JPH0567600A - 研磨液 - Google Patents
研磨液Info
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- JPH0567600A JPH0567600A JP3226319A JP22631991A JPH0567600A JP H0567600 A JPH0567600 A JP H0567600A JP 3226319 A JP3226319 A JP 3226319A JP 22631991 A JP22631991 A JP 22631991A JP H0567600 A JPH0567600 A JP H0567600A
- Authority
- JP
- Japan
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- polishing
- polishing liquid
- polycrystalline silicon
- dissolved
- alkaline solution
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、素子分離溝内に残すように多結晶シ
リコンを研磨するのに適した研磨液に関し、多結晶シリ
コンを研磨しても研磨残であるポリ突起が発生しないよ
うな研磨液を提供することを目的とする。 【構成】有機化合物を溶解したアルカリ溶液と砥粒とを
含む研磨液において、無機化合物を溶解したアルカリ溶
液の陽イオンが添加され、ｐＨが１２．５以下であるよ
うに構成する。
リコンを研磨するのに適した研磨液に関し、多結晶シリ
コンを研磨しても研磨残であるポリ突起が発生しないよ
うな研磨液を提供することを目的とする。 【構成】有機化合物を溶解したアルカリ溶液と砥粒とを
含む研磨液において、無機化合物を溶解したアルカリ溶
液の陽イオンが添加され、ｐＨが１２．５以下であるよ
うに構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は素子分離溝内に残すよう
に多結晶シリコンを研磨するのに適した研磨液に関す
る。
に多結晶シリコンを研磨するのに適した研磨液に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置における半導体素子間を分離
溝により素子分離する素子分離構造においては、分離溝
内壁に分離絶縁膜を形成し、分離溝内に多結晶シリコン
が埋め込まれる。分離溝内に多結晶シリコンを埋め込む
のに、多結晶シリコンを分離溝内に残すように研磨する
研磨技術が注目されている。
溝により素子分離する素子分離構造においては、分離溝
内壁に分離絶縁膜を形成し、分離溝内に多結晶シリコン
が埋め込まれる。分離溝内に多結晶シリコンを埋め込む
のに、多結晶シリコンを分離溝内に残すように研磨する
研磨技術が注目されている。
【０００３】このような多結晶シリコンを研磨するのた
めの研磨液として、本願と同じ出願人により出願された
ものが知られている（特開平２−１４６７３２号公
報）。この研磨液は、エチレンジアミン又はヒドラジン
の水溶液にコロイダルシリカを添加したものである。こ
の従来の研磨液を用いた研磨方法について図１を用いて
説明する。
めの研磨液として、本願と同じ出願人により出願された
ものが知られている（特開平２−１４６７３２号公
報）。この研磨液は、エチレンジアミン又はヒドラジン
の水溶液にコロイダルシリカを添加したものである。こ
の従来の研磨液を用いた研磨方法について図１を用いて
説明する。
【０００４】シリコン基板１に通常のフォトリソグラフ
ィ技術により分離溝２を形成し、続いて、熱酸化法によ
り分離溝２の内面を含むシリコン基板１の表面に厚さ
０．１〜０．２μｍ厚さのＳｉＯ2 膜３を形成する（図
１（ａ））。このＳｉＯ2 膜３は分離溝２内では分離絶
縁膜３Ａとして機能し、シリコン基板１上面で研磨スト
ッパ膜３Ｂとして機能する。
ィ技術により分離溝２を形成し、続いて、熱酸化法によ
り分離溝２の内面を含むシリコン基板１の表面に厚さ
０．１〜０．２μｍ厚さのＳｉＯ2 膜３を形成する（図
１（ａ））。このＳｉＯ2 膜３は分離溝２内では分離絶
縁膜３Ａとして機能し、シリコン基板１上面で研磨スト
ッパ膜３Ｂとして機能する。
【０００５】次に、シリコン基板１上に、ＣＶＤ法によ
り分離溝２内を十分に埋め、上面が平坦化された１．５
μｍ厚のノンドープの多結晶シリコン層４を形成する
（図１（ｂ））。次に、研磨布が貼付された平面研磨盤
