JPH0566012B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【産業上の利用分野】 本発明は半導体装置の作
製方法に関するものである。

【0002】 本発明は半導体の一表面に密接して透
明電極を形成するとともに、この透明電極を構成
する元素またはこの電極内の２、３価のＰ型添加
物または５、６価のＮ型添加物の一部をその内側
の半導体中にレーザまたはそれと同様の強光エネ
ルギを照射することにより添加するとともに、そ
の領域での半導体のシート抵抗を下げ、さらに電
極とドープさせた領域の半導体とを実質的に一体
化することを目的としている。

【0003】 本発明は４族元素を主成分とする非単
結晶半導体とその半導体の上面または下面に設け
られた添加物を含有する酸化物または窒化物を主
成分とする透明電極とを有する半導体装置に対
し、非単結晶半導体を構成する元素または添加物
とが互いにドープしあい半導体と電極とを一体化
または実質的に一体化させることを目的としてい
る。

【0004】

【従来の技術】 従来より半導体装置に発生した
再結合中心または準位に対して熱アニールがその
密度を減少させる方法として知られている。これ
は300〜700℃の温度における水素または不活性ガ
ス中におけるアニール（徐熱）により、半導体特
に単結晶半導体またはこの上部に絶縁ゲイト型電
解効果半導体装置等のゲイト絶縁物を設けたいわ
ゆるMIS構造（金属−絶縁物特に酸化珪素−半導
体特に珪素）の半導体装置において、界面の遅い
準位を相殺したりまたは単結晶半導体中の格子歪
を除去していた。

【0005】 また高温アニールとして、700〜1200
℃例えば1000℃により単結晶半導体中にホウ素
(B)、リン(P)、砒素（As）等を注入し、その後の
アニールにより、この注入により発生した無定型
状態をもとあつた如く単結晶化することが知られ
ていた。

【0006】 しかしこれらのいずれにおいても、そ
の基本思想においてはより単結晶化することによ
りその結晶中の不対結合手またはベイカンシ（空
穴）を消滅させることを前提としているものであ
る。

【0007】 本発明はかかる従来より知られた熱ア
ニール方法ではなく、レーザ光またはそれと同様
の強光エネルギ（以下総称してＬ−アニールとい
う）を半導体に加え、その結果半導体特に半導体
表面またはその近傍の半導体をキユアせんとした
ものである。

【0008】 さらに本発明はかかるＬ−アニールが
単結晶よりも非単結晶に対して有効であり、かつ
この非単結晶即ちCVD法等の方法により基板上
に形成された多結晶またはアモルフアス半導体ま
たはグロー放電法、プラズマCVD法等により形
成された水素を含有したアモルフアスまたは結晶
粒径が10〜100Åの微小径を有する多結晶に対し
て特に有効である。

【0009】

【発明が解決しようとする課題】 かかる非単結
晶半導体はきわめて多数の不対結合手を一般に有
しているため、不純物が10¹⁹〜10²¹cm^-3の多量に
ドープされた実質的に導体として用いる場合、ま
たはかかる非単結晶半導体中にその被膜の形成と
同時にその不対接合手と水素とを結合させて中和
させることにより半導体として用いる場合が知ら
れている。しかし前者に関しては、その不純物の
量を10²⁰cm^-3〜50原子％と多量にドープするとそ
の不純物が析出し、いわゆる偏析をおこし、不純
物の塊を半導体中に発生させ、電気的に何等活性
にならなくなつてしまう。即ち、その半導体中で
の活性度（半導体中のＰまたはＮ型に活性になつ
た量／半導体中に混入している不純物の量）がき
わめて0.1〜10％と低くなつてしまつた。また他
方、水素がドープされた非単結晶半導体にあつて
は、その系に電極を形成したりさらに低い温度で
のアニール300〜700℃を行うと、その半導体中の
水素は水素化物例えばSi−Ｈ結合より遊離し、半
導体中より外へH₂として放出されてしまい、熱
アニールによりかえつて再結合中心の密度が大き
くなつてしまつた。

