JPH0565660A - 無電解銅ニツケル合金めつき方法およびこれに用いるめつき液 - Google Patents
無電解銅ニツケル合金めつき方法およびこれに用いるめつき液Info
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- JPH0565660A JPH0565660A JP25436791A JP25436791A JPH0565660A JP H0565660 A JPH0565660 A JP H0565660A JP 25436791 A JP25436791 A JP 25436791A JP 25436791 A JP25436791 A JP 25436791A JP H0565660 A JPH0565660 A JP H0565660A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、被めっき物上に無電解銅ニッケル
合金めっきを施すに際して、得られる合金めっき被膜に
おけるニッケルの析出量を抑制して、合金めっき被膜中
の銅の含有比率を任意に高めることができるような無電
解銅ニッケル合金めっき方法およびこれに使用されるめ
っき液を提供することを目的とする。 【構成】 銅源、ニッケル源、錯化剤および還元剤を含
有するめっき液を用いて無電解銅ニッケル合金めっきを
施す工程において、該めっき液中にニッケル析出抑制剤
としての鉛または可溶性鉛化合物の少なくとも１種を添
加し、且つめっき液のｐＨを５〜９の範囲になるように
調整して無電解めっきを行なうことを特徴とする無電解
銅ニッケル合金めっき方法およびこれに用いるための電
解液。
合金めっきを施すに際して、得られる合金めっき被膜に
おけるニッケルの析出量を抑制して、合金めっき被膜中
の銅の含有比率を任意に高めることができるような無電
解銅ニッケル合金めっき方法およびこれに使用されるめ
っき液を提供することを目的とする。 【構成】 銅源、ニッケル源、錯化剤および還元剤を含
有するめっき液を用いて無電解銅ニッケル合金めっきを
施す工程において、該めっき液中にニッケル析出抑制剤
としての鉛または可溶性鉛化合物の少なくとも１種を添
加し、且つめっき液のｐＨを５〜９の範囲になるように
調整して無電解めっきを行なうことを特徴とする無電解
銅ニッケル合金めっき方法およびこれに用いるための電
解液。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は無電解銅ニッケル合金め
っきを施すことによって得られる合金めっき被膜中にお
ける銅とニッケルの組成比を任意に変化させることがで
きるめっき方法およびこれに用いるめっき液に関するも
のである。
っきを施すことによって得られる合金めっき被膜中にお
ける銅とニッケルの組成比を任意に変化させることがで
きるめっき方法およびこれに用いるめっき液に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】無電解めっき法は、金属等の導電物や樹
脂、セラミック等の電気絶縁物の表面上に金属被膜を形
成する方法として広く普及されている。従来無電解銅め
っきは銅源、錯化剤、還元剤等を含有する無電解めっき
液を用いて行なわれているが、これはめっき液中で銅を
錯化剤と反応させて錯イオンを形成させることにより安
定化させ、この錯イオンを遊離させてこれを還元剤によ
り金属銅として析出させるものである。
脂、セラミック等の電気絶縁物の表面上に金属被膜を形
成する方法として広く普及されている。従来無電解銅め
っきは銅源、錯化剤、還元剤等を含有する無電解めっき
液を用いて行なわれているが、これはめっき液中で銅を
錯化剤と反応させて錯イオンを形成させることにより安
定化させ、この錯イオンを遊離させてこれを還元剤によ
り金属銅として析出させるものである。
【０００３】無電解めっき液中に含まれる還元剤として
は、通常ホルムアルデヒドを使用するのが一般的であ
る。ところがこのフォルムアルデヒドを還元剤として十
分に作用させるためには、めっき液のｐＨを１２以上の
強アルカリ性にしなければならないために被めっき物に
はかなりの耐アルカリ性のものが要求され、被めっき物
の材質が限定されてしまうという問題があった。さらに
フォルムアルデビドは人体に対して有害な物質であると
いう問題点もあった。
は、通常ホルムアルデヒドを使用するのが一般的であ
る。ところがこのフォルムアルデヒドを還元剤として十
分に作用させるためには、めっき液のｐＨを１２以上の
強アルカリ性にしなければならないために被めっき物に
はかなりの耐アルカリ性のものが要求され、被めっき物
の材質が限定されてしまうという問題があった。さらに
フォルムアルデビドは人体に対して有害な物質であると
