JPH056801A - 抵抗体電極構造 - Google Patents
抵抗体電極構造Info
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- JPH056801A JPH056801A JP3166491A JP16649191A JPH056801A JP H056801 A JPH056801 A JP H056801A JP 3166491 A JP3166491 A JP 3166491A JP 16649191 A JP16649191 A JP 16649191A JP H056801 A JPH056801 A JP H056801A
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- voltage
- resistance
- terminal
- voltage output
- film
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/008—Thermistors
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- Automation & Control Theory (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度変動による電圧出力変化を生じず、実質
的に抵抗値温度係数が小さい。 【構成】 正の抵抗値温度係数が相対的に大きい一対の
線状導体膜１Ａ，１Ｂを設け、正の抵抗値温度係数が相
対的に小さい面状の抵抗膜２が、対向辺をそれぞれ上記
導体膜に接続導通せしめて設けてある。各導体膜は一端
を給電端１１としてここに電流源３が接続され、この給
電端より他端１２方向へ所定距離に電圧取出端子１３を
設けて電圧出力を得る。かかる端子１３においては、温
度上昇によるこの部分の抵抗膜抵抗増加による電圧上昇
分と、端子に至るまでの導体膜抵抗増加に伴う電流減少
による電圧低下分が相殺されて電圧出力の温度依存性は
殆ど零になる。しかして、電流源３からの電流値に正確
に対応した電圧出力が得られる。
的に抵抗値温度係数が小さい。 【構成】 正の抵抗値温度係数が相対的に大きい一対の
線状導体膜１Ａ，１Ｂを設け、正の抵抗値温度係数が相
対的に小さい面状の抵抗膜２が、対向辺をそれぞれ上記
導体膜に接続導通せしめて設けてある。各導体膜は一端
を給電端１１としてここに電流源３が接続され、この給
電端より他端１２方向へ所定距離に電圧取出端子１３を
設けて電圧出力を得る。かかる端子１３においては、温
度上昇によるこの部分の抵抗膜抵抗増加による電圧上昇
分と、端子に至るまでの導体膜抵抗増加に伴う電流減少
による電圧低下分が相殺されて電圧出力の温度依存性は
殆ど零になる。しかして、電流源３からの電流値に正確
に対応した電圧出力が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は抵抗値温度係数（ＴＣ
Ｒ）を充分小さくなした抵抗体電極構造に関するもので
ある。
Ｒ）を充分小さくなした抵抗体電極構造に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図６には定電流回路の一例を示し、オペ
アンプ４にフィードバックされる電流検出用抵抗体５´
の出力電圧が定電圧Ｖｃに一致するようにトランジスタ
３を制御して、負荷６に流れる電流を一定に維持してい
る。かかる回路をハイブリッドＩＣで実現する場合には
上記抵抗体５´として厚膜抵抗体を使用することが多
い。
アンプ４にフィードバックされる電流検出用抵抗体５´
の出力電圧が定電圧Ｖｃに一致するようにトランジスタ
３を制御して、負荷６に流れる電流を一定に維持してい
る。かかる回路をハイブリッドＩＣで実現する場合には
上記抵抗体５´として厚膜抵抗体を使用することが多
