JPH0565653A

JPH0565653A - プラズマｃｖｄ装置

Info

Publication number: JPH0565653A
Application number: JP3227339A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Tetsuka; 勉手束; Takeshi Yoshioka; 健吉岡; Kenzo Shima; 健蔵島; Kazuo Suzuki; 和夫鈴木
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1991-09-06
Filing date: 1991-09-06
Publication date: 1993-03-19

Abstract

(57)【要約】【目的】プラズマＣＶＤ装置において、マイクロ波をモ
ード変換することなく拡げて大面積プラズマを空間分布
が一様に生成し、大口径試料を効率よく均一に薄膜を形
成する。【構成】拡がり角１０°〜２０°、好ましくは１５°の
円錐形状金属容器１の両端に真空封じを兼ねたマイクロ
波窓３，６を設けてその内部を減圧し、導入されたマイ
クロ波を大面積に拡げてからプラズマ発生室２に導入
し、電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを大面積で
板状に試料前面に生成する。また、マイクロ波窓３が試
料１０に平行かつ近接して位置するように試料支持台１
１を設置し、両者間の狭い領域に電磁コイル８によりプ
ラズマを板状に生成することにより、磁場コイル８も小
型でよくなり、製作コストおよび使用電力を節約する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はプラズマＣＶＤ装置に係
り、特に、マイクロ波放電により生成したプラズマを利
用し、大面試料に薄膜生成を一様に行うのに好適なプラ
ズマＣＶＤ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の磁場中のマイクロ波放電によるプ
ラズマを利用したプラズマＣＶＤ装置は、プラズマを生
成する放電室（プラズマ発生室）の構造の観点から、金
属製放電室タイプと誘電体製放電室タイプの２つに大き
く分けられる。金属製放電室タイプの場合、プラズマ発
生室がマイクロ波に対して共振空胴として働き、使用す
るマイクロ波の周波数が一定であれば、共振空胴の内径
寸法はその共鳴波長により決定され、ある値以上には大
きくできない。このため、均一処理される試料の大きさ
は、プラズマ発生室内径程度以下に限定される。

【０００３】金属製放電室タイプの公知例を図８により
説明する。図８は特開平１−９７３９９号公報に記載の
プラズマＣＶＤ装置の模式図である。この装置では、マ
イクロ波発生器３１で発生させたマイクロ波をテーパ管
４０で拡げてからマイクロ波空胴３３に伝播させる。マ
イクロ波空胴３３はプラズマ発生室３５を兼ね、気体導
入口３４より気体を導入し、電子サイクロトロン共鳴に
よってプラズマ発生室３５内にプラズマ３６を発生させ
る。このプラズマは外部磁場コイル３７によって発生さ
せた磁場に沿って基板３８に導かれ、反応性気体と反応
させて、支持台３９に載置された基板３８上に所望の薄
膜を形成させる。

【０００４】この公知例では、マイクロ波空胴３３が空
胴として成り立つためには、プラズマの引き出し口の内
径をマイクロ波の波長（基本モードで１２．２ｃｍ）の
半分以下程度にしなければならない。このため、均一プ
ラズマ処理の可能な試料径は、１０ｃｍ程度である。一
方、大口径試料に対応するために、マイクロ波空胴３３
によるプラズマ生成効率向上を犠牲にしてマイクロ波空
胴３３の径を大きくした場合、プラズマ発生領域全体に
磁場を印加するための外部磁場コイル３７の容量及び電
源容量がコイル径の２乗程度で増加するため、消費電力
の面からも不経済である。また、テーパ管４０でマイク
ロ波を大口径に拡げると、マイクロ波をマイクロ波空胴
３３へ導入するための誘電体製窓４１に加わる真空力が
増大するので、窓材の厚さをかなり厚くしなければなら
ない。従って、マイクロ波空胴へ入射するマイクロ波の
反射が増加すると同時に、大型誘電体製窓に対する安全
性も問題となる。

【０００５】なお、導波管をテーパ管にしてマイクロ波
を拡げる従来技術として関連するものに、特開昭６２−
２２４５号公報、特開平２−６２６４９号公報、特開平
２−８４２４９号公報、特開昭６３−１９３８３２号公
報等があるが、これらはいずれも上記公知例と同様に、
マイクロ波を大口径に拡げた場合、誘電体製窓でのマイ
クロ波の反射の増加及び誘電体製窓の安全性が問題とな
る。