いう問題点もあった。
【０００４】このような問題を解決する手段として、無
電解銅めっき液中に使用される還元剤としてホスフィン
酸ナトリウム等のホスフィン酸イオン源を用いることが
提案されている。この方法によればめっき液のｐＨを１
０程度まで低下させることが可能であるが、依然として
めっき液が強アルカリ性であることに変りはなく、被め
っき物に対して従来と同様に耐アルカリ性が要求される
ばかりでなく、無電解めっきに際してスルフィン酸イオ
ンの銅イオンに対する還元力が弱いために、銅の析出速
度が著しく遅く、また被めっき物においてめっき未着部
分が発生しやすい等の新たな問題を生ずることが判かっ
た。
電解銅めっき液中に使用される還元剤としてホスフィン
酸ナトリウム等のホスフィン酸イオン源を用いることが
提案されている。この方法によればめっき液のｐＨを１
０程度まで低下させることが可能であるが、依然として
めっき液が強アルカリ性であることに変りはなく、被め
っき物に対して従来と同様に耐アルカリ性が要求される
ばかりでなく、無電解めっきに際してスルフィン酸イオ
ンの銅イオンに対する還元力が弱いために、銅の析出速
度が著しく遅く、また被めっき物においてめっき未着部
分が発生しやすい等の新たな問題を生ずることが判かっ
た。
【０００５】さらに上記の問題を解決する手段として、
めっき液中に析出金属源として析出性のよいニッケルイ
オンを含有させることによって、銅とニッケルを合金と
して析出させる方法が検討されている。この方法による
ときは無電解めっき液中に銅源、ニッケル源のほか錯化
剤としてクエン酸ナトリウム等の主としてニッケルに対
する錯化効果の優れた錯化剤を用い、また還元剤にスル
フォン酸ナトリウムを用いることにより中性付近におい
て銅ニッケル合金被膜の析出を行なわせることが可能と
なった。
めっき液中に析出金属源として析出性のよいニッケルイ
オンを含有させることによって、銅とニッケルを合金と
して析出させる方法が検討されている。この方法による
ときは無電解めっき液中に銅源、ニッケル源のほか錯化
剤としてクエン酸ナトリウム等の主としてニッケルに対
する錯化効果の優れた錯化剤を用い、また還元剤にスル
フォン酸ナトリウムを用いることにより中性付近におい
て銅ニッケル合金被膜の析出を行なわせることが可能と
なった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法によるときは、めっき液中の銅源に比べてニッケル源
の析出が容易であるために得られる合金めっき被膜にお
けるニッケル含有量は銅含有量よりも多い。そして、こ
のようにして得られた銅ニッケル合金めっき被膜を有す
る材料はニッケルの含有量が余りに過大であるために電
気伝導性が低く、また、合金めっき被膜上にさらに電気
銅めっきを施そうとすると該合金めっき被膜と電気銅め
っきとの間の密着性が悪いために銅の剥離を起こしやす
く、したがって、例えば、ポリイミド樹脂の如き絶縁材
料上に上記の方法で無電解銅ニッケルめっきを施して電
気導通層を形成し、さらに該導通層上に電気銅めっきを
施して回路を形成したプリント配線板（ＰＷＢ）、フレ
キシブルプリント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディ
ング（ＴＡＢ）テープ等の電子部品を作成しようとする
と回路の剥離を起こしたり、電気的信頼性が低下したり
する問題を生ずる。そして、現在上記の問題を解決する
ための方法は見出されていない。
法によるときは、めっき液中の銅源に比べてニッケル源
の析出が容易であるために得られる合金めっき被膜にお
けるニッケル含有量は銅含有量よりも多い。そして、こ
のようにして得られた銅ニッケル合金めっき被膜を有す
る材料はニッケルの含有量が余りに過大であるために電
気伝導性が低く、また、合金めっき被膜上にさらに電気
銅めっきを施そうとすると該合金めっき被膜と電気銅め
っきとの間の密着性が悪いために銅の剥離を起こしやす
く、したがって、例えば、ポリイミド樹脂の如き絶縁材
料上に上記の方法で無電解銅ニッケルめっきを施して電
気導通層を形成し、さらに該導通層上に電気銅めっきを
施して回路を形成したプリント配線板（ＰＷＢ）、フレ
キシブルプリント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディ
ング（ＴＡＢ）テープ等の電子部品を作成しようとする
と回路の剥離を起こしたり、電気的信頼性が低下したり
する問題を生ずる。そして、現在上記の問題を解決する
ための方法は見出されていない。
【０００７】本発明は上記の問題点に鑑み、被めっき物
に上記した方法によって無電解銅ニッケル合金めっきを
施すに際して、得られる合金めっき被膜におけるニッケ
