JPH0565589B2 - - Google Patents
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- JPH0565589B2 JPH0565589B2 JP10051884A JP10051884A JPH0565589B2 JP H0565589 B2 JPH0565589 B2 JP H0565589B2 JP 10051884 A JP10051884 A JP 10051884A JP 10051884 A JP10051884 A JP 10051884A JP H0565589 B2 JPH0565589 B2 JP H0565589B2
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
- C23C16/463—Cooling of the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、成膜装置の基板電極構造に係り、特
に真空中で基板の表面に薄膜を形成させる成膜装
置の基板電極構造に関する。
に真空中で基板の表面に薄膜を形成させる成膜装
置の基板電極構造に関する。
基板上に薄膜を形成する方法の一つとして、真
空中で基板上に薄膜を気相成長させる化学蒸着を
利用した方法があるが、そのための成膜装置は、
真空室内に原料ガス制御部と反応室部を備えてお
り、反応室部では基板を加熱する手段が採られて
いる。
空中で基板上に薄膜を気相成長させる化学蒸着を
利用した方法があるが、そのための成膜装置は、
真空室内に原料ガス制御部と反応室部を備えてお
り、反応室部では基板を加熱する手段が採られて
いる。
従来、このような成膜装置の基板電極構造とし
ては、第１図に示すようなものが知られている。
１は基板電極で、フランジ９によつて大気とシー
ルされて真空容器壁４に固定されることにより、
真空容器内に配設されている。基板電極１の内部
には複数のヒータ２が埋設してある。このヒータ
２は、真空用フランジ３を介して真空容器壁４の
外部の大気中で、電源５と接続している。基板電
極１上には、薄膜を形成すべき基板（図示せず）
が配置されており、この基板はヒータ２で加熱さ
れる。また、基板電極１の内部には、基板の温度
状態を検知するための温度検出素子６が埋設して
ある。この温度検出素子６は電線７ａ，７ｂによ
り真空用フランジ３を通つて温度測定器８と接続
している。
ては、第１図に示すようなものが知られている。
１は基板電極で、フランジ９によつて大気とシー
ルされて真空容器壁４に固定されることにより、
真空容器内に配設されている。基板電極１の内部
には複数のヒータ２が埋設してある。このヒータ
２は、真空用フランジ３を介して真空容器壁４の
外部の大気中で、電源５と接続している。基板電
極１上には、薄膜を形成すべき基板（図示せず）
が配置されており、この基板はヒータ２で加熱さ
れる。また、基板電極１の内部には、基板の温度
状態を検知するための温度検出素子６が埋設して
ある。この温度検出素子６は電線７ａ，７ｂによ
り真空用フランジ３を通つて温度測定器８と接続
している。
このような基板電極構造において、電源５によ
つてヒータ２に電圧を印加すると、ヒータ２は発
熱し基板電極１は加熱される。そして、基板電極
１上に配置した基板も加熱されることとなる。基
板電極１の温度は、温度検出素子６で検知されて
おり、温度測定器８が所望の基準温度Ｔを感知す
ると、ヒータ２に対する電圧供給を断つ様になつ
ている。
つてヒータ２に電圧を印加すると、ヒータ２は発
熱し基板電極１は加熱される。そして、基板電極
１上に配置した基板も加熱されることとなる。基
板電極１の温度は、温度検出素子６で検知されて
おり、温度測定器８が所望の基準温度Ｔを感知す
ると、ヒータ２に対する電圧供給を断つ様になつ
ている。
ところが、従来の基板電極構造では、基板電極
１の１点の温度しか監視しておらずしかも基板電
極１内部のヒータ２からの熱放出率は一様ではな
く場所によつて異なるために、基板電極１の全面
に渡つて基準温度Ｔである保障は得られなかつ
た。この為、基板の均一な加熱が期待できないと
