JPH0567825A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
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- JPH0567825A JPH0567825A JP3227299A JP22729991A JPH0567825A JP H0567825 A JPH0567825 A JP H0567825A JP 3227299 A JP3227299 A JP 3227299A JP 22729991 A JP22729991 A JP 22729991A JP H0567825 A JPH0567825 A JP H0567825A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度が変化してモニタフォトダイオードの暗
電流が変化しても入力信号と得られる光強度の関係が変
化しないように基準電圧を補正する半導体レーザ駆動装
置を提供する。 【構成】 電流駆動されてレーザ光を発生する半導体レ
ーザと、レーザ光の一部を受光して光電流に変換するモ
ニタ手段と、該光電流を増幅して光強度信号を出力する
増幅器と、光強度の基準となる基準電圧を出力する基準
電圧手段と、該光強度信号と該基準電圧との大小を比較
する比較器と、該比較器の比較結果により、該半導体レ
ーザのしきい値電流に相当するしきい値情報を出力し
て、光強度を一定に保つしきい値電流手段と、入力信号
と該しきい値情報を加算した結果に基づいて駆動電流を
出力するドライブ手段とからなる半導体レーザ駆動回路
において、モニタ手段の温度特性を打ち消すような温度
特性をもった温度補償素子を上記基準電圧手段に備えた
構成である。
電流が変化しても入力信号と得られる光強度の関係が変
化しないように基準電圧を補正する半導体レーザ駆動装
置を提供する。 【構成】 電流駆動されてレーザ光を発生する半導体レ
ーザと、レーザ光の一部を受光して光電流に変換するモ
ニタ手段と、該光電流を増幅して光強度信号を出力する
増幅器と、光強度の基準となる基準電圧を出力する基準
電圧手段と、該光強度信号と該基準電圧との大小を比較
する比較器と、該比較器の比較結果により、該半導体レ
ーザのしきい値電流に相当するしきい値情報を出力し
て、光強度を一定に保つしきい値電流手段と、入力信号
と該しきい値情報を加算した結果に基づいて駆動電流を
出力するドライブ手段とからなる半導体レーザ駆動回路
において、モニタ手段の温度特性を打ち消すような温度
特性をもった温度補償素子を上記基準電圧手段に備えた
構成である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外部より入力される入
力信号に対応した強度のレーザ光を発生する半導体レー
ザ駆動回路に関し、更に詳細には温度補償素子を備えた
半導体レーザ駆動回路に関する。
力信号に対応した強度のレーザ光を発生する半導体レー
ザ駆動回路に関し、更に詳細には温度補償素子を備えた
半導体レーザ駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザプリンタ等では半導体レーザから
の変調光で感光体を走査、露光して画像の書き込みを行
なっているが、周知のように半導体レーザはしきい値電
流と呼ぶ電流値を超える電流で駆動されるとレーザ光を
出射する特性を有している。このしきい値電流は個々の
素子によってまた温度によって大きく変化するので、半
導体レーザの出力する光強度は同じ駆動電流であっても
個々の素子によって大きく異なるし、また温度に対して
非常に不安定である（図９参照）。
の変調光で感光体を走査、露光して画像の書き込みを行
なっているが、周知のように半導体レーザはしきい値電
流と呼ぶ電流値を超える電流で駆動されるとレーザ光を
出射する特性を有している。このしきい値電流は個々の
素子によってまた温度によって大きく変化するので、半
導体レーザの出力する光強度は同じ駆動電流であっても
