JPH0568111B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0568111B2 JPH0568111B2 JP1246218A JP24621889A JPH0568111B2 JP H0568111 B2 JPH0568111 B2 JP H0568111B2 JP 1246218 A JP1246218 A JP 1246218A JP 24621889 A JP24621889 A JP 24621889A JP H0568111 B2 JPH0568111 B2 JP H0568111B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- polarization state
- polarization
- amplification
- amplified
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
- G02F3/02—Optical bistable devices
- G02F3/026—Optical bistable devices based on laser effects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/5009—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 the arrangement being polarisation-insensitive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/14—Semiconductor lasers with special structural design for lasing in a specific polarisation mode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06233—Controlling other output parameters than intensity or frequency
- H01S5/06236—Controlling other output parameters than intensity or frequency controlling the polarisation, e.g. TM/TE polarisation switching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1021—Coupled cavities
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、直列又は並列に接続された２つの
半導体レーザーから成り、その一方は主として特
定の偏光状態（TE又はTM偏光）の波を発生又
は増幅し、他方は主として別の偏光状態（TM又
はTEモード）の波を発生又は増幅し、その際両
半導体レーザーの一方で増幅されるか発生した光
波と他方の半導体レーザーで増幅されるか発生し
た光波が互いに重ね合わせ可能である半導体レー
ザー装置に関する。
半導体レーザーから成り、その一方は主として特
定の偏光状態（TE又はTM偏光）の波を発生又
は増幅し、他方は主として別の偏光状態（TM又
はTEモード）の波を発生又は増幅し、その際両
半導体レーザーの一方で増幅されるか発生した光
波と他方の半導体レーザーで増幅されるか発生し
た光波が互いに重ね合わせ可能である半導体レー
ザー装置に関する。
最近の光通信技術における応用に対しては偏光
を均等に増幅することができる光増幅器又はレー
ザー増幅器が必要となる。ここで均等な増幅とは
任意の偏光をその偏りには無関係に一定の増幅度
をもつて増幅できることを指す。光増幅作用層を
備える半導体レーザーの場合光増幅は原則として
偏りに強く関係し、例えば層の平面内で偏極した
光は比較的強く増幅され、この平面に垂直に偏極
した光は比較的弱く増幅されるか全然増幅されな
い。均等増幅は増幅すべき偏光を直列又は並列に
接続された２つの半導体レーザーに入結合するこ
とによつて達成される。これらの半導体レーザー
はその光増幅作用層が互いに垂直に置かれた平面
内にあり、互いに等しい増幅率を示す。この種の
装置は文献「イー・シー・オー・シー（ECOS）」
1987年、87−88頁により公知である。この公知の
装置では例えば一方の半導体レーザーの光増幅作
用層がTEモードの振動平面内に置かれ、他方の
半導体増幅器の対応する層はTEモードに対して
垂直に偏極されているTMモードの振動平面に置
かれる。公知装置の２つの半導体レーザーは偏極
保持性である受動光導波路を通して互いに結合さ
れる。増幅する偏光の導入と増幅された光の導出
もこの種の光導波路を通して行われる。
を均等に増幅することができる光増幅器又はレー
ザー増幅器が必要となる。ここで均等な増幅とは
任意の偏光をその偏りには無関係に一定の増幅度
をもつて増幅できることを指す。光増幅作用層を
備える半導体レーザーの場合光増幅は原則として
偏りに強く関係し、例えば層の平面内で偏極した
光は比較的強く増幅され、この平面に垂直に偏極
した光は比較的弱く増幅されるか全然増幅されな
い。均等増幅は増幅すべき偏光を直列又は並列に
接続された２つの半導体レーザーに入結合するこ
とによつて達成される。これらの半導体レーザー
はその光増幅作用層が互いに垂直に置かれた平面
内にあり、互いに等しい増幅率を示す。この種の
装置は文献「イー・シー・オー・シー（ECOS）」
1987年、87−88頁により公知である。この公知の
装置では例えば一方の半導体レーザーの光増幅作
