JPH0568097B2 - - Google Patents
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- JPH0568097B2 JPH0568097B2 JP58145264A JP14526483A JPH0568097B2 JP H0568097 B2 JPH0568097 B2 JP H0568097B2 JP 58145264 A JP58145264 A JP 58145264A JP 14526483 A JP14526483 A JP 14526483A JP H0568097 B2 JPH0568097 B2 JP H0568097B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- film
- plasma
- present
- discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3408—Silicon carbide
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、プラズマ気相反応方法（以下単に
PCVD法という）に関する。
PCVD法という）に関する。
この発明はPCVD法であつて、平行平板型の電
極方式を用い、この電極に凹状の開孔又は開溝を
設けたものである。
極方式を用い、この電極に凹状の開孔又は開溝を
設けたものである。
さらに、被形成面を有する基板を陽光柱領域に
配設し、多量に被膜形成を行う方法に関する。
配設し、多量に被膜形成を行う方法に関する。
従来、平行平板型のPCVD法は、その被形成面
を陰極（カソード）または陽極（アノード）上ま
たはこれらの電極のごく近傍に発生する陰極暗部
または陽極暗部に配設する方式であるとして知ら
れている。
を陰極（カソード）または陽極（アノード）上ま
たはこれらの電極のごく近傍に発生する陰極暗部
または陽極暗部に配設する方式であるとして知ら
れている。
かかる従来より公知の方式においては、電極面
積の大きさよりも被形成面の面積を大きく有せし
めることができない。このため、大面積の基板上
に半導体、絶縁体または導体被膜を作製すること
ができるという特長を有しながらも、電極面積の
５〜30倍もの被形成面を有せしめることができな
い。即ち、多量生産ができないという欠点を有し
ていた。
積の大きさよりも被形成面の面積を大きく有せし
めることができない。このため、大面積の基板上
に半導体、絶縁体または導体被膜を作製すること
ができるという特長を有しながらも、電極面積の
５〜30倍もの被形成面を有せしめることができな
い。即ち、多量生産ができないという欠点を有し
ていた。
このため、アモルフアス・シリコンを含む非単
結晶半導体を作製せんとする時、その基板１cm2あ
たりの製造価格が１円以上と高価となり、太陽電
池等の単価が安価な製品作製に応用することがで
きないという大きな欠点を有する。
結晶半導体を作製せんとする時、その基板１cm2あ
たりの製造価格が１円以上と高価となり、太陽電
池等の単価が安価な製品作製に応用することがで
きないという大きな欠点を有する。
加えて、被膜形成速度も１〜２Å／秒と十分と
はいえず、これらの点より多量生産性を有し、か
つ被膜成長速度が３〜10Å／秒と大きいPCVD法
が求められていた。
はいえず、これらの点より多量生産性を有し、か
つ被膜成長速度が３〜10Å／秒と大きいPCVD法
が求められていた。
本発明はかかる目的を成就するためになされた
ものである。
ものである。
即ち、本発明方法はプラズマ・グロー放電の陽
光柱を用いたものである。本発明は、陽光柱領域
に被形成面を有する基板を平行に互いに離間して
配設したものであり、かかる陽光柱を用いた
PCVD法に関しては、本発明人の出願になる特許
願57−163279、57−163730（プラズマ気相反応装
置）（昭和57年９月20日出願）に記されている。
光柱を用いたものである。本発明は、陽光柱領域
に被形成面を有する基板を平行に互いに離間して
配設したものであり、かかる陽光柱を用いた
PCVD法に関しては、本発明人の出願になる特許
願57−163279、57−163730（プラズマ気相反応装
置）（昭和57年９月20日出願）に記されている。
本発明はかかる陽光柱にて反応をせしめ、多量