ルの析出量を抑制して、合金めっき被膜中の銅の含有比
率を任意に高めることができるような無電解銅ニッケル
合金めっき方法およびこれに使用されるめっき液を提供
することを目的とするものである。
に上記した方法によって無電解銅ニッケル合金めっきを
施すに際して、得られる合金めっき被膜におけるニッケ
ルの析出量を抑制して、合金めっき被膜中の銅の含有比
率を任意に高めることができるような無電解銅ニッケル
合金めっき方法およびこれに使用されるめっき液を提供
することを目的とするものである。
【０００８】本発明の方法によるときは、無電解銅ニッ
ケル合金めっきにおける銅の含有比率を任意に高めるこ
とができるので、該合金めっき被膜の電気伝導性を一段
と高め得るとともに、該合金めっき被膜上にさらに電気
銅めっきを施した場合における該合金めっき被膜と電気
銅めっきとの間の密着性を改善することができる。
ケル合金めっきにおける銅の含有比率を任意に高めるこ
とができるので、該合金めっき被膜の電気伝導性を一段
と高め得るとともに、該合金めっき被膜上にさらに電気
銅めっきを施した場合における該合金めっき被膜と電気
銅めっきとの間の密着性を改善することができる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の目
的を達成するための無電解銅ニッケル合金めっき方法に
ついて鋭意研究を行なった結果、銅源、ニッケル源、錯
化剤および還元剤を含む現行の無電解銅ニッケル合金め
っき液に、鉛または該めっき液に可溶な鉛化合物を少量
添加した場合にはめっきに際してのニッケルの析出を抑
制することができること、またさらに、該めっき液のｐ
Ｈを５〜９の範囲に調整すればさらに顕著にニッケルの
析出を調整し得るとともにその調整の程度によって銅と
ニッケルの比率を任意にコントロールすることができる
ことなどを見出し本発明を完成するに至った。
的を達成するための無電解銅ニッケル合金めっき方法に
ついて鋭意研究を行なった結果、銅源、ニッケル源、錯
化剤および還元剤を含む現行の無電解銅ニッケル合金め
っき液に、鉛または該めっき液に可溶な鉛化合物を少量
添加した場合にはめっきに際してのニッケルの析出を抑
制することができること、またさらに、該めっき液のｐ
Ｈを５〜９の範囲に調整すればさらに顕著にニッケルの
析出を調整し得るとともにその調整の程度によって銅と
ニッケルの比率を任意にコントロールすることができる
ことなどを見出し本発明を完成するに至った。
【００１０】即ち、上記の問題を解決するための本発明
は、銅源、ニッケル源、錯化剤および還元剤を含有する
めっき液を用いて無電解銅ニッケル合金めっきを施す工
程において、該めっき液中にニッケル析出抑制剤として
鉛または可溶性鉛化合物の少なくとも１種を添加し、且
つめっき液のｐＨを５〜９の範囲になるように調整して
無電解めっきを行なうことを特徴とする無電解銅ニッケ
ル合金めっき方法およびこれに用いるための電解液であ
る。なお、本発明の電解液において使用される還元剤と
しては、めっき液中においてホスフィン酸イオンを放出
するような物質を用いることが推奨される。
は、銅源、ニッケル源、錯化剤および還元剤を含有する
めっき液を用いて無電解銅ニッケル合金めっきを施す工
程において、該めっき液中にニッケル析出抑制剤として
鉛または可溶性鉛化合物の少なくとも１種を添加し、且
つめっき液のｐＨを５〜９の範囲になるように調整して
無電解めっきを行なうことを特徴とする無電解銅ニッケ
ル合金めっき方法およびこれに用いるための電解液であ
る。なお、本発明の電解液において使用される還元剤と
しては、めっき液中においてホスフィン酸イオンを放出
するような物質を用いることが推奨される。
【００１１】本発明の方法によるときは、無電解銅ニッ
ケル合金めっきにおける銅の含有比率を任意に高めるこ
とができるので、該合金めっき被膜の電気伝導性を一段
と良好にし得るとともに、該合金めっき皮膜上にさらに
電気銅めっきを施した場合における該合金めっき被膜と
電気銅めっきとの間の密着性を改善することができるの
で、これによって得られた材料はＰＢＷ、ＦＰＣ、ＴＡ
Ｂ等の電子部品材料として優れた信頼性を確保すること
ができる。
ケル合金めっきにおける銅の含有比率を任意に高めるこ
とができるので、該合金めっき被膜の電気伝導性を一段
と良好にし得るとともに、該合金めっき皮膜上にさらに
電気銅めっきを施した場合における該合金めっき被膜と
電気銅めっきとの間の密着性を改善することができるの
で、これによって得られた材料はＰＢＷ、ＦＰＣ、ＴＡ
Ｂ等の電子部品材料として優れた信頼性を確保すること
ができる。
【００１２】
【作用】以下に本発明の詳細およびその作用について記
述する。本発明は上記したような構成を有するものであ