を用い、上述の研磨液を注下しながら多結晶シリコン層
４の上面を化学的かつ機械的に研磨する。エチレンジア
ミン又はヒドラジンの作用により多結晶シリコン層４の
表面に数１０ｎｍ厚さのシリコン水和物膜６が形成さ
れ、このシリコン水和物膜６がコロイダルシリカによる
摩擦により剥離される。露出した多結晶シリコン層４表
面はエチレンジアミン又はヒドラジンの作用によりシリ
コン水和物膜６に変化し、このシリコン水和物膜６はコ
ロイダルシリカによる摩擦により剥離されて研磨が進行
する（図１（ｃ））。
り分離溝２内を十分に埋め、上面が平坦化された１．５
μｍ厚のノンドープの多結晶シリコン層４を形成する
（図１（ｂ））。次に、研磨布が貼付された平面研磨盤
を用い、上述の研磨液を注下しながら多結晶シリコン層
４の上面を化学的かつ機械的に研磨する。エチレンジア
ミン又はヒドラジンの作用により多結晶シリコン層４の
表面に数１０ｎｍ厚さのシリコン水和物膜６が形成さ
れ、このシリコン水和物膜６がコロイダルシリカによる
摩擦により剥離される。露出した多結晶シリコン層４表
面はエチレンジアミン又はヒドラジンの作用によりシリ
コン水和物膜６に変化し、このシリコン水和物膜６はコ
ロイダルシリカによる摩擦により剥離されて研磨が進行
する（図１（ｃ））。
【０００６】研磨が進行して、研磨ストッパ膜３Ｂとし
て機能するＳｉＯ2膜３が表出すると、分離溝２の周囲
では研磨が進行しなくなるので、オーバーポリシングを
行って多結晶シリコン層４が分離溝２内に埋め込まれた
素子分離構造が形成される（図１（ｄ））。
て機能するＳｉＯ2膜３が表出すると、分離溝２の周囲
では研磨が進行しなくなるので、オーバーポリシングを
行って多結晶シリコン層４が分離溝２内に埋め込まれた
素子分離構造が形成される（図１（ｄ））。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
研磨液を用いて多結晶シリコン層４を研磨すると、シリ
コン基板１の研磨ストッパ膜３Ｂ表面に、図１（ｄ）に
示すように、多結晶シリコン層４の研磨残であるポリ突
起８が残る場合があった。ポリ突起８が活性領域に残っ
た場合には、その後の工程での窓開き不良の原因とな
り、最終的には正常な半導体素子が形成されない不良チ
ップとなり、歩留まりの低化を招くという問題があっ
た。
研磨液を用いて多結晶シリコン層４を研磨すると、シリ
コン基板１の研磨ストッパ膜３Ｂ表面に、図１（ｄ）に
示すように、多結晶シリコン層４の研磨残であるポリ突
起８が残る場合があった。ポリ突起８が活性領域に残っ
た場合には、その後の工程での窓開き不良の原因とな
り、最終的には正常な半導体素子が形成されない不良チ
ップとなり、歩留まりの低化を招くという問題があっ
た。
【０００８】本発明の目的は、多結晶シリコンを研磨し
ても研磨残であるポリ突起が発生しないような研磨液を
提供することにある。
ても研磨残であるポリ突起が発生しないような研磨液を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願発明者は多結晶シリ
コン層の研磨においてポリ突起の発生を防止するために
は無機化合物を溶解したアルカリ溶液の陽イオンを添加
することが有効であること見出した。図２は、研磨液
に、無機化合物を溶解したアルカリ溶液の陽イオンとし
て例えばＫ+ イオンを添加した場合のポリ突起の発生数
を示すグラフである。２重量％のエチレンジアミンと
０．２重量％のコロイダルシリカを含む研磨液にＫＯＨ
を添加して、４インチのシリコン基板上の多結晶シリコ
ン層を研磨して発生するポリ突起数を測定した。添加す
るＫＯＨの量を変化させた場合のポリ突起の発生数の変
化を図２に示す。ＫＯＨを全く添加しない場合には８０
個ものポリ突起が発生したが、ＫＯＨを添加すると急激
にポリ突起の発生数が減少し、１リットル当たり０．６
ｇ（０．６ｇ／ｌ）のＫＯＨを添加した場合にはポリ突
起は４０個と半分になり、２．５ｇ／ｌのＫＯＨを添加
した場合にはポリ突起は１０個以下になった。
コン層の研磨においてポリ突起の発生を防止するために
は無機化合物を溶解したアルカリ溶液の陽イオンを添加
することが有効であること見出した。図２は、研磨液
に、無機化合物を溶解したアルカリ溶液の陽イオンとし
て例えばＫ+ イオンを添加した場合のポリ突起の発生数
を示すグラフである。２重量％のエチレンジアミンと
０．２重量％のコロイダルシリカを含む研磨液にＫＯＨ
を添加して、４インチのシリコン基板上の多結晶シリコ
ン層を研磨して発生するポリ突起数を測定した。添加す