個々の素子によって大きく異なるし、また温度に対して
非常に不安定である（図９参照）。
【０００３】このような不安定なレーザビームで露光し
て作像を行なうと出力画像につぶれやかすれが生じ、画
像品質を著しく損なう。このため、半導体レーザの周囲
温度が変化する環境下では半導体レーザの出力制御装置
等により半導体レーザの光強度を安定化させる必要があ
る。
て作像を行なうと出力画像につぶれやかすれが生じ、画
像品質を著しく損なう。このため、半導体レーザの周囲
温度が変化する環境下では半導体レーザの出力制御装置
等により半導体レーザの光強度を安定化させる必要があ
る。
【０００４】そこで従来は、しきい値電流の変化によっ
て半導体レーザの光強度が変化するのを防ぐために、半
導体レーザ駆動回路においては、本来の変調動作の合間
に、しきい値電流手段が所定の時間間隔でモニタダイオ
ードにより半導体レーザの発生するレーザ光の光強度を
モニタして所定の入力信号（以下制御信号という）に対
応する該光強度が一定になるように半導体レーザに流す
バイアス電流を制御する制御動作を行っていた。あるい
はペルチェ素子等を用いて半導体レーザの温度を一定に
保って駆動していた。
て半導体レーザの光強度が変化するのを防ぐために、半
導体レーザ駆動回路においては、本来の変調動作の合間
に、しきい値電流手段が所定の時間間隔でモニタダイオ
ードにより半導体レーザの発生するレーザ光の光強度を
モニタして所定の入力信号（以下制御信号という）に対
応する該光強度が一定になるように半導体レーザに流す
バイアス電流を制御する制御動作を行っていた。あるい
はペルチェ素子等を用いて半導体レーザの温度を一定に
保って駆動していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、モニタ
ダイオードの種類によっては、図２に示すように、温度
が上昇すると暗電流が増加する特性を有している。そう
するとレーザ光の光強度が大きくなったものとしてしき
い値電流手段が駆動電流を減らすので結果として光強度
は減少してしまううという問題点があった。
ダイオードの種類によっては、図２に示すように、温度
が上昇すると暗電流が増加する特性を有している。そう
するとレーザ光の光強度が大きくなったものとしてしき
い値電流手段が駆動電流を減らすので結果として光強度
は減少してしまううという問題点があった。
【０００６】またペルチェ素子等を用いる方法では装置
が大規模になってしまったり、結露の恐れがあるという
問題点があった。
が大規模になってしまったり、結露の恐れがあるという
問題点があった。
【０００７】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたものであり、その目的は、ペルチェ素子等を
用いることなく、温度が変化して暗電流の大きさが変化
しても入力データと光強度の関係が変化しない半導体レ
ーザ駆動回路を提供することにある。
になされたものであり、その目的は、ペルチェ素子等を
用いることなく、温度が変化して暗電流の大きさが変化
しても入力データと光強度の関係が変化しない半導体レ
ーザ駆動回路を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体レーザ駆動回路は、電流駆動されてレ
ーザ光を発生する半導体レーザと、該半導体レーザのレ
ーザ光の一部を受光して光電流に変換するモニタ手段
と、該光電流を増幅して光強度信号を出力する増幅器
と、レーザ光の光強度の基準となる基準電圧を出力する
基準電圧手段と、該光強度信号と該基準電圧との大小を
比較する比較器と、該比較器の比較結果により、該半導
体レーザのしきい値電流に相当するしきい値情報を出力
して、光強度を一定に保つしきい値電流手段と、外部よ
り入力される入力信号と該しきい値情報を加算した結果
に基づいて駆動電流を出力するドライブ手段とからなる
半導体レーザ駆動回路であって、上記基準電圧手段にモ
ニタ手段の温度特性を打ち消す温度特性を有した温度補
償素子を備えている。
に本発明の半導体レーザ駆動回路は、電流駆動されてレ
