a single-port type center feed type bellless furnace top loading apparatus in which a raw material hopper is installed in upper and lower two stages on the furnace top. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a raw material charging method and apparatus capable of controlling a time-dependent change in particle size of a raw material charged into a furnace in a bellless blast furnace having a charging device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】高炉内に原料を装入するに際し、大ベ
ル、小ベルの開閉により装入する方法に代わり、近年、
大ベルや小ベルを用いず、旋回、傾動が可能な分配シュ
ートを介して装入物を炉内に分配する、いわゆるベルレ
ス炉頂装入装置が多く採用されるようになってきた。こ
のベルレス炉頂装入装置には、炉頂バンカーが並列に設
置された「並列ホッパー型」の装置と、原料ホッパーが
上、下２段に設置された、いわゆる「センターフィード
型」の装置とがあり、最近では、後者のセンターフィー
ド型の装置が採用される傾向にある。2. Description of the Related Art In charging a raw material into a blast furnace, a method of charging by opening and closing a large bell and a small bell has been used in recent years.
A so-called bellless furnace top charging device, which distributes the charged material into the furnace through a distribution chute that can be swung and tilted without using a large bell or a small bell, has been widely adopted. This bellless furnace top charging device includes a "parallel hopper type" device in which furnace bunkers are installed in parallel, and a so-called "center feed type" device in which raw material hoppers are installed in upper and lower two stages. However, recently, the latter center feed type device tends to be adopted.
【０００３】図１は単ポートセンターフィード型ベルレ
ス炉頂装入装置の一例の構成を示す図であるが、この図
に示すように、装入コンベア１により炉頂部へ搬送され
た原料は上段ホッパー２に装入され、さらに、上段ホッ
パー２からその底部に設けられた上部ゲート３を経て下
段ホッパー５へ装入される。次いで、原料コントロール
ゲート６を経て下段ホッパー５から排出された原料は、
分配シュート用駆動装置８により旋回、傾動する分配シ
ュート９を介して炉内に装入される。FIG. 1 is a diagram showing the construction of an example of a single-port center feed type bellless furnace top charging device. As shown in this figure, the raw material conveyed by the charging conveyor 1 to the furnace top is the upper hopper. It is charged into the upper hopper 2 and then into the lower hopper 5 through the upper gate 3 provided at the bottom of the upper hopper 2. Next, the raw material discharged from the lower hopper 5 through the raw material control gate 6 is
It is loaded into the furnace through a distribution chute 9 that turns and tilts by a distribution chute drive device 8.
【０００４】このセンターフィード型の装置は、並列ホ
ッパー型の装置に比べて構造的に簡素で、設備投資額が
安く、装入物を炉内の円周方向にほぼ均一に分配できる
という機能上の利点がある。The center feed type device is structurally simpler than the parallel hopper type device, the capital investment is low, and the charge can be distributed almost uniformly in the circumferential direction of the furnace. There are advantages.
【０００５】しかしながら、図１に示した単ポートセン
ターフィード型ベルレス炉頂装入装置は、以下に述べる
ように、その構造に起因する問題点を有している。However, the single port center feed type bellless furnace top charging device shown in FIG. 1 has a problem due to its structure, as described below.
【０００６】図２は、従来の単ポート式センターフィー
ド型ベルレス炉頂装入装置の上段および下段ホッパーに
おける原料の排出挙動を示す模式図である。この図にお
いて、装入コンベア等で上段ホッパー２へ装入される原
料10a はホッパー内の円錐状の原料堆積面で自然に分級
され、装入位置、すなわちホッパーの中央部には粒径の
小さい原料を主体とする細粒Ａ、側壁の周辺部には粒径
の大きい原料を主体とする粗粒Ｃ、それら細粒Ａと粗粒
Ｃの間には中粒Ｂが堆積する。次いで、上段ホッパー２
の上部ゲート３を“開”にしてホッパー２内の原料12を
下段ホッパー５内へ排出する際の原料10b の排出挙動
は、いわゆるファンネルフロー（漏斗状流れ）型の挙動
を示し、排出初期には細粒Ａが、次いで中粒Ｂが、そし
て排出末期には粗粒Ｃが排出される。FIG. 2 is a schematic diagram showing the discharge behavior of the raw materials in the upper and lower hoppers of a conventional single-port type center feed type bellless furnace top charging device. In this figure, the raw material 10a charged into the upper hopper 2 by a charging conveyor or the like is naturally classified on the conical raw material deposition surface in the hopper, and the particle size is small at the charging position, that is, the central part of the hopper. Fine grains A mainly composed of the raw material, coarse grains C mainly composed of the raw material having a large grain size in the peripheral portion of the side wall, and medium grains B are deposited between the fine grains A and the coarse grains C. Next, upper hopper 2
The discharge behavior of the raw material 10b when the raw material 12 in the hopper 2 is discharged into the lower hopper 5 by opening the upper gate 3 of the above, shows a so-called funnel flow type behavior, and at the initial stage of discharge. Are discharged as fine particles A, then medium particles B, and coarse particles C at the end of discharge.
【０００７】図３はこの上段ホッパー２からの原料排出
時の粒径の経時変化を模式的に示す図であるが、原料の
排出が細粒Ａ、中粒Ｂ、粗粒Ｃの順に行われるので、粒
径の経時変化は「単調増加パターン」となる。この傾向
は、コークスに比べ粒度分布範囲が大きい焼結鉱におい
て顕著に現れる。なお、図３の横軸は原料12の排出開始
から終了までを 1.0とし、縦軸は排出粒子の粒径を全平
均粒子径で割った相対粒度を示し、無次元数で表したも
のである。FIG. 3 is a diagram schematically showing the time-dependent change of the particle size when the raw material is discharged from the upper hopper 2. The raw material is discharged in the order of fine particles A, medium particles B and coarse particles C. Therefore, the change with time of the particle size becomes a “monotonically increasing pattern”. This tendency remarkably appears in the sinter having a larger particle size distribution range than coke. The horizontal axis of FIG. 3 is 1.0 from the start to the end of discharge of the raw material 12, and the vertical axis is the relative particle size obtained by dividing the particle size of the discharged particles by the total average particle size, which is expressed as a dimensionless number. ..