るＫＯＨの量を変化させた場合のポリ突起の発生数の変
化を図２に示す。ＫＯＨを全く添加しない場合には８０
個ものポリ突起が発生したが、ＫＯＨを添加すると急激
にポリ突起の発生数が減少し、１リットル当たり０．６
ｇ（０．６ｇ／ｌ）のＫＯＨを添加した場合にはポリ突
起は４０個と半分になり、２．５ｇ／ｌのＫＯＨを添加
した場合にはポリ突起は１０個以下になった。
【００１０】このようにポリ突起の発生数を減少させる
には研磨液にＫＯＨを添加することが有効であるが、単
にＫＯＨを加えると研磨液がｐＨが１２以上もの高アル
カリになり、このような高アルカリ領域では砥粒である
シリカ又はコロイダルシリカが溶解して研磨液組成が変
動してしまう。この研磨液の組成変動を防止するために
シリカ又はコロイダルシリカの砥粒とＫＯＨを分離して
同一定盤上に供給すればよいが、実際に多結晶シリコン
を研磨する際の研磨液のｐＨは上昇することは避けられ
ない。しかも、研磨時における研磨液のｐＨは研磨速度
に大きく影響することがわかった。
には研磨液にＫＯＨを添加することが有効であるが、単
にＫＯＨを加えると研磨液がｐＨが１２以上もの高アル
カリになり、このような高アルカリ領域では砥粒である
シリカ又はコロイダルシリカが溶解して研磨液組成が変
動してしまう。この研磨液の組成変動を防止するために
シリカ又はコロイダルシリカの砥粒とＫＯＨを分離して
同一定盤上に供給すればよいが、実際に多結晶シリコン
を研磨する際の研磨液のｐＨは上昇することは避けられ
ない。しかも、研磨時における研磨液のｐＨは研磨速度
に大きく影響することがわかった。
【００１１】研磨時における研磨液のｐＨと研磨速度の
関係を図３に示す。多結晶シリコンの研磨速度はｐＨが
１１から１２．５の範囲内では高速であるが、ｐＨが１
１より小さい場合やｐＨが１２．５より大きい場合に
は、最大研磨速度の半分以下になってしまう。すなわ
ち、ポリ突起の発生を防止し、しかも高速な研磨速度を
得るためには、研磨液のｐＨを上昇させて研磨速度の低
化を招く陰イオン（ＯＨ- イオン）を添加しないように
し、ポリ突起の発生を防止する陽イオン（例えばＫ+ イ
オン）だけを研磨液に添加すればよいことがわかった。
関係を図３に示す。多結晶シリコンの研磨速度はｐＨが
１１から１２．５の範囲内では高速であるが、ｐＨが１
１より小さい場合やｐＨが１２．５より大きい場合に
は、最大研磨速度の半分以下になってしまう。すなわ
ち、ポリ突起の発生を防止し、しかも高速な研磨速度を
得るためには、研磨液のｐＨを上昇させて研磨速度の低
化を招く陰イオン（ＯＨ- イオン）を添加しないように
し、ポリ突起の発生を防止する陽イオン（例えばＫ+ イ
オン）だけを研磨液に添加すればよいことがわかった。
【００１２】このような研磨液に得るには、有機化合物
を溶解したアルカリ溶液と砥粒とを含む研磨液に、例え
ば、ＫやＮａ等の無機化合物の中世塩を添加するか、例
えば、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＮＨ4 ＯＨ等の無機化合物を
添加した後、ＨＣｌ等でｐＨ調整すればよい。したがっ
て、上記目的は、有機化合物を溶解したアルカリ溶液と
砥粒とを含む研磨液において、無機化合物を溶解したア
ルカリ溶液の陽イオンが添加され、ｐＨが１２．５以下
であることを特徴とする研磨液によって達成される。
を溶解したアルカリ溶液と砥粒とを含む研磨液に、例え
ば、ＫやＮａ等の無機化合物の中世塩を添加するか、例
えば、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＮＨ4 ＯＨ等の無機化合物を
添加した後、ＨＣｌ等でｐＨ調整すればよい。したがっ
て、上記目的は、有機化合物を溶解したアルカリ溶液と
砥粒とを含む研磨液において、無機化合物を溶解したア
ルカリ溶液の陽イオンが添加され、ｐＨが１２．５以下
であることを特徴とする研磨液によって達成される。
【００１３】また、研磨液に含まれる砥粒はシリカ又は
コロイダルシリカであり、無機化合物を溶解したアルカ
リ溶液の陽イオンはカリウムイオン、ナトリウムイオン
又はアンモニウムイオンであることが望ましい。さら
に、研磨液に含まれる有機化合物はエチレンジアミン又
はヒドラジンであることが望ましい。
コロイダルシリカであり、無機化合物を溶解したアルカ
リ溶液の陽イオンはカリウムイオン、ナトリウムイオン
又はアンモニウムイオンであることが望ましい。さら
に、研磨液に含まれる有機化合物はエチレンジアミン又
はヒドラジンであることが望ましい。