るが、本発明において銅源、ニッケル源、錯化剤および
還元剤を含む無電解銅ニッケル合金めっき液にさらに鉛
または該めっき液に可溶解な鉛化合物を添加することに
より、めっき液中のニッケルの析出が抑制される理由に
ついては明らかでない。しかし、一般的に使用されてい
る無電解銅ニッケル合金めっき液において、鉛成分を添
加した場合にニッケルの析出が抑制されるものの、銅の
析出には全く影響が及ばないことより、鉛成分による析
出抑制効果はニッケルに対してのみ選択的に発生するこ
とが確認されている。
述する。本発明は上記したような構成を有するものであ
るが、本発明において銅源、ニッケル源、錯化剤および
還元剤を含む無電解銅ニッケル合金めっき液にさらに鉛
または該めっき液に可溶解な鉛化合物を添加することに
より、めっき液中のニッケルの析出が抑制される理由に
ついては明らかでない。しかし、一般的に使用されてい
る無電解銅ニッケル合金めっき液において、鉛成分を添
加した場合にニッケルの析出が抑制されるものの、銅の
析出には全く影響が及ばないことより、鉛成分による析
出抑制効果はニッケルに対してのみ選択的に発生するこ
とが確認されている。
【００１３】本発明において用いられる鉛または可溶性
の鉛化合物は、金属鉛、酢酸鉛、硝酸鉛等が適当であ
る。またその添加量は、めっき液中の他の化学成分やめ
っき条件等によってその効果が変化するので一概に定め
ることはできない。したがって本発明を実施するに際し
ては予め使用するめっき液およびめっき条件或いは期待
するニッケル抑制効果に即してその必要添加量を定めて
おくことが望ましい。なお鉛成分の添加量が増加するに
従ってニッケル析出量は減少するが、或る量以上添加し
てもニッケルの析出量は一定となりそれ以上の減少は望
めなくなる。
の鉛化合物は、金属鉛、酢酸鉛、硝酸鉛等が適当であ
る。またその添加量は、めっき液中の他の化学成分やめ
っき条件等によってその効果が変化するので一概に定め
ることはできない。したがって本発明を実施するに際し
ては予め使用するめっき液およびめっき条件或いは期待
するニッケル抑制効果に即してその必要添加量を定めて
おくことが望ましい。なお鉛成分の添加量が増加するに
従ってニッケル析出量は減少するが、或る量以上添加し
てもニッケルの析出量は一定となりそれ以上の減少は望
めなくなる。
【００１４】本発明において、めっき液のｐＨを５〜９
の範囲とするのは、前述したように従来の無電解銅ニッ
ケル合金めっき液においては、めっき液のｐＨが１０以
上の強アルカリ性を呈するので適用される被めっき物は
耐アルカリ性物質に限定されていたものを、めっき液の
ｐＨ値を下げることによりめっき対象物の範囲を広げて
やるとともにニッケルの析出量をさらに抑制し、銅の析
出量を増加させて合金めっき被膜における電気伝導性を
改善するためである。めっき液のｐＨをこの範囲に調整
するためには、ｐＨ調整剤としてアルカリ金属水酸化物
水溶液や鉱酸の添加が行なわれる。
の範囲とするのは、前述したように従来の無電解銅ニッ
ケル合金めっき液においては、めっき液のｐＨが１０以
上の強アルカリ性を呈するので適用される被めっき物は
耐アルカリ性物質に限定されていたものを、めっき液の
ｐＨ値を下げることによりめっき対象物の範囲を広げて
やるとともにニッケルの析出量をさらに抑制し、銅の析
出量を増加させて合金めっき被膜における電気伝導性を
改善するためである。めっき液のｐＨをこの範囲に調整
するためには、ｐＨ調整剤としてアルカリ金属水酸化物
水溶液や鉱酸の添加が行なわれる。
【００１５】本発明における無電解銅ニッケル合金めっ
き液は基本的には従来から使用されている銅源、ニッケ
ル源、錯化剤および還元剤のそれぞれを適量含むものが
用いられる。しかし、本発明の目的である中性付近での
還元析出反応により効果的に実現するためには、還元剤
としてホスフィン酸イオン源、水酸化ほう素化合物の使
用が好ましい。そして、さらにめっき液の安定性および
経済性等の点から言えば、ホスフィン酸ナトリウムとい
っためっき液中でホスフィン酸イオンを放出する物質が
最適である。上記還元剤の添加量は、めっき液中の他の
化学成分、無電解めっき条件等によってその効果が左右
されるため一概に定めることは出来ないので、本発明の
実施に際しては、実操業に即して予めその添加量を決定
しておくことが好ましい。
き液は基本的には従来から使用されている銅源、ニッケ
ル源、錯化剤および還元剤のそれぞれを適量含むものが
用いられる。しかし、本発明の目的である中性付近での
還元析出反応により効果的に実現するためには、還元剤
としてホスフィン酸イオン源、水酸化ほう素化合物の使
用が好ましい。そして、さらにめっき液の安定性および
経済性等の点から言えば、ホスフィン酸ナトリウムとい