【０００８】上記の上段ホッパー２からの原料12の排出
は、上部ゲート３を全開にした状態で短時間（焼結鉱で
６〜７Ｔ/sec）に行われるため、下段ホッパー５内に原
料12が堆積する際には、上段ホッパー２で生じたような
原料堆積時の分級（中心部：細粒、側壁部：粗粒）が充
分なされず、図２に示すように、排出順に堆積し、最下
層に細粒Ａ′、その上に中粒Ｂ′、最上層に粗粒Ｃ′が
円錐状の堆積面を形成して堆積する。The discharge of the raw material 12 from the upper hopper 2 is carried out in a short time (6 to 7 T / sec for the sintered ore) with the upper gate 3 fully opened, so that the raw material 12 is discharged into the lower hopper 5. When the material is deposited, the classification (center part: fine particles, side wall part: coarse particles) at the time of material deposition, which occurs in the upper hopper 2, is not sufficient, and as shown in FIG. Fine grains A'are deposited on the lowermost layer, medium grains B'on them, and coarse grains C'on the uppermost layer, forming a conical deposition surface.
【０００９】下段ホッパー５から原料コントロールゲー
ト６を経て炉内に装入される原料10c の排出挙動は、前
記の上段ホッパー２からの排出挙動と同様にファンネル
フロー型の挙動を示す。すなわち、排出初期には原料コ
ントロールゲート６の直上のホッパー中心部の原料ａが
排出され、次いで、それに隣接する部分の原料ｂが、最
後に側壁部周辺の原料ｃが排出される。The discharge behavior of the raw material 10c charged into the furnace from the lower hopper 5 through the raw material control gate 6 shows a funnel flow type behavior similar to the discharge behavior from the upper hopper 2. That is, in the initial stage of discharging, the raw material a in the central portion of the hopper immediately above the raw material control gate 6 is discharged, then the raw material b in the portion adjacent to it is discharged, and finally the raw material c in the periphery of the side wall portion is discharged.
【００１０】図４はこの原料排出時の粒径の経時変化を
模式的に示す図で、排出初期に粗粒ピークが現れ、排出
中期以降、漸次粗粒から細粒となり、排出末期にはホッ
パー５の周辺側壁部に残っている粗粒が排出されるので
やや粒径が大きくなる。この傾向は、前記と同様に焼結
鉱において強く現れる。コークスについては粒径の経時
変化が少なく、やや平坦な「フラットパターン」とな
る。なお、図４において、横軸と縦軸は図３の場合と同
様に定めたものである。FIG. 4 is a diagram schematically showing the time-dependent change of the particle size at the time of discharging the raw material. A coarse particle peak appears at the early stage of discharging, and gradually changes from coarse particles to fine particles after the middle stage of discharging, and at the end stage of discharging, the hopper. Since the coarse particles remaining on the peripheral side wall of No. 5 are discharged, the particle size becomes slightly larger. This tendency is strong in the sintered ore as described above. Regarding coke, there is little change in particle size over time, and it becomes a slightly flat “flat pattern”. In addition, in FIG. 4, the horizontal axis and the vertical axis are defined similarly to the case of FIG.
【００１１】このように、下段ホッパー５から分配シュ
ート９を介して炉内へ装入される原料は、排出初期には
粗粒が多く、漸次、粗粒から細粒に変わるので、分配シ
ュート９を炉内壁側から炉芯側に向かって旋回、傾動さ
せて装入物の分布制御を行う内振り分配方式では、図５
(b) に示すように、炉内壁側に粗粒11b 、炉芯側に細粒
11a が装入され、半径方向に粒度偏析が生ずる。炉内装
入物11の通気性は主としてその平均粒度ならびに粒度分
布により決まり、ガス流分布は炉内装入物11の層厚分布
ならびに半径方向の粒度偏析によって影響を受けるの
で、図５(b) に示したような半径方向における粒度偏析
が生じている場合には、炉内壁側のガスの流れが強くな
り、炉芯部におけるガスの流れ（炉芯流）が不安定化
し、吹き抜け等を誘発しやすい不安定な炉況となって、
高炉の安定操業を行う上で大きな制約となっている。As described above, the raw material charged into the furnace from the lower hopper 5 through the distribution chute 9 has many coarse particles in the initial stage of discharge, and gradually changes from coarse particles to fine particles. In the internal swing distribution method in which the distribution control of the charge is performed by swirling and tilting the furnace from the inner wall side toward the core side,
As shown in (b), coarse particles 11b are on the inner wall side of the furnace and fine particles are on the core side.
11a is charged and particle size segregation occurs in the radial direction. The air permeability of the furnace interior container 11 is mainly determined by its average particle size and particle size distribution, and the gas flow distribution is affected by the layer thickness distribution of the furnace interior container 11 and the particle size segregation in the radial direction. When the particle size segregation occurs in the radial direction as shown in the figure, the gas flow on the furnace inner wall side becomes stronger, the gas flow in the furnace core (core flow) becomes unstable, and blow-through is induced. Easy and unstable reactor conditions,
This is a major limitation for stable operation of the blast furnace.
【００１２】上記の問題点を解消するために、粒径の異
なる原料を予め分別して炉内に装入し（粒度別装入）、
半径方向における粒度分布の調整を行う方法が提案され
ている（特公昭55− 16203号公報）。しかし、この方法
においては、次のような問題点がある。すなわち、 (1) 原料を粒度別に分別して装入するため１チャージの
装入時間が長くなり、高炉の生産性を向上させようとし
ても、それに追随できない場合が生ずる。また、ホッパ
ーの均圧、排圧回数が多くなるので、それに要するガス
（N2ガス）の使用量が増加する。In order to solve the above problems, raw materials having different particle sizes are preliminarily separated and charged into a furnace (charge by particle size),
A method for adjusting the particle size distribution in the radial direction has been proposed (Japanese Patent Publication No. 55-16203). However, this method has the following problems. That is, (1) The charging time for one charge is long because the raw materials are separately charged according to the particle size, and even if an attempt is made to improve the productivity of the blast furnace, it may not be possible to follow it. Further, since the number of times of equalizing and discharging the pressure of the hopper increases, the amount of gas (N 2 gas) required for that increases.
