JPH0567662A - ウエハ温度測定方法及び装置 - Google Patents
ウエハ温度測定方法及び装置Info
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- JPH0567662A JPH0567662A JP25464291A JP25464291A JPH0567662A JP H0567662 A JPH0567662 A JP H0567662A JP 25464291 A JP25464291 A JP 25464291A JP 25464291 A JP25464291 A JP 25464291A JP H0567662 A JPH0567662 A JP H0567662A
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- wafer
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- silicon wafer
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】反応容器内で所定の処理を受けるウエハの温度
を正確に測定し、最適・高精度な温度制御を可能とす
る。 【構成】下部電極１６の上面に、所定の間隔を置いて形
成された複数（たとえば一対）のプローブ収容穴２４に
それぞれプローブ２６が上向きに配設される。各プロー
ブ２６は、円筒状のプローブ本体からプローブ針を突出
させたもので、プローブ本体の底部に設けたバネによっ
て該プローブ針を垂直方向に弾力的に支持している。下
部電極１６上にシリコンウエハ２０が置かれると、各プ
ローブ２６のプローブ針先端が適度の加圧力でシリコン
ウエハ２０の下面に接触する。各プローブ２６は、下部
電極１６を貫通するケーブル２８を介して反応容器１０
の外に配置されたウエハ温度モニタ装置３０に接続され
る。
を正確に測定し、最適・高精度な温度制御を可能とす
る。 【構成】下部電極１６の上面に、所定の間隔を置いて形
成された複数（たとえば一対）のプローブ収容穴２４に
それぞれプローブ２６が上向きに配設される。各プロー
ブ２６は、円筒状のプローブ本体からプローブ針を突出
させたもので、プローブ本体の底部に設けたバネによっ
て該プローブ針を垂直方向に弾力的に支持している。下
部電極１６上にシリコンウエハ２０が置かれると、各プ
ローブ２６のプローブ針先端が適度の加圧力でシリコン
ウエハ２０の下面に接触する。各プローブ２６は、下部
電極１６を貫通するケーブル２８を介して反応容器１０
の外に配置されたウエハ温度モニタ装置３０に接続され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反応容器内で所定の処
理を受ける半導体ウエハの温度を測定するための方法お
よび装置に関する。
理を受ける半導体ウエハの温度を測定するための方法お
よび装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程において、半導体ウエハ
は真空チャンバ等の反応容器内で所定の処理を受ける
が、その処理の出来具合はウエハ温度に左右されること
が多い。たとえば、最近のエッチング加工の主流である
プラズマエッチングにおいては、ウエハ温度を低くする
ほどサイドカットの少ない良好な異方性エッチングが得
られる。しかし、ウエハ温度が低いほどエッチング速度
は遅くなるので、ウエハ温度をいたずらに下げればよい
というわけでもなく、最適な温度を設定し、かつその設
定温度に制御しなければならない。最適な温度制御を行
うには、反応容器内のウエハの温度を正確に測定する必
要がある。
は真空チャンバ等の反応容器内で所定の処理を受ける
が、その処理の出来具合はウエハ温度に左右されること
が多い。たとえば、最近のエッチング加工の主流である
プラズマエッチングにおいては、ウエハ温度を低くする
ほどサイドカットの少ない良好な異方性エッチングが得
られる。しかし、ウエハ温度が低いほどエッチング速度
は遅くなるので、ウエハ温度をいたずらに下げればよい
というわけでもなく、最適な温度を設定し、かつその設
定温度に制御しなければならない。最適な温度制御を行
うには、反応容器内のウエハの温度を正確に測定する必
要がある。
【０００３】従来のウエハ温度測定方式は、ウエハを支