用層がTEモードの振動平面内に置かれ、他方の
半導体増幅器の対応する層はTEモードに対して
垂直に偏極されているTMモードの振動平面に置
かれる。公知装置の２つの半導体レーザーは偏極
保持性である受動光導波路を通して互いに結合さ
れる。増幅する偏光の導入と増幅された光の導出
もこの種の光導波路を通して行われる。
この発明の課題は、冒頭に挙げた種類の装置に
おいて任意の大きさの光増幅率の等方性と異方性
が調整可能であるようにすることである。
おいて任意の大きさの光増幅率の等方性と異方性
が調整可能であるようにすることである。
この課題は、特許請求の範囲の請求項１に特徴
として挙げた構成とすることにより達成される。
として挙げた構成とすることにより達成される。
この発明による装置は等方性光増幅器の問題を
準インデツクス誘導レーザー・ダイオードの特有
な特性を利用して解決したものである。この種の
レーザー・ダイオードは例えば文献「ジヤーナ
ル・オブ・ライトウエイブ・テクノロジー
（Journ.of Lightwave Techn.）」Vol.LT−２、
No.４、1984年８月により公知である。この公知の
レーザー・ダイオードでは等方性ならびに異方性
光増幅の所望されるあらゆる度合が幾何学的構造
のデータ、特にこの種のダイオードに使用されて
いるストライプ光導波路の幅の適当な選定によつ
て調整される（これに対しては「アプライド・フ
イジクス・レターズ（Appl.Phys.Lett.）50（16）、
20、1987年４月、1038〜1040頁参照のこと）。こ
の発明の装置の場合両方の準インデツクス誘導レ
ーザー・ダイオードの幾何学的構造のデータは、
一方のダイオードが１つの偏光状態を優先的に増
幅し、他方のダイオードが別の偏光状態を優先的
に増幅するように選定される。これらのダイオー
ドに導く動作電流の選定によつて増幅の編極に関
係する度合を所望の値に調整することができる。
特に両方の偏極状態に対して互いに等しい増幅と
する等方性増幅が達成される。
準インデツクス誘導レーザー・ダイオードの特有
な特性を利用して解決したものである。この種の
レーザー・ダイオードは例えば文献「ジヤーナ
ル・オブ・ライトウエイブ・テクノロジー
（Journ.of Lightwave Techn.）」Vol.LT−２、
No.４、1984年８月により公知である。この公知の
レーザー・ダイオードでは等方性ならびに異方性
光増幅の所望されるあらゆる度合が幾何学的構造
のデータ、特にこの種のダイオードに使用されて
いるストライプ光導波路の幅の適当な選定によつ
て調整される（これに対しては「アプライド・フ
イジクス・レターズ（Appl.Phys.Lett.）50（16）、
20、1987年４月、1038〜1040頁参照のこと）。こ
の発明の装置の場合両方の準インデツクス誘導レ
ーザー・ダイオードの幾何学的構造のデータは、
一方のダイオードが１つの偏光状態を優先的に増
幅し、他方のダイオードが別の偏光状態を優先的
に増幅するように選定される。これらのダイオー
ドに導く動作電流の選定によつて増幅の編極に関
係する度合を所望の値に調整することができる。
特に両方の偏極状態に対して互いに等しい増幅と
する等方性増幅が達成される。
この発明の有利な実施態様においては両方の準
インデツクス誘導レーザー・ダイオードが１つの
基板上に集積されている。
インデツクス誘導レーザー・ダイオードが１つの
基板上に集積されている。
この発明の装置を増幅の偏極依存性が所望の度
合に調整される増幅器として使用する際には、特
許請求の範囲の請求項４に従い光波に対する屈折
性の入射および出射面を無反射性とするのが効果
的である。
合に調整される増幅器として使用する際には、特
許請求の範囲の請求項４に従い光波に対する屈折
性の入射および出射面を無反射性とするのが効果
的である。
別の実施態様においては特許請求の範囲の請求
項５に従い光波に対する屈折性の入射および出射
面が反射性となつている。この構成により極めて
高速変調可能の周波数選択性のフアブリーペロー
増幅器あるいは偏極双安定送信要素が実現され
る。
項５に従い光波に対する屈折性の入射および出射
面が反射性となつている。この構成により極めて
高速変調可能の周波数選択性のフアブリーペロー
増幅器あるいは偏極双安定送信要素が実現され
る。
この発明の装置、特に特許請求の範囲の請求項
５による２つの異なる偏極状態に関して双安定送
信装置の操作方法は特許請求の範囲請求項６に示
されている。
５による２つの異なる偏極状態に関して双安定送
信装置の操作方法は特許請求の範囲請求項６に示
されている。
図面についてこの発明を更に詳細に説明する。
第１図と第２図の実施例では基板Su上にスト
ライプ光導波路Wlがリブ形光導波路として画定
されている。このストライプ光導波路Wlは、基
板Suの内部で層面Ｅ内に設けられた導波性で光
増幅作用のある層Schとこの層の上で基板表面に
設けられたリブＲから成る。リブＲの左側の終端
部分には電極EL１が設けられ、その右側の終端
部分には電極EL２が設けられる。
ライプ光導波路Wlがリブ形光導波路として画定
されている。このストライプ光導波路Wlは、基
板Suの内部で層面Ｅ内に設けられた導波性で光
増幅作用のある層Schとこの層の上で基板表面に
設けられたリブＲから成る。リブＲの左側の終端
部分には電極EL１が設けられ、その右側の終端
部分には電極EL２が設けられる。
電極EL１はその下にあつてリブＲの左側終端
部分Ｒ１と層Schの左側終端部分Sch１から成る
光導波路Wlの左側終端部分Wl１と共に準インデ
ツクス誘導レーザー・ダイオードLD１を画定す
るのに対して、他方の電極EL２はその下にあつ
てリブＲの右側終端部分Ｐ２と層Schの終端部分