【００１３】(2) 粒径の異なる原料を予め確保するため
には、篩分け設備や、これらの装入物を個別に貯蔵する
ための設備も必要であり、設備費が嵩む。(2) In order to secure raw materials having different particle sizes in advance, sieving equipment and equipment for individually storing these charges are necessary, which increases the equipment cost.
【００１４】また、前記の下段ホッパー５からの原料排
出の初期における粗粒の排出を抑制する方法として、上
段ホッパー２から下段ホッパー５への原料排出速度を小
さくし、下段ホッパー５内で堆積原料の自然分級（中心
部：細粒、側壁部：粗粒）を行わせ、下段ホッパー５か
ら排出される原料の粒径の経時パターンを上段ホッパー
２から排出される原料の粒径の経時パターンと同様に
「単調増加パターン」とする方法もある。しかし、この
方法では原料の排出時間が長くなるので、炉頂タイムス
ケジュールの延長につながり、高炉の生産性の増大に対
応できない場合が生ずる。Further, as a method for suppressing the discharge of coarse particles in the initial stage of the discharge of the raw material from the lower hopper 5, the raw material discharge speed from the upper hopper 2 to the lower hopper 5 is made small so that the deposited raw material in the lower hopper 5 is reduced. Of the raw material discharged from the lower hopper 2 and the time-dependent pattern of the particle diameter of the raw material discharged from the upper hopper 2 as the natural pattern (center portion: fine grain, side wall portion: coarse grain). Similarly, there is also a method of using a “monotonically increasing pattern”. However, with this method, the discharge time of the raw material becomes long, which leads to the extension of the furnace top time schedule, and there are cases where it is not possible to cope with the increase in the productivity of the blast furnace.
【００１５】[0015]
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記のよ
うな問題点を解決するためになされたもので、下段ホッ
パー５内に円筒形状もしくは多角面筒形状の仕切壁と、
この仕切壁の中央部に反発板とを設置し、下段ホッパー
５に装入される原料の半径方向における粒径偏析を防止
し、下段ホッパー５からの原料の排出特性を改善して、
炉内の半径方向における原料の粒度分布を的確に制御し
得る原料装入方法およびそのための装置を提供すること
を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has a cylindrical or polygonal cylindrical partition wall in the lower hopper 5.
A repulsion plate is installed at the center of the partition wall to prevent particle size segregation in the radial direction of the raw material charged in the lower hopper 5, and improve the discharge characteristic of the raw material from the lower hopper 5,
An object of the present invention is to provide a raw material charging method and a device therefor capable of accurately controlling the particle size distribution of the raw material in the radial direction in the furnace.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】この発明の要旨は、下記
のベルレス高炉における原料装入方法、および下記
の原料装入装置、にある。The gist of the present invention resides in the following raw material charging method in a bellless blast furnace and the following raw material charging device.
【００１７】 原料ホッパーが上、下２段に設置され
た単ポート式センターフィード型ベルレス炉頂装入装置
により原料を炉内に装入するに際し、下段ホッパー内に
設けられたこのホッパーの軸芯と同軸の円筒形状もしく
は多角面筒形状の仕切壁で仕切られ、かつ、この仕切壁
によって形成される中央部の空所の中心部に、前記仕切
壁との間に環状の間隙部を有し、その大きさと高さを調
節することの可能な原料反発板、もしくは、原料排出時
に原料が通過できる複数個の開孔が設けられた原料反発
板が設けられているその中央部の空所に、上段ホッパー
から原料を装入し、原料反発板と仕切壁との間の環状の
間隙部、もしくは、原料反発板に設けられた複数個の開
孔を通過させて下段ホッパー内に原料を装入、充填した
後、下段ホッパー底部のゲートを“開”にして原料を炉
内に装入することを特徴とするベルレス高炉における原
料装入方法。When the raw material hopper is charged into the furnace by the single port type center feed type bellless furnace top charging device installed in the upper and lower two stages, the shaft core of this hopper provided in the lower hopper Is partitioned by a partition wall having a cylindrical shape or a polygonal tube shape coaxial with the partition wall, and has an annular gap between the partition wall and the center of the central space formed by the partition wall. , A raw material repulsion plate whose size and height can be adjusted, or a raw material repulsion plate with a plurality of openings through which the raw material can pass when discharging the raw material , The raw material is charged from the upper hopper, and the raw material is loaded into the lower hopper through an annular gap between the raw material repulsion plate and the partition wall or through a plurality of openings provided in the raw material repulsion plate. After entering and filling, the bottom of the lower hopper The raw material charging method in the bellless blast furnace, characterized in that the gate is opened and the raw material is charged into the furnace.
【００１８】 原料ホッパーが上、下２段に設置され
た単ポート式センターフィード型ベルレス炉頂装入装置
の下段ホッパー内に、このホッパーの軸芯と同軸の円筒
形状もしくは多角面筒形状の仕切壁と、この仕切壁で仕
切られた中央部空所の中心部に、前記仕切壁との間に環
状の間隙部を有し、その大きさと高さを調節することの
可能な原料反発板、もしくは、原料排出時に原料が通過
できる複数個の開孔が設けられた原料反発板が設けられ
ていることを特徴とするベルレス高炉における原料装入
装置。In the lower hopper of the single-port type center feed type bellless furnace top charging device in which the raw material hopper is installed in the upper and lower two stages, a cylindrical or polygonal cylindrical partition that is coaxial with the axis of the hopper is placed. A wall and a material repulsion plate capable of adjusting its size and height, having a ring-shaped gap between the partition wall and the center of the central space defined by the partition wall, Alternatively, the raw material charging device in the bellless blast furnace is provided with a raw material repulsion plate having a plurality of openings through which the raw material can pass when the raw material is discharged.