っためっき液中でホスフィン酸イオンを放出する物質が
最適である。上記還元剤の添加量は、めっき液中の他の
化学成分、無電解めっき条件等によってその効果が左右
されるため一概に定めることは出来ないので、本発明の
実施に際しては、実操業に即して予めその添加量を決定
しておくことが好ましい。
【００１６】本発明において行なう無電解銅ニッケル合
金めっきにおける、めっき液の温度についても一般に実
施されている温度範囲であれば支障はなく特に制限はな
い。
金めっきにおける、めっき液の温度についても一般に実
施されている温度範囲であれば支障はなく特に制限はな
い。
【００１７】なお本発明の無電解銅ニッケル合金めっき
処理を施すに際して適用される被めっき物には通常この
種の無電解めっき処理を行なうに当たって行なわれてい
る前処理が施されるが、その前処理法には特に制限はな
い。
処理を施すに際して適用される被めっき物には通常この
種の無電解めっき処理を行なうに当たって行なわれてい
る前処理が施されるが、その前処理法には特に制限はな
い。
【００１８】
【実施例】次に本発明の実施例について述べる。 実施例１ ポリイミド樹脂表面に常法による無電解めっき前処理を
施した後、表１に示すめっき液を使用して無電解銅ニッ
ケ合金めっき処理を施すに際し、該めっき液にさらに酢
酸鉛を添加量を変えて添加し、表１のめっき条件によっ
て該めっき処理を施した。
施した後、表１に示すめっき液を使用して無電解銅ニッ
ケ合金めっき処理を施すに際し、該めっき液にさらに酢
酸鉛を添加量を変えて添加し、表１のめっき条件によっ
て該めっき処理を施した。
【００１９】
【表１】 （めっき液組成） ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ：０．０２５モル／ｌ ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ ：０．１モル／ｌ クエン酸３ナトリウム２水和物 ：０．２モル／ｌ ホスフィン酸ナトリウム１水和物 ：０．３モル／ｌ （めっき条件） 温 度 ：７０℃ 時 間 ：１０分 ｐＨ ： ７ 得られた銅ニッケル合金めっき被膜の銅、ニッケルおよ
びリンの含有量を化学分析により測定し、これらの元素
の組成比とめっき液中に添加した酢酸鉛の添加量との関
係を図１に示した。図１において縦軸はめっき合金中の
各元素の組成比を、また横軸はめっき液への酢酸鉛の添
加量を表わす。
びリンの含有量を化学分析により測定し、これらの元素
の組成比とめっき液中に添加した酢酸鉛の添加量との関
係を図１に示した。図１において縦軸はめっき合金中の
各元素の組成比を、また横軸はめっき液への酢酸鉛の添
加量を表わす。
【００２０】図１に示されるように合金被膜中の各元素
の組成比は酢酸鉛の添加量の変化とともに変化するの
で、めっき液中への酢酸鉛の添加量を適宜調整すること
によって所望の組成比の合金めっき被膜を得ることが可
能となる。また図１より本発明の方法によるときは５×
１０−２ｇ／ｌを超える添加量で酢酸鉛を添加した場合
には得られる合金めっきにおけるニッケル含有量を１０
重量％以下に抑制することができるので、例えばＴＡＢ
等のように高電気伝導率が要求されるような電子部品の
作成に使用される無電解めっき基板におけるめっき被膜
として使用することが可能であることが判かる。 実施例２ ポリイミド樹脂表面に常法による無電解めっき前処理を
施した後、表２に示すめっき液を使用して無電解銅ニッ
ケ合金めっき処理を施すに際し、該めっき液にさらに硝
酸鉛を添加量を変えて添加し、表２のめっき条件によっ
て該めっき処理を施した。
の組成比は酢酸鉛の添加量の変化とともに変化するの
で、めっき液中への酢酸鉛の添加量を適宜調整すること
によって所望の組成比の合金めっき被膜を得ることが可
能となる。また図１より本発明の方法によるときは５×
１０−２ｇ／ｌを超える添加量で酢酸鉛を添加した場合
には得られる合金めっきにおけるニッケル含有量を１０
重量％以下に抑制することができるので、例えばＴＡＢ
等のように高電気伝導率が要求されるような電子部品の
作成に使用される無電解めっき基板におけるめっき被膜
として使用することが可能であることが判かる。 実施例２ ポリイミド樹脂表面に常法による無電解めっき前処理を
施した後、表２に示すめっき液を使用して無電解銅ニッ
ケ合金めっき処理を施すに際し、該めっき液にさらに硝
酸鉛を添加量を変えて添加し、表２のめっき条件によっ
て該めっき処理を施した。
【００２１】