【００１４】なお、研磨する際の研磨液の組成が上述し
たものであれば、研磨の際に組成毎の溶液を別々に供給
するようにしてもよい。
たものであれば、研磨の際に組成毎の溶液を別々に供給
するようにしてもよい。
【００１５】
【作用】本発明によれば、有機化合物を溶解したアルカ
リ溶液と砥粒とを含む研磨液に、無機化合物を溶解した
アルカリ溶液の陽イオンを添加し、ｐＨを１２．５以下
にしたので、多結晶シリコンを研磨しても研磨残である
ポリ突起が発生せず、しかも研磨速度が低下することな
く研磨できる。
リ溶液と砥粒とを含む研磨液に、無機化合物を溶解した
アルカリ溶液の陽イオンを添加し、ｐＨを１２．５以下
にしたので、多結晶シリコンを研磨しても研磨残である
ポリ突起が発生せず、しかも研磨速度が低下することな
く研磨できる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 ［実施例１］２．０重量％のエチレンジアミンを溶解し
たアルカリ溶液に０．２重量％のコロイダルシリカを混
合したものに、２．５ｇ／ｌのＫＯＨを添加した後、Ｈ
Ｃｌを加えることによりｐＨが１１〜１２の範囲内にな
るように調整して研磨液を生成した。この研磨液を用い
て４インチのシリコン基板上の多結晶シリコン層を研磨
した。研磨加工条件としては、直径が４００ｍｍφの定
盤を用い、定盤回転数が１５０ｒｐｍで、加工圧力が４
００ｇ／ｃｍ2 で、ナップタイプの研磨布を用いた。図
４（ａ）に示すように、多結晶シリコン層を３μｍ研磨
する時間は３分間であった。
たアルカリ溶液に０．２重量％のコロイダルシリカを混
合したものに、２．５ｇ／ｌのＫＯＨを添加した後、Ｈ
Ｃｌを加えることによりｐＨが１１〜１２の範囲内にな
るように調整して研磨液を生成した。この研磨液を用い
て４インチのシリコン基板上の多結晶シリコン層を研磨
した。研磨加工条件としては、直径が４００ｍｍφの定
盤を用い、定盤回転数が１５０ｒｐｍで、加工圧力が４
００ｇ／ｃｍ2 で、ナップタイプの研磨布を用いた。図
４（ａ）に示すように、多結晶シリコン層を３μｍ研磨
する時間は３分間であった。
【００１７】［比較例１］２．０重量％のエチレンジア
ミンを溶解したアルカリ溶液に０．２重量％のコロイダ
ルシリカを混合したものに、２．５ｇ／ｌのＫＯＨを添
加した後、ＨＣｌによるｐＨ調整をせずに研磨液を生成
した。この研磨液を用いて４インチのシリコン基板上の
多結晶シリコン層を研磨した。研磨加工条件は実施例１
と同一である。図４（ａ）に示すように、多結晶シリコ
ン層を３μｍ研磨するのに実施例１の４倍の１２分間を
必要とした。
ミンを溶解したアルカリ溶液に０．２重量％のコロイダ
ルシリカを混合したものに、２．５ｇ／ｌのＫＯＨを添
加した後、ＨＣｌによるｐＨ調整をせずに研磨液を生成
した。この研磨液を用いて４インチのシリコン基板上の
多結晶シリコン層を研磨した。研磨加工条件は実施例１
と同一である。図４（ａ）に示すように、多結晶シリコ
ン層を３μｍ研磨するのに実施例１の４倍の１２分間を
必要とした。
【００１８】［実施例２］２．０重量％のエチレンジア
ミンを溶解したアルカリ溶液に０．４重量％のコロイダ
ルシリカを混合したものに、２．５ｇ／ｌのＫＯＨを添
加した後、ＨＣｌを加えることによりｐＨが１１〜１２
の範囲内になるように調整して研磨液を生成した。この
研磨液を用いて４インチのシリコン基板上の多結晶シリ
コン層を研磨した。研磨加工条件としては、直径が４０
０ｍｍφの定盤を用い、定盤回転数が１５０ｒｐｍで、
加工圧力が４００ｇ／ｃｍ2で、ナップタイプの研磨布
を用いた。図４（ｂ）に示すように、多結晶シリコン層
を３μｍ研磨する時間は２．５分間であった。
ミンを溶解したアルカリ溶液に０．４重量％のコロイダ
ルシリカを混合したものに、２．５ｇ／ｌのＫＯＨを添
加した後、ＨＣｌを加えることによりｐＨが１１〜１２
の範囲内になるように調整して研磨液を生成した。この
研磨液を用いて４インチのシリコン基板上の多結晶シリ
コン層を研磨した。研磨加工条件としては、直径が４０
０ｍｍφの定盤を用い、定盤回転数が１５０ｒｐｍで、
加工圧力が４００ｇ／ｃｍ2で、ナップタイプの研磨布
を用いた。図４（ｂ）に示すように、多結晶シリコン層
を３μｍ研磨する時間は２．５分間であった。
【００１９】［比較例２］２．０重量％のエチレンジア
ミンを溶解したアルカリ溶液に０．４重量％のコロイダ
ルシリカを混合したものに、２．５ｇ／ｌのＫＯＨを添
加した後、ＨＣｌによるｐＨ調整をせずに研磨液を生成
した。この研磨液を用いて４インチのシリコン基板上の