持する試料台に熱電対を取り付け、あるいはウエハ近辺
の冷却ガスの雰囲気中に温度センサを配設して、試料台
または冷却ガスの温度を検出し、その検出温度からウエ
ハの温度を推定していた。すなわち、ウエハは一時的な
処理のため反応容器に出し入れされる被加工物であるこ
とから、熱電対を直接ウエハに取り付けるわけにはいか
ないので、試料台または冷却ガスを介して間接的な温度
測定を行っていた。
持する試料台に熱電対を取り付け、あるいはウエハ近辺
の冷却ガスの雰囲気中に温度センサを配設して、試料台
または冷却ガスの温度を検出し、その検出温度からウエ
ハの温度を推定していた。すなわち、ウエハは一時的な
処理のため反応容器に出し入れされる被加工物であるこ
とから、熱電対を直接ウエハに取り付けるわけにはいか
ないので、試料台または冷却ガスを介して間接的な温度
測定を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、試料台
や冷却ガスは、ウエハに接触ないし近接しても、ウエハ
とは別個のもので、かつ異なる温度特性を有する材質の
ものであるから、試料台や冷却ガスの温度とウエハ温度
との近似性はよくない。このために、試料台または冷却
ガスの温度を検出してウエハの温度を推定する上記従来
方式は、測定誤差が多く、精度の高いウエハ温度測定値
が得られなかった。
や冷却ガスは、ウエハに接触ないし近接しても、ウエハ
とは別個のもので、かつ異なる温度特性を有する材質の
ものであるから、試料台や冷却ガスの温度とウエハ温度
との近似性はよくない。このために、試料台または冷却
ガスの温度を検出してウエハの温度を推定する上記従来
方式は、測定誤差が多く、精度の高いウエハ温度測定値
が得られなかった。
【０００５】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、反応容器内のウエハの温度を正確に測定し、最
適・高精度な温度制御を可能とするウエハ温度測定方法
および装置を提供することを目的とする。
もので、反応容器内のウエハの温度を正確に測定し、最
適・高精度な温度制御を可能とするウエハ温度測定方法
および装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のウエハ温度測定方法は、反応容器内の所定
位置に配置されたウエハの抵抗率を測定し、前記ウエハ
抵抗率の測定値を基に前記ウエハの温度を算出する方法
とした。
め、本発明のウエハ温度測定方法は、反応容器内の所定
位置に配置されたウエハの抵抗率を測定し、前記ウエハ
抵抗率の測定値を基に前記ウエハの温度を算出する方法
とした。
【０００７】また、本発明のウエハ温度測定装置は、反
応容器内の所定位置に配置されて互いに所定の間隔を置
いてウエハに接触する複数のプローブ手段と、前記複数
のプローブ手段によって得られる電気的特性に基づいて
前記ウエハの抵抗率を測定するウエハ抵抗率測定手段
と、前記ウエハ抵抗率の測定値を基に前記ウエハの温度
を演算するウエハ温度演算手段とを具備する構成とし
た。
応容器内の所定位置に配置されて互いに所定の間隔を置
いてウエハに接触する複数のプローブ手段と、前記複数
のプローブ手段によって得られる電気的特性に基づいて
前記ウエハの抵抗率を測定するウエハ抵抗率測定手段
と、前記ウエハ抵抗率の測定値を基に前記ウエハの温度
を演算するウエハ温度演算手段とを具備する構成とし
た。
【０００８】
【作用】半導体の温度と抵抗率との間には一定の関係が
あり、温度が低くなるほど抵抗率は高くなる。したがっ
て、ウエハの抵抗率を測定することで、その抵抗率測定
値からウエハの温度を求めることができる。本発明のウ
エハ温度測定装置では、ウエハの下面に複数のプローブ
を当て、たとえばそれらのプローブ間に電流を流し、電
圧降下を検出することで、プローブ間の広がり抵抗を求
め、その広がり抵抗から所定の関係式よりウエハの抵抗
率の測定値を求め、そのウエハ抵抗率の測定値から所定
の関係式よりウエハの温度を割り出す。このように、本
発明では、ウエハ自体の特性値（抵抗率）からウエハの
温度を求める。
あり、温度が低くなるほど抵抗率は高くなる。したがっ
て、ウエハの抵抗率を測定することで、その抵抗率測定
値からウエハの温度を求めることができる。本発明のウ
エハ温度測定装置では、ウエハの下面に複数のプローブ
を当て、たとえばそれらのプローブ間に電流を流し、電