いう欠点を有していた。
１の１点の温度しか監視しておらずしかも基板電
極１内部のヒータ２からの熱放出率は一様ではな
く場所によつて異なるために、基板電極１の全面
に渡つて基準温度Ｔである保障は得られなかつ
た。この為、基板の均一な加熱が期待できないと
いう欠点を有していた。
本発明の目的は、基板の全面に渡つて高品質で
均一な薄膜を形成するために、基板を均一に加熱
するとともに高い精度で温度を制御することを可
能ならしめる薄膜形成装置提供することにある。
均一な薄膜を形成するために、基板を均一に加熱
するとともに高い精度で温度を制御することを可
能ならしめる薄膜形成装置提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、
基板電極内部に複数のヒータとそれらの一群と対
をなす温度検出体をそれぞれ分散して埋設すると
ともに、各ヒータと略対を成す冷却溝を基板電極
内部に設け、各ヒータの温度並びに各冷却溝に流
す冷却用媒体の流量をそれぞれ個別に制御するよ
うにした薄膜形成装置を提供する。
基板電極内部に複数のヒータとそれらの一群と対
をなす温度検出体をそれぞれ分散して埋設すると
ともに、各ヒータと略対を成す冷却溝を基板電極
内部に設け、各ヒータの温度並びに各冷却溝に流
す冷却用媒体の流量をそれぞれ個別に制御するよ
うにした薄膜形成装置を提供する。
以下、本発明の一実施例を第２図及び第３図に
よつて説明する。
よつて説明する。
真空室１１内には、基板電極１２と高周波電極
２６が収容され、基板電極１２はフランジ２０に
よつて真空室１１にシールして固着され、電極板
３０を備えた高周波電極２６はフランジ２９によ
つて真空室１１にシールして固着されている。高
周波電極２９と基板電極１２には、高周波電源３
３から高周波電圧が印加されている。真空室１１
内は排気口３２ａ，３２ｂを介して図示しない排
気系によつて排気され、高真空状態になる構造に
なつている。
２６が収容され、基板電極１２はフランジ２０に
よつて真空室１１にシールして固着され、電極板
３０を備えた高周波電極２６はフランジ２９によ
つて真空室１１にシールして固着されている。高
周波電極２９と基板電極１２には、高周波電源３
３から高周波電圧が印加されている。真空室１１
内は排気口３２ａ，３２ｂを介して図示しない排
気系によつて排気され、高真空状態になる構造に
なつている。
基板電極１２内には、外側ヒータ１３ａ，１３
ｂ，１３ｃと内側ヒータ１４ａ，１４ｂが第３図
に示す様に埋設され、更には外側ヒータ１３ａと
１３ｂの間に温度検出素子１５ａが埋設され、内
側ヒータ１４ａと１４ｂの間には温度検出素子１
５ｂが埋設されている。又、基板電極１２には、
外側ヒータ１３ａ，１３ｂ，１３ｃと内側ヒータ
１４ａ，１４ｂに対向して冷却ガス導入溝１６
ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂが設けられている。
冷却ガス導入溝１６ａ，１６ｂ，は互いに連通し
ており（図示せず）、ガス導入パイプ１８ａによ
つて冷却ガスを導入し、ガス排出パイプ１８ｂに
よつて排出する構造になつている。同様に、冷却
ガス導入溝１７ａ，１７ｂも互いに連通しており
（図示せず）ガス導入パイプ１９ａによつて冷却
ガスを導入し、ガス排出パイプ１９ｂによつて排
出する構造になつている。ガス導入パイプ１８
ａ，１９ａとガス導出パイプ１８ｂ，１９ｂは、
第２図に示す様に真空用フランジ２１を介して大
気側に導出され、ガス導入パイプ１８ａ，１９ａ
に流すガス流量はそれぞれガス流量調整器２５
ａ，２５ｂによつて調整される様になつている。
又、各外側ヒータ１３ａ，１３ｂ，１３ｃは外側
ヒータ用の電源２２ａからの電力により加熱さ
れ、各内側ヒータ１４ａ，１４ｂは内側ヒータ用
の電源２２ｂからの電力により加熱される。又、
各温度検出素子１５ａ，１５ｂの出力は、それぞ
れ第２図に示す温度検出器２３ａ，２３ｂに入力
される。各外側ヒータ１３ａ，１３ｂ，１３ｃと
電源２２ａを結ぶ電力線及び内側ヒータ１４ａ，
１４ｂと電源２２ｂを結ぶ電力線及び各温度検出
素子１５ａ，１５ｂと温度検出器２３ａ，２３ｂ
を結ぶ信号線は、それぞれ第２図及び第３図に示