多結晶シリコン層を研磨した。研磨加工条件は実施例１
と同一である。図４（ｂ）に示すように、多結晶シリコ
ン層を３μｍ研磨するのに実施例２の４倍の１０分間を
必要とした。
ミンを溶解したアルカリ溶液に０．４重量％のコロイダ
ルシリカを混合したものに、２．５ｇ／ｌのＫＯＨを添
加した後、ＨＣｌによるｐＨ調整をせずに研磨液を生成
した。この研磨液を用いて４インチのシリコン基板上の
多結晶シリコン層を研磨した。研磨加工条件は実施例１
と同一である。図４（ｂ）に示すように、多結晶シリコ
ン層を３μｍ研磨するのに実施例２の４倍の１０分間を
必要とした。
【００２０】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、有機化合
物を溶解したアルカリ溶液と砥粒とを含む研磨液に、無
機化合物を溶解したアルカリ溶液の陽イオンを添加し、
ｐＨを１２．５以下にしたので、多結晶シリコンを研磨
しても研磨残であるポリ突起が発生せず、しかも高速な
研磨速度で研磨することができる。
物を溶解したアルカリ溶液と砥粒とを含む研磨液に、無
機化合物を溶解したアルカリ溶液の陽イオンを添加し、
ｐＨを１２．５以下にしたので、多結晶シリコンを研磨
しても研磨残であるポリ突起が発生せず、しかも高速な
研磨速度で研磨することができる。
【図１】従来の研磨液を用いた研磨方法の工程断面図で
ある。
ある。
【図２】添加したＫＯＨ量とポリ突起の発生数の関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図３】研磨液のｐＨと研磨速度の関係を示すグラフで
ある。
ある。
【図４】本発明の実施例の研磨液による研磨時間を比較
例と比較して示す図である。
例と比較して示す図である。
１…シリコン基板 ２…分離溝 ３…ＳｉＯ2 膜 ３Ａ…分離絶縁膜 ３Ｂ…研磨ストッパ膜 ４…多結晶シリコン層 ６…シリコン水和物膜 ８…ポリ突起
Claims (3)
- 【請求項１】 有機化合物を溶解したアルカリ溶液と砥
粒とを含む研磨液において、無機化合物を溶解したアル
カリ溶液の陽イオンが添加され、ｐＨが１２．５以下で
あることを特徴とする研磨液。 - 【請求項２】 請求項１記載の研磨液において、前記砥
粒はシリカ又はコロイダルシリカであり、無機化合物を
溶解したアルカリ溶液の前記陽イオンはカリウムイオ
ン、ナトリウムイオン又はアンモニウムイオンであるこ
とを特徴とする研磨液。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の研磨液において、
前記有機化合物はエチレンジアミン又はヒドラジンであ
ることを特徴とする研磨液。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22631991A JP3181634B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 研磨液及び半導体装置の製造方法 |
| US07/937,320 US5376222A (en) | 1991-09-04 | 1992-08-31 | Polishing method for polycrystalline silicon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22631991A JP3181634B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 研磨液及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567600A true JPH0567600A (ja) | 1993-03-19 |
| JP3181634B2 JP3181634B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=16843332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22631991A Expired - Fee Related JP3181634B2 (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-06 | 研磨液及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3181634B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11330025A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-11-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高選択性を有するスラリ及び複合材料基板の化学機械研磨方法 |