い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、厚膜抵
抗体は抵抗値を小さく（１Ω程度以下）すると抵抗体の
金属的挙動が強くなるため正の大きなＴＣＲ（＋５００
ｐｐｍ／℃以上）を示すようになり、雰囲気温度が変動
すると抵抗値が変化してフィードバック電圧が変動し、
定電流が維持できない。
抗体は抵抗値を小さく（１Ω程度以下）すると抵抗体の
金属的挙動が強くなるため正の大きなＴＣＲ（＋５００
ｐｐｍ／℃以上）を示すようになり、雰囲気温度が変動
すると抵抗値が変化してフィードバック電圧が変動し、
定電流が維持できない。
【０００４】そこで、図７に示す如く、ＴＣＲの比較的
小さい（＋１５０ｐｐｍ／℃程度）高抵抗体２を線状の
導体膜１Ａ，１Ｂ間に幅広い面状に形成して低抵抗値を
実現し、図中ａを上記トランジスタ３のエミッタに、ｂ
を上記オペアンプ４に接続して使用しているが、ＴＣＲ
の低減は充分でなかった。
小さい（＋１５０ｐｐｍ／℃程度）高抵抗体２を線状の
導体膜１Ａ，１Ｂ間に幅広い面状に形成して低抵抗値を
実現し、図中ａを上記トランジスタ３のエミッタに、ｂ
を上記オペアンプ４に接続して使用しているが、ＴＣＲ
の低減は充分でなかった。
【０００５】本発明はかかる課題を解決するもので、Ｔ
ＣＲを充分に小さくできる抵抗体電極構造を提供するこ
とを目的とする。
ＣＲを充分に小さくできる抵抗体電極構造を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の構成を説明する
と（図１）、抵抗体電極構造は、間隔をおいて延び、正
の抵抗値温度係数が相対的に大きい一対の線状導体膜１
Ａ，１Ｂと、これら導体膜１Ａ，１Ｂに対向辺がそれぞ
れ接続導通せしめられ、正の抵抗値温度係数が相対的に
小さい面状の抵抗膜２とを具備し、上記各導体膜１Ａ，
１Ｂの一部を給電端１１としてここに電流源３を接続し
て、導体膜の一方１Ａには給電端１１を除く所定位置に
電圧取出端子１３を設けるとともに、導体膜１Ｂの他方
には給電端１１を含む所定位置に電圧取出端子１３を設
け、これら電圧取出端子１３間に電圧出力を得るもので
ある。
と（図１）、抵抗体電極構造は、間隔をおいて延び、正
の抵抗値温度係数が相対的に大きい一対の線状導体膜１
Ａ，１Ｂと、これら導体膜１Ａ，１Ｂに対向辺がそれぞ
れ接続導通せしめられ、正の抵抗値温度係数が相対的に
小さい面状の抵抗膜２とを具備し、上記各導体膜１Ａ，
１Ｂの一部を給電端１１としてここに電流源３を接続し
て、導体膜の一方１Ａには給電端１１を除く所定位置に
電圧取出端子１３を設けるとともに、導体膜１Ｂの他方
には給電端１１を含む所定位置に電圧取出端子１３を設
け、これら電圧取出端子１３間に電圧出力を得るもので
ある。
【０００７】
【作用】上記構成の抵抗体電極構造において、線状導体
膜１Ａ，１Ｂとこの間に設けた面状抵抗膜２は、４ケの
抵抗がはしご状に形成された抵抗ラダーとみなし得る
（図２）。温度が上昇すると、給電端１１に近い電圧取
出端子１３とこれに対応する他の導体膜部間の電圧Ｖ1
は、この間の抵抗膜抵抗Ｒｒの増加分と後述する遠い電
圧取出端子での電流減少による電流Ｉ1 の増加分に依存
して上昇する。一方、給電端より遠い電圧取出端子１３
とこれに対応する他の導体部間の電圧Ｖ2 は、ここに至
るまでの導体膜抵抗Ｒｃの相対的に大きな増加により電
流Ｉ2 が大きく減少するため、これによる電圧低下分が
この部分の抵抗膜抵抗Ｒｒの増加による電圧上昇分を上
回る。
膜１Ａ，１Ｂとこの間に設けた面状抵抗膜２は、４ケの
抵抗がはしご状に形成された抵抗ラダーとみなし得る
（図２）。温度が上昇すると、給電端１１に近い電圧取
出端子１３とこれに対応する他の導体膜部間の電圧Ｖ1
は、この間の抵抗膜抵抗Ｒｒの増加分と後述する遠い電
圧取出端子での電流減少による電流Ｉ1 の増加分に依存
して上昇する。一方、給電端より遠い電圧取出端子１３
とこれに対応する他の導体部間の電圧Ｖ2 は、ここに至