Sch２から成るストライプ光導波路Wlの右側終端
部分Wl２と共に別の準インデツクス誘導レーザ
ー・ダイオードLD２を画定する。互いに間隔を
保つて設けられたダイオードの間に置かれたリブ
Ｒの中央部分Ｒ３と層Schの中央部分Sch３から
成るストライプ光導波路Wlの無電極中央部分Ｍ
は、ダイオードLD１とLD２を結合して直列に接
続する。
部分Ｒ１と層Schの左側終端部分Sch１から成る
光導波路Wlの左側終端部分Wl１と共に準インデ
ツクス誘導レーザー・ダイオードLD１を画定す
るのに対して、他方の電極EL２はその下にあつ
てリブＲの右側終端部分Ｐ２と層Schの終端部分
Sch２から成るストライプ光導波路Wlの右側終端
部分Wl２と共に別の準インデツクス誘導レーザ
ー・ダイオードLD２を画定する。互いに間隔を
保つて設けられたダイオードの間に置かれたリブ
Ｒの中央部分Ｒ３と層Schの中央部分Sch３から
成るストライプ光導波路Wlの無電極中央部分Ｍ
は、ダイオードLD１とLD２を結合して直列に接
続する。
ダイオードLD１とLD２は並列に接続すること
も可能であるが、この場合ダイオードの光増幅作
用のある２つの層は互いに垂直ではなく互いに平
行して設ける必要がある。
も可能であるが、この場合ダイオードの光増幅作
用のある２つの層は互いに垂直ではなく互いに平
行して設ける必要がある。
レーザー・ダイオードLD１の幾何学的構成デ
ータ、例えばストライプ光導波路Wlの左側終端
部分Wl１の幅Ｄ１は、それが１つの偏光状態例
えばTEモードの偏光状態を主として増幅するよ
うに選定される。他方のダイオードLD２の幾何
学的構造データ、例えば光導波路Wlの右側終端
部分Wl２の幅Ｄ２は、それが別の偏極状態例え
ばTMモードを主として増幅するように選定され
る。
ータ、例えばストライプ光導波路Wlの左側終端
部分Wl１の幅Ｄ１は、それが１つの偏光状態例
えばTEモードの偏光状態を主として増幅するよ
うに選定される。他方のダイオードLD２の幾何
学的構造データ、例えば光導波路Wlの右側終端
部分Wl２の幅Ｄ２は、それが別の偏極状態例え
ばTMモードを主として増幅するように選定され
る。
第３図には第１図と第２図の装置の増幅度を電
極EL１とEL２に加えられる動作電流I1とI2の比
に対して定性的に示す。第３図の線図から分かる
ように特定の値ａよりも小さい電流比I1／I2のと
きTM増幅の方がTE増幅より支配的であるのに
対して、ａよりも大きいI1／I2においてはTE増
幅の方がTM増幅に比べて支配的である。特殊な
場合には１に等しくなり得る特定の値ａにおいて
TE増幅がTM増幅に等しくなり、等方性増幅と
なる。
極EL１とEL２に加えられる動作電流I1とI2の比
に対して定性的に示す。第３図の線図から分かる
ように特定の値ａよりも小さい電流比I1／I2のと
きTM増幅の方がTE増幅より支配的であるのに
対して、ａよりも大きいI1／I2においてはTE増
幅の方がTM増幅に比べて支配的である。特殊な
場合には１に等しくなり得る特定の値ａにおいて
TE増幅がTM増幅に等しくなり、等方性増幅と
なる。
第３図を基本とする第１図、第２図の装置の操
作に際しては、基板Suの終端面Fl１とFl２によ
つて画定されたダイオードLD１とLD２の外部屈
折性終端面を例えば終端面Fl１又はFl２に設けら
れた反射防止層AS１およびAS２によつて非鏡面
化するのが有利である。
作に際しては、基板Suの終端面Fl１とFl２によ
つて画定されたダイオードLD１とLD２の外部屈
折性終端面を例えば終端面Fl１又はFl２に設けら
れた反射防止層AS１およびAS２によつて非鏡面
化するのが有利である。
第１図、第２図の装置を周波数選択フアブリー
ペロー増幅器又は偏光双安定送信要素として操作
する際には、終端面Fl１とFl２に非鏡面化を行わ
ず反射面とする。それらをミラーコーテンイング
することも可能である。
ペロー増幅器又は偏光双安定送信要素として操作
する際には、終端面Fl１とFl２に非鏡面化を行わ
ず反射面とする。それらをミラーコーテンイング
することも可能である。
偏光双安定送信要素として操作する場合には、
レーザー放射が一方の偏光状態に設定されるよう
に比I1／I2を調整する。他方の偏極状態を主とし
て増幅するダイオードの動作電流に対しては、変
調を加えて第１図と第２図の装置が両方の偏極状
態の間で交替するようにする。例えばTE偏光レ
ーザー放射がI1とI2の選定によつて調整され、変
調ΔI(t)がI2に加えられると、第１図と第２図の装
置の放射はTEモードとTMモードの間で交替す
る。この交替は極めて迅速に行われるから、レー
ザー・ダイオードの急速変調が実現する。
レーザー放射が一方の偏光状態に設定されるよう
に比I1／I2を調整する。他方の偏極状態を主とし
て増幅するダイオードの動作電流に対しては、変
調を加えて第１図と第２図の装置が両方の偏極状
態の間で交替するようにする。例えばTE偏光レ
ーザー放射がI1とI2の選定によつて調整され、変
調ΔI(t)がI2に加えられると、第１図と第２図の装
置の放射はTEモードとTMモードの間で交替す
る。この交替は極めて迅速に行われるから、レー
ザー・ダイオードの急速変調が実現する。
第４図には前記の実施例についてこの情況が定
性的に示されている。この線図には所定の動作電
流I1とI2ならびに動作電流I2に加えられた変調ΔI
(t)の時間ｔについての変化が示され、更に第１図
と第２図の装置の光電力の時間変化も示されてい
る。この光電力はTE偏光とTM偏光の間で交替
する。この装置から放出されるTEモードの光電
力の時間経過は実曲線TEで、TMモードのそれ
は破曲線TMで示される。
性的に示されている。この線図には所定の動作電
流I1とI2ならびに動作電流I2に加えられた変調ΔI