【００１９】[0019]
【作用】以下に、上記の構成を有する本発明の原料装入
装置の具体例とその作用効果、ならびにこの装置を用い
て行う本発明方法について説明する。The following is a description of a specific example of the raw material charging apparatus of the present invention having the above-mentioned structure, its function and effect, and the method of the present invention performed using this apparatus.
【００２０】図６は、本発明の原料装入装置の一例の構
成を示す縦断面概略図である。この図において、下段ホ
ッパー５の上部にはこのホッパー５を均、排圧して炉内
に原料を装入できるようにするための上部シール弁４
が、また、下部には炉内へ装入する原料の流量を調整す
る原料コントロールゲート６および下部シール弁７が設
置されている。この下段ホッパー５内に、円筒支持ビー
ム14および支持ビーム用ブラケット15が取り付けられ、
この円筒支持ビーム14にホッパー５の軸芯と同軸に円筒
形状の仕切壁13が取り付けられている。そして、この仕
切壁13で仕切られた中央部空所の中心部に原料反発板16
が設けられている。原料反発板16と仕切壁13との間には
原料が通過できる程度の環状の間隙部が確保されてい
る。FIG. 6 is a schematic vertical sectional view showing the construction of an example of the raw material charging apparatus of the present invention. In this figure, an upper seal valve 4 is provided above the lower hopper 5 to evenly discharge the hopper 5 so that raw materials can be charged into the furnace.
However, a raw material control gate 6 and a lower seal valve 7 that adjust the flow rate of the raw material charged into the furnace are installed in the lower portion. In this lower hopper 5, a cylindrical support beam 14 and a support beam bracket 15 are attached,
A cylindrical partition wall 13 is attached to the cylindrical support beam 14 coaxially with the axis of the hopper 5. Then, the raw material repulsion plate 16 is placed in the center of the central empty space partitioned by the partition wall 13.
Is provided. An annular gap is provided between the material repulsion plate 16 and the partition wall 13 so that the material can pass therethrough.
【００２１】図７は図６に示した原料装入装置の一部の
拡大縦断面図、図８は図７のＩ−Ｉ矢視断面図である。
これらの図において、ホッパー５内にホッパーの軸芯と
同軸の円筒形状仕切壁13が取りつけられており、この仕
切壁13で仕切られた円筒状の空所イと、その下部にあっ
て、主としてホッパー下方部の斜面５a で囲まれた逆円
錐形状の空所ロとが形成されている。原料反発板16は仕
切壁13の任意の位置に固定することが可能な原料反発板
用支持ブラケット17に取りつけられるが、この図では、
原料反発板16が仕切壁13の高さ方向のほぼ中間位置に取
り付けられた場合を示している。原料反発板16と仕切壁
13との間には、空所イに装入される原料が通過できるよ
うな間隙S1が設けられている。FIG. 7 is an enlarged vertical sectional view of a part of the raw material charging device shown in FIG. 6, and FIG. 8 is a sectional view taken along the line II of FIG.
In these figures, a cylindrical partition wall 13 coaxial with the axis of the hopper is mounted in the hopper 5, and the cylindrical space a partitioned by this partition wall 13 and its lower part are mainly An inverted-cone-shaped cavity (b) surrounded by a slope 5a at the lower part of the hopper is formed. The raw material repulsion plate 16 is attached to the raw material repulsion plate support bracket 17 that can be fixed at any position of the partition wall 13, but in this figure,
The case where the material repulsion plate 16 is attached to the partition wall 13 at a substantially intermediate position in the height direction is shown. Raw material repulsion board 16 and partition wall
A space S 1 is provided between the space 13 and 13 so that the raw material charged in the space a can pass through.
【００２２】この例では円筒形状の仕切壁を設置した原
料装入装置を示したが、仕切壁は、例えば８〜32の多角
面形状にしてもよく、実用上は多角面形状の方が好適で
ある。これは、仕切壁が上段ホッパーからの装入原料に
より衝撃をうけ、原料流下時に摩耗するので、耐摩耗性
ライナーを取り付ける必要があるが、通常、平板状のラ
イナーを使用するので、多角面形状の仕切壁の方が取り
付けが容易なためである。In this example, the raw material charging device provided with the cylindrical partition wall is shown, but the partition wall may have a polygonal shape of, for example, 8 to 32, and the polygonal shape is preferable in practical use. Is. This is because the partition wall is shocked by the raw material charged from the upper hopper and is abraded when the raw material flows down, so it is necessary to attach a wear resistant liner, but since a flat liner is usually used, the polygonal shape is used. This is because the partition wall is easier to install.
【００２３】前述のように、上段ホッパー２からの原料
の排出は比較的短時間（焼結鉱で６〜７Ｔ/sec）で行わ
れるため、図２のような排出挙動を示し、下段ホッパー
５から排出される原料の粒径パターンは、図４に示した
ように、排出の初期に粗粒ピークが生じるパターンとな
る。本発明においては、この粒径パターンを改善して
「フラットパターン」化するのである。これによって、
高炉内における装入物の半径方向の粒径分布は均一化さ
れ、Ｖ型の炉心側への装入物の流れ込みがあっても、粒
径の偏析は極めて少なく、炉内のガスの流れを安定した
状態に保つことができる。As described above, since the raw material is discharged from the upper hopper 2 in a relatively short time (6 to 7 T / sec for the sintered ore), the discharging behavior as shown in FIG. As shown in FIG. 4, the particle size pattern of the raw material discharged from is a pattern in which a coarse particle peak occurs in the initial stage of discharging. In the present invention, this particle size pattern is improved to be a "flat pattern". by this,
The radial particle size distribution of the charge in the blast furnace is made uniform, and even if the charge flows into the V-shaped core side, the segregation of the particle size is extremely small, and the gas flow in the furnace is Can be kept stable.