【表２】 （めっき液組成） ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ：０．０１モル／ｌ ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ ：０．１モル／ｌ クエン酸３ナトリウム２水和物 ：０．２モル／ｌ ジメチルアミンボラン ：０．０５モル／ｌ （めっき条件） 温 度 ：８０℃ 時 間 ：１０分 ｐＨ ： ７ 得られた銅ニッケル合金めっき被膜の銅、ニッケルおよ
びリンの含有量を化学分析により測定し、これらの元素
の組成比とめっき液中に添加した酢酸鉛の添加量との関
係を図２に示した。図２において縦軸はめっき合金中の
各元素の組成比を、また横軸はめっき液への硝酸鉛の添
加量を表わす。
びリンの含有量を化学分析により測定し、これらの元素
の組成比とめっき液中に添加した酢酸鉛の添加量との関
係を図２に示した。図２において縦軸はめっき合金中の
各元素の組成比を、また横軸はめっき液への硝酸鉛の添
加量を表わす。
【００２２】図２に示されるように合金被膜中の各元素
の組成比は硝酸鉛の添加量の変化とともに変化するの
で、めっき液中への硝酸鉛の添加量を適宜調整すること
によって所望の組成比の合金めっき被膜を得ることがで
きる。また図２より本発明の方法によるときは８×１０
−３ｇ／ｌを超える添加量で硝酸鉛を添加した場合に
は、得られる合金めっきのニッケル含有量が１０重量％
以下に抑制されるので、これによる無電解めっき基板を
用いて作成したＴＡＢ等の電子部品は信頼性に優れてい
ることが判かる。
の組成比は硝酸鉛の添加量の変化とともに変化するの
で、めっき液中への硝酸鉛の添加量を適宜調整すること
によって所望の組成比の合金めっき被膜を得ることがで
きる。また図２より本発明の方法によるときは８×１０
−３ｇ／ｌを超える添加量で硝酸鉛を添加した場合に
は、得られる合金めっきのニッケル含有量が１０重量％
以下に抑制されるので、これによる無電解めっき基板を
用いて作成したＴＡＢ等の電子部品は信頼性に優れてい
ることが判かる。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように本発明によるときは、
被めっき物に無電解銅ニッケル合金めっきを施すに際し
て、合金めっき層中へのニッケルの析出を抑制して、銅
含有量の高い銅ニッケル合金めっき被膜を任意の銅、ニ
ッケル組成比で容易に得ることができ、また、本発明に
よるときはめっき液は中性付近で析出反応を行なわせる
ことができるので、耐アルカリ性に劣る物品を使用する
ことができるので、従来よりも広い範囲で被めっき物の
選択が可能となり、電子部品等の作成材料となる無電解
めっき基板を効率的に提供することができる。
被めっき物に無電解銅ニッケル合金めっきを施すに際し
て、合金めっき層中へのニッケルの析出を抑制して、銅
含有量の高い銅ニッケル合金めっき被膜を任意の銅、ニ
ッケル組成比で容易に得ることができ、また、本発明に
よるときはめっき液は中性付近で析出反応を行なわせる
ことができるので、耐アルカリ性に劣る物品を使用する
ことができるので、従来よりも広い範囲で被めっき物の
選択が可能となり、電子部品等の作成材料となる無電解
めっき基板を効率的に提供することができる。
【図１】本発明の実施例１における無電解銅ニッケルめ
っきによる合金めっき被膜中の各元素の組成比とめっき
液中に添加した酢酸鉛の添加量との関係を示す図面であ
る。
っきによる合金めっき被膜中の各元素の組成比とめっき
液中に添加した酢酸鉛の添加量との関係を示す図面であ
る。
【図２】本発明の実施例２における無電解銅ニッケルめ
っきによる合金めっき被膜中の各元素の組成比とめっき
液中に添加した硝酸鉛の添加量との関係を示す図面であ
る。
っきによる合金めっき被膜中の各元素の組成比とめっき
液中に添加した硝酸鉛の添加量との関係を示す図面であ
る。
Claims (4)
- 【請求項１】 銅源、ニッケル源、錯化剤および還元剤
を含有するめっき液を用いて無電解銅ニッケル合金めっ
きを施す工程において、該めっき液中にニッケル析出抑
制剤として鉛または可溶性鉛化合物の少なくとも１種を
添加し、且つめっき液のｐＨを５〜９の範囲になるよう
にして無電解めっきを行なうことを特徴とする無電解銅
ニッケル合金めっき方法。 - 【請求項２】 還元剤がめっき液中でスルフォン酸イオ
ンを放出する物質である請求項１記載の無電解銅ニッケ
ル合金めっき方法。 - 【請求項３】 銅源、ニッケル源、錯化剤および還元剤
を含み、さらにニッケル析出抑制剤として鉛または可溶
性鉛化合物の少なくとも１種を含み、且つｐＨが５〜９
である無電解銅ニッケル合金めっき用めっき液。 - 【請求項４】 還元剤がめっき液中でスルフォン酸イオ
ンを放出する物質である請求項３記載の無電解銅ニッケ