(t)の時間ｔについての変化が示され、更に第１図
と第２図の装置の光電力の時間変化も示されてい
る。この光電力はTE偏光とTM偏光の間で交替
する。この装置から放出されるTEモードの光電
力の時間経過は実曲線TEで、TMモードのそれ
は破曲線TMで示される。
１つの偏極状態例えばTM偏光だけを通過させ
る偏光フイルタの後では、高い変調度をもつて変
調されたTM偏光を時間になる程度の直流光レベ
ルを伴うことなく出結合することができる。
る偏光フイルタの後では、高い変調度をもつて変
調されたTM偏光を時間になる程度の直流光レベ
ルを伴うことなく出結合することができる。
第１図はこの発明の実施例の平面図、第２図は
第１図の−線に沿う断面図、第３図は第１図
の実施例の全増幅度のグラフ、第４図は第１図、
第２図の実施例の光出力と動作電流の時間変化曲
線である。 Su……基板、Wl……ストライプ光導破路、
Sch……光増幅作用層、Ｒ……リブ、EL１，EL
２……電極。
第１図の−線に沿う断面図、第３図は第１図
の実施例の全増幅度のグラフ、第４図は第１図、
第２図の実施例の光出力と動作電流の時間変化曲
線である。 Su……基板、Wl……ストライプ光導破路、
Sch……光増幅作用層、Ｒ……リブ、EL１，EL
２……電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 直列又は並列に接続された２つの半導体レー
ザーから成り、その一方は主として特定の偏光状
態（TE又はTM偏光）の波を発生又は増幅し、
他方は主として別の偏光状態（TM又はTEモー
ド）の波を発生又は増幅し、その際両半導体レー
ザーの一方で増幅されるか発生した光波と他方の
半導体レーザーで増幅されるか発生した光波が互
いに重ね合わせ可能である半導体レーザー装置に
おいて、両方のレーザーがそれぞれ光増幅作用の
ある層Sch１，Sch２を備える準インデツクス誘
導のレーザー・ダイオードLD１，LD２であり、
それらが１つの共同層又は互いに平行する層又は
互いに平行する層面(E)に設けられていることを特
徴とする半導体レーザー装置。 ２ 両方の準インデツクス誘導レーザー・ダイオ
ードLD１，LD２が１つの基板上に集積されてい
ることを特徴とする請求項１記載の装置。 ３ 屈折性の入射面および出射面が光波に対して
非鏡面化されていることを特徴とする請求項１又
は２記載の装置。 ４ 屈折性の入射および出射面が光波反射性であ
ることを特徴とする請求項１又は２記載の装置。 ５ 両方レーザー・ダイオードの動作電流の比
（I1／I2）が２つの値の間で変調され、これらの
値は一方の値の場合装置で発生又は増幅された光
波において両偏光状態の一方が支配的であり、他
方の値では他方の偏光状態が支配的であるように
選定されていることを特徴とする２つの異なる偏
光状態において双安定性の発振装置の実現のため
の請求項１ないし４の１つに記載の装置の操作方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3832760 | 1988-09-27 | ||
| DE3832760.0 | 1988-09-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02117190A JPH02117190A (ja) | 1990-05-01 |
| JPH0568111B2 true JPH0568111B2 (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=6363803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1246218A Granted JPH02117190A (ja) | 1988-09-27 | 1989-09-20 | 半導体レーザー装置とその操作方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4918701A (ja) |
| EP (1) | EP0361035A3 (ja) |
| JP (1) | JPH02117190A (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8805016D0 (en) * | 1988-03-02 | 1988-03-30 | British Telecomm | Laser amplifier |
| JP2980723B2 (ja) * | 1990-06-01 | 1999-11-22 | キヤノン株式会社 | 光増幅装置 |
| DE69129807T2 (de) * | 1991-11-20 | 1999-02-25 | Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu, Shizuoka | Lichtverstärkungspolarisator |
| DE69331979T2 (de) * | 1992-02-28 | 2003-01-23 | Hitachi, Ltd. | Optische integrierte Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung und Verwendung in einem Lichtempfänger |
| US5396508A (en) * | 1992-09-22 | 1995-03-07 | Xerox Corporation | Polarization switchable quantum well laser |
| JP3226067B2 (ja) * | 1992-10-03 | 2001-11-05 | キヤノン株式会社 | 光通信方法及び光通信システム |