生産を行うものである。しかし陽光柱は一般に大
きく空間が広がるため、被形成面近傍でのプラズ
マ密度が減少し、結果として暗部を用いる方式と
同じ程度の被膜成長速度しか得られないという他
の欠点を有する。
生産を行うものである。しかし陽光柱は一般に大
きく空間が広がるため、被形成面近傍でのプラズ
マ密度が減少し、結果として暗部を用いる方式と
同じ程度の被膜成長速度しか得られないという他
の欠点を有する。
かかる欠点を除去して、陽光柱を収束（しまら
せる）せしめ、即ち、放電プラズマのひろがりを
押さえ、さらに中央部でのプラズマ密度を増加さ
せ、活性反応性気体を増加し、ひいては被膜成長
速度を２〜３倍にまで大きくすることを特長とし
ている。
せる）せしめ、即ち、放電プラズマのひろがりを
押さえ、さらに中央部でのプラズマ密度を増加さ
せ、活性反応性気体を増加し、ひいては被膜成長
速度を２〜３倍にまで大きくすることを特長とし
ている。
第１図は従来方法での平行平板型の電極２，３
およびその電気力線５、またこの電気力線に直行
する等電位面１５を示している。そしてこれらの
電極は減圧下の反応容器４内に配設されており、
この電極の一方から７より供給された反応性気体
６が放出され、他方の基板１の被形成面上に被膜
形成される。
およびその電気力線５、またこの電気力線に直行
する等電位面１５を示している。そしてこれらの
電極は減圧下の反応容器４内に配設されており、
この電極の一方から７より供給された反応性気体
６が放出され、他方の基板１の被形成面上に被膜
形成される。
第１図Ａにおいて、電極２，３間には高周波電
源１０より13.56MHzが加えられる。不要反応生
成物は排気系８にてバルブ１１、圧力調整バル
ブ、１２真空ポンプ、１３より外部に排気され
る。
源１０より13.56MHzが加えられる。不要反応生
成物は排気系８にてバルブ１１、圧力調整バル
ブ、１２真空ポンプ、１３より外部に排気され
る。
かかる従来の方法においては、電気力線５は被
形成面に垂直に加わるため、被形成面をスパツタ
（損傷）してしまうという他の欠点を有する。
形成面に垂直に加わるため、被形成面をスパツタ
（損傷）してしまうという他の欠点を有する。
第１図Ｂは第１図Ａの電極の一方２に対し針状
電極９を互いに離間して配設したものである。こ
こでは電極２（50cm×50cm）、電極２，３の間隔
４cm、針状電極長さ１cm、間隔５cmとした。かか
る針状電極を第１図Ａの装置に配設した時も、電
気力線は針状電極より分散し、ひろがる方向に供
給され、基板１に垂直に加えられる。等電位面１
５は電気力線と直行して設けられるにすぎない。
このため、針状電極はそれなりに第１図Ａに装置
に配設した場合でも放電開始を容易にする等の特
長を有しながらも、被膜の膜質、被膜成長速度を
向上させるものではなかつた。
電極９を互いに離間して配設したものである。こ
こでは電極２（50cm×50cm）、電極２，３の間隔
４cm、針状電極長さ１cm、間隔５cmとした。かか
る針状電極を第１図Ａの装置に配設した時も、電
気力線は針状電極より分散し、ひろがる方向に供
給され、基板１に垂直に加えられる。等電位面１
５は電気力線と直行して設けられるにすぎない。
このため、針状電極はそれなりに第１図Ａに装置
に配設した場合でも放電開始を容易にする等の特
長を有しながらも、被膜の膜質、被膜成長速度を
向上させるものではなかつた。
第２図は本発明のPCVD法における電極および
その概要を示したものである。この反応炉の他部
は前記した本発明人の特許願に準じる。
その概要を示したものである。この反応炉の他部
は前記した本発明人の特許願に準じる。
図面において、この一対の網状電極２，３およ
び被形成面を有する基板１，１′を有する。反応
性気体の供給は２３より石英フード２１に至り、
電極２を通つて陽光柱領域２５に至る。陽光柱領
域には裏面を互いに密接して電気力線５に平行に
基板１，１′を配設せしめてある。またこの基板
を石英カゴで取り囲む形状を有せしめてある。反
応生成物の排気は下側フード２２を経て排気２４
させる。一対を成す電極２，３には外部より高周
波エネルギが供給され、平等電界が形成される領
域２０に放電がされる。
び被形成面を有する基板１，１′を有する。反応
性気体の供給は２３より石英フード２１に至り、
電極２を通つて陽光柱領域２５に至る。陽光柱領
域には裏面を互いに密接して電気力線５に平行に