るまでの導体膜抵抗Ｒｃの相対的に大きな増加により電
流Ｉ2 が大きく減少するため、これによる電圧低下分が
この部分の抵抗膜抵抗Ｒｒの増加による電圧上昇分を上
回る。
【０００８】しかして、温度上昇に伴い、給電端１１に
近い位置で電圧Ｖ1 が上昇する一方、遠い位置での電圧
Ｖ2 は低下し、各電圧取出端子１３の位置を適当に設定
すると電圧Ｖ1 の上昇分と電圧Ｖ2 の低下分が互いに相
殺して、電圧取出端子１３間より得られる電圧出力は温
度変化に対する依存性が充分小さくなる。
近い位置で電圧Ｖ1 が上昇する一方、遠い位置での電圧
Ｖ2 は低下し、各電圧取出端子１３の位置を適当に設定
すると電圧Ｖ1 の上昇分と電圧Ｖ2 の低下分が互いに相
殺して、電圧取出端子１３間より得られる電圧出力は温
度変化に対する依存性が充分小さくなる。
【０００９】この時、上記両電圧取出端子１３を、抵抗
膜抵抗Ｒｒ増加分による電圧上昇と電流Ｉ2 減少分によ
る電圧低下が相殺される位置に対向して設けると、電圧
出力の温度依存性は殆ど零となる。
膜抵抗Ｒｒ増加分による電圧上昇と電流Ｉ2 減少分によ
る電圧低下が相殺される位置に対向して設けると、電圧
出力の温度依存性は殆ど零となる。
【００１０】
【実施例１】図１には本発明の抵抗体電極構造を使用し
た定電流回路を示し、抵抗体５は平行に延びる線状の導
体膜１Ａ，１Ｂとこれらの間に上下辺を接合導通せしめ
て設けた面状の抵抗膜２とよりなる。導体膜１Ａ，１Ｂ
の各一端は給電端１１としてあり、その一方は電流源と
してのトランジスタ３のエミッタに接続され、他方は電
力アースしてある。そして、各導体膜１Ａ，１Ｂの給電
端側の抵抗膜２の端部より他端１２方向へ所定距離ｘo
だけ離れた導体膜部に電圧取出端子１３を設けて、その
一方をオペアンプ４の反転端子に入力するとともに他方
は信号アースしてある。
た定電流回路を示し、抵抗体５は平行に延びる線状の導
体膜１Ａ，１Ｂとこれらの間に上下辺を接合導通せしめ
て設けた面状の抵抗膜２とよりなる。導体膜１Ａ，１Ｂ
の各一端は給電端１１としてあり、その一方は電流源と
してのトランジスタ３のエミッタに接続され、他方は電
力アースしてある。そして、各導体膜１Ａ，１Ｂの給電
端側の抵抗膜２の端部より他端１２方向へ所定距離ｘo
だけ離れた導体膜部に電圧取出端子１３を設けて、その
一方をオペアンプ４の反転端子に入力するとともに他方
は信号アースしてある。
【００１１】上記オペアンプ４の非反転端子には信号ア
ースとの間に定電圧Ｖｃが接続されており、オペアンプ
出力が上記トランジスタ３のベースに入力している。ト
ランジスタ３のコレクタには電源との間に負荷６が接続
してある。
ースとの間に定電圧Ｖｃが接続されており、オペアンプ
出力が上記トランジスタ３のベースに入力している。ト
ランジスタ３のコレクタには電源との間に負荷６が接続
してある。
【００１２】負荷６に流れる電流はトランジスタ３を経
て抵抗体５の給電端１１の一方に至り、抵抗体５内を流
通して給電端１１の他方よりアースへ流れる。上記電圧
取出端子１３間にはこの時の電流値に比例した電圧が現
れ、これがオペアンプ４で定電圧Ｖｃと比較されて比較
出力によりトランジスタ３が作動せしめられて、常に負
荷６へ定電流が供給される。上記電圧取出端子１３間の
電圧は、これら端子を設ける位置を給電端１１側の抵抗
膜２の端部より以下に説明する距離ｘo だけ他端１２方
向へ離すことにより、雰囲気温度の変化に無関係に一定
に保たれる。
て抵抗体５の給電端１１の一方に至り、抵抗体５内を流
通して給電端１１の他方よりアースへ流れる。上記電圧
取出端子１３間にはこの時の電流値に比例した電圧が現
れ、これがオペアンプ４で定電圧Ｖｃと比較されて比較
出力によりトランジスタ３が作動せしめられて、常に負
荷６へ定電流が供給される。上記電圧取出端子１３間の
電圧は、これら端子を設ける位置を給電端１１側の抵抗
膜２の端部より以下に説明する距離ｘo だけ他端１２方
向へ離すことにより、雰囲気温度の変化に無関係に一定