【０００６】金属製放電室タイプの変形の公知例として
図９に示すものがある。図９は特開平２−１７３２６８
号公報に記載のプラズマＣＶＤ装置の模式図である。こ
の装置においては、マイクロ波発生器３１で発生させた
マイクロ波を導波管３２によりマイクロ波空胴３３に伝
播させてプラズマ発生室３５に導入し、気体導入口３４
より気体を導入し、電子サイクロトロン共鳴によってプ
ラズマ発生室３５内にプラズマ３６を発生させる。この
プラズマは外部磁場コイル３７によって発生させた磁場
に沿って基板３８に導かれ、反応性気体と反応させて、
支持台３９に載置された基板３８上に所望の薄膜を形成
させる。

【０００７】この公知例では、図８の上記公知例と同様
に、マイクロ波空胴３３の効果を高めるためにはプラズ
マ発生のためのマイクロ波取り出し口の径がマイクロ波
の波長の半分以下程度に制限されてしまい、大口径試料
を均一に処理できないという問題がある。

【０００８】金属製放電室タイプの他の変形の公知例と
して特開平１−２２２０５５号公報に記載のものがあ
る。この公知例では、プラズマ発生室のマイクロ波導入
部にホーン形の導波管を設け、この導波管でプラズマ発
生室に導入されたマイクロ波を拡げ、長尺の基体（試
料）上に薄膜を形成するようにしている。しかし、この
公知例では、放電空間でホーン形の導波管を設けている
ため、導波管に形成されるプラズマ発生領域もホーン形
状の分布となるので、試料に導かれるプラズマ流入量が
径方向位置によって異なり、上記公知例と同様に大口径
試料を均一に処理できないという問題がある。

【０００９】一方、誘電体製放電室タイプの場合には、
円筒形導波管の内部に設置された石英等の材料で製作さ
れたベルジャ放電管内にプラズマが発生される。従っ
て、大面積処理を行うためにプラズマ径を大きくする
と、強度的安全性の観点から石英等のベルジャ放電管の
板厚を厚くする必要があり、マイクロ波の反射率の増
大、放電管のコスト高、また、前記円筒形導波管の外部
に設置された磁場発生用コイル、及びその電源容量が増
大するため省エネルギーおよびコスト面で不経済である
等の問題がある。

【００１０】誘電体製放電室タイプの公知例を図１０に
示す。図１０は特開平１−１１１３３２号公報に記載の
プラズマ処理装置の模式図である。磁場コイル４５内に
設置された円筒形導波管４３内に導入されたマイクロ波
は、真空仕切を兼ねた放電管４４Ａにより形成されるプ
ラズマ発生室４４内に入射し、プラズマ発生室４４内に
プラズマを生成し、プラズマ発生室４４内に設置されて
いる試料４６をプラズマ処理するもので、この方式で
は、放電管４４Ａの径は、試料４６に比例して大きくし
なければならない。このため、放電管４４Ａ（一般には
石英）の真空力に対する強度上、放電管４４Ａの板厚を
かなり厚くしなければならない。このため、放電管４４
Ａのマイクロ波入射側は、反射波が増加すると同時に、
大型の放電管に対する安全性も問題となる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来技術はいずれも、大型の試料を処理するための大口
径均一プラズマ生成方法と、省エネルギー対策について
考慮されておらず、大口径試料を均一に処理することが
困難であるか、又は大口径試料を均一に処理する場合、
誘電体製窓又は放電管破損の危険性と、磁場コイルでの
消費電力の増加という問題があった。