圧降下を検出することで、プローブ間の広がり抵抗を求
め、その広がり抵抗から所定の関係式よりウエハの抵抗
率の測定値を求め、そのウエハ抵抗率の測定値から所定
の関係式よりウエハの温度を割り出す。このように、本
発明では、ウエハ自体の特性値（抵抗率）からウエハの
温度を求める。
【０００９】
【実施例】以下、添付図を参照して本発明の実施例を説
明する。図１は、本発明の一実施例による枚葉式プラズ
マエッチング装置の要部の構成を示す。このエッチング
装置において、反応容器１０内の中央部に上部電極１２
と下部電極１６とが一定の間隔をおいて互いに平行に配
設され、下部電極１６上に１枚のシリコンウエハ２０が
配置される。反応容器１０の側壁には、シリコンウエハ
２０を出し入れするためのバルブ１１が設けられてい
る。
明する。図１は、本発明の一実施例による枚葉式プラズ
マエッチング装置の要部の構成を示す。このエッチング
装置において、反応容器１０内の中央部に上部電極１２
と下部電極１６とが一定の間隔をおいて互いに平行に配
設され、下部電極１６上に１枚のシリコンウエハ２０が
配置される。反応容器１０の側壁には、シリコンウエハ
２０を出し入れするためのバルブ１１が設けられてい
る。
【００１０】上部電極１２の中心部には、たとえばＣＦ
4 ，ＳＦ6 等のエッチングガスを導入するための貫通孔
１２Ａが形成され、下面にはエッチングガスをシリコン
ウエハ２０の上面（被加工面）に向けて均一に吹きつけ
るための多数の開口１２Ｂが形成されている。また、上
部電極１２には冷却水を通すための水路１２Ｃが内設さ
れ、この水路１２Ｃには上部冷却水供給装置１４より冷
却水が供給される。上部冷却水供給装置１４は、冷却水
の温度を検出する温度計、冷却水を冷却する冷却器、冷
却水を循環させるためのポンプ等を有している。
4 ，ＳＦ6 等のエッチングガスを導入するための貫通孔
１２Ａが形成され、下面にはエッチングガスをシリコン
ウエハ２０の上面（被加工面）に向けて均一に吹きつけ
るための多数の開口１２Ｂが形成されている。また、上
部電極１２には冷却水を通すための水路１２Ｃが内設さ
れ、この水路１２Ｃには上部冷却水供給装置１４より冷
却水が供給される。上部冷却水供給装置１４は、冷却水
の温度を検出する温度計、冷却水を冷却する冷却器、冷
却水を循環させるためのポンプ等を有している。
【００１１】下部電極１６は、シリコンウエハ２０の試
料台または設置台を兼用する電極であって、その中心部
には冷却ガスを導入するための貫通孔１６Ａが設けられ
ている。また、冷却水を通すための水路１６Ｂも内設さ
れ、この水路１６Ｂには下部冷却水供給装置１８より冷
却水が供給されるようになっている。下部冷却水供給装
置１８は、上部冷却水供給装置１４と同様な構成・機能
を有するものでよい。
料台または設置台を兼用する電極であって、その中心部
には冷却ガスを導入するための貫通孔１６Ａが設けられ
ている。また、冷却水を通すための水路１６Ｂも内設さ
れ、この水路１６Ｂには下部冷却水供給装置１８より冷
却水が供給されるようになっている。下部冷却水供給装
置１８は、上部冷却水供給装置１４と同様な構成・機能
を有するものでよい。
【００１２】上部電極１２、下部電極１６はそれぞれア
ース、高周波電源（図示せず）に接続され、両電極間に
高周波電源電圧が印加される。これにより、両電極間の
空間にプラズマが発生し、このプラズマ中の反応性イオ
ンがシリコンウエハ２０に対して垂直に入射することに
より、異方性のエッチングが行われるようになってい
る。
ース、高周波電源（図示せず）に接続され、両電極間に
高周波電源電圧が印加される。これにより、両電極間の
空間にプラズマが発生し、このプラズマ中の反応性イオ
ンがシリコンウエハ２０に対して垂直に入射することに
より、異方性のエッチングが行われるようになってい
る。
【００１３】下部電極１６の外側には絶縁材からなる断
面Ｌ形のウエハ保持部材２２が設けられる。このウエハ
保持部材２２には、シリコンウエハ２０の外周縁に近接
した位置に冷却ガス排出用の複数の孔２２Ａが形成され
ており、これら孔２２Ａから冷却ガスが送風される。そ
して、これら孔２２Ａから吹き付ける冷却ガスによっ
て、シリコンウエハ２０には、垂直方向へり加圧力が作
用するが、ウエハ保持部材２２がシリコンウエハ２０の
外周縁部を押さえ付けることにより、シリコンウエハ２