【００２４】この「フラットパターン」化のための手段
として、前記の円筒形状仕切壁13と原料反発板16を用い
原料装入時の炉内半径方向における粒径偏析を防止す
る。すなわち、仕切壁13がない場合、上段ホッパー２か
ら排出される排出速度の大きい原料は原料反発板16に衝
突して反発、分散し、ホッパー５の内壁側に飛散する
が、この時、細粒はホッパー５の内壁側に（遠くに）飛
ばされ、粗粒はホッパー５の中心側に（近くに）堆積
し、ホッパー５の中央部には細粒、側壁の周辺部には粗
粒が堆積する、いわゆる自然分級による堆積パターンと
は逆の現象（以下、この現象を“逆偏析”という）が現
れる。このような原料反発板16による原料の反発、分散
を円筒形状仕切壁13で制止し、飛散を防止すると共に、
原料を原料反発板16上で一時的に滞留状態とし、次い
で、仕切壁13と原料反発板16との間に設けた環状の間隙
部S1から流下させる。これによって、原料の自然分級効
果（落下位置に細粒、周辺部に粗粒が堆積）が促進さ
れ、下段ホッパー５内での原料の逆偏析が抑制されて、
半径方向における粒径分布をほぼ均一な分布とすること
が可能になる。As a means for making this "flat pattern", the cylindrical partition wall 13 and the raw material repulsion plate 16 are used to prevent particle size segregation in the radial direction in the furnace during raw material charging. That is, when the partition wall 13 is not provided, the raw material discharged from the upper hopper 2 and having a high discharge rate collides with the raw material repulsion plate 16, repels and disperses, and scatters on the inner wall side of the hopper 5. Are blown to the inner wall side of the hopper 5 (far away), and coarse particles are deposited on the center side (closer) of the hopper 5, fine particles are deposited on the central portion of the hopper 5, and coarse particles are deposited on the peripheral portions of the side walls. However, a phenomenon opposite to the deposition pattern due to so-called natural classification (hereinafter, this phenomenon is referred to as "reverse segregation") appears. Repulsion and dispersion of the raw material by such a raw material repulsion plate 16 is stopped by the cylindrical partition wall 13 to prevent scattering,
The raw material is temporarily retained on the raw material repulsion plate 16 and then allowed to flow down from an annular gap S 1 provided between the partition wall 13 and the raw material repulsion plate 16. As a result, the natural classification effect of the raw material (fine particles in the falling position, coarse particles in the peripheral portion) is promoted, and the reverse segregation of the raw material in the lower hopper 5 is suppressed,
It is possible to make the particle size distribution in the radial direction substantially uniform.
【００２５】原料反発板16を設置する本来の目的は、上
段ホッパー２からの装入原料が下段ホッパー５内に落下
する際、下段ホッパー５の底部に設けられている下部排
出孔５ｂおよび原料コントロールゲート６の内側面を直
撃して、その部位を損耗するのを防止することにある。
しかし、本発明の原料装入装置では、そのような装入原
料の落下に伴う損傷の防止に加え、円筒形状仕切壁13と
組み合わせることにより装入原料が原料反発板16と仕切
壁13との隙間を流下する際の流量を調整し、空所ロに堆
積する原料の粒径配分を調整する作用効果を有してい
る。The original purpose of installing the raw material repulsion plate 16 is to control the raw material discharge from the upper hopper 2 and the lower discharge hole 5b provided at the bottom of the lower hopper 5 when the raw material is dropped into the lower hopper 5. The purpose is to prevent damage to the inner surface of the gate 6 by directly hitting it.
However, in the raw material charging device of the present invention, in addition to preventing damage due to such dropping of the charging raw material, by combining with the cylindrical partition wall 13, the charging raw material is composed of the raw material repulsion plate 16 and the partition wall 13. It has the effect of adjusting the flow rate when flowing down the gap and adjusting the particle size distribution of the raw material deposited in the void (b).
【００２６】前記の間隙S1は装入原料の粒径に見合った
大きさにすることが必要で、空所イおよびロに装入され
る原料の最大粒径（通常、コークスが最大粒径を有す
る）の約６倍以上の寸法を確保すれば原料の安定した通
過が可能である。この間隙は、大きすぎると原料通過速
度が大きくなりすぎ、自然分級が行われず、また、小さ
すぎると閉塞のおそれがある。It is necessary that the above-mentioned gap S 1 has a size commensurate with the particle size of the charged raw material, and the maximum particle size of the raw material charged in the cavities (a) and (b) is usually the maximum particle size of coke. If the size of the raw material is about 6 times or more, the stable passage of the raw material is possible. If this gap is too large, the raw material passage speed will be too high, and natural classification will not be carried out. If it is too small, there is a risk of blockage.
【００２７】ホッパー５内での円筒形状仕切壁13の取付
位置は、その頂部が上部シール弁４の開軌跡の範囲内に
入らない程度の高さにするのがよい。The mounting position of the cylindrical partition wall 13 in the hopper 5 is preferably set to such a height that the top portion thereof does not fall within the range of the open trajectory of the upper seal valve 4.
【００２８】仕切壁13の高さは、図７に示すように、l1
＋l2とする。l1は原料反発板16の上面から仕切壁13の上
端までの高さで、上段ホッパー２からの装入原料が空所
イで原料反発板16によりはね返されて仕切壁13からオー
バーフローしないように定める。l2は仕切壁13の下端か
ら原料反発板16の上面までの高さで、環状の間隙部S1を
通過した原料が空所ロに落下する際大きく飛散せず、整
流効果を持たせることができるように定める。The height of the partition wall 13 is l 1 as shown in FIG.