基板１，１′を配設せしめてある。またこの基板
を石英カゴで取り囲む形状を有せしめてある。反
応生成物の排気は下側フード２２を経て排気２４
させる。一対を成す電極２，３には外部より高周
波エネルギが供給され、平等電界が形成される領
域２０に放電がされる。
この図面では電極面積は25cmφ（電極間隔15cm）
または70cm×70cm（電極間隔35cm）の形状を有せ
しめ、さらにこの電極に開孔または開溝１４を形
成することにより、本発明の平等電界領域での第
１のグロー放電と開孔または開溝１４に高輝度の
第２のグロー放電とを同時に発生せしめた。
または70cm×70cm（電極間隔35cm）の形状を有せ
しめ、さらにこの電極に開孔または開溝１４を形
成することにより、本発明の平等電界領域での第
１のグロー放電と開孔または開溝１４に高輝度の
第２のグロー放電とを同時に発生せしめた。
この図面より明らかなごとく、下側電極３は例
えば単に開孔または開溝（0.5〜３cm例えば約１
cmφまたは約１cm巾）で作つたにすぎない。また
他の例では上側電極のごとく、この開孔または開
溝を陽光柱とは逆方向に曲面１６を設け、凹状態
をしている。
えば単に開孔または開溝（0.5〜３cm例えば約１
cmφまたは約１cm巾）で作つたにすぎない。また
他の例では上側電極のごとく、この開孔または開
溝を陽光柱とは逆方向に曲面１６を設け、凹状態
をしている。
第１図Ｂに示すごとく針状即ち放電面に凸状態
ではなく、逆にこれらを反応空間に対して図面に
示す如くなめらかな曲面を有して凹状にすること
により、電気力線５が領域１７，１８において収
束し、高密度電束領域が一方の電極より他方の電
極に向かつて繊維状に延在して発生することがわ
かる。すなわち従来の凸状（針状）の電界集中領
域を生ぜしめると、その端部（コーナ部）に極端
な電界集中箇所ができる。そのためこの凸部で反
応性気体が反応し「つらら」の如き反応生成物が
できてしまう。そしてこの「つらら」の如き固体
はある大きさとなると離れ被形成面上に付着し、
均一な膜厚の被膜を作るために大きな障害とな
る。
ではなく、逆にこれらを反応空間に対して図面に
示す如くなめらかな曲面を有して凹状にすること
により、電気力線５が領域１７，１８において収
束し、高密度電束領域が一方の電極より他方の電
極に向かつて繊維状に延在して発生することがわ
かる。すなわち従来の凸状（針状）の電界集中領
域を生ぜしめると、その端部（コーナ部）に極端
な電界集中箇所ができる。そのためこの凸部で反
応性気体が反応し「つらら」の如き反応生成物が
できてしまう。そしてこの「つらら」の如き固体
はある大きさとなると離れ被形成面上に付着し、
均一な膜厚の被膜を作るために大きな障害とな
る。
他方本発明は第２図の上側電極に示す如く、反
応空間に対し凹状の開孔または開溝を設けた。す
るとその部分の電界は集中させつつも、極端な電
界集中箇所が反応空間側にない。（この構造では
コーナ部は電極内部になり、実質的に除去でき
る）このため、ここから反応性気体を反応空間に
放出した時、この開孔または開溝での反応性気体
が反応し、反応生成物が「つらら」のように発生
することがない。
応空間に対し凹状の開孔または開溝を設けた。す
るとその部分の電界は集中させつつも、極端な電
界集中箇所が反応空間側にない。（この構造では
コーナ部は電極内部になり、実質的に除去でき
る）このため、ここから反応性気体を反応空間に
放出した時、この開孔または開溝での反応性気体
が反応し、反応生成物が「つらら」のように発生
することがない。
即ち反応性気体を活性化させるが、反応は反応
空間で行なわしめ得る。膜厚として、被膜成長速
度を従来の第１図Ａに示す如く平行平板方式に比
べて２〜３倍も高め得る。また本発明の電極構造
を陽光柱方式の電極に配置することにより１バツ
チ当たりの成膜面積を著しく大きくできる。かく
のごとくにすることにより、従来より知られた平
等電界により発生する第１のプラズマ放電２７，
２８に加えて、高密度電束の発生により、高輝度
の第２のプラズマ領域１７，１８を同時に発生さ
せることができた。
空間で行なわしめ得る。膜厚として、被膜成長速
度を従来の第１図Ａに示す如く平行平板方式に比
べて２〜３倍も高め得る。また本発明の電極構造
を陽光柱方式の電極に配置することにより１バツ
チ当たりの成膜面積を著しく大きくできる。かく
のごとくにすることにより、従来より知られた平