【0010】

【課題を解決するための手段】 本発明はかかる
欠点を除去したもので、半導体中にその固溶限界
以上のＰまたはＮ型を有する２、３価または５、
６価の添加物が添加された場合、その活性度を結
晶化を高めることにより100％に近く高め、ひい
てはその半導体中での電気伝導度を高めること、
およびこの処理または300〜700℃の低温アニール
のため、放出されてしまう水素またはハロゲン元
素の如き再結合中心中和物を再び半導体中に化学
的に活性の状態にて添加し、不対結合手と結合せ
しめることにより半導体中の再結合中心の密度を
低くさせたものである。

【0011】 加えて本発明はＬ−アニールの際、半
導体上表面に形成される電極特に透明電極中の添
加物またはその構成元素の一部を半導体中に移動
させ、その境界をこれまでの面の概念より領域の
概念にまで拡大したことを特徴としている。その
結果、かかる電極下の半導体は不純物の活性度が
高められ、かつその電気伝導度がきわめて大きく
金属と同程度に近い伝導度を有する。即ちフエル
ミレベルが実質的に縮退した状態にまでさせ得る
ことがわかつた。

【0012】 以下に本発明に用いられた本発明の実
施例を図面に従つて説明する。

【0013】

【実施例】 図１は本発明に用いられた半導体装
置の実施例である。

【0014】 図１Ａに半導体基板１を示している。
この半導体基板は珪素等の単結晶半導体がその代
表例である。この単結晶半導体はその上表部に
MIS構造が設けられていても、また半導体基板の
一部にイオン注入等により不純物がドープされて
いて部分的に非単結晶になつていてもよい。本発
明はかかる半導体に対しＬ−アニールを行つた。
Ｌ−アニールに用いられたレーザはCWレーザで
ある。出力は10〜70Wであつた。ミラーを用いて
位置を連続的にスキヤンさせた。かくすることに
より、半導体基板表面の近傍0.1〜3μの深さの半
導体層がアニールされた。しかしこのＬ−アニー
ルは半導体−絶縁膜界面またその近傍にある界面
準位の消滅にはあまり効果がなかつた。加えて半
導体中を流れる少数キヤリアによる微小電流のリ
ーク防止に対しては余り有効ではなかつた。

【0015】 本発明はかかる欠点を除去するため、
この半導体を高周波誘導により励起された化学的
に活性状態の水素等の再結合中心中和物を有する
一気圧以下に保たれた雰囲気に浸した。この雰囲
気の温度は室温（−70〜＋200℃）においても可
能である。減圧状態の炉を外側より0.1〜100M
Hz、例えば13.5MHzにて高周波誘導により水素ま
たは水素にヘリユーム等の不活性ガスまたは一部
に塩素、弗素等のハロゲン元素が0.01〜３原子％
の濃度に混合された雰囲気を励起した。そのため
例えば水素はH₂よりＨ、H^*またはH⁺と化学的
に活性の発生基の水素となり得る。この水素は半
導体または絶縁体中をまつたくなんの支障もなく
侵入し、半導体、絶縁体またはその界面に存在す
る半導体例えば珪素の不対結合手または絶縁体例
えば酸化珪素中の珪素または酸素の不対結合手と
結合し、電気的に中和させた。

【0016】 その結果、イオン注入等により破壊さ
れたいた半導体層は、欠陥密度を10²²cm^-3より
10¹⁹〜10¹⁷cm^-3にまで下げることができ、それを
さらに1/10〜1/50に下げることができた。特にレ
ーザアニールが例えばMIS，FETのソース、ド
レインを構成する不純物層の欠陥密度をその接合
部を広げることなく可能であるに対し、誘導アニ
ールはこの接合部またはこの近傍または半導体と
絶縁膜との界面での不対結合手・準位を少なくさ
せることに効果があつた。また加えて、レーザア
ニールが界面上により近い領域のアニールである
のに対し、このＬ−アニールにより処理しきれな
い半導体表面より３〜10μと深い位置での欠陥を
中和させてアニールを行うため誘導アニールはき
わめて有効であつた。