+ L 2 l 1 is the height from the upper surface of the raw material repulsion plate 16 to the upper end of the partition wall 13 so that the raw material charged from the upper hopper 2 is not repelled by the raw material repulsion plate 16 and overflows from the partition wall 13 in a vacant space. Establish. l 2 is the height from the lower end of the partition wall 13 to the upper surface of the raw material repulsion plate 16, and the raw material that has passed through the annular gap S 1 does not greatly scatter when falling into the empty space b, and has a rectifying effect. To be able to
【００２９】上述の原料装入装置においては、原料反発
板として仕切壁13との間に環状の間隙部S1を設けた原料
反発板16を用いた例を示したが、図９に示すように、原
料排出時に原料が通過できる複数個の開孔S2が設けられ
た原料反発板16′を用いてもよい。仕切壁13との間に環
状の間隙部S1を設けた原料反発板16を用いる場合は、空
所イの原料が間隙部S1を通過した後、原料反発板16の上
側に原料の安息角に相当する円錐状の原料滞留が生じ
て、ホッパー５の有効容積を十分活用しないこととなる
が、図９に示した原料反発板16′を用いた場合は、その
上に滞留する原料の量が減少するので、そのような欠点
をかなり解消することができる。なお、このような原料
反発板16′を用いても、図７に示した原料反発板16を用
いる場合とほぼ同様の効果を得ることができる。In the above-mentioned raw material charging device, the raw material repulsion plate 16 having the annular gap S 1 between the partition wall 13 and the raw material repulsion plate 16 is used as an example, but as shown in FIG. Alternatively, a raw material repulsion plate 16 ′ provided with a plurality of openings S 2 through which the raw material can pass when discharging the raw material may be used. When using a material rebound plate 16 provided with a gap portion S 1 of the annular between the partition wall 13, after the material of the cavity b has passed the gap portion S 1, rest of the material above the material rebound plate 16 Conical raw material retention corresponding to the corners occurs, and the effective volume of the hopper 5 is not fully utilized. However, when the raw material repulsion plate 16 'shown in FIG. Since the quantity is reduced, such drawbacks can be largely eliminated. Even if such a raw material repulsion plate 16 'is used, it is possible to obtain substantially the same effect as when the raw material repulsion plate 16 shown in FIG. 7 is used.
【００３０】開孔S2の大きさは前述のS1と同じ考え方に
基づいて定めればよく、空所イに充填される原料の最大
粒径の約６倍の寸法を確保すれば原料の安定した排出が
可能である。開孔S2の数は、原料反発板16′の上に原料
が極力滞留しないようにするために、開孔寸法S2に相当
する距離を離して多数設けたほうがよい。The size of the opening S 2 may be determined based on the same concept as that of S 1 described above. Stable discharge is possible. The number of apertures S 2, to the raw material on the raw material rebound plate 16 'is prevented as much as possible the residence, is better provided many at a distance corresponding to the aperture size S 2.
【００３１】上記の原料装入装置を用いて本発明方法を
実施する際の手順、ならびにその時の下段ホッパー内原
料の挙動について、図10および図６に基づき説明する。The procedure for carrying out the method of the present invention using the above-mentioned raw material charging device and the behavior of the raw material in the lower hopper at that time will be described with reference to FIGS. 10 and 6.
【００３２】まず、下段ホッパー５への原料装入時にお
いては、ホッパー５の底部の原料コントロールゲート６
を“閉”とし、上部シール弁４を“開”にしてから上部
ゲート３を全開にする。上段ホッパー２の原料は、前記
の図２で述べたように、初期には細粒Ａ、次いで中粒
Ｂ、末期には粗粒Ｃの順で排出されるので、最初は細粒
Ａが下段ホッパー５内の円筒形状仕切壁13と原料反発板
16とで整流、混合されて仕切壁13と原料反発板16との間
隙を通過し、空所ロ内に堆積する（図10の(a) 参照）。
次いで、中粒Ｂも同様に、整流、混合されて空所ロ内の
細粒Ａの上に堆積する（図10の(b) 参照）。同様に排出
末期の粗粒Ｃも空所ロ内に堆積する（図10の(c) 参
照）。上記の装入、充填工程では、各々の粒径（細粒、
中粒、粗粒）毎に空所ロで再分級（自然分級）される。First, when charging the raw material into the lower hopper 5, the raw material control gate 6 at the bottom of the hopper 5 is used.
Is closed, the upper seal valve 4 is opened, and the upper gate 3 is fully opened. As described above with reference to FIG. 2, the raw materials of the upper hopper 2 are discharged in the order of fine particles A, then medium particles B, and coarse particles C in the final stage, so that the fine particles A are initially discharged. Cylindrical partition wall 13 in hopper 5 and material repulsion plate
It is rectified and mixed by 16 and passes through the gap between the partition wall 13 and the raw material repulsion plate 16 and is deposited in the void (see (a) of FIG. 10).
Next, similarly, the medium particles B are rectified and mixed and deposited on the fine particles A in the void (see FIG. 10 (b)). Similarly, coarse particles C at the end of discharge are also deposited in the void (see (c) of Fig. 10). In the above charging and filling steps, each particle size (fine particle,
Reclassification (natural classification) is performed for each of the medium and coarse particles in the empty space.
【００３３】次に、下段ホッパー５からの原料排出時に
は、下段ホッパー５の原料コントロールゲート６を
“開”にすると、その開孔直上部にある空所ロ内の原料
「ア」がファンネルフローとなって優先的に排出される
（図10の(d) 参照）。「ア」の排出が完了し、排出中期
においては、原料「イ」が最上層から順に流れ込みファ
ンネルフローとなって各粒径の原料が混合しながら排出
される（図10の(e) 参照）。排出末期には、ホッパー５
の側壁周辺に堆積している原料「ウ」がホッパー斜面5a
に沿って各粒径の原料が混合しながら排出される（図10
の(f) 参照）。Next, at the time of discharging the raw material from the lower hopper 5, the raw material control gate 6 of the lower hopper 5 is set to "open", and the raw material "a" in the empty space immediately above the opening has a funnel flow. And is discharged preferentially (see (d) in Figure 10). The discharge of “a” is completed, and in the middle of discharge, the raw material “a” flows from the uppermost layer in order and becomes a funnel flow, and the raw materials of each particle size are mixed and discharged (see (e) in FIG. 10). .. At the end of discharge, hopper 5
The raw material "U" accumulated around the side wall of the hopper slopes 5a
The raw materials of each particle size are mixed and discharged along the
(See (f)).