０が保持されるようになっている。
面Ｌ形のウエハ保持部材２２が設けられる。このウエハ
保持部材２２には、シリコンウエハ２０の外周縁に近接
した位置に冷却ガス排出用の複数の孔２２Ａが形成され
ており、これら孔２２Ａから冷却ガスが送風される。そ
して、これら孔２２Ａから吹き付ける冷却ガスによっ
て、シリコンウエハ２０には、垂直方向へり加圧力が作
用するが、ウエハ保持部材２２がシリコンウエハ２０の
外周縁部を押さえ付けることにより、シリコンウエハ２
０が保持されるようになっている。
【００１４】下部電極１６の貫通孔１６Ａよりシリコン
ウエハ２０の下面中央部に吹きつけられた冷却ガスは、
シリコンウエハ２０の下面と下部電極１６の上面との隙
間を通ってシリコンウエハ２０の外側に抜けて、ウエハ
保持部材２２の孔２２Ａを通っていったん反応室に入
り、そこからガス排出口１０Ａを通って反応容器１０の
外へ排出されるようになっている。
ウエハ２０の下面中央部に吹きつけられた冷却ガスは、
シリコンウエハ２０の下面と下部電極１６の上面との隙
間を通ってシリコンウエハ２０の外側に抜けて、ウエハ
保持部材２２の孔２２Ａを通っていったん反応室に入
り、そこからガス排出口１０Ａを通って反応容器１０の
外へ排出されるようになっている。
【００１５】さて、本実施例では、下部電極１６の上面
に、所定の間隔を置いて複数（たとえば一対）のプロー
ブ収容穴２４が形成され、各プローブ収容穴２４内にプ
ローブ２６が上向きに配設される。各プローブ２６は、
円筒状のプローブ本体からプローブ針を突出させたもの
で、プローブ本体の底部に設けた図示しないバネによっ
て該プローブ針を垂直方向に弾力的に支持している。こ
れにより、下部電極１６上にシリコンウエハ２０が置か
れると、各プローブ２６のプローブ針先端が適度の加圧
力でシリコンウエハ２０の下面に接触するようになって
いる。
に、所定の間隔を置いて複数（たとえば一対）のプロー
ブ収容穴２４が形成され、各プローブ収容穴２４内にプ
ローブ２６が上向きに配設される。各プローブ２６は、
円筒状のプローブ本体からプローブ針を突出させたもの
で、プローブ本体の底部に設けた図示しないバネによっ
て該プローブ針を垂直方向に弾力的に支持している。こ
れにより、下部電極１６上にシリコンウエハ２０が置か
れると、各プローブ２６のプローブ針先端が適度の加圧
力でシリコンウエハ２０の下面に接触するようになって
いる。
【００１６】各プローブ２６は、下部電極１６を貫通す
るケーブル２８を介して反応容器１０の外に配置された
ウエハ温度モニタ装置３０に接続される。このモニタ装
置３０は、プローブ２６およびシリコンウエハ２０を含
む直流回路に一定の電流Ｉを流す直流電圧源、一対のプ
ローブ２６間の電圧降下Ｖを検出する電圧検出回路、電
流Ｉと電圧降下Ｖとからプローブ２６間の広がり抵抗Ｒ
（Ｒ＝Ｖ／Ｉ）を演算する抵抗検出回路、広がり抵抗Ｒ
と下式よりシリコンウエハ２０の抵抗率を演算する広
がり抵抗演算回路、抵抗率ρと下式よりシリコンウエ
ハ２０の温度を演算するウエハ温度演算回路を備えてい
る。 Ｒ＝ρ／２ａ ………… ρ＝ρ0 ｅｘｐ（−Ｅg ／ｋB Ｔ） ………… ここで、ａはプローブ針の直径、ρ0 は定数、Ｅg はギ
ャップエネルギ、ＫBはボルツマン定数、Ｔはウエハ２
０の絶対温度である。また、式はシリコンウエハ２０
が真性半導体である場合の関係式である。
るケーブル２８を介して反応容器１０の外に配置された
ウエハ温度モニタ装置３０に接続される。このモニタ装
置３０は、プローブ２６およびシリコンウエハ２０を含
む直流回路に一定の電流Ｉを流す直流電圧源、一対のプ
ローブ２６間の電圧降下Ｖを検出する電圧検出回路、電
流Ｉと電圧降下Ｖとからプローブ２６間の広がり抵抗Ｒ
（Ｒ＝Ｖ／Ｉ）を演算する抵抗検出回路、広がり抵抗Ｒ
と下式よりシリコンウエハ２０の抵抗率を演算する広
がり抵抗演算回路、抵抗率ρと下式よりシリコンウエ
ハ２０の温度を演算するウエハ温度演算回路を備えてい
る。 Ｒ＝ρ／２ａ ………… ρ＝ρ0 ｅｘｐ（−Ｅg ／ｋB Ｔ） ………… ここで、ａはプローブ針の直径、ρ0 は定数、Ｅg はギ
ャップエネルギ、ＫBはボルツマン定数、Ｔはウエハ２
０の絶対温度である。また、式はシリコンウエハ２０
が真性半導体である場合の関係式である。
【００１７】なお、上記抵抗値Ｒにはシリコンウエハ２
０とプローブ２６間の接触抵抗が含まれるので、その抵