ーザ光を発生する半導体レーザと、該半導体レーザのレ
ーザ光の一部を受光して光電流に変換するモニタ手段
と、該光電流を増幅して光強度信号を出力する増幅器
と、レーザ光の光強度の基準となる基準電圧を出力する
基準電圧手段と、該光強度信号と該基準電圧との大小を
比較する比較器と、該比較器の比較結果により、該半導
体レーザのしきい値電流に相当するしきい値情報を出力
して、光強度を一定に保つしきい値電流手段と、外部よ
り入力される入力信号と該しきい値情報を加算した結果
に基づいて駆動電流を出力するドライブ手段とからなる
半導体レーザ駆動回路であって、上記基準電圧手段にモ
ニタ手段の温度特性を打ち消す温度特性を有した温度補
償素子を備えている。
【０００９】
【作用】上記の構成を有する本発明の半導体レーザ駆動
回路においては、以下に説明するような制御動作によっ
て入力信号と光強度の関係が一定に保たれる。
回路においては、以下に説明するような制御動作によっ
て入力信号と光強度の関係が一定に保たれる。
【００１０】すなわち、本来の変調動作の合間に制御動
作が開始されるならば、入力信号を所定の制御信号に切
り替え、しきい値電流手段が発生するしきい値情報と加
算してドライブ手段は該加算結果に基づいて半導体レー
ザを電流駆動し、半導体レーザはレーザ光を出射する。
作が開始されるならば、入力信号を所定の制御信号に切
り替え、しきい値電流手段が発生するしきい値情報と加
算してドライブ手段は該加算結果に基づいて半導体レー
ザを電流駆動し、半導体レーザはレーザ光を出射する。
【００１１】モニタ手段は例えばフォトダイオードによ
り構成されるものであり、上記レーザ光の一部を受光
し、光強度に比例した光電流を発生する。該光電流は増
幅器により増幅されて光強度信号となり、比較器により
基準電圧手段が出力する基準電圧と比較される。
り構成されるものであり、上記レーザ光の一部を受光
し、光強度に比例した光電流を発生する。該光電流は増
幅器により増幅されて光強度信号となり、比較器により
基準電圧手段が出力する基準電圧と比較される。
【００１２】しきい値電流手段は比較結果が基準電圧よ
りも光強度信号が大きいならば所定光強度より大きいの
でしきい値情報を減らす。また、基準電圧よりも光強度
信号が小さいならば所定光強度より小さいのでしきい値
情報を増やす。
りも光強度信号が大きいならば所定光強度より大きいの
でしきい値情報を減らす。また、基準電圧よりも光強度
信号が小さいならば所定光強度より小さいのでしきい値
情報を増やす。
【００１３】該制御動作を繰り返すことにより制御信号
に対するレーザ光の光強度を一定に保つのである。
に対するレーザ光の光強度を一定に保つのである。
【００１４】この時、しきい値情報は半導体レーザのし
きい値電流の大きさに対応しており、温度変化によりし
きい値電流が変化してもそれにつれてしきい値情報も変
化するので半導体レーザの光強度は一定に保たれる。
きい値電流の大きさに対応しており、温度変化によりし
きい値電流が変化してもそれにつれてしきい値情報も変
化するので半導体レーザの光強度は一定に保たれる。
【００１５】モニタ手段が発生する電流はレーザ光によ
る光電流とそうでない暗電流とからなり、温度変化によ
る暗電流の変化は、該対応する光強度信号の変化となる
が比較される基準電圧が基準電圧手段の温度補償素子に
より変化して打ち消すので、すなわち、温度が高くなっ
て暗電流が大きくなると見かけ上光強度信号は大きくな
るが基準電圧も同様に大きくなるので実際の光強度は変
化しないし、温度が低くなった場合についても同様に光
強度は変化しない。
る光電流とそうでない暗電流とからなり、温度変化によ
る暗電流の変化は、該対応する光強度信号の変化となる
が比較される基準電圧が基準電圧手段の温度補償素子に
より変化して打ち消すので、すなわち、温度が高くなっ
て暗電流が大きくなると見かけ上光強度信号は大きくな
るが基準電圧も同様に大きくなるので実際の光強度は変
化しないし、温度が低くなった場合についても同様に光
強度は変化しない。