【００３４】図11は上記の下段ホッパー５からの原料排
出時の粒径の経時変化を模式的に示す図であり、図12は
実機の1/10の縮尺を有する実験装置で調査した焼結鉱の
排出時の粒径の経時変化を示す図である。これらの図に
示されるように、円筒形状仕切壁13と原料反発板16の組
合わせによる整流、混合効果により、ホッパー５からの
原料排出時の粒径の経時変化は「フラットパターン」と
なる。なお、図11、図12における横軸と縦軸は図３の場
合と同様に定めたものである。FIG. 11 is a diagram schematically showing the time-dependent change of the particle size when the raw material is discharged from the lower hopper 5, and FIG. 12 is the sintering examined by the experimental apparatus having a scale of 1/10 of the actual machine. It is a figure which shows the time-dependent change of the particle size at the time of discharge of ore. As shown in these figures, due to the rectifying and mixing effects of the combination of the cylindrical partition wall 13 and the raw material repulsion plate 16, the time-dependent change in the particle size when the raw material is discharged from the hopper 5 becomes a "flat pattern". The horizontal and vertical axes in FIGS. 11 and 12 are defined in the same manner as in FIG.
【００３５】以上述べたように、本発明の原料装入方法
を適用すれば、下段ホッパーから炉内へ装入される原料
の粒径の経時的変化は「フラットパターン」となるた
め、この原料を分配シュートにより炉内へ装入すると、
その粒径分布は、図５(a) に示すように、半径方向に均
一になり、Ｖ型で炉芯側に流れ込みがあっても粒径の偏
析は極めて少ないので、高炉内のガスの流れは安定化す
る。As described above, when the raw material charging method of the present invention is applied, the change over time in the particle size of the raw material charged into the furnace from the lower hopper becomes a "flat pattern". Is charged into the furnace by a distribution chute,
As shown in Fig. 5 (a), the particle size distribution is uniform in the radial direction, and even if there is a V-shaped inflow to the core side, segregation of the particle size is extremely small, so the gas flow in the blast furnace Stabilizes.
【００３６】高炉内のガス流分布を制御するために、装
入原料の粒径分布の制御と、炉内に順序装入する鉱石
（焼結鉱18）とコークス19の層厚制御とが行われている
（図５(a) 参照）が、鉱石とコークスの層厚の制御はマ
イクロ波式プロフィール計等を用いることにより比較的
容易に行われるようになってきた。従って、本発明方法
を適用すれば、炉内装入原料の粒径分布の制御について
は多大な配慮を払うことを要せず、分配シュートの傾
動、旋回機構を駆使して炉内装入原料の層厚のみを制御
することにより炉内ガス流分布の制御が可能になるの
で、炉の安定操業が容易となり、燃料比の低減に大きく
寄与することができる。In order to control the gas flow distribution in the blast furnace, the particle size distribution of the charging raw material is controlled, and the layer thickness of the ore (sintered ore 18) and the coke 19 which are sequentially charged into the furnace are controlled. However, it has become relatively easy to control the layer thickness of ore and coke by using a microwave profiler. Therefore, when the method of the present invention is applied, it is not necessary to pay much attention to the control of the particle size distribution of the raw material for the furnace interior, and the tilt of the distribution chute and the layer of the raw material for the furnace interior can be used by making full use of the turning mechanism. Since the gas flow distribution in the furnace can be controlled by controlling only the thickness, stable operation of the furnace can be facilitated and it can greatly contribute to the reduction of the fuel ratio.
【００３７】[0037]
【発明の効果】炉頂に原料ホッパーが上、下２段に配置
された単ポート式センターフィード型ベルレス炉頂装入
装置を有するベルレス高炉において、本発明方法を適用
して炉内に原料を装入することにより、炉内の半径方向
における粒度分布を的確に制御することができる。すな
わち、下段ホッパーから炉内に装入される原料の粒径の
経時的変化を「フラットパターン」とすることができ、
炉内装入物の粒径分布は半径方向において均一となる。
その結果、高炉内のガス流分布を適正に制御することが
可能となり、高炉の安定操業および燃料比の低減という
効果が得られる。INDUSTRIAL APPLICABILITY In a bellless blast furnace having a single port type center feed type bellless furnace top charging device in which upper and lower raw material hoppers are arranged at the top of the furnace, the method of the present invention is applied to feed the raw materials into the furnace. By charging, the particle size distribution in the radial direction in the furnace can be accurately controlled. That is, the change over time in the particle size of the raw material charged into the furnace from the lower hopper can be made into a "flat pattern",
The particle size distribution of the contents inside the furnace becomes uniform in the radial direction.
As a result, it becomes possible to properly control the gas flow distribution in the blast furnace, and the effects of stable operation of the blast furnace and reduction of the fuel ratio can be obtained.
【００３８】このような粒度分布の制御は、本発明の装
置を用いれば、容易に行うことができる。Such control of particle size distribution can be easily performed by using the apparatus of the present invention.
【図１】単ポート式センターフィード型ベルレス炉頂装
入装置の一例の構成を示す概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram showing a configuration of an example of a single-port type center-feed type bellless furnace top charging device.
【図２】単ポート式センターフィード型ベルレス炉頂装
入装置の上段および下段ホッパーにおける原料排出挙動
を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a raw material discharge behavior in upper and lower hoppers of a single-port type center-feed type bellless furnace top charging device.
【図３】上段ホッパーから排出される原料の粒径の経時
変化パターンを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a temporal change pattern of a particle size of a raw material discharged from an upper hopper.
【図４】下段ホッパーから排出される原料の粒径の経時
変化パターンを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a temporal change pattern of a particle diameter of a raw material discharged from a lower hopper.
【図５（ａ）】本発明方法を実施した時の炉内半径方向
における原料の粒度分布を模式的に示す図である。FIG. 5 (a) is a diagram schematically showing a particle size distribution of a raw material in a furnace radial direction when the method of the present invention is carried out.
【図５（ｂ）】従来の方法による場合の炉内半径方向に
おける原料の粒度分布を模式的に示す図である。FIG. 5 (b) is a diagram schematically showing the particle size distribution of the raw material in the radial direction in the furnace in the case of the conventional method.