等電界により発生する第１のプラズマ放電２７，
２８に加えて、高密度電束の発生により、高輝度
の第２のプラズマ領域１７，１８を同時に発生さ
せることができた。
その結果、従来、陽光柱２５では横方向への広
がりが大きく、プラズマが分散していたのが、電
極中央部２０内に集まる３５傾向を有せしめるこ
とができた。
がりが大きく、プラズマが分散していたのが、電
極中央部２０内に集まる３５傾向を有せしめるこ
とができた。
さらにこの高輝度プラズマ放電を行わしめるこ
とにより、被膜成長速度を２〜３倍にすることが
できた。
とにより、被膜成長速度を２〜３倍にすることが
できた。
例えば100％シランを用いて、0.1torr、30W
（13.56MHz）、電極面を25cmφとし、電極間隔15
cmとした時、基板10cm、６枚を配設（延べ面積
600cm2）した場合、開孔または開溝１４を有しな
い場合には、被膜成長速度１〜２Å／秒であつた
のが、この開孔または開溝１４を各電極に数ケ所
設けるのみで４〜６Å／秒と２〜３倍に増加させ
ることが可能になつた。
（13.56MHz）、電極面を25cmφとし、電極間隔15
cmとした時、基板10cm、６枚を配設（延べ面積
600cm2）した場合、開孔または開溝１４を有しな
い場合には、被膜成長速度１〜２Å／秒であつた
のが、この開孔または開溝１４を各電極に数ケ所
設けるのみで４〜６Å／秒と２〜３倍に増加させ
ることが可能になつた。
このことは第１図の従来の方式に比べて、５〜
20倍も基板の配設量を大きくすることができるに
加えて、被膜形成速度を２〜３倍も高めることが
でき、２重に優れたものであることがわかる。
20倍も基板の配設量を大きくすることができるに
加えて、被膜形成速度を２〜３倍も高めることが
でき、２重に優れたものであることがわかる。
さらに加えて、陽光柱が収束することの結果、
この陽光柱が反応炉の内壁をスパツタし、この内
壁に吸着している水、付着物の不純物を活性化し
て被膜内に取り込み、その膜質を劣化させる可能
性をさらに少なくすることができるという点を考
慮すると、三重にすぐれたものであることが判明
した。
この陽光柱が反応炉の内壁をスパツタし、この内
壁に吸着している水、付着物の不純物を活性化し
て被膜内に取り込み、その膜質を劣化させる可能
性をさらに少なくすることができるという点を考
慮すると、三重にすぐれたものであることが判明
した。
以下にさらに実施例を加えて本発明を補完する
実施例 １
第２図を用いたPCVD法において、下側の電極
３に反応空間に対してなめらかな曲面を有して凹
状の反応性気体を供給するための高輝度プラズマ
放電領域を３箇所、上側に４箇所を設けたもので
ある。基板１は石英ホルダ内に配設され、この治
具が３〜５回／分で回転している。反応性気体と
してシランにより非単結晶珪素を作製した。即
ち、基板温度210℃、圧力0.1torr、シラン30c.c.／
分、放電出力30Wとし、5000Åの厚さを有せしめ
るのに20分、被膜成長速度は4.1Å／秒を有して
いる。
３に反応空間に対してなめらかな曲面を有して凹
状の反応性気体を供給するための高輝度プラズマ
放電領域を３箇所、上側に４箇所を設けたもので
ある。基板１は石英ホルダ内に配設され、この治
具が３〜５回／分で回転している。反応性気体と
してシランにより非単結晶珪素を作製した。即
ち、基板温度210℃、圧力0.1torr、シラン30c.c.／
分、放電出力30Wとし、5000Åの厚さを有せしめ
るのに20分、被膜成長速度は4.1Å／秒を有して
いる。
さらに、基板の配設されている石英ホルダの外
側空間には何等放電が見られず、反応容器のステ
ンレス壁面をスパツタして水等の不純物を混入さ
せる可能性が少ないことがわかる。
側空間には何等放電が見られず、反応容器のステ
ンレス壁面をスパツタして水等の不純物を混入さ
せる可能性が少ないことがわかる。
基板に10cm×10cmが８枚配設され、反応性気体
の収率（被膜となる成分／供給される気体等）も
第１図Ａに示すごとき形状に加えて８倍近くにな
つた。さらに第２図において開孔または開溝１４
を設けない場合に比べて２倍に高めることができ
た。
の収率（被膜となる成分／供給される気体等）も
第１図Ａに示すごとき形状に加えて８倍近くにな
つた。さらに第２図において開孔または開溝１４
を設けない場合に比べて２倍に高めることができ