【００１２】本発明の目的は、誘電体製窓に要求される
強度を低減すると共に、均一大口径のプラズマ生成を可
能とするプラズマＣＶＤ装置を提供することである。

【００１３】本発明の他の目的は、均一大口径のプラズ
マ生成を省エネルギーにて可能とするプラズマＣＶＤ装
置を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、放電ガスが導入され、放電空間を形成す
るプラズマ発生室と、前記放電空間内に磁場を発生する
磁場発生手段と、前記放電空間内にマイクロ波を導入す
るマイクロ波導入手段とを備え、このマイクロ波と放電
空間内の磁場により生成した磁場中マイクロ波放電プラ
ズマを利用し、放電空間内に設置された試料をプラズマ
処理するプラズマＣＶＤ装置において、前記マイクロ波
導入手段は、導波管と、マイクロ波導入端が小径側で前
記導波管に接続され、先端部が大径側で前記プラズマ発
生室に接続された円錐形状金属容器と、前記円錐形状金
属容器の先端部に設置され、前記プラズマ発生室との間
を真空封じする第１の誘電体板と、前記円錐形状金属容
器のマイクロ波導入端を真空封じし、前記第１の誘電体
板と協働して円錐形状金属容器を気密構造とする第２の
誘電体板と、前記円錐形状金属容器内をマイクロ波で放
電が起こらない状態に減圧する手段とを有し、前記円錐
形状金属容器の拡がり角を片側１０°〜２０°にして先
端部の開口径を前記放電空間で処理すべき試料の大きさ
以上に拡げたものである。

【００１５】好ましくは、前記円錐形状金属容器の拡が
り角が片側１５°である。また、好ましくは、前記円錐
形状金属容器の先端部の開口径を前記導波管の出口径の
４倍以上とする。

【００１６】また、好ましくは、前記第１の誘電体板が
前記試料に平行かつ近接して位置し、第１の誘電体板と
試料との間に前記磁場発生手段により一様磁場が発生す
るように、前記プラズマ発生室内に試料支持台を設置す
る。

【００１７】なお、上記円錐形状金属容器の代わりに、
円錐形状でない末広がり金属容器を用いてもよい。

【００１８】

【作用】一般に、磁場中のマイクロ波放電によるプラズ
マは、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）磁場位置で効
率良く電離生成される。このため、大口径均一プラズマ
を効率良く生成するためには、前記ＥＣＲ磁場を大口径
に生成しなければならない。また、大口径の真空空間を
作り、そこにマイクロ波を入射するためには、真空仕切
を兼ねた大口径のマイクロ波入射窓が必要であるが、マ
イクロ波の反射等を考慮すると窓材は薄い方が望まし
い。更に、大口径試料上を均一に処理するためにはプラ
ズマの空間分布が一様であることが重要である。ＥＣＲ
位置で生成されるプラズマの空間分布は、マイクロ波の
電界強度分布に比例する。従って、ＥＣＲ位置でのマイ
クロ波電界強度分布を一様にする必要がある。そのた
め、軸対象な電界強度分布を持ったマイクロ波のモード
（一般にはＴＥ11モード）を導入し、その軸対象モード
が非軸対象モード（ＴＥ12、ＴＥ13）に変換されること
なくＥＣＲ位置まで伝播させ、大口径に拡げなければな
らない。また、モード変換により他のモードが発生する
状況においては、プラズマの状態によってマイクロ波の
伝播状態が変化し、プラズマの放電状態が不安定になる
問題もある。

【００１９】マイクロ波をモード変換することなく拡げ
る手段として円錐形状の金属製容器を用いると、円錐形
状の拡がり角が小さい場合にはモード変換や反射を起こ
さずにマイクロ波を拡げることができる。しかし、拡が
り角を小さくすると円錐形状容器の長さが長くなり製作
コストが高くなる。それと共に処理装置全体が大型化す
るため処理装置を設置するために制約が多くなり問題と
なる。従って、円錐形状容器の拡がり角は、モード変換
が問題にならない程度に大きくなるような最適値が存在
する。

【００２０】円錐形状の金属製容器内を伝播するマイク
ロ波のモード変換量は、電磁波の伝送方程式を計算して
求められることが知られている。（例えば、小西良弘監
修、電磁波問題へのアタックの仕方、電子通信学会編、
ｐ９９）ただし、円錐形のマイクロ波伝送系についての
研究は、通信の分野で採用されているモード（一般には
ＴＥ01）が主であり、プラズマ生成に利用されているＴ
Ｅ11モードについては独自に評価する必要がある。図７
に数値計算により求めたモード変換の円錐形容器の拡が
り角依存性を示す。図７は入射モードＴＥ11とモード変
換により発生するＴＥ12、ＴＥ13モードのマイクロ波電
力を示したものである。この計算ではマイクロ波の伝播
距離（円錐形状容器の長さ）を５０ｃｍとして計算して
いるが、伝播距離が多少変化しても傾向はあまり変わら
ない。図７より、拡がり角が１５°を越えると不要モー
ドが次第に増加し、不要モード発生量を入射電力の１０
％以下にするためには拡がり角を２０°以下にしなけれ
ばならないことが分かる。従って、円錐形状容器を用い
る場合、拡がり角の最適値は１５°であり、モード変換
量を入射マイクロ波電力の１０％まで許容すると考える
と拡がり角は１０°から２０°が適当である。