【００１６】従って、入力されるディジタルデータと発
生する光強度の関係は温度によらず安定な関係となる。
生する光強度の関係は温度によらず安定な関係となる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１８】図１乃至図９を参照して本実施例の半導体
レーザ駆動回路の構成を説明する。
レーザ駆動回路の構成を説明する。
【００１９】本発明の半導体レーザ駆動回路は図１に図
示するように半導体レーザ１とドライブ回路２とモニタ
フォトダイオード３と増幅回路４と基準電圧回路５と比
較回路６としきい値情報回路７とから構成されるもの
で、入力される例えば８ビットの入力ディジタルデータ
に比例して変調された光強度のレーザ光を発生するもの
である。
示するように半導体レーザ１とドライブ回路２とモニタ
フォトダイオード３と増幅回路４と基準電圧回路５と比
較回路６としきい値情報回路７とから構成されるもの
で、入力される例えば８ビットの入力ディジタルデータ
に比例して変調された光強度のレーザ光を発生するもの
である。
【００２０】ドライブ回路２は図３に図示するように加
算回路２１とＤ／Ａ変換回路２２と駆動回路２３とから
構成されるものであり、入力ディジタルデータとしきい
値データと加算してＤ／Ａ変換して、該加算値に比例し
た電流を半導体レーザ１に出力するものである。
算回路２１とＤ／Ａ変換回路２２と駆動回路２３とから
構成されるものであり、入力ディジタルデータとしきい
値データと加算してＤ／Ａ変換して、該加算値に比例し
た電流を半導体レーザ１に出力するものである。
【００２１】モニタフォトダイオード３は通常半導体レ
ーザ１と同一容器に格納され、所定の一定電圧の逆バイ
アス電圧が印加されており、半導体レーザ１の背面光を
受光して光電流を発生するものである。先に説明したよ
うに受光によらず温度によって大きさの変化する暗電流
も発生している。この２つの電流を合わせてモニタ電流
と呼ぶ。
ーザ１と同一容器に格納され、所定の一定電圧の逆バイ
アス電圧が印加されており、半導体レーザ１の背面光を
受光して光電流を発生するものである。先に説明したよ
うに受光によらず温度によって大きさの変化する暗電流
も発生している。この２つの電流を合わせてモニタ電流
と呼ぶ。
【００２２】増幅回路４は図４に図示するようにオぺア
ンプ４１と抵抗４２からなるもので、モニタ電流を増幅
しモニタ電圧に変換する回路である。
ンプ４１と抵抗４２からなるもので、モニタ電流を増幅
しモニタ電圧に変換する回路である。
【００２３】基準電圧回路５は図５に図示するように定
電流回路５１と抵抗５２と感温素子の一種であるポジス
タ５３とからなるもので、レーザ光の光強度の基準とな
る基準電圧を発生するものである。
電流回路５１と抵抗５２と感温素子の一種であるポジス
タ５３とからなるもので、レーザ光の光強度の基準とな
る基準電圧を発生するものである。
【００２４】比較回路６は図６に図示するようにコンパ
レータ６１から構成されるもので、モニタ電圧と基準電
圧を比較し、レーザ光の光強度が基準光強度より大きい
のか否かを判定して判定信号を出力するものである。
レータ６１から構成されるもので、モニタ電圧と基準電
圧を比較し、レーザ光の光強度が基準光強度より大きい
のか否かを判定して判定信号を出力するものである。
【００２５】しきい値情報回路７は図７に図示するよう
に制御回路７１とアップダウンカウンタ（以下カウン
タ）７２とから構成され、後に説明するような判定信号
にもとづく制御動作によりカウンタ７２のカウント値を
増減してしきい値データとして出力するものである。し
きい値データは半導体レーザ１のしきい値電流に対応す
るものであり、しきい値電流の増減に伴い増減すること
により入力ディジタルデータと半導体レーザの光強度の
関係を一定に保つ働きをするものである。
に制御回路７１とアップダウンカウンタ（以下カウン
タ）７２とから構成され、後に説明するような判定信号
にもとづく制御動作によりカウンタ７２のカウント値を
増減してしきい値データとして出力するものである。し