に保たれる。
【００１３】図３に示す抵抗体５において、給電端１１
に最も近い抵抗膜２端からの距離をｘとし、図４に示す
抵抗ラダーの分布定数回路として偏微分方程式（１），
（２）をＩ（０）＝Ｉｏ，Ｉ（Ｗ）＝０の境界条件で解
くと、電圧Ｖ（ｘ）は式（３）で与えられる。
に最も近い抵抗膜２端からの距離をｘとし、図４に示す
抵抗ラダーの分布定数回路として偏微分方程式（１），
（２）をＩ（０）＝Ｉｏ，Ｉ（Ｗ）＝０の境界条件で解
くと、電圧Ｖ（ｘ）は式（３）で与えられる。
【００１４】
【数１】
【数２】
【数３】
【００１５】ここでＲは導体膜１Ａ，１Ｂの単位長さ当
たりの抵抗値の２倍に等しく、Ｇは抵抗膜２の単位長さ
当たりのコンダクタンスである。
たりの抵抗値の２倍に等しく、Ｇは抵抗膜２の単位長さ
当たりのコンダクタンスである。
【００１６】雰囲気温度が変化した場合のＲ，Ｇをそれ
ぞれＲ´，Ｇ´とし、この時の電圧Ｖ（ｘ）をＶ´
（ｘ）とすると、この時の電圧変化分ΔＶ（ｘ）は次式
（４）のようになる。
ぞれＲ´，Ｇ´とし、この時の電圧Ｖ（ｘ）をＶ´
（ｘ）とすると、この時の電圧変化分ΔＶ（ｘ）は次式
（４）のようになる。
【００１７】
【数４】
【００１８】導体膜１Ａ，１Ｂとして例えばＡｇ−Ｐｔ
を使用すると、そのＴＣＲは＋２０００ｐｐｍ／℃、シ
ート抵抗値は３ｍΩである。また、抵抗膜２として例え
ばＲｕＯ2 をベースとする抵抗体を使用すると、そのＴ
ＣＲは＋１００ｐｐｍ／℃、シート抵抗値は３Ωであ
る。雰囲気温度が２５℃〜１２５℃の１００℃の間で変
化する場合、導体膜１Ａ，１Ｂの幅ｗ、抵抗膜２の長さ
Ｌを共に１mmとし、Ｉｏ＝１Ａとすると、電圧変化分Δ
Ｖ（ｘo ）が０となる位置ｘo が存在する条件はΔＶ
（Ｗ）＜０であるから、上記（４）式を変形した（５）
式以下の演算により、以下の如く得られる。
を使用すると、そのＴＣＲは＋２０００ｐｐｍ／℃、シ
ート抵抗値は３ｍΩである。また、抵抗膜２として例え
ばＲｕＯ2 をベースとする抵抗体を使用すると、そのＴ
ＣＲは＋１００ｐｐｍ／℃、シート抵抗値は３Ωであ
る。雰囲気温度が２５℃〜１２５℃の１００℃の間で変
化する場合、導体膜１Ａ，１Ｂの幅ｗ、抵抗膜２の長さ
Ｌを共に１mmとし、Ｉｏ＝１Ａとすると、電圧変化分Δ
Ｖ（ｘo ）が０となる位置ｘo が存在する条件はΔＶ
（Ｗ）＜０であるから、上記（４）式を変形した（５）
式以下の演算により、以下の如く得られる。
【００１９】
【数５】
【数６】
【数７】 上式（５）〜（７）より、ＲＧＷ2 ＞０．３２５ これはＷ2 ／ｗＬ＞１．６３×１０2 と変換され、結局
Ｗ＞１３となる。
Ｗ＞１３となる。
【００２０】かくして、抵抗体の幅Ｗが１３mm以上であ
ればΔＶ（ｘo）＝０となるｘo が存在する。例えばＷ
＝２５mmに設定すると、この時の電圧Ｖ（ｘ）曲線は２
５℃と１２５℃について図５の如く得られ、ｘo ＝１０
ｍｍとなる。かかるｘo の位置に両電圧取出端子１３を
設ければ、雰囲気温度の変動に影響されず正確に入力電
流のみに比例する出力電圧が得られ、抵抗体５の実質的
ＴＣＲは零となる。
ればΔＶ（ｘo）＝０となるｘo が存在する。例えばＷ
＝２５mmに設定すると、この時の電圧Ｖ（ｘ）曲線は２
５℃と１２５℃について図５の如く得られ、ｘo ＝１０
ｍｍとなる。かかるｘo の位置に両電圧取出端子１３を
設ければ、雰囲気温度の変動に影響されず正確に入力電
流のみに比例する出力電圧が得られ、抵抗体５の実質的
ＴＣＲは零となる。
【００２１】
【実施例２】ΔＶ（ｘ）＝０となる位置を越えて給電端
１１より遠ざかると、ΔＶ（ｘ）は負になって（図５参
照）次第にその絶対値が大きくなる。そこで、スペース
的な制約より実施例１のように両電圧取出端子１３を対
向位置に設けることができない場合には、ΔＶ（ｘ1 ）
＝−ΔＶ（ｘ2 ）となるような位置ｘ1 ，ｘ2 を算出し
て、各導体膜１Ａ，１Ｂの電圧取出端子１３をこれら各