【0017】 図１Ｂは基板３上に半導体層１を形成
させたものである。半導体または半導体層はシラ
ン等の珪化物全体による熱分解法を利用して500
〜900℃の温度で形成したものである。この半導
体層の作製のため、CVD（Chemical Vapor
Deposition）は本発明者の発明による特公昭51−
1389に基づいて実施した。さらにまた発明人の出
願になるグロー放電法、プラズマCVD法等特願
昭53−67507（昭和53年６月５日提出）に基づいて
実施した。かかる方法により形成された半導体層
１は非単結晶半導体よりなり、かつその半導体中
に選択的にまたは基板表面と概略平行にPN接
合、PIN接合、PNPN…PN接合の多重接合が形
成されており、さらにまたかかる非単結晶半導体
には絶縁ゲイト型電界効果トランジスタまたはそ
の集積化した半導体装置が設けられている。例え
ば本発明人の発明になる出願53−124022（昭和53
年10月７日）に記されている。

【0018】 かかる非単結晶半導体に対し、選択的
にまたは全面に図１Ａと同様のＬ−アニールを行
うと、半導体表面または表面より２〜3μの深さ
までの格子欠陥を格子を構成する元素同志を結合
させることにより1/10³〜1/10⁵にその密度をさせ
ることができた。しかし同時にかかる半導体を構
成していた元素と水素等とが結合して中和し、不
対結合手はその一部がSi−Ｈ結合よりSi−に変化
し、かえつて不対結合手を発生させてしまつた。
この時水素はSi−Ｈより水素同志が互いに結合し
あい、H₂として半導体中に安定な状態で残つて
いるのみであることがわかつた。即ち、 過程１ Si−Ｈ＋Ｈ−Si→Si−Si＋H₂ 過程２ Si−Ｈ＋Ｈ−Si→2Si−＋Ｈ

【0019】 この過程２の多い場合はかえつてより
結晶化を促し、再結合中心の密度を過程１より単
結晶化に近づけたにもかかわらず、増加させてし
まうことが判明した。換言すれば、過程１により
珪素同志が互いに共有結合をし、単結晶に近づく
ため電気伝導度は約100倍にも増加したにもかか
わらず、再結合中心の密度はグロー放電等で作ら
れた被膜にあつてはＬ−アニール前が10¹⁷〜10¹⁸
cm^-3に対し10¹⁸〜10¹⁹cm^-3とこの半導体中での水
素の含有量は約20〜30モル％と不変であるにもか
かわらず１桁も増加してしまうことがわかつた。
即ちこの事実は遊離した水素は水素同志結合し、
きわめて短い時間では、その水素が再び珪素の不
対結合手と結合しきれないことがわかつた。

【0020】 また減圧CVD法等で形成された非単
結晶の半導体被膜はあらかじめ再結合中心中和物
が含有していないため、Ｌ−アニールによりその
結晶粒界を10〜1000Åより0.1μ〜50μにまで大き
くし、より単結晶化させることができた。それに
レーザとして前記したCW発振ではなく、パルス
巾が10〜100n秒のルビーレーザ、ガラスレーザ
（出力10〜1000MW）を用いても同様である。そ
の結果ＰまたはＮ型の不純物がドープされていな
い状態の真性半導体（この場合はバツクグランド
レベルの不純物のドープがある場合の半導体をも
含む）においてその欠陥密度が10²²cmにまでさげ
ることができた。しかし半導体として用いるため
には、この密度を10¹⁴〜10¹⁶cm^-3またはそれ以下
に下げる必要がある。さらにまた半導体層の表面
より深い部分での密度も同様に下げるため、本発
明においてはこのＬ−アニールと同時またはその
後に誘導アニールを加えたことを特徴としてい
る。この誘導アニールはマイクロ波により基板よ
り離れた位置にてあらかじめ前記した中和物を化
学的に励起しそれを基板上にまで導いてもよい。
マイクロ波は30〜200Wの出力で例えば2.46GHz
を用いた。反応系は１気圧以下例えば0.01〜
10Torrとし、その雰囲気は水素または水素にヘ
リユームを30〜50％添加した中和物を用いた。か
かる雰囲気中に本半導体装置を10分〜１時間設置
することにより、前記した欠陥密度は10¹⁵〜10¹⁶
cm^-3にまで下げることができた。この欠陥密度は
その被膜の作製方法がグロー放電法、プラズマ
CVD法、クラスタ蒸着法、減圧CVD法、または
真空蒸着法、イオンプレーテイング法等には無関
係となり、本発明のＬ−アニールと誘導アニール
とを合わせることにより作製方法にはあまり依存
することなく半導体の本来あるべき状態にまで近
づけることができた。

