JPH0568092B2 - - Google Patents

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JPH0568092B2
JPH0568092B2 JP1227140A JP22714089A JPH0568092B2 JP H0568092 B2 JPH0568092 B2 JP H0568092B2 JP 1227140 A JP1227140 A JP 1227140A JP 22714089 A JP22714089 A JP 22714089A JP H0568092 B2 JPH0568092 B2 JP H0568092B2
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liquid
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spin chuck
liquid agent
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0448—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ この発明は半導体ウエハやフオトマスク用ガラ
ス基板等（以下単に基板と称する）の表面処理を
するのに用いられる基板の表面処理装置に関し、
特に、処理液吐出ノズルにより処理液を一度に、
かつソフトに、万遍なく基板上面へ供給するよう
にした表面処理装置に関するものである。
＜従来の技術＞ この種の表面処理装置としては、従来より例え
ば第５図に示すものが本出願人により商品化され
市場に提供されている。
それは、基板Ｗを水平回転可能に保持するスピ
ンチヤツク１０１と、基板Ｗを水平保持した状態
で、その上面に処理液Ｑを供給する液剤吐出ノズ
ル１０５と、処理液Ｑの供給に際し当該ノズル１
０５を基板Ｗの上方で矢印Ｆ方向へ掃引する手段
（図示せず）と、基板Ｗを囲うようにして設けら
れ、処理液飛沫の飛散を防止する飛散防止カツプ
１１０とを備えて成り、液剤吐出ノズル１０５は
第６図に示すように、液剤吐出孔１０８を傾斜状
に開口し、処理液Ｑを斜め下方へ扇状に飛散させ
ることにより、基板Ｗの全面を処理液で覆うよう
に構成されている。なお、第５図中符号１１２は
基板Ｗをスピンチヤツク１０１へ受け渡す移載手
段である。
＜発明が解決しようとする課題＞ 上記従来例のものは、基板の全面にわたり均一
に、かつ十分に処理液を供給できる点で優れてい
るが、下記のような難点がある。
即ち、扇状に飛散する処理液で基板Ｗの全面を
覆うためには、液剤吐出ノズル１０５を基板Ｗよ
り十分高い位置に配置することと、液剤吐出ノズ
ル１０５に供給される液剤にある程度圧力を加え
ておく必要がある。従つて、シヤワー状に飛散す
る処理液は、その落差によつて基板Ｗの表面をた
たくため、これに起因する特有のムラを発生す
る。このムラは高品質指向の要請が強い当該基板
の歩留まり低下をもたらす。
本発明はこのような事情を考慮したもので、上
記難点を解消して、基板の歩留まり向上を図るこ
とを技術課題とする。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明は上記課題を解決するものとして、以下
のように構成される。
即ち、基板を水平回転可能にスピンチヤツクで
保持し、スピンチヤツクの上方に液剤吐出ノズル
を配置し、処理液を基板の上面へ供給するように
構成した基板の表面処理装置において、液剤吐出
ノズルは、ノズル筒体の先端部に液剤の反転部を
形成し、反転部近傍の側壁に複数の液剤吐出孔を
あけ、基板に対してノズル先端を相対接近可能に
配置したことを特徴とするものである。
＜作用＞ 本発明では、液剤吐出ノズルを基板に対して直
立状に、かつ、ノズル先端を接近させて処理液を
供給する。このとき、処理液はノズル先端壁に当
つて反転部でその流速を減じ、側壁にあけられた
複数の液剤吐出孔から吐出し、基板の中心方向及
び周辺方向へ流出する。なおこの時、基板は停止
ないし低速回転させる。
つまり、液剤吐出ノズルと基板との落差をなく
し、処理液を基板の全面にわたり、ソフトに、均
一に、かつ十分に供給することができる。
＜実施例＞ 第１図は本発明の一実施例を示す現像処理装置
の要部斜視図、第２図はその要部の縦断面図であ
る。
この現像処理装置は基板Ｗを水平回転可能に保
持するスピンチヤツク１と、基板Ｗを水平保持し
た状態で、その上面に現像液Ｑを供給する液剤吐
出ノズル５と、現像液Ｑの供給に際し当該ノズル
５を基板Ｗの上方へ移動させる手段（図示せず）
と、現像液等の溶剤の飛散を防止する飛散防止カ
ツプ（第４図１０）とを具備している。
スピンチヤツク１はその回転軸２を介して回転