| KR100433776B1 (ko) * | 2000-07-14 | 2004-06-04 | 가부시끼가이샤 도시바 | Ｃｍｐ용 슬러리, 그 형성 방법, 및 ｃｍｐ 프로세스를포함하는 반도체 장치의 제조 방법 |
| US7005382B2 (en) | 2002-10-31 | 2006-02-28 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing process, production process of semiconductor device and material for preparing an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
| US8920086B2 (en) | 2005-11-02 | 2014-12-30 | Airbus Operations Gmbh | Taper bolt connection and use of a taper bolt connection |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10500466B2 (en) | 2016-10-04 | 2019-12-10 | Tyrenn Co., Ltd. | Training device and modular training apparatus system with the training device having joint function |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP22631991A patent/JP3181634B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11330025A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-11-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高選択性を有するスラリ及び複合材料基板の化学機械研磨方法 |
| US6114249A (en) * | 1998-03-10 | 2000-09-05 | International Business Machines Corporation | Chemical mechanical polishing of multiple material substrates and slurry having improved selectivity |
| KR100433776B1 (ko) * | 2000-07-14 | 2004-06-04 | 가부시끼가이샤 도시바 | Ｃｍｐ용 슬러리, 그 형성 방법, 및 ｃｍｐ 프로세스를포함하는 반도체 장치의 제조 방법 |
| US7005382B2 (en) | 2002-10-31 | 2006-02-28 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing process, production process of semiconductor device and material for preparing an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
| US8920086B2 (en) | 2005-11-02 | 2014-12-30 | Airbus Operations Gmbh | Taper bolt connection and use of a taper bolt connection |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3181634B2 (ja) | 2001-07-03 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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