きい値データは半導体レーザ１のしきい値電流に対応す
るものであり、しきい値電流の増減に伴い増減すること
により入力ディジタルデータと半導体レーザの光強度の
関係を一定に保つ働きをするものである。
【００２６】次に、上述されたように構成された半導体
レーザ駆動回路の入力ディジタルデータと半導体レーザ
１の光強度の関係を一定に保つ制御動作について説明す
る。
レーザ駆動回路の入力ディジタルデータと半導体レーザ
１の光強度の関係を一定に保つ制御動作について説明す
る。
【００２７】すなわち、図示及び説明を省略する制御信
号が、本来の変調時期の合間に制御回路７１に入力され
ると、入力ディジタルデータは制御データに切り替えら
れ、例えばＦＦｈとなり、カウンタ７２のカウント値は
所定数Ｎだけ減じられる。（Ｎは正の整数）半導体レー
ザ１の背面光がモニタフォトダイオード３に入光し、光
電流を発生する。光電流と暗電流の和であるモニタ電流
は増幅回路４で増幅され基準電圧と比較回路６で大小比
較される。該比較出力はカウンタ７２に接続されてお
り、比較回路６が、所定の発光強度に対応する基準電圧
５３よりもモニタしている光強度のほうが大きいと判定
するまで説明を省略するクロック信号ＣＬＫによりカウ
ンタ７２は２Ｎを限度としてカウントアップされる。
号が、本来の変調時期の合間に制御回路７１に入力され
ると、入力ディジタルデータは制御データに切り替えら
れ、例えばＦＦｈとなり、カウンタ７２のカウント値は
所定数Ｎだけ減じられる。（Ｎは正の整数）半導体レー
ザ１の背面光がモニタフォトダイオード３に入光し、光
電流を発生する。光電流と暗電流の和であるモニタ電流
は増幅回路４で増幅され基準電圧と比較回路６で大小比
較される。該比較出力はカウンタ７２に接続されてお
り、比較回路６が、所定の発光強度に対応する基準電圧
５３よりもモニタしている光強度のほうが大きいと判定
するまで説明を省略するクロック信号ＣＬＫによりカウ
ンタ７２は２Ｎを限度としてカウントアップされる。
【００２８】１回の制御動作ではカウンタ７２は±Ｎだ
けカウント値を変化させることができ、Ｎを大きくすれ
ば制御利得は大きくなり、Ｎを小さくすれば制御利得は
小さくなる。
けカウント値を変化させることができ、Ｎを大きくすれ
ば制御利得は大きくなり、Ｎを小さくすれば制御利得は
小さくなる。
【００２９】制御信号は所定の適当な時間間隔で発生し
ており、半導体レーザ１のしきい値電流が変化してもそ
れに追従してしきい値回路５のカウンタ７２のカウント
値（すなわちしきい値データ）が変化し、しきい値情報
回路７は半導体レーザ１のしきい値電流の変化を吸収
し、入力されるディジタルデータがＦＦｈの時の該光強
度をＰｆｆに保つのである。
ており、半導体レーザ１のしきい値電流が変化してもそ
れに追従してしきい値回路５のカウンタ７２のカウント
値（すなわちしきい値データ）が変化し、しきい値情報
回路７は半導体レーザ１のしきい値電流の変化を吸収
し、入力されるディジタルデータがＦＦｈの時の該光強
度をＰｆｆに保つのである。
【００３０】半導体レーザ１は図２に示すように、駆動
電流がしきい値電流を越えてからは光強度は直線的に増
加する特性であり、上記制御動作が行われているので、
入力ディジタルデータと光強度の関係は一定のものとな
る。
電流がしきい値電流を越えてからは光強度は直線的に増
加する特性であり、上記制御動作が行われているので、
入力ディジタルデータと光強度の関係は一定のものとな
る。
【００３１】次に、本発明の特徴部分である基準電圧回
路５の動作について説明する。
路５の動作について説明する。
【００３２】モニタフォトダイオード３が発生するモニ
タ電流はレーザ光による光電流と暗電流の合計であるの
で次に示す式１のように表せる。ここでＩｍはモニタ電
流、Ｉｌは半導体レーザ１の光強度がＰのときの光電
流、Ｉｄは温度ｔでの暗電流である。
タ電流はレーザ光による光電流と暗電流の合計であるの
で次に示す式１のように表せる。ここでＩｍはモニタ電
流、Ｉｌは半導体レーザ１の光強度がＰのときの光電
流、Ｉｄは温度ｔでの暗電流である。