【００２１】ここで、円錐形状金属容器のマイクロ波導
入端が接続される導波管の出口径はマイクロ波の遮断周
波数より決まる最小径に設定されるので、円錐形状金属
容器の先端部の開口径を導波管の出口径の４倍以上とす
れば、目的とする大口径のプラズマを生成でき、このと
き上記範囲の拡がり角を採用すれば、モード変換が少な
い範囲で円錐形状金属容器の軸方向長さの増加を最小限
に止どめ、コンパクトな構造を提供できる。

【００２２】モード変換をあまり起こさずにマイクロ波
を拡げる手段としては、円錐形状が製作も容易であり低
コストで良好であるが、容器断面が試料方向に滑らかに
拡がる形状であればモード変換を低く抑えることができ
る。

【００２３】また、マイクロ波を拡げるための金属容器
を有するマイクロ波導入手段において、マイクロ波導入
端と試料側先端部に真空封じを兼ねたマイクロ波窓（第
１および第２の誘電体板）を設けて内部を減圧すると、
試料側端の大口径窓（第１の誘電体板）に加わる真空力
が数１００分の１に低減されるため、大口径窓材の強度
的安全性の確保、窓材の厚さを薄くすることによるマイ
クロ波透過効率の向上が得られる。

【００２４】更に、処理すべき試料に対して大口径窓
（第１の誘電体板）を近接して平行に設ることにより、
試料上に均一な厚さでプラズマが板状に生成されるた
め、磁力線に沿って試料に流入するプラズマのイオン等
が試料上で均一になる。また、プラズマが板状に狭い領
域に生成されるため、プラズマに磁場を印加する磁場コ
イルも小型でよく、製作コストおよび使用電力を節約で
きる。

【００２５】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図１および図２に
より説明する。図１は磁場中のマイクロ波放電プラズマ
を利用して、試料表面に成膜を行うプラズマＣＶＤ装置
に本発明を適用した例である。図１において、本実施例
のプラズマＣＶＤ装置は、導波管５と円錐形状金属容器
１とからなるマイクロ波導入手段により、放電空間を形
成するプラズマ発生室２にマイクロ波が導入される。円
錐形状金属容器１は、小径側のマイクロ波導入端が導波
管５に接続され、大径側先端部がプラズマ発生室２に接
続されている。円錐形状金属容器１の大径側先端部には
プラズマ発生室２との間を真空封じする大口径誘電体窓
３が設置され、導波管５は誘電体板６で真空封じされ、
この誘電体窓３と誘電体板６とで円錐形状金属容器１を
気密構造としている。また、円錐形状金属容器１には、
内部４をマイクロ波で放電が起こらない状態に減圧する
手段として排気口７が設けられている。プラズマ発生室
２の外側には磁場コイル８が設置され、プラズマ発生室
２の内部には試料支持台１１が設けられている。試料支
持台１１は誘電体窓３に対して試料１０が平行かつ近接
して位置し、誘電体窓３と試料支持台１１との間に磁場
コイル８により一様磁場が発生して試料１０の前面にＥ
ＣＲ位置９が形成されるように位置決めされている。ま
た、プラズマ発生室２には材料ガスの導入口１２が設け
られている。

【００２６】円錐形状金属容器１の拡がり角θは片側１
０°〜２０°の範囲、好ましくは１５°とされ、先端部
の開口径をプラズマ発生室２で処理すべき試料１０の大
きさ以上に拡げられている。この先端部の開口径は、導
波管６の出口径の４倍以上である。また、誘電体窓３と
試料１０との距離は、誘電体窓３の直径が４０〜５０ｃ
ｍの場合、２〜１０ｃｍに設定する。