可能かつ昇降可能に構成されており、スピンチヤ
ツク１は、基板Ｗを移載手段から受取る際に所定
位置まで上昇し、受取り後は元の位置に復帰す
る。現像処理に際してはかかる元の位置で、停止
もしくは低速回転しながら現像し、次にリンス処
理に際して高速回転させるように構成されてい
る。
液剤吐出ノズル５は、ノズル筒体６の先端を閉
止して液剤の反転部７を形成し、反転部近傍の側
壁６ａに複数の液剤吐出孔８…をあけ、基板Ｗに
対してノズル筒体６を直立状に配置し得るように
構成されている。
そして、現像液の供給に際し、ノズル先端と基
板Ｗとを接近させて現像液を給送すると、現像液
Ｑはノズル先端壁６ｂに当たつて反転部７でその
流速を減じ、側壁６ａにあけられた複数の液剤吐
出孔８…から吐出し、基板Ｗの中心方向及び周辺
方向に流出し、基板Ｗの全面にわたり、ソフト
に、均一に、かつ十分に供給される。これにより
従来例のような現像液供給時の衝撃による現像ム
ラの問題は解消する。
第３図は本発明の変形例を示す要部断面図であ
る。それはノズル筒体６の先端壁６ｂに小孔９…
を形成し、反転部７で減速した現像液Ｑの一部を
当該小孔９…を介して吐出させるように構成され
ている。
なお小孔９から吐出する現像液が基板Ｗの表面
をたたきつけることがないよう、その孔径を設定
することが肝要である。
飛散防止カツプ１０は第４図に示すように、上
下に分離可能な上カツプ１０ａと下カツプ１０ｂ
とから成り、両カツプは別々に昇降可能に支持さ
れている。
以下、上記現像処理装置の動作について第４図
を参照しながら説明する。
第４図Ａはスピンチヤツク１を上昇させ、移載
手段を介して基板Ｗを受け渡しする状態を示して
いる。基板Ｗを受け取つたスピンチヤツク１は仮
想線で示す位置まで下降する。
同図Ｂは、上カツプ１０ａが所定高さまで上昇
し、液剤吐出ノズル５を基板Ｗの中央部へ移動さ
せ、現像液Ｑを基板Ｗの上面に供給する状態を示
している。このとき、スピンチヤツク１は停止な
いし、ゆつくりと低速回転させる。なお、現像液
の供給に先立つて、適宜N2ガスの吹き付けによ
るダストパージ、現像液の希釈液によるプリウツ
ト等の処理を行うこともある。
同図Ｃは上記Ｂの状態から下カツプ１０ｂを上
昇させることにより、下カツプ１０ｂの傾斜面が
スピンチヤツク１の基板保持面の高さになるよう
に位置させた状態を示している。この状態におい
て適切な現像時間（例えば30〜80秒、典型的には
60秒）だけ静止される。次いで、この状態におい
て、スピンチヤツク１を高速回転させながら、リ
ンス液（純水）を基板上に供給して現像液を洗い
流す。
同図Ｄは上カツプ１０ａと下カツプ１０ｂとが
合体したまま、運転終了位置まで下降した状態を
示している。上記Ａ〜Ｄに至る一連の動作を繰り
返すことにより、次々と基板の現像処理がなされ
る。
なお、上記実施例では現像処理装置について例
示したが、本発明はこれに限るものではなく、液
剤を基板の表面に吐出供給して、表面処理をする
装置に広く適用し得る。
＜発明の効果＞ 以上の説明で明らかなように、本発明では液剤
吐出ノズルと基板との落差をなくし、処理液を基
板の全面にわたり、ソフトに、均一に、かつ十分
に供給するようにしたので、従来例のような処理
液供給時の衝撃による特有のムラを解消すること
ができる。これにより、基板の表面処理工程にお
ける歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す現像処理装置
の要部斜視図、第２図はその要部の縦断面図、第
３図はその変形例を示す第２図相当図、第４図は
動作説明図、第５図は従来例の斜視図、第６図は
従来例の液剤吐出ノズルの部分拡大図である。 Ｑ……処理液（現像液）、Ｗ……基板、１……
スピンチヤツク、５……液剤吐出ノズル、６……
ノズル筒体、６ａ……側壁、６ｂ……先端壁、７
……反転部、８……液剤吐出孔、９……小孔。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 基板を水平回転可能にスピンチヤツクで保持
    し、スピンチヤツクの上方に液剤吐出ノズルを配
    置し、処理液を基板の上面へ供給するように構成
    した基板の表面処理装置において、 液剤吐出ノズルは、ノズル筒体の先端部に液剤
    の反転部を形成し、反転部近傍の側壁に複数の液
    剤吐出孔をあけ、基板に対してノズル先端を相対
    接近可能に配置したことを特徴とする基板の表面
    処理装置。 ２ ノズル筒体の先端壁に小孔を形成し、反転部
    で減速した処理液の一部を当該小孔を介して吐出
    させるように構成した請求項１に記載した基板の
    表面処理装置。
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