す様に、真空用フランジ２１を介して大気側に導
出されている。温度検出器２３ａ，２３ｂの出力
信号は、温度制御器２４に入力され、温度制御器
２４は電源２２ａ，２２ｂとガス流量調整器２５
ａ，２５ｂに制御信号を出力する。
ｂ，１３ｃと内側ヒータ１４ａ，１４ｂが第３図
に示す様に埋設され、更には外側ヒータ１３ａと
１３ｂの間に温度検出素子１５ａが埋設され、内
側ヒータ１４ａと１４ｂの間には温度検出素子１
５ｂが埋設されている。又、基板電極１２には、
外側ヒータ１３ａ，１３ｂ，１３ｃと内側ヒータ
１４ａ，１４ｂに対向して冷却ガス導入溝１６
ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂが設けられている。
冷却ガス導入溝１６ａ，１６ｂ，は互いに連通し
ており（図示せず）、ガス導入パイプ１８ａによ
つて冷却ガスを導入し、ガス排出パイプ１８ｂに
よつて排出する構造になつている。同様に、冷却
ガス導入溝１７ａ，１７ｂも互いに連通しており
（図示せず）ガス導入パイプ１９ａによつて冷却
ガスを導入し、ガス排出パイプ１９ｂによつて排
出する構造になつている。ガス導入パイプ１８
ａ，１９ａとガス導出パイプ１８ｂ，１９ｂは、
第２図に示す様に真空用フランジ２１を介して大
気側に導出され、ガス導入パイプ１８ａ，１９ａ
に流すガス流量はそれぞれガス流量調整器２５
ａ，２５ｂによつて調整される様になつている。
又、各外側ヒータ１３ａ，１３ｂ，１３ｃは外側
ヒータ用の電源２２ａからの電力により加熱さ
れ、各内側ヒータ１４ａ，１４ｂは内側ヒータ用
の電源２２ｂからの電力により加熱される。又、
各温度検出素子１５ａ，１５ｂの出力は、それぞ
れ第２図に示す温度検出器２３ａ，２３ｂに入力
される。各外側ヒータ１３ａ，１３ｂ，１３ｃと
電源２２ａを結ぶ電力線及び内側ヒータ１４ａ，
１４ｂと電源２２ｂを結ぶ電力線及び各温度検出
素子１５ａ，１５ｂと温度検出器２３ａ，２３ｂ
を結ぶ信号線は、それぞれ第２図及び第３図に示
す様に、真空用フランジ２１を介して大気側に導
出されている。温度検出器２３ａ，２３ｂの出力
信号は、温度制御器２４に入力され、温度制御器
２４は電源２２ａ，２２ｂとガス流量調整器２５
ａ，２５ｂに制御信号を出力する。
一方、高周波電極２６には、反応ガス用ボンベ
２８から反応ガス導入管２７を介して反応ガスが
導入され、電極板３０に設けられた多数のガス噴
出口３１から噴出される。
２８から反応ガス導入管２７を介して反応ガスが
導入され、電極板３０に設けられた多数のガス噴
出口３１から噴出される。
以上の構成より成る成膜装置において、排気口
３２ａ，３２ｂから排気して真空室１１を所定の
気圧にした後、反応ガスボンベ２８から反応ガス
導入管２７を通して反応ガスを供給すると、反応
ガスは電極板３０のガス噴出口３１から一様な流
れとなつて基板電極１２に達する。ここで高周波
電源３３により高周波電圧を印加すると、高周波
電極２６と基板電極１２との間にプラズマが発生
し、励起された反応ガスの一部が基板電極１２上
の基板（図示せず）表面に付着して薄膜を形成す
る。その際、本実施例によれば、基板（図示せ
ず）は基板電極１２に埋設された外側ヒータ１３
ａ，１３ｂ，１３ｃ及び内側ヒータ１４ａ，１４
ｂにより苛烈され、温度検出素子１５ａ，１５ｂ
により温度が検出される。外側ヒータ１３ａ，１
３ｂ，１３ｃと内側ヒータ１４ａ，１４ｂとはそ
れぞれ別個の電源２２ａ及び２２ｂとにより加熱
され、温度検出器２３ａ，２３ｂの検出値が所定
の値となるように温度制御器２４からの制御信号
によりヒータ電源２２ａ及び２２ｂが制御され
る。更に外側ヒータ１３ａ，１３ｂ，１３ｃに対
応する位置にある冷却ガス導入溝１６ａ，１６ｂ
と内側ヒータ１４ａ，１４ｂに対応する位置にあ
る冷却ガス導入溝１７ａ，１７ｂとには別個に冷
却ガスが導入される。流量調整器２５ａ及び２５
ｂはそれぞれ温度制御器２４からの制御信号を受
け、冷却ガスの流量を調整して、基板電極１２の
冷却を制御する。
３２ａ，３２ｂから排気して真空室１１を所定の
気圧にした後、反応ガスボンベ２８から反応ガス
導入管２７を通して反応ガスを供給すると、反応