【００２７】マイクロ波、例えば２．４５ＧＨｚのマイ
クロ波が導波管５により円錐形状金属容器１に導入され
る。このマイクロ波は金属容器内部４を伝播するに従
い、その電界分布が拡げられ、大口径誘電体窓３を透過
して試料１０方向に伝播する。金属容器内部４は、排気
口７により真空排気され減圧され、大口径誘電体窓３へ
かかる真空力が低減される。磁場コイル８は、プラズマ
発生室２内部に設けられた試料支持台１１上の試料１０
前面に設定されたＥＣＲ位置９において電子サイクロト
ロン共鳴の起こる磁場強度８７５Ｇを発生する。プラズ
マ発生室２内部は真空排気され材料ガスをガス導入口１
２から供給することにより、磁場強度８７５Ｇの位置に
おいて電子サイクロトロン共鳴により材料ガスがプラズ
マ化され、磁力線に沿って試料１０方向に流れ、成膜が
行われる。このとき、円錐形状金属容器１の拡がり角θ
を上記のように１０°から２０°の範囲にすると、モー
ド変換量が入射マイクロ波電力の１０％以下であり、Ｅ
ＣＲ位置９における電界強度分布が一様になる。また、
試料１０と大口径誘電体窓３とが平行かつ近接している
ため、試料１０上に生成されるプラズマの厚みが一様に
なり、成膜が試料１０全面において均一に行われる。な
お、磁場コイル８は、大口径誘電体窓３と試料１０との
間に生成されたプラズマにのみ印加すればよいので、コ
イルを小型にすることができる。

【００２８】図３および図４は本発明の他の実施例を示
す。この実施例のプラズマＣＶＤ装置は前述の円錐形状
金属容器１に代えて、円錐形状以外の末広がり形状をし
た金属容器１３を備えている。

【００２９】本実施例によれば、導波管５から導入され
たマイクロ波が試料１０方向に伝播するに従って金属容
器１３の断面が滑らかに拡がっているため、導入された
マイクロ波のモード変換を低く抑えてＥＣＲ位置９まで
マイクロ波を伝播できる。従って、実施例１と同様な効
果が期待できる。

【００３０】図５および図６は本発明の更に他の実施例
を示し、この実施例のプラズマＣＶＤ装置は、図１に示
す円錐形状金属容器１に代えて断面形状が矩形である矩
形金属容器１４を備えている。

【００３１】本実施例によれば、導波管５から導入され
たマイクロ波が試料１０方向に伝播するに従って矩形金
属容器１４の断面が滑らかに拡がっているため、導入さ
れたマイクロ波のモード変換を低く抑えてＥＣＲ位置９
までマイクロ波を伝播できる。従って、実施例１と同様
な効果が期待できる。

【００３２】

【発明の効果】本発明によれば、マイクロ波をモード変
換することなく大面積に拡げ均一プラズマを効率良く生
成することにより、試料の均一処理が可能になる。ま
た、マイクロ波の大口径誘電体窓の強度的安全性が確保
され、マイクロ波の伝送効率も改善される。さらに、磁
場コイルを小型化できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例によるプラズマＣＶＤ装置の
断面図である。