【0021】 図２は本発明の他の実施例であり、半
導体上に透明電極を形成した場合を示す。

【0022】 図２Ａにおいて、基板３はガラス、セ
ラミツクまたはガラエポ等の複合材、カプトン、
ポリイミド等の有機物の絶縁基板、さらにステン
レス・スチール、チタンまたは窒化チタン等の導
体基板、さらに前記した絶縁基板上に選択的に導
体を設けた複合基板であつてもよい。

【0023】 これらの基板上に半導体層１を非単結
晶構造に形成した。この半導体の作製方法はプラ
ズマCVD法を用い、珪化物を主成分とした。こ
の半導体中にはPN接合、PIN接合またはPNPN
…PN多重接合、PINI…IPIN多重接合を形成し
た。半導体層の厚さは0.5〜5μの厚さである。さ
らにこの上面に酸化スズ、酸化インジユーム、酸
化アンチモンまたはそれらの混合物をさらにまた
はスズ、インジユーム、アンチモンの窒化物また
はそれらの混合物よりなる導電膜２を単層または
多層の電極として同様のプラズマCVD法により
0.05〜3μの厚さに作製した。この導電膜は光学的
に透明であり、レーザ光、可視光に対する光吸収
が小さいことを特徴としている。

【0024】 さらにこの図２Ａに対しＬ−アニール
を加え、図２Ｂに示される如く透明電極２と半導
体層１の境界に遷移領域５を設け、導電層の構成
物の一部であるスズまたは酸素または窒素さらに
半導体中でＰ型の導電型を示すインジユーム
（In）、ガリユーム（Ga）、アルミニユーム（Al）、
ボロン(B)または亜鉛（Zn）、カドミユーム（Cd）
を添加物として添加させた。特に単体では金属は
特性を有し、半導体中ではＰ型導電型を有するIn
またはInとＢとの混合の添加物はこの遷移領域で
のＰ型の導電率をきわめて高くするのに効果があ
つた。

【0025】 このＬ−アニールはIn，Ｂの溶融量を
その溶融限界である10²⁰cm^-3の濃度より10〜10³
倍高め、過飽和の状態でかつ偏析をおこさせない
という特徴を有し、10²⁰cm^-3〜30原子％特に0.3〜
３原子％の添加はホールに対する不純物が散乱を
おこさせることなく導電率を高めるのにきわめて
効果があつた。本発明はこの後さらにＬ−アニー
ルにより非単結晶半導体の結晶粒界の径が10〜
1000Åより１〜50μの大きさになり、単結晶に近
づくことによりその伝導度を10〜10³倍にできた。

【0026】 しかしこのＬ−アニールによる不対結
合手の発生を防止するため、さらにこの後図２Ｂ
に対し誘導アニールを実施し、不対結合手に対し
活性状態の水素を添加して電気的に中和させた。
かくすることにより、光電変換装置特に太陽電池
等における光が透過する側での短波長領域におけ
る光電変換効率を向上でき、ひいては0.3〜0.5μ
の波長領域でのコレクシヨン効果を95〜100％に
することができた。

【0027】 また透明電極下の半導体をＮ型にせん
とするならば、透明電極への添加物をアンチモン
（Sb）、砒素（As）、リン（Ｐ）のごとき５価の添
加物またはテルル（Te）、セレン（Se）の如き６
価の添加物を酸化スズまたは窒化スズまたは窒化
アンチモンの如き窒化物の透明電極に10²⁰cm^-3〜
30原子％の濃度に添加すればよい。この添加物の
うち特にSbまたはSbとＰとの混合物はＬ−アニ
ールにより同様にその電極直下の半導体層をＮ型
化し、かつその添加量の固溶限界を越えた濃度に
して偏析をおこすことなく100％に近い活性度を
持つＮ型とすることができた。

【0028】 かくの如きＬ−アニールにより非単結
晶半導体は単結晶化いすすみ、また透明電極の一
部成分または添加物を50〜５×10³Åの深さ特に
500Åの如ききわめて浅い深さにドープできた。
このドープ面は電極ともまた半導体とも密着でき
る遷移領域であり、この抵抗率は10^-1〜10^-4Ωcm
^-1と金属に近く、量子論的にはフエルミレベルの
縮退した状態になつているものと推定される。ま
たこの遷移領域がうすいため、光電変換装置にお
いては短波長の光により励起を起こさせて電子−
ホール対を発生させ、かつその両者を再結合中心
を水素等の中和物で中和しているため、再結合す
ることなく電極に導くことができた。