た。
実施例 ２
この実施例はメタン（CH4）とシラン（SiH4）
とを１：１の割合で混入し、SixC1-x（０＜ｘ＜
１）の被膜を作製したものである。
とを１：１の割合で混入し、SixC1-x（０＜ｘ＜
１）の被膜を作製したものである。
図面に高輝度プラズマ放電が開溝部に観察され
た。そしてかかる局部放電がない場合に比べて、
炭化珪素とするSi−Ｃ結合が多量にあり、化学的
エツチングが起こつても、固い緻密な膜となつて
いた。その他は実施例１と同様である。
た。そしてかかる局部放電がない場合に比べて、
炭化珪素とするSi−Ｃ結合が多量にあり、化学的
エツチングが起こつても、固い緻密な膜となつて
いた。その他は実施例１と同様である。
以上のごとく、本発明は第２図に示されるごと
く、電極に開孔または開溝を設け、この領域で電
気力線を収束せしめ、高輝度放電を発生せしめた
ものである。かかる方式は第１図のごとく、平行
平板電極上に基板を配設した場合、この基板の一
部に高い電束反応領域を有せしめてもよい。しか
し、高輝度放電によるスパツタ効果を考慮する
時、この放電に被形成面を配設し、そのスパツタ
（損傷）を少なくすることは膜質の向上に有効で
あり、結果として本発明方法は陽光柱に基板を電
気力線に平行に配設するPCVD法に特に有効であ
ることがわかつた。
く、電極に開孔または開溝を設け、この領域で電
気力線を収束せしめ、高輝度放電を発生せしめた
ものである。かかる方式は第１図のごとく、平行
平板電極上に基板を配設した場合、この基板の一
部に高い電束反応領域を有せしめてもよい。しか
し、高輝度放電によるスパツタ効果を考慮する
時、この放電に被形成面を配設し、そのスパツタ
（損傷）を少なくすることは膜質の向上に有効で
あり、結果として本発明方法は陽光柱に基板を電
気力線に平行に配設するPCVD法に特に有効であ
ることがわかつた。
また本発明の実施例は非単結晶Si、またはSix
C1-xである。しかしシランとゲルマンを用いて
SixGe1-x（０＜ｘ＜１）シランと塩化スズとを用
いてSixSn1-x（０＜ｘ＜１）シランであつても有
効である。また、AlをAlCl3により、またSi3N4
をSiH4とNH3とにより、SiO2をSiH4とN2Oとに
より形成する場合等の絶縁膜をPCVD法で作製す
る場合にも本発明は有効である。
C1-xである。しかしシランとゲルマンを用いて
SixGe1-x（０＜ｘ＜１）シランと塩化スズとを用
いてSixSn1-x（０＜ｘ＜１）シランであつても有
効である。また、AlをAlCl3により、またSi3N4
をSiH4とNH3とにより、SiO2をSiH4とN2Oとに
より形成する場合等の絶縁膜をPCVD法で作製す
る場合にも本発明は有効である。
また、本発明方法によつて得られる半導体膜中
に水素またはハロゲン元素に加えてＢまたはＰを
添加してＰ型またはＮ型とすることも可能であ
る。
に水素またはハロゲン元素に加えてＢまたはＰを
添加してＰ型またはＮ型とすることも可能であ
る。
加えて、本発明方法に併用して、400nｍ以下
の紫外光または8μｍ以下の赤外光を照射したプ
ラズマ気相法としても本発明方法は有効である。
の紫外光または8μｍ以下の赤外光を照射したプ
ラズマ気相法としても本発明方法は有効である。
第１図は従来のプラズマ気相反応装置を示す。
第２図は本発明方法のプラズマ気相反応装置の電
極基板近傍の概要である。
第２図は本発明方法のプラズマ気相反応装置の電
極基板近傍の概要である。
Claims (1)
- １ 一対の電極を互いに離間して配設する平行平
板型プラズマ・グロー放電を用いて被形成面上に
被膜を形成する気相反応方法において、反応空間
と逆方向に曲面を設けた開孔又は開溝を形成した
平板状電極を用いて、前記開孔又は開溝により反
応空間に電界を集中させつつプラズマ気相反応せ
しめることを特徴とするプラズマ気相反応方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145264A JPS6037118A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | プラズマ気相反応方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145264A JPS6037118A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | プラズマ気相反応方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5134140A Division JP2564753B2 (ja) | 1993-05-13 | 1993-05-13 | プラズマ気相反応方法 |
| JP6284147A Division JP2816943B2 (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | プラズマ気相反応方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037118A JPS6037118A (ja) | 1985-02-26 |
| JPH0568097B2 true JPH0568097B2 (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=15381105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58145264A Granted JPS6037118A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | プラズマ気相反応方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037118A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6037119A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応装置 |
| US4854263B1 (en) * | 1987-08-14 | 1997-06-17 | Applied Materials Inc | Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films |
| JP2523070B2 (ja) * | 1991-11-22 | 1996-08-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマ処理装置 |
| JP2564753B2 (ja) * | 1993-05-13 | 1996-12-18 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | プラズマ気相反応方法 |
| US9177761B2 (en) | 2009-08-25 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma CVD apparatus, method for forming microcrystalline semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
| KR20110021654A (ko) | 2009-08-25 | 2011-03-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 미결정 반도체막의 제조방법, 및 반도체장치의 제조방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4226897A (en) * | 1977-12-05 | 1980-10-07 | Plasma Physics Corporation | Method of forming semiconducting materials and barriers |
| JPS5842226A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Nec Corp | プラズマ半導体製造装置 |
-
1983
- 1983-08-08 JP JP58145264A patent/JPS6037118A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6037118A (ja) | 1985-02-26 |
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