【図６】本発明の原料装入装置の一例の構成を示す縦断
面概略図である。FIG. 6 is a schematic vertical cross-sectional view showing the configuration of an example of the raw material charging device of the present invention.
【図７】本発明の原料装入装置の一例を示す図で、図６
の一部の拡大縦断面図である。FIG. 7 is a view showing an example of a raw material charging device of the present invention, and FIG.
FIG. 4 is an enlarged vertical sectional view of a part of
【図８】本発明の原料装入装置の一例を示す図で、図７
のＩ−Ｉ矢視断面図である。8 is a diagram showing an example of a raw material charging apparatus of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a sectional view taken along line I-I of FIG.
【図９（ａ）】本発明の原料装入装置に取り付ける原料
反発板の他の例を示す拡大縦断面図である。FIG. 9 (a) is an enlarged vertical sectional view showing another example of the raw material repulsion plate attached to the raw material charging device of the present invention.
【図９（ｂ）】本発明の原料装入装置に取り付ける原料
反発板の他の例を示す図で、図９（ａ）のII−II矢視断
面図である。9 (b) is a view showing another example of the raw material repulsion plate attached to the raw material charging device of the present invention, which is a sectional view taken along the line II-II of FIG. 9 (a).
【図１０】本発明方法を適用した場合の下段ホッパーに
おける原料の堆積および排出挙動を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram showing the deposition and discharge behavior of the raw material in the lower hopper when the method of the present invention is applied.
【図１１】本発明方法を適用した場合の下段ホッパーか
ら排出される原料の粒径の経時変化パターンを示す模式
図である。FIG. 11 is a schematic diagram showing a temporal change pattern of the particle size of the raw material discharged from the lower hopper when the method of the present invention is applied.
【図１２】実機に対する縮尺が１／10の実験装置を用い
て本発明方法を適用した場合の下段ホッパーから排出さ
れる原料の粒径の経時変化パターンを示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a temporal change pattern of the particle size of the raw material discharged from the lower hopper when the method of the present invention is applied using an experimental apparatus having a scale of 1/10 with respect to an actual machine.
Claims (2)
ポート式センターフィード型ベルレス炉頂装入装置によ
り原料を炉内に装入するに際し、下段ホッパー内に設け
られたこのホッパーの軸芯と同軸の円筒形状もしくは多
角面筒形状の仕切壁で仕切られ、かつ、この仕切壁によ
って形成される中央部の空所の中心部に、前記仕切壁と
の間に環状の間隙部を有し、その大きさと高さを調節す
ることの可能な原料反発板、もしくは、原料排出時に原
料が通過できる複数個の開孔が設けられた原料反発板が
設けられているその中央部の空所に、上段ホッパーから
原料を装入し、原料反発板と仕切壁との間の環状の間隙
部、もしくは、原料反発板に設けられた複数個の開孔を
通過させて下段ホッパー内に原料を装入、充填した後、
下段ホッパー底部のゲートを“開”にして原料を炉内に
装入することを特徴とするベルレス高炉における原料装
入方法。1. When charging a raw material into a furnace by means of a single-port type center feed type bellless furnace top charging device in which the raw material hopper is installed in the upper and lower two stages, this hopper of the lower hopper is provided. It is partitioned by a cylindrical or polygonal cylindrical partition wall that is coaxial with the shaft core, and at the center of the central space formed by this partition wall, an annular gap is formed between it and the partition wall. The material repulsion plate having the size and height of the material repulsion plate or the material repulsion plate having a plurality of openings through which the material can pass when discharging the material is provided in the central portion of the space. The raw material is charged into the lower hopper from the upper hopper and passed through the annular gap between the raw material repulsion plate and the partition wall, or through the multiple holes provided in the raw material repulsion plate. After charging and filling,
A raw material charging method in a bellless blast furnace, characterized in that the gate at the bottom of the lower hopper is "opened" and the raw material is charged into the furnace.
ポート式センターフィード型ベルレス炉頂装入装置の下
段ホッパー内に、このホッパーの軸芯と同軸の円筒形状
もしくは多角面筒形状の仕切壁と、この仕切壁で仕切ら
れた中央部空所の中心部に、前記仕切壁との間に環状の
間隙部を有し、その大きさと高さを調節することの可能
な原料反発板、もしくは、原料排出時に原料が通過でき
る複数個の開孔が設けられた原料反発板が設けられてい
ることを特徴とするベルレス高炉における原料装入装
置。2. A cylindrical or polygonal cylindrical shape coaxial with the axis of the hopper in a lower hopper of a single-port type center feed type bellless furnace top charging device in which raw material hoppers are installed in upper and lower two stages. At the center of the partition wall and the central empty space partitioned by the partition wall, there is an annular gap between the partition wall and the partition wall, and the material repulsion whose size and height can be adjusted. A raw material charging device in a bellless blast furnace, which is provided with a plate or a raw material repulsion plate having a plurality of openings through which raw material can pass when discharging raw material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3225444A JP2770616B2 (en) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | Raw material charging method and apparatus for bellless blast furnace |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP3225444A JP2770616B2 (en) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | Raw material charging method and apparatus for bellless blast furnace |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0565513A true JPH0565513A (en) | 1993-03-19 |
| JP2770616B2 JP2770616B2 (en) | 1998-07-02 |
Family
ID=16829458
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3225444A Expired - Lifetime JP2770616B2 (en) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | Raw material charging method and apparatus for bellless blast furnace |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770616B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016108619A (en) * | 2014-12-08 | 2016-06-20 | Ｊｆｅスチール株式会社 | Particle size selector and raw material charging apparatus and raw material charging method to blast furnace |
Citations (2)
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| JPS60251208A (en) * | 1984-05-26 | 1985-12-11 | Nippon Steel Corp | Method for charging raw material to blast furnace |
| JPS61157604A (en) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Introducting method of raw material for blast furnace |
-
1991
- 1991-09-05 JP JP3225444A patent/JP2770616B2/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2770616B2 (en) | 1998-07-02 |
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