JPH056672Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH056672Y2 JPH056672Y2 JP1986113290U JP11329086U JPH056672Y2 JP H056672 Y2 JPH056672 Y2 JP H056672Y2 JP 1986113290 U JP1986113290 U JP 1986113290U JP 11329086 U JP11329086 U JP 11329086U JP H056672 Y2 JPH056672 Y2 JP H056672Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surge
- surge absorbing
- terminal
- protected
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、ICカード或いは他の装置に実装さ
れる集積回路（IC）を保護するのに好適なサー
ジ吸収用半導体装置に関する。
れる集積回路（IC）を保護するのに好適なサー
ジ吸収用半導体装置に関する。
従来、サージ吸収用防護素子としては種々な文
献から知られているように、避雷管（例えば、黒
沢、上條、根岸：通信用ガス入避雷管、日本電信
電話公社電気通信研究所研究実用化報告、
vol.30，No.５，p.1229〜1242，1981）、酸化亜鉛
バリスタ、ツエナーダイオード、アバランシエダ
イオード、ダイオードバリスタ（平岡、佐野、金
森：サージ防護用半導体素子、日本電信電話公
社、電気通信研究所研究実用化報告、vol.30，No.
５，p.1257〜1267，1981）などがある。
献から知られているように、避雷管（例えば、黒
沢、上條、根岸：通信用ガス入避雷管、日本電信
電話公社電気通信研究所研究実用化報告、
vol.30，No.５，p.1229〜1242，1981）、酸化亜鉛
バリスタ、ツエナーダイオード、アバランシエダ
イオード、ダイオードバリスタ（平岡、佐野、金
森：サージ防護用半導体素子、日本電信電話公
社、電気通信研究所研究実用化報告、vol.30，No.
５，p.1257〜1267，1981）などがある。
避雷管は電極間のギヤツプの距離、封入ガス圧
力などを調整することにより、そのサージ抑圧電
圧の大きさが決められる。
力などを調整することにより、そのサージ抑圧電
圧の大きさが決められる。
酸化亜鉛バリスタがその厚さなどを調整するこ
とにより、そのサージ抑圧電圧の大きさが決めら
れる。
とにより、そのサージ抑圧電圧の大きさが決めら
れる。
ダイオードバリスタはシリコンのバルク内に形
成される１個のPN接合の順方向特性を利用する
ものであり、１個のPN接合の１次ブレークダウ
ン電圧が約0.8V程度であるので、サージ抑圧電
圧の調整はPN接合の多層化により実現できる。
成される１個のPN接合の順方向特性を利用する
ものであり、１個のPN接合の１次ブレークダウ
ン電圧が約0.8V程度であるので、サージ抑圧電
圧の調整はPN接合の多層化により実現できる。
ツエナーダイオード、アバランシエダイオード
等では、PN接合近傍の不純物濃度勾配の調整に
よつて所要の１次ブレークダウン電圧を実現でき
る。
等では、PN接合近傍の不純物濃度勾配の調整に
よつて所要の１次ブレークダウン電圧を実現でき
る。
ところで、例えばICカードに搭載するための
防護素子に要求される主な電気的特性は１次ブレ
ークダウン電圧が６〜7V、しかも正極性、負極
性のいずれのサージに対しても確実に動作する双
方向特性を有していること、また静電容量は制御
信号に対し十分に小さい値であることなどであ
る。斯かる従来のサージ吸収用半導体装置として
第３図に示すようなものがある。これは設定サー
ジ抑圧電圧を有する４組の一対のサージ吸収素子
D1とD5、D2とD6、D3とD7、D4とD8を夫々背中
合せにして直列接続したものを、保護すべきIC
の接地端子のような基準端子に接続される第１の
端子Ａと前記ICの被保護端子に夫々接続される
複数の第２の端子Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ間に接続した形
になつている。
防護素子に要求される主な電気的特性は１次ブレ
ークダウン電圧が６〜7V、しかも正極性、負極
性のいずれのサージに対しても確実に動作する双