| JP3210159B2 (ja) * | 1993-12-10 | 2001-09-17 | キヤノン株式会社 | 半導体レーザ、光源装置、光通信システム及び光通信方法 |
| DE69521157T2 (de) * | 1994-02-18 | 2001-11-08 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Polarisationsselektiver Halbleiterlaser, Lichtsender und optisches Kommunikationssystem unter Verwendung dieses Lasers |
| JP3226073B2 (ja) * | 1994-02-18 | 2001-11-05 | キヤノン株式会社 | 偏波変調可能な半導体レーザおよびその使用法 |
| JP3244976B2 (ja) * | 1994-12-05 | 2002-01-07 | キヤノン株式会社 | 半導体レーザの駆動方法及び半導体レーザ装置及び光通信方法及びノード及び光通信システム |
| JP3204485B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2001-09-04 | キヤノン株式会社 | 光半導体装置及びその作製方法 |
| EP0735635B1 (en) * | 1995-03-31 | 2000-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor apparatus, driving method therefor, light source apparatus and optical communication system using the same |
| JP3635470B2 (ja) * | 1995-08-25 | 2005-04-06 | 富士通株式会社 | 光送信器用半導体光源および光送信モジュール |
| JPH0969671A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-11 | Canon Inc | 偏波変調可能な分布帰還型半導体レーザ |
| US5881086A (en) * | 1995-10-19 | 1999-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device with quantum wires, fabrication method thereof, and light source apparatus, and optical communication system using the same |
| US5946336A (en) * | 1996-01-11 | 1999-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor apparatus, fabrication method thereof, modulation method therefor, light source apparatus and optical communication system or method using the same |
| JPH118442A (ja) | 1996-10-07 | 1999-01-12 | Canon Inc | 光半導体デバイス、それを用いた光通信システム及び方法 |
| JPH11233898A (ja) | 1997-12-03 | 1999-08-27 | Canon Inc | 分布帰還型半導体レーザとその駆動方法 |
| JPH11243256A (ja) | 1997-12-03 | 1999-09-07 | Canon Inc | 分布帰還形半導体レーザとその駆動方法 |
| US6891666B2 (en) * | 2003-03-11 | 2005-05-10 | Fox-Tek, Inc. | Semiconductor optical amplifier with electronically controllable polarization dependent gain |
| KR101195255B1 (ko) * | 2009-04-30 | 2012-10-29 | 한국과학기술원 | 무편광 광원을 이용하여 광신호의 고속 전송이 가능한 파장분할 다중방식 광통신용 광원 및 이를 구비한 파장분할 다중방식 수동형 광 가입자망 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4380075A (en) * | 1981-03-23 | 1983-04-12 | Mcdonnell Douglas Corporation | Mode stable injection laser diode |
| US4794346A (en) * | 1984-11-21 | 1988-12-27 | Bell Communications Research, Inc. | Broadband semiconductor optical amplifier structure |
| US4748630A (en) * | 1985-01-17 | 1988-05-31 | Nec Corporation | Optical memory device comprising a semiconductor laser having bistability and two injection current sources for individually controlling the bistability |