【００３３】 Ｉｍ＝Ｉｌ＋Ｉｄ （式１） モニタフォトダイオード３において暗電流Ｉｄは温度上
昇により増加する特性を有しており、温度ｔでの暗電流
Ｉｄは逆バイアス電圧が一定なので定数Ｋ１を用いて次
の式２のように表せる。
昇により増加する特性を有しており、温度ｔでの暗電流
Ｉｄは逆バイアス電圧が一定なので定数Ｋ１を用いて次
の式２のように表せる。
【００３４】 Ｉｄ＝Ｋ１・ｅｘｐ（ｔ／１０．９） （式２） 該モニタ電流Ｉｍは増幅回路４によりモニタ電圧Ｖｍに
増幅変換される。変換定数をＫ２としてこれは次の式３
のように表せる。
増幅変換される。変換定数をＫ２としてこれは次の式３
のように表せる。
【００３５】 Ｖｍ＝Ｋ２・Ｉｍ （式３） ポジスタ５３はその抵抗値の対数が温度に比例するとい
う温度特性を有しており、例えば図８で示されるような
ものであり、温度ｔでのポジスタ５３の抵抗値Ｒｔｈは
次に示す式４のようである。（Ｒｐ、Ｄは定数である） Ｒｔｈ＝Ｒｐ・ｅｘｐ（ｔ／Ｄ） （式４） 基準電圧回路５が出力する基準電圧Ｖｒｅｆは定電流回
路５１が出力する定電流の大きさをＩｃで、抵抗５２の
大きさをＲで表すならば、次に示す式５のようである。
う温度特性を有しており、例えば図８で示されるような
ものであり、温度ｔでのポジスタ５３の抵抗値Ｒｔｈは
次に示す式４のようである。（Ｒｐ、Ｄは定数である） Ｒｔｈ＝Ｒｐ・ｅｘｐ（ｔ／Ｄ） （式４） 基準電圧回路５が出力する基準電圧Ｖｒｅｆは定電流回
路５１が出力する定電流の大きさをＩｃで、抵抗５２の
大きさをＲで表すならば、次に示す式５のようである。
【００３６】 Ｖｒｅｆ＝Ｉｃ・（Ｒ＋Ｒｔｈ） （式５） 先に説明したように半導体レーザ１の光強度を一定に保
つ制御動作が行われているので、式３で表されるモニタ
電圧Ｖｍは式５で表される基準電圧Ｖｒｅｆに等しくな
る。従って次に示す式６を得る。
つ制御動作が行われているので、式３で表されるモニタ
電圧Ｖｍは式５で表される基準電圧Ｖｒｅｆに等しくな
る。従って次に示す式６を得る。
【００３７】 Ｋ２・｛Ｉｌ＋Ｋ１・ｅｘｐ（ｔ／１０．９）｝ ＝Ｉｃ・｛Ｒ＋Ｒｐ・ｅｘｐ（ｔ／Ｄ）｝ （式６） 半導体レーザ１の光強度による光電流Ｉｌが温度ｔの影
響を受けないためには式６で温度ｔの項が存在しないこ
とが必要である。これは次に示す式７で表され、このと
き半導体レーザ１の光強度はＰである。
響を受けないためには式６で温度ｔの項が存在しないこ
とが必要である。これは次に示す式７で表され、このと
き半導体レーザ１の光強度はＰである。
【００３８】 Ｋ１・Ｋ２・ｅｘｐ（ｔ／１０．９） ＝Ｉｃ・Ｒｐ・ｅｘｐ（ｔ／Ｄ） （式７） 式７から式８、式９を得る。
【００３９】 Ｄ＝１０．９ （式８） Ｒｐ＝Ｋ１・Ｋ２／Ｉｃ （式９） すなわち、式８、式９を満足するようにポジスタ５３を
選べばモニタフォトダイオード３の温度特性は基準電圧
の温度特性と打ち消し合って、半導体レーザ１の光強度
は温度によらず変化しない。
選べばモニタフォトダイオード３の温度特性は基準電圧
の温度特性と打ち消し合って、半導体レーザ１の光強度
は温度によらず変化しない。
【００４０】以上、詳述したように、基準電圧回路５が
出力する基準電圧は、温度補償素子であるポジスタ５３
により、モニタフォトダイオード３の暗電流の変化によ
る半導体レーザ１の光強度の変動を打ち消すような温度
特性を付加されているので光強度は温度により変動しな
い。
出力する基準電圧は、温度補償素子であるポジスタ５３
により、モニタフォトダイオード３の暗電流の変化によ
る半導体レーザ１の光強度の変動を打ち消すような温度
特性を付加されているので光強度は温度により変動しな
い。
【００４１】従って、入力されるディジタルデータと発
生する光強度の関係は温度によらず安定な関係となる。
生する光強度の関係は温度によらず安定な関係となる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したことから明かなように、本
発明の半導体レーザ駆動回路は基準電圧回路に温度補償