抗値が無視できないような値であれば、その抵抗値を補
償するための補正回路を設ければよい。また、上記各種
の演算回路をマイクロコンピュータによってソフトウェ
ア的に構成することも可能である。
０とプローブ２６間の接触抵抗が含まれるので、その抵
抗値が無視できないような値であれば、その抵抗値を補
償するための補正回路を設ければよい。また、上記各種
の演算回路をマイクロコンピュータによってソフトウェ
ア的に構成することも可能である。
【００１８】このように、本実施例では、下部電極１６
に置かれたシリコンウエハ２０の下面にプローブ２６を
接触させて、シリコンウエハ２０の広がり抵抗を測定
し、その広がり抵抗の測定値からシリコンウエハ２０の
抵抗率を求め、その抵抗率の測定値からシリコンウエハ
２０の温度を求めるようにした。したがって、シリコン
ウエハ２０自体の特性値（抵抗率）からシリコンウエハ
２０の温度測定を行うことになり、高い精度の温度測定
値を得ることができる。また、プローブ２６はシリコン
ウエハ２０の下面に接触するだけで、固着取付されるも
のではないから、シリコンウエハ２０の交換が容易であ
る。
に置かれたシリコンウエハ２０の下面にプローブ２６を
接触させて、シリコンウエハ２０の広がり抵抗を測定
し、その広がり抵抗の測定値からシリコンウエハ２０の
抵抗率を求め、その抵抗率の測定値からシリコンウエハ
２０の温度を求めるようにした。したがって、シリコン
ウエハ２０自体の特性値（抵抗率）からシリコンウエハ
２０の温度測定を行うことになり、高い精度の温度測定
値を得ることができる。また、プローブ２６はシリコン
ウエハ２０の下面に接触するだけで、固着取付されるも
のではないから、シリコンウエハ２０の交換が容易であ
る。
【００１９】なお、ウエハ温度モニタ装置３０は、シリ
コンウエハ２０の温度測定値をディスプレイに表示して
よい。さらに、ウエハ温度の最適化制御を行うために、
ウエハ温度モニタ装置３０で得られたウエハ温度測定値
を、冷却ガス供給装置（図示せず）あるいは冷却水供給
装置１８，２６等の温度制御部へ与えるようにしてもよ
い。
コンウエハ２０の温度測定値をディスプレイに表示して
よい。さらに、ウエハ温度の最適化制御を行うために、
ウエハ温度モニタ装置３０で得られたウエハ温度測定値
を、冷却ガス供給装置（図示せず）あるいは冷却水供給
装置１８，２６等の温度制御部へ与えるようにしてもよ
い。
【００２０】上述した実施例では、シリコンウエハ２０
の下面に一対のプローブ２６を当てたが、２対のプロー
ブ２６を当てて、２つの回路で広がり抵抗→ウエハ抵抗
率→ウエハ温度を求め、それらの平均値を得るようにし
てもよい。また、ウエハの抵抗率を求める方法として
は、上述した広がり抵抗法以外に、４探針法等も知られ
ているので、そのような他の測定法を用いることも可能
である。また、シリコンウエハ２０が不真性半導体の場
合は、上記式の修正式を用いればよい。
の下面に一対のプローブ２６を当てたが、２対のプロー
ブ２６を当てて、２つの回路で広がり抵抗→ウエハ抵抗
率→ウエハ温度を求め、それらの平均値を得るようにし
てもよい。また、ウエハの抵抗率を求める方法として
は、上述した広がり抵抗法以外に、４探針法等も知られ
ているので、そのような他の測定法を用いることも可能
である。また、シリコンウエハ２０が不真性半導体の場
合は、上記式の修正式を用いればよい。
【００２１】また、本実施例は枚葉式プラズマエッチン
グ装置に係るものであったが、本発明のウエハ温度測定
装置はこれに限定されるものではなく、他の方式のブラ
ラズマエッチング装置、ドライエッチング装置、さらに
は成膜等の他の処理を行う装置にも適用可能である。
グ装置に係るものであったが、本発明のウエハ温度測定
装置はこれに限定されるものではなく、他の方式のブラ
ラズマエッチング装置、ドライエッチング装置、さらに
は成膜等の他の処理を行う装置にも適用可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反応容器内の所定位置に配置されたウエハの抵抗率をプ
ローブ等を用いて直接測定し、そのウエハ抵抗率の測定
値を基にウエハの温度を割り出すことにより、ウエハ自
体の特性値（抵抗率）からウエハ温度の測定値を求める
ようにしたので、精度の高いウエハ温度測定を行うこと
ができる。したがって、ウエハ温度の最適化制御または