【0029】 加えてこの発明においては、Ｌ−アニ
ールによつて強制的にアニールされるため、一部
の元素例えば酸素または窒素の半導体を構成する
元素と局部反応をして局部的低級酸化珪素または
窒化珪素を作り絶縁膜にする等の不良モードを
100〜150℃の高温放置等で発生させることもなく
きわめて信頼性の優れたものであつた。

【0030】 図２Ｃは透明電極２を下側に形成し、
かつ半導体層１を上側に形成させた場合である。
かかる場合、基板３がガラス等であつた場合は下
側のガラス側からのレーザ光の入射によるアニー
ルが好ましい。しかし半導体層が0.05〜2μと薄い
場合は上側から半導体層を通してのＬ−アニール
を行つてもよい。

【0031】 その結果、図２Ｂと同様に図２Ｄに示
す如く遷移領域５が形成された。レーザ光の照射
方向により半導体層はその結晶粒径が大きくな
り、下側から照射された場合は半導体層の下部が
大きく上部が小さい状態に、図２Ｂと同様に上側
から照射されると半導体層１の上部が大きく下部
が結晶として小さくなる。これより深さ方向の結
晶粒径をレーザ光の照射向き、強さおよび照射時
間により制御できることがわかつた。

【0032】 図２Ｅは透明電極を上側２、さらに下
側４に半導体層１をはさんで形成させた場合であ
る。その結果、Ｌ−アニールにより遷移領域３は
Ｐ型にまた６はＮ型に作り、いわゆるＰ−Ｎ接合
を適当に作ることができる。もちろん図面の実施
例においては、下側電極４をSnとSbとの化合物
より作つた導体電極を基板上の下地金属上に形成
し、上側からのレーザ光の下側電極の反射を利用
してこの電極の一部を半導体層に添加する方法を
とつてもよい。逆にNIP接合を作ることも添加物
と上側の電極が５、６価の添加物を有し、下側の
電極が３または２価の添加物を有するといい。

【0033】 これらのＬ−アニールの後半導体層全
体におけるＬ−アニールにより発生した不対結合
手を再結合中心中和物であるＨ、He等の誘導ア
ニールにより中和して電気的に不活性にすること
は半導体装置として動作させるためにはきわめて
重要なことである。

【0034】 図２Ａ，Ｃにおいては、基板上または
半導体層上にＮまたはＰ型の導電型の半導体層を
作ることと、またこの半導体層内にPN接合その
他の接合を作ることを明記しなかつた。しかし
CVD法、プラズマCVD法、グロー放電法等にお
いては、これらの導電型の半導体は半導体層の形
成と同時にＰ型にあつてはＢを、Ｎ型にあつては
Ｐを不純物として添加して作製すればよい。また
この濃度が固溶限界を越え、また非単結晶半導体
においてはその活性度が３〜30％しかないため、
これらはＬ−アニールを行うことにより90〜100
％にすることができ、きわめて半導体としての構
造敏感性を有せしめることができるようになつ
た。

【0035】 図２Ｇは透明電極を導体層上に選択的
に設けた一例である。

【0036】 その結果、シアロー接合（５〜200Å）
を図２（Ｈ）の如く５，５′として作ることがで
きる。

【0037】 図３は本発明を実施するための製造装
置の一例である。図面に基づいてこれまでどおり
記述を行いながら装置の概要を説明する。

【0038】 基板上に半導体が形成された基板１１
は入力チヤンバ２０よりローダ２８によつて出力
チヤンバ２１に至る。チヤンバ２３は0.01〜
100Torr特に0.1〜10Torrの減圧状態にて行うた
め、中和物の気体を１５より水素、１６よりヘリ
ユーム等の不活性ガス、１７よりHCl等のハロゲ
ン元素が導入される。また排気はニードルバルブ
１８を経て真空ポンプ１９にて排気される。