素子を備えて基準電圧に温度特性をもたせ、モニタフォ
トダイオードの暗電流の温度特性を補償するように構成
されているので、温度が変化しても入力されるディジタ
ルデータと半導体レーザが発生するレーザ光の光強度の
関係は安定となる効果を有している。
発明の半導体レーザ駆動回路は基準電圧回路に温度補償
素子を備えて基準電圧に温度特性をもたせ、モニタフォ
トダイオードの暗電流の温度特性を補償するように構成
されているので、温度が変化しても入力されるディジタ
ルデータと半導体レーザが発生するレーザ光の光強度の
関係は安定となる効果を有している。
【図１】本発明の半導体レーザ駆動回路の全体の構成を
示した図である。
示した図である。
【図２】モニタダイオードの暗電流の温度特性を示す図
である。
である。
【図３】ドライブ回路の構成を示した図である。
【図４】増幅回路を示した図である。
【図５】基準電圧回路を示した図である。
【図６】比較回路を示した図である。
【図７】しきい値情報回路の構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図８】ポジスタの温度特性を示す図である。
【図９】半導体レーザの駆動電流と光強度の関係を示し
た図である。
た図である。
１ 半導体レーザ ２ ドライブ回路 ３ モニタフォトダイオード ４ 増幅回路 ５ 基準電圧回路 ６ 比較回路 ７ 制御回路 ５３ ポジスタ
Claims (1)
- 【請求項１】 電流駆動されてレーザ光を発生する半導
体レーザと、 該半導体レーザのレーザ光の一部を受光して光電流に変
換するモニタ手段と、 該光電流を増幅して光強度信号を出力する増幅器と、 レーザ光の光強度の基準となる基準電圧を出力する基準
電圧手段と、 該光強度信号と該基準電圧との大小を比較する比較器
と、 該比較器の比較結果により、該半導体レーザのしきい値
電流に相当するしきい値情報を出力して、光強度を一定
に保つしきい値電流手段と、 外部より入力される入力信号と該しきい値情報を加算し
た結果に基づいて駆動電流を出力するドライブ手段とか
らなる半導体レーザ駆動回路において、 上記基準電圧手段に所定の温度特性を有する温度補償素
子を備え、モニタ手段の温度特性を打ち消す温度特性を
もたせたことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227299A JPH0567825A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227299A JPH0567825A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567825A true JPH0567825A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16858642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3227299A Pending JPH0567825A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567825A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004288868A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光素子駆動装置 |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP3227299A patent/JPH0567825A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004288868A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光素子駆動装置 |
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