| DE3581076D1 (de) * | 1985-03-14 | 1991-02-07 | Max Planck Gesellschaft | Halbleiterlaser-vorrichtungen. |
| US4685108A (en) * | 1985-07-03 | 1987-08-04 | Gte Laboratories Incorporated | Optical multivibrator |
-
1989
- 1989-08-07 US US07/389,995 patent/US4918701A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-07 EP EP19890114582 patent/EP0361035A3/de not_active Withdrawn
- 1989-09-20 JP JP1246218A patent/JPH02117190A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0361035A2 (de) | 1990-04-04 |
| EP0361035A3 (de) | 1990-10-31 |
| JPH02117190A (ja) | 1990-05-01 |
| US4918701A (en) | 1990-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0568111B2 (ja) | ||
| US6853479B1 (en) | Apparatus and method for coupling light between an optical resonator and a semiconductor chip with a minimum number of components and alignment steps | |
| US6310995B1 (en) | Resonantly coupled waveguides using a taper | |
| US7599405B2 (en) | Method and apparatus for coherently combining multiple laser oscillators | |
| JP2973943B2 (ja) | モード同期半導体レーザ及びその駆動方法 | |
| JP2003508927A (ja) | 一体化された変調器を有する波長固定外部共振器レーザ | |
| US7103076B2 (en) | Ultrashort pulsed laser and optical head using the same | |
| CA2137328A1 (en) | Oscillation Polarization Mode Selective Semiconductor Laser, Light Source Apparatus and Optical Communication System Using the Laser | |
| JPH0653592A (ja) | 光ビームの変調および増幅に関する方法および装置 | |
| JPS6254991A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| US3999146A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0831653B2 (ja) | 半導体レ−ザ | |
| US5022034A (en) | Laser device, including control of polarization mode | |
| JPH05507156A (ja) | 光信号再生装置およびそれを含む光通信システム | |
| US4905252A (en) | Ring laser cavities | |
| EP1128203A1 (en) | Optical switching apparatus | |
| JPH02503838A (ja) | 活性装置における偏光スイッチ | |
| JP2808562B2 (ja) | 半導体光増幅素子 | |
| JP2005345949A (ja) | 波長変換光源、およびその駆動方法 | |
| JPS61163685A (ja) | レ−ザ光直接周波数変調方法 | |
| JPH11274652A (ja) | 位相調整領域を有するレーザ及びその使用法 | |
| WO1996008044A3 (en) | Optoelectronic semiconductor device with a semiconductor diode laser | |
| US5274652A (en) | Harmonic wave generator, a method of producing a harmonic wave and a reading apparatus for an optical recording medium using the harmonic wave generator or the method of producing a harmonic wave | |
| RU2153689C2 (ru) | Способ переключения, усиления, управления и модуляции оптического излучения (варианты) и устройство для его осуществления | |
| JPH11163469A (ja) | ファイバグレーティング外部共振器レーザ |