ル合金めっき用めっき液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3254367A JPH0762254B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 無電解銅ニッケル合金めっき方法およびこれに用いるめっき液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3254367A JPH0762254B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 無電解銅ニッケル合金めっき方法およびこれに用いるめっき液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0565660A true JPH0565660A (ja) | 1993-03-19 |
| JPH0762254B2 JPH0762254B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=17264008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3254367A Expired - Lifetime JPH0762254B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 無電解銅ニッケル合金めっき方法およびこれに用いるめっき液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0762254B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006052460A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-23 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子、導電性微粒子の製造方法、及び異方性導電材料 |
| US7507477B2 (en) | 2004-07-15 | 2009-03-24 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Conductive microparticle, process for producing the same and anisotropic conductive material |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57501786A (ja) * | 1980-09-15 | 1982-10-07 | ||
| JPS62274076A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Toyo Kohan Co Ltd | 無電解ニツケル−リンめつき浴 |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP3254367A patent/JPH0762254B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57501786A (ja) * | 1980-09-15 | 1982-10-07 | ||
| JPS62274076A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Toyo Kohan Co Ltd | 無電解ニツケル−リンめつき浴 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006052460A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-23 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子、導電性微粒子の製造方法、及び異方性導電材料 |
| US7507477B2 (en) | 2004-07-15 | 2009-03-24 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Conductive microparticle, process for producing the same and anisotropic conductive material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0762254B2 (ja) | 1995-07-05 |
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