方向特性を有していること、また静電容量は制御
信号に対し十分に小さい値であることなどであ
る。斯かる従来のサージ吸収用半導体装置として
第３図に示すようなものがある。これは設定サー
ジ抑圧電圧を有する４組の一対のサージ吸収素子
D1とD5、D2とD6、D3とD7、D4とD8を夫々背中
合せにして直列接続したものを、保護すべきIC
の接地端子のような基準端子に接続される第１の
端子Ａと前記ICの被保護端子に夫々接続される
複数の第２の端子Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ間に接続した形
になつている。
第３図に示すサージ吸収用半導体装置の場合、
第１の端子Ａと第２の端子Ｂ〜Ｅ間の夫々の双方
向のサージ抑圧電圧をすべく等しくするために
は、８個のサージ吸収素子D1〜D8の特性をすべ
く等しく揃えねばならず、また個別のサージ吸収
素子が必要な場合には８個のサージ吸収素子を必
要とし、同一の半導体基板に形成する場合にもサ
ージ吸収素子８個分の半導体領域が必要になるの
で小型化できない。
第１の端子Ａと第２の端子Ｂ〜Ｅ間の夫々の双方
向のサージ抑圧電圧をすべく等しくするために
は、８個のサージ吸収素子D1〜D8の特性をすべ
く等しく揃えねばならず、また個別のサージ吸収
素子が必要な場合には８個のサージ吸収素子を必
要とし、同一の半導体基板に形成する場合にもサ
ージ吸収素子８個分の半導体領域が必要になるの
で小型化できない。
従つてこの考案に係るサージ吸収用半導体装置
は、サージ吸収素子を背中合わせに接続すること
により双方向のサージ抑圧電圧をもつ半導体装置
であつて、保護すべき集積回路の基準端子に接続
される第１の端子に電気的に結合されたサージ吸
収素子を共通として備えると共に、前記集積回路
の複数の被保護端子に夫々接続される複数の第２
の端子に夫々電気的に結合されるサージ吸収素子
を備えている。
は、サージ吸収素子を背中合わせに接続すること
により双方向のサージ抑圧電圧をもつ半導体装置
であつて、保護すべき集積回路の基準端子に接続
される第１の端子に電気的に結合されたサージ吸
収素子を共通として備えると共に、前記集積回路
の複数の被保護端子に夫々接続される複数の第２
の端子に夫々電気的に結合されるサージ吸収素子
を備えている。
この考案によれば、保護すべき集積回路の基準
端子に接続される第１の端子に電気的に結合され
るサージ吸収素子を共通としているので、従来に
比べ必要とするサージ吸収素子の数が少なくて済
み、従つて第１の端子と複数の第２の端子間の
夫々のブレークダウン電圧を等しくし易く、また
半導体装置を小型化でき、経済性も向上できる。
端子に接続される第１の端子に電気的に結合され
るサージ吸収素子を共通としているので、従来に
比べ必要とするサージ吸収素子の数が少なくて済
み、従つて第１の端子と複数の第２の端子間の
夫々のブレークダウン電圧を等しくし易く、また
半導体装置を小型化でき、経済性も向上できる。
第１図により本考案の一実施例を説明すると、
従来と異なる点は、保護される集積回路の被保護
端子（図示せず）にボンデングなどにより接続さ
れる第２の端子Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの夫々に一方の端
子が電気的に結合されるサージ吸収素子D1，D2，
D3，D4の他端が共通点Ｎに接続され、その共通
点Ｎと保護される集積回路の接地端子のような基
準端子（図示せず）に接続される第１の端子Ａと
の間に共通のサージ吸収素子D5が備えられてい
るところにある。
従来と異なる点は、保護される集積回路の被保護
端子（図示せず）にボンデングなどにより接続さ
れる第２の端子Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの夫々に一方の端
子が電気的に結合されるサージ吸収素子D1，D2，
D3，D4の他端が共通点Ｎに接続され、その共通
点Ｎと保護される集積回路の接地端子のような基
準端子（図示せず）に接続される第１の端子Ａと
の間に共通のサージ吸収素子D5が備えられてい
るところにある。
斯かるサージ吸収半導体装置では、第１の端子
Ａに対し第２の端子Ｂ〜Ｅのいずれかが正となる
ようなサージ電圧の生じた場合、そのサージ電圧
はサージ吸収素子D5のアバランシエブレークダ
ウン電圧のようなサージ抑圧電圧とサージ吸収素
子D1〜D4の相当するものの順方向ドロツプとの