精密制御が可能となり、良好な処理結果を得ることがで
きる。
反応容器内の所定位置に配置されたウエハの抵抗率をプ
ローブ等を用いて直接測定し、そのウエハ抵抗率の測定
値を基にウエハの温度を割り出すことにより、ウエハ自
体の特性値（抵抗率）からウエハ温度の測定値を求める
ようにしたので、精度の高いウエハ温度測定を行うこと
ができる。したがって、ウエハ温度の最適化制御または
精密制御が可能となり、良好な処理結果を得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による枚葉式プラズマエッチ
ング装置の要部の構成を示す略断面図である。 １０ 反応容器 １２ 上部電極 １４ 冷却水供給装置 １６ 下部電極 １８ 冷却水供給装置 ２０ ウエハ ２２ ウエハ保持部材 ２４ プローブ収容穴 ２６ プローブ ３０ ウエハ温度モニタ装置
ング装置の要部の構成を示す略断面図である。 １０ 反応容器 １２ 上部電極 １４ 冷却水供給装置 １６ 下部電極 １８ 冷却水供給装置 ２０ ウエハ ２２ ウエハ保持部材 ２４ プローブ収容穴 ２６ プローブ ３０ ウエハ温度モニタ装置
Claims (2)
- 【請求項１】 反応容器内の所定位置に配置されたウエ
ハの温度を測定するための方法において、 前記ウエハの抵抗率を測定し、前記ウエハ抵抗率の測定
値を基に前記ウエハの温度を算出することを特徴とする
ウエハ温度測定方法。 - 【請求項２】 反応容器内の所定位置に配置されたウエ
ハの温度を測定するための装置において、 前記所定位置に配置されて互いに所定の間隔を置いて前
記ウエハに接触する複数のプローブ手段と、前記複数の
プローブ手段によって得られる電気的特性に基づいて前
記ウエハの抵抗率を測定するウエハ抵抗率測定手段と、
前記ウエハ抵抗率の測定値を基に前記ウエハの温度を演
算するウエハ温度演算手段とを具備したことを特徴とす
るウエハ温度測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25464291A JPH0567662A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | ウエハ温度測定方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25464291A JPH0567662A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | ウエハ温度測定方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567662A true JPH0567662A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=17267860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25464291A Withdrawn JPH0567662A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | ウエハ温度測定方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567662A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990085791A (ko) * | 1998-05-21 | 1999-12-15 | 윤종용 | 반도체 제조 공정의 측정 설비 |
| JP2003007687A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | プラズマ処理中の温度測定方法及びそれに使用する温度測定用部材 |
-
1991
- 1991-09-05 JP JP25464291A patent/JPH0567662A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990085791A (ko) * | 1998-05-21 | 1999-12-15 | 윤종용 | 반도체 제조 공정의 측정 설비 |
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