位置に設けて出力電圧を得るようになせば、上記実施例
１と同様の効果が得られる。
１１より遠ざかると、ΔＶ（ｘ）は負になって（図５参
照）次第にその絶対値が大きくなる。そこで、スペース
的な制約より実施例１のように両電圧取出端子１３を対
向位置に設けることができない場合には、ΔＶ（ｘ1 ）
＝−ΔＶ（ｘ2 ）となるような位置ｘ1 ，ｘ2 を算出し
て、各導体膜１Ａ，１Ｂの電圧取出端子１３をこれら各
位置に設けて出力電圧を得るようになせば、上記実施例
１と同様の効果が得られる。
【００２２】
【実施例３】なお、一方の電圧取出端子１３を給電端１
１に設け、他方の電圧取出端子１３を給電端１１以外に
設けるようになせば、給電端１１の電圧変動ΔＶ（０）
に対して給電端以外の電圧変動ΔＶ（ｘ）は小さいか
ら、両電圧取出端子１３間に得られる電圧Ｖ（０，ｘ）
の温度変動が（ΔＶ（ｘ）＋ΔＶ（０））／２であるこ
とを考慮すると、電圧取出端子１３をいずれも給電端１
１に設ける場合に比べて温度変動をより小さくすること
が可能である。
１に設け、他方の電圧取出端子１３を給電端１１以外に
設けるようになせば、給電端１１の電圧変動ΔＶ（０）
に対して給電端以外の電圧変動ΔＶ（ｘ）は小さいか
ら、両電圧取出端子１３間に得られる電圧Ｖ（０，ｘ）
の温度変動が（ΔＶ（ｘ）＋ΔＶ（０））／２であるこ
とを考慮すると、電圧取出端子１３をいずれも給電端１
１に設ける場合に比べて温度変動をより小さくすること
が可能である。
【００２３】上記各実施例において、給電端は必ずしも
各導体膜の端部に設ける必要はない。また、電圧取出端
の一方は給電端と一致せしめて設けても良い。
各導体膜の端部に設ける必要はない。また、電圧取出端
の一方は給電端と一致せしめて設けても良い。
【００２４】
【発明の効果】以上の如く、本発明の抵抗体電極構造に
よれば、抵抗値が小さくかつ抵抗値温度係数が充分に小
さい膜抵抗を実現することができ、計測用のハイブリッ
ドＩＣ等に好適に使用できる。
よれば、抵抗値が小さくかつ抵抗値温度係数が充分に小
さい膜抵抗を実現することができ、計測用のハイブリッ
ドＩＣ等に好適に使用できる。
【図１】本発明の抵抗体電極構造を使用した定電流回路
の回路図である。
の回路図である。
【図２】本発明を説明する概念図である。
【図３】抵抗体の概略平面図である。
【図４】抵抗体のモデル図である。
【図５】抵抗体各部の電圧を示す図である。
【図６】定電流回路の回路図である。
【図７】従来の抵抗体電極の概略平面図である。
１Ａ、１Ｂ 導体膜 １１ 給電端 １２ 他端 １３ 電圧取出端子 ２ 抵抗膜 ３ トランジスタ ４ オペアンプ ５ 抵抗体 ６ 負荷
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 間隔をおいて延び、正の抵抗値温度係数
が相対的に大きい一対の線状導体膜と、これら導体膜に
対向辺がそれぞれ接続導通せしめられ、正の抵抗値温度
係数が相対的に小さい面状の抵抗膜とを具備し、上記各
導体膜の一部を給電端としてここに電流源を接続して、
導体膜の一方には給電端を除く所定位置に電圧取出端子
を設けるとともに、導体膜の他方には給電端を含む所定
位置に電圧取出端子を設け、これら電圧取出端子間に電
圧出力を得ることを特徴とする抵抗体電極構造。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3166491A JP3049843B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-06-11 | 抵抗体電極構造の形成方法 |
| US07/871,345 US5254938A (en) | 1991-04-26 | 1992-04-21 | Resistor circuit with reduced temperature coefficient of resistance |