和に等しい電圧に制限される。ここでサージ吸収
素子D1〜D4の順方向ドロツプは等しいので、第
１の端子Ａに対し第２の端子Ｂ〜Ｅを正とするサ
ージ電圧はサージ吸収素子D5のサージ抑圧電圧
で一義的に決定される。従つて、第１の端子Ａに
関して第２の端子Ｂ〜Ｅが正となる帯電々圧など
についてはすべて等しいサージ抑圧電圧に制限で
きる。
Ａに対し第２の端子Ｂ〜Ｅのいずれかが正となる
ようなサージ電圧の生じた場合、そのサージ電圧
はサージ吸収素子D5のアバランシエブレークダ
ウン電圧のようなサージ抑圧電圧とサージ吸収素
子D1〜D4の相当するものの順方向ドロツプとの
和に等しい電圧に制限される。ここでサージ吸収
素子D1〜D4の順方向ドロツプは等しいので、第
１の端子Ａに対し第２の端子Ｂ〜Ｅを正とするサ
ージ電圧はサージ吸収素子D5のサージ抑圧電圧
で一義的に決定される。従つて、第１の端子Ａに
関して第２の端子Ｂ〜Ｅが正となる帯電々圧など
についてはすべて等しいサージ抑圧電圧に制限で
きる。
そしてこのようなサージ吸収素子を１チツプで
製作した場合の一実施例としては第２図Ａ，Ｂに
示すようなものがある。同図において、１は厚さ
が400μm程度以下のＮ導電型のシリコン半導体基
板、２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅは比較的不純
物濃度の高いＰ導電型の半導体領域、３ａ，３
ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅはそれぞれ対応するＰ導電
型の半導体領域２ａ〜２ｅとオーミツクコンタク
トを形成し、絶縁膜４上まで延在する電極であ
る。ここで電極３ａは第１の端子Ａに接続され、
また電極３ａ〜３ｅは夫々対応する第２の端子Ｂ
〜Ｅに接続される。
製作した場合の一実施例としては第２図Ａ，Ｂに
示すようなものがある。同図において、１は厚さ
が400μm程度以下のＮ導電型のシリコン半導体基
板、２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅは比較的不純
物濃度の高いＰ導電型の半導体領域、３ａ，３
ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅはそれぞれ対応するＰ導電
型の半導体領域２ａ〜２ｅとオーミツクコンタク
トを形成し、絶縁膜４上まで延在する電極であ
る。ここで電極３ａは第１の端子Ａに接続され、
また電極３ａ〜３ｅは夫々対応する第２の端子Ｂ
〜Ｅに接続される。
そしてこの実施例の１つの特徴は、保護される
ICの基準端子に電気的に結合される電極３ａと
オーミツクコンタクトで結合される半導体領域２
ａを中心にして、ICの被保護端子に接続される
端子Ｂ〜Ｃに夫々結合される半導体領域２ａ〜２
ｅを半導体領域２ａからほぼ等しい距離に配置し
たところにある。このような構成にすることによ
り、ICの被保護端子に接続されるサージ吸収素
子がすべてほぼ等しい特性をもつよう形成するこ
とが出来る。
ICの基準端子に電気的に結合される電極３ａと
オーミツクコンタクトで結合される半導体領域２
ａを中心にして、ICの被保護端子に接続される
端子Ｂ〜Ｃに夫々結合される半導体領域２ａ〜２
ｅを半導体領域２ａからほぼ等しい距離に配置し
たところにある。このような構成にすることによ
り、ICの被保護端子に接続されるサージ吸収素
子がすべてほぼ等しい特性をもつよう形成するこ
とが出来る。
なお、これら実施例において、Ｐ導電型とＮ導
電型とを入れ換えてもよく、またICの被保護端
子の数に合わせてサージ吸収素子の数を調整して
も勿論よい。
電型とを入れ換えてもよく、またICの被保護端
子の数に合わせてサージ吸収素子の数を調整して
も勿論よい。
以上述べたように本考案によれば、保護すべき
ICの基準端子に接続される第１の端子側に位置
するサージ吸収素子を共通としているので、IC
の被保護端子の電圧をすべく等しいサージ抑圧電
圧以下に制限することが出来、しかもサージ吸収
用半導体装置を小型化できると同時に経済性を向
上出来るなど実用上の効果は大きい。
ICの基準端子に接続される第１の端子側に位置
するサージ吸収素子を共通としているので、IC
の被保護端子の電圧をすべく等しいサージ抑圧電
圧以下に制限することが出来、しかもサージ吸収
用半導体装置を小型化できると同時に経済性を向
上出来るなど実用上の効果は大きい。