【0039】 レーザ光はレーザ１２よりミラー１３
をへて基板上に走査されてＬ−アニールがなされ
る。この装置においてはこのレーザが照射される
と同じ位置のチヤンバの外部に高周波誘導炉が備
えつけてある。この高周波誘導炉２２は電圧加熱
方式をとり、13.56MHz、100W〜1KWを用いた。
この後、これら全体を300〜700℃に低温アニール
をする炉２５、さらにその後ろは独立して特別の
高周波誘導炉２４が設けられている。この誘導炉
もこの基板１１と対向するように平行平板方式で
あつてもよい。

【0040】 かくすることによりチヤンバ内に放電
が起こり、発生基（ラジカル状）の化学的に活性
状態にある水素その他が半導体中にドープされ、
不対結合手と結合して中和させることができた。
加えて従来Ｌ−アニールは空気中においてのみ得
なかつたが、かくすることにより水素中、不活性
ガス特にヘリユーム中で実施することができ、そ
の結果、照射面上のリング状のＬ−アニール特有
の縞模様の発生を減少させることができた。

【0041】 本発明においては、Ｌ−アニールに用
いられたのはＱスイツチパルス発振レーザまたは
CWレーザを用いたが、これを同様の効果をもた
らすものにフラツシユ等の発生をキセノン等のラ
ンプを用いて行つてもよい。その基板はきわめて
速い昇温と降温を行うことにより、半導体または
半導体中の添加物のミクロな移動は高温の実質的
に溶融状態で行い得ても不純物の偏析等大きな移
動は行い得ず、熱アニール法における固溶限界以
上の濃度の不純物または添加物を半導体中に析出
させることなく添加させることを特徴としてい
る。

【0042】 本発明のこれまでの実施例において、
透明電極はそのまま残置せしめている。しかしこ
の電極を一度エツチング液で除去して再度新しい
透明電極を形成させてもよいことはいうまでもな
い。また第一の透明電極を例えば窒化物により
100〜1000Åの厚さに形成した後、光アニールし、
さらに第二の透明電極を酸化物により0.1〜2μの
厚さに形成してもよい。

【0043】 また本発明のこれまでの実施例は半導
体は珪素を主体として説明した。しかしSi_xGe_1-x
（０＜ｘ＜１）、Si_xSn_1-x（０＜ｘ＜１）、Si_xC_1-x
（0.5＜ｘ＜１）またはSnの如き４族の半導体また
はGaAs，GaAlAs等の３、５族の化合物半導体、
さらにまたは半導体の一部にSi_xO_2-x（０＜ｘ＜
２）、Si_xN_4-x（０＜ｘ＜４）等の低級酸化物、低
級窒化物でかかる半導体の一部を形成させ、その
エネルギバンド巾を連続的にＷ−Ｎ構造に変化さ
せた半導体を用いてもよいことはいうまでもな
い。

【0044】 本発明の実施例において、透明電極は
酸化スズ、酸化インジユームまたは酸化アンチモ
ン等の酸化物導電性透明電極を主として記した。
しかし化学的にさらに安定な窒化物の導電性透明
電極を窒化スズ、窒化インジユーム、窒化アンチ
モン、窒化チタン、窒化ゲルマニユームを用いて
もよく、さらに窒化珪素とこれらの混合物を導電
性透明電極として用いてもよい。

【0045】 加えて半導体層と酸化物透明電極との
境界に10〜50Åのトンネル電流を流すきわめて薄
い膜厚の窒化物を設けた半導体装置にも本発明を
適用できることはいうまでもない。

【0046】

【本発明の効果】 さらに本発明における半導体
装置は光電変換装置、特に太陽電池のみではな
く、MIS.FETを用いた集積回路、発光素子、半
導体レーザその他トランジスタ、ダイオード等の
すべての半導体装置に適用できることはいうまで
もない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を実施するための半導体装置の例
を示す。

【図２】本発明の他の実施例を示すための半導体
装置の例を示す。

【図３】本発明を実施するための製造装置の一例
である。

【符号の説明】

１ 半導体層 ２ 導電膜 ３ 基板 ４ 下側電極 ５ 遷移領域。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ４族元素を主成分とする非単結晶
   半導体の一主面にレーザまたはそれと同様の強光
   エネルギーを照射することにより光アニールを行
   つた後、前記半導体を高周波またはマイクロ波に
   よるプラズマ状態の水素、ハロゲン元素または不
   活性ガス雰囲気に配置して300〜700℃の温度の加
   熱雰囲気で熱アニールを行うことを特徴とした半
   導体装置作製方法。