【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。

【図３】本発明の他の実施例によるプラズマＣＶＤ装置
の断面図である。

【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線断面図である。

【図５】本発明の更に他の実施例によるプラズマＣＶＤ
装置の断面図である。

【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線断面図である。

【図７】数値計算により求めたモード変換量の円錐形状
容器の拡がり角依存性を示す図である。

【図８】公知例によるプラズマ処理装置の断面図であ
る。

【図９】他の公知例によるプラズマ処理装置の断面図で
ある。

【図１０】更に他の公知例によるプラズマ処理装置の断
面図である。

【符号の説明】

１円錐形状金属容器２プラズマ発生室３大口径誘電体窓（第１の誘電体板）４金属容器内部５導波管６誘電体板（第２の誘電体板）７真空排気口８磁場コイル９ＥＣＲ位置１０試料１１試料台１２原料ガス導入口１３金属容器１４矩形金属容器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０５Ｈ 1/16 9014−2Ｇ (72)発明者鈴木和夫茨城県日立市幸町３丁目２番２号株式会社日立エンジニアリングサービス内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】放電ガスが導入され、放電空間を形成す
るプラズマ発生室と、前記放電空間内に磁場を発生する
磁場発生手段と、前記放電空間内にマイクロ波を導入す
るマイクロ波導入手段とを備え、このマイクロ波と放電
空間内の磁場により生成した磁場中マイクロ波放電プラ
ズマを利用し、放電空間内に設置された試料をプラズマ
処理するプラズマＣＶＤ装置において、前記マイクロ波導入手段は、導波管と、マイクロ波導入
端が小径側で前記導波管に接続され、先端部が大径側で
前記プラズマ発生室に接続された円錐形状金属容器と、
前記円錐形状金属容器の先端部に設置され、前記プラズ
マ発生室との間を真空封じする第１の誘電体板と、前記
円錐形状金属容器のマイクロ波導入端を真空封じし、前
記第１の誘電体板と協働して円錐形状金属容器を気密構
造とする第２の誘電体板と、前記円錐形状金属容器内を
マイクロ波で放電が起こらない状態に減圧する手段とを
有し、前記円錐形状金属容器の拡がり角を片側１０°〜
２０°にして先端部の開口径を前記放電空間で処理すべ
き試料の大きさ以上に拡げたことを特徴とするプラズマ
ＣＶＤ装置。
【請求項２】請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置にお
いて、前記円錐形状金属容器の拡がり角が片側１５°で
あることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置にお
いて、前記円錐形状金属容器の先端部の開口径を前記導
波管の出口径の４倍以上としたことを特徴とするプラズ
マＣＶＤ装置。
【請求項４】請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置にお
いて、前記第１の誘電体板が前記試料に平行かつ近接し
て位置し、第１の誘電体板と試料との間に前記磁場発生
手段により一様磁場が発生するように、前記プラズマ発
生室内に試料支持台を設置したことを特徴とするプラズ
マＣＶＤ装置。
【請求項５】放電ガスが導入され、放電空間を形成す
るプラズマ発生室と、前記放電空間内に磁場を発生する
磁場発生手段と、前記放電空間内にマイクロ波を導入す
るマイクロ波導入手段とを備え、このマイクロ波と放電
空間内の磁場により生成した磁場中マイクロ波放電プラ
ズマを利用し、放電空間内に設置された試料をプラズマ
処理するプラズマＣＶＤ装置において、前記マイクロ波導入手段は、導波管と、マイクロ波導入
端が小径側で前記導波管に接続され、先端部が大径側で
前記プラズマ発生室に接続された末広がり金属容器と、
前記末広がり金属容器の先端部に設置され、前記プラズ
マ発生室との間を真空封じする第１の誘電体板と、前記
末広がり金属容器のマイクロ波導入端を真空封じし、前
記第１の誘電体板と協働して末広がり金属容器を気密構
造とする第２の誘電体板と、前記末広がり金属容器内を
マイクロ波で放電が起こらない状態に減圧する手段とを
有し、前記末広がり金属容器の先端部の開口径を前記導
波管の出口径の４倍以上にして前記放電空間で処理すべ
き試料の大きさ以上に拡げたことを特徴とするプラズマ
ＣＶＤ装置。
【請求項６】請求項５記載のプラズマＣＶＤ装置にお
いて、前記第１の誘電体板が前記試料に平行かつ近接し
て位置し、第１の誘電体板と試料との間に前記磁場発生
手段により一様磁場が発生するように、前記プラズマ発
生室内に試料支持台を設置したことを特徴とするプラズ
マＣＶＤ装置。
【請求項７】放電ガスが導入され、放電空間を形成す
るプラズマ発生室と、前記放電空間内に磁場を発生する
磁場発生手段と、前記放電空間内にマイクロ波を導入す
るマイクロ波導入手段とを備え、このマイクロ波と放電
空間内の磁場により生成した磁場中マイクロ波放電プラ
ズマを利用し、放電空間内に設置された試料をプラズマ
処理するプラズマＣＶＤ装置において、前記マイクロ波導入手段は、導波管と、マイクロ波導入
端が小径側で前記導波管に接続され、先端部が大径側で
前記プラズマ発生室に接続された末広がり金属容器と、
前記末広がり金属容器の先端部に設置され、前記プラズ
マ発生室との間を真空封じする第１の誘電体板と、前記
末広がり金属容器のマイクロ波導入端を真空封じし、前
記第１の誘電体板と協働して末広がり金属容器を気密構
造とする第２の誘電体板と、前記末広がり金属容器内を
マイクロ波で放電が起こらない状態に減圧する手段とを
有し、前記第１の誘電体板が前記試料に平行かつ近接し
て位置し、第１の誘電体板と試料との間に前記磁場発生
手段により一様磁場が発生するように、前記プラズマ発
生室内に試料支持台を設置したことを特徴とするプラズ
マＣＶＤ装置。