第１図及び第２図は夫々本考案の一実施例を示
す図であり、第２図Ａは平面を示す図、ＢはＡに
おける−′での断面を示す図、第３図は従来
例を示す図である。 D1〜D8……サージ吸収素子、Ａ……第１の端
子、Ｂ〜Ｅ……第２の端子、１……半導体基板、
２ａ〜２ｅ……半導体領域、３ａ〜３ｅ……電
極、４……絶縁膜。
す図であり、第２図Ａは平面を示す図、ＢはＡに
おける−′での断面を示す図、第３図は従来
例を示す図である。 D1〜D8……サージ吸収素子、Ａ……第１の端
子、Ｂ〜Ｅ……第２の端子、１……半導体基板、
２ａ〜２ｅ……半導体領域、３ａ〜３ｅ……電
極、４……絶縁膜。
Claims (1)
- サージ吸収素子を背中合わせに結合することに
より双方向のサージ吸収機能を有する半導体装置
において、保護すべき対象の基準端子に接続され
るべき第１の電極に電気的に結合された第１のサ
ージ吸収素子を共通として備えると共に、前記保
護すべき対象の複数の被保護端子に夫々接続され
るべき複数の第２の電極の対応するものに電気的
に結合される複数の第２のサージ吸収素子を前記
第１のサージ吸収素子の周りでこれに対しほぼ等
しく離れた位置に備え、共通の前記第１のサージ
吸収素子と複数の前記第２のサージ吸収素子とが
背中合わせになるように形成したことを特徴とす
るサージ吸収用半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986113290U JPH056672Y2 (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986113290U JPH056672Y2 (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6320457U JPS6320457U (ja) | 1988-02-10 |
| JPH056672Y2 true JPH056672Y2 (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=30994954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986113290U Expired - Lifetime JPH056672Y2 (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH056672Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0783941B2 (ja) * | 1991-12-24 | 1995-09-13 | 正 小栗 | 鉄骨建築用角パイプ、又はコラム材のｕ形切込み治具 |
| JP6393587B2 (ja) * | 2014-03-05 | 2018-09-19 | ローム株式会社 | 双方向ツェナーダイオード |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4405933A (en) * | 1981-02-04 | 1983-09-20 | Rca Corporation | Protective integrated circuit device utilizing back-to-back zener diodes |
| JPS57154878A (en) * | 1981-03-20 | 1982-09-24 | Hitachi Ltd | Semiconductor sensor |
| JPS614985U (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-13 | 株式会社 電制 | 複合型表示装置 |
| JPS61173167A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チツプ抵抗器の抵抗値測定方法 |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP1986113290U patent/JPH056672Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6320457U (ja) | 1988-02-10 |
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