ガスは電極板３０のガス噴出口３１から一様な流
れとなつて基板電極１２に達する。ここで高周波
電源３３により高周波電圧を印加すると、高周波
電極２６と基板電極１２との間にプラズマが発生
し、励起された反応ガスの一部が基板電極１２上
の基板（図示せず）表面に付着して薄膜を形成す
る。その際、本実施例によれば、基板（図示せ
ず）は基板電極１２に埋設された外側ヒータ１３
ａ，１３ｂ，１３ｃ及び内側ヒータ１４ａ，１４
ｂにより苛烈され、温度検出素子１５ａ，１５ｂ
により温度が検出される。外側ヒータ１３ａ，１
３ｂ，１３ｃと内側ヒータ１４ａ，１４ｂとはそ
れぞれ別個の電源２２ａ及び２２ｂとにより加熱
され、温度検出器２３ａ，２３ｂの検出値が所定
の値となるように温度制御器２４からの制御信号
によりヒータ電源２２ａ及び２２ｂが制御され
る。更に外側ヒータ１３ａ，１３ｂ，１３ｃに対
応する位置にある冷却ガス導入溝１６ａ，１６ｂ
と内側ヒータ１４ａ，１４ｂに対応する位置にあ
る冷却ガス導入溝１７ａ，１７ｂとには別個に冷
却ガスが導入される。流量調整器２５ａ及び２５
ｂはそれぞれ温度制御器２４からの制御信号を受
け、冷却ガスの流量を調整して、基板電極１２の
冷却を制御する。
以上のように、分割した外側ヒータ１３ａ，１
３ｂ，１３ｃと内側ヒータ１４ａ，１４ｂへの印
加電圧及び冷却ガス導入溝１６ａ，１６ｂ，１７
ａ，１７ｂへの冷却ガス導入量を、温度検出素子
１５ａ，１５ｂで検出した値に基き、それぞれ個
別に制御することにより、基板電極１２上に取付
けた基板の表面温度を、より均一にしかも精度良
く保つことが可能になる。
３ｂ，１３ｃと内側ヒータ１４ａ，１４ｂへの印
加電圧及び冷却ガス導入溝１６ａ，１６ｂ，１７
ａ，１７ｂへの冷却ガス導入量を、温度検出素子
１５ａ，１５ｂで検出した値に基き、それぞれ個
別に制御することにより、基板電極１２上に取付
けた基板の表面温度を、より均一にしかも精度良
く保つことが可能になる。
尚、本実施例では、反応ガスを用いた例を示し
たが、本発明は基板を加熱して成膜する方法には
全てに適用することができ、またヒータ及び冷却
ガス溝の分割数を多くすることにより、高精度の
温度制御が得られる。
たが、本発明は基板を加熱して成膜する方法には
全てに適用することができ、またヒータ及び冷却
ガス溝の分割数を多くすることにより、高精度の
温度制御が得られる。
本発明の薄膜形成装置によれば、薄膜を形成す
る基板面の温度を高精度で制御できるとともに広
範囲にわたり温度分布を均一にできるので、膜質
の向上、広範囲にわたる膜特性の均一性および膜
厚分布の均一性をはかることができる。
る基板面の温度を高精度で制御できるとともに広
範囲にわたり温度分布を均一にできるので、膜質
の向上、広範囲にわたる膜特性の均一性および膜
厚分布の均一性をはかることができる。
第１図は従来の成膜装置の基板電極構造を示す
断面図、第２図は本発明の一実施例に係る基板電
極を装備した成膜装置の基本構成を示す構成図、
第３図は第２図の基板電極部の構造を示す拡大断
面図である。 １２……基板電極、１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，
１４ａ，１４ｂ……ヒータ、１５ａ，１５ｂ…温
度検出素子、１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ…
…冷却ガス導入溝、２２ａ，２２ｂ……電源、２
３ａ，２３ｂ……温度検出器、２４……温度制御
器、２５ａ，２５ｂ……ガス流量調整器。
断面図、第２図は本発明の一実施例に係る基板電
極を装備した成膜装置の基本構成を示す構成図、
第３図は第２図の基板電極部の構造を示す拡大断
面図である。 １２……基板電極、１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，
１４ａ，１４ｂ……ヒータ、１５ａ，１５ｂ…温
度検出素子、１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ…
…冷却ガス導入溝、２２ａ，２２ｂ……電源、２
３ａ，２３ｂ……温度検出器、２４……温度制御