| US08/095,410 US5506494A (en) | 1991-04-26 | 1993-09-13 | Resistor circuit with reduced temperature coefficient of resistance |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12552691 | 1991-04-26 | ||
| JP3-125526 | 1991-04-26 | ||
| JP3166491A JP3049843B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-06-11 | 抵抗体電極構造の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056801A true JPH056801A (ja) | 1993-01-14 |
| JP3049843B2 JP3049843B2 (ja) | 2000-06-05 |
Family
ID=26461948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3166491A Expired - Lifetime JP3049843B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-06-11 | 抵抗体電極構造の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5254938A (ja) |
| JP (1) | JP3049843B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8525637B2 (en) | 2009-09-04 | 2013-09-03 | Vishay Dale Electronics, Inc. | Resistor with temperature coefficient of resistance (TCR) compensation |
| US11555831B2 (en) | 2020-08-20 | 2023-01-17 | Vishay Dale Electronics, Llc | Resistors, current sense resistors, battery shunts, shunt resistors, and methods of making |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7847534B2 (en) * | 2007-03-26 | 2010-12-07 | Panasonic Corporation | Reference current circuit |
| CN105244126A (zh) * | 2015-09-22 | 2016-01-13 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 一种精密电阻的设计方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| IT1125202B (it) * | 1976-05-06 | 1986-05-14 | Wabco Westinghouse Spa | Resistore a sicurezza intrinseca |
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| EP0031678B1 (en) * | 1979-12-19 | 1986-06-11 | Seiko Epson Corporation | A voltage regulator for a liquid crystal display |
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