器、２５ａ，２５ｂ……ガス流量調整器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空処理室の内部で被処理基板の表面に薄膜
を形成する薄膜形成装置において、前記真空処理
室に、前記被処理基板を載置し内部に複数の加熱
手段と複数の冷却手段と複数の温度検出手段とを
有する基板電極を設け、前記真空処理室の外部
に、前記複数の加熱手段と前記複数の冷却手段と
前記複数の温度検出手段とに接続する温度制御手
段を設け、前記複数の温度検出手段の検出結果に
基づいて前記温度制御手段で前記複数の加熱手段
及び前記複数の冷却手段を制御することにより前
記基板電極を所定の温度及び温度分布に維持する
ことを特徴とする薄膜形成装置。 ２ 前記制御手段は、前記複数の温度検出手段で
検出した前記基板電極の温度データに基づき、前
記複数の加熱手段の加熱量を個々に制御し、及
び／又は、前記複数の冷却手段の冷却量を個々に
制御することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の薄膜形成装置。 ３ 前記複数の加熱手段は、前記基板電極の中央
部付近に埋設された第１の複数のヒータと、該第
１の複数のヒータの外側に埋設された第２の複数
のヒータとから成り、前記複数の冷却手段は前記
第１の複数のヒータの近傍に設けた冷却媒体を流
すための第１の流路部と、前記第２の複数のヒー
タの近傍に設けた冷却媒体を流すための第２の流
路部とから成ることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の薄膜形成装置。 ４ 前記複数の温度検出手段は、前記基板電極の
内部において、少なくとも、前記第１の複数のヒ
ータと前記第１の流路部とに隣接する位置に埋設
された第１の温度検出部と、前記第２の複数のヒ
ータと前記第２の流路部とに隣接する位置に埋設
された第２の温度検出部とを備え、前記第１の温
度検出部と前記第２の温度検出部とにより前記基
板電極の内部の温度を検出することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10051884A JPS60245778A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10051884A JPS60245778A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245778A JPS60245778A (ja) | 1985-12-05 |
| JPH0565589B2 true JPH0565589B2 (ja) | 1993-09-20 |
Family
ID=14276170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10051884A Granted JPS60245778A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245778A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH09157846A (ja) * | 1995-12-01 | 1997-06-17 | Teisan Kk | 温度調節装置 |
| US6706541B1 (en) | 1999-10-20 | 2004-03-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling wafer uniformity using spatially resolved sensors |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP10051884A patent/JPS60245778A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60245778A (ja) | 1985-12-05 |
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