JPH0568130A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
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- JPH0568130A JPH0568130A JP25277891A JP25277891A JPH0568130A JP H0568130 A JPH0568130 A JP H0568130A JP 25277891 A JP25277891 A JP 25277891A JP 25277891 A JP25277891 A JP 25277891A JP H0568130 A JPH0568130 A JP H0568130A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 同時に２枚の原稿の読取り可能な密着型イメ
−ジセンサを提供する。 【構成】 薄膜ＥＬ素子２の上下には第１及び第２遮光
層５，６を介して第１及び及び第２受光素子アレイ３，
４が配されており、薄膜ＥＬ素子２からの出射光は、第
１及び第２遮光層５，６のそれぞれに形成されたスリッ
ト９ａ，９ｂを介して、第１及び第２受光素子アレイ
３，４近傍に配された原稿に入射し、その反射光がそれ
ぞれ第１及び第２受光素子アレイ３，４によって受光さ
れ、同時に２枚の原稿の読取りができるようになってい
る。
−ジセンサを提供する。 【構成】 薄膜ＥＬ素子２の上下には第１及び第２遮光
層５，６を介して第１及び及び第２受光素子アレイ３，
４が配されており、薄膜ＥＬ素子２からの出射光は、第
１及び第２遮光層５，６のそれぞれに形成されたスリッ
ト９ａ，９ｂを介して、第１及び第２受光素子アレイ
３，４近傍に配された原稿に入射し、その反射光がそれ
ぞれ第１及び第２受光素子アレイ３，４によって受光さ
れ、同時に２枚の原稿の読取りができるようになってい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はファクシミリやスキャナ
等に用いられるいわゆる密着型イメ−ジセンサに係り、
特に、同時に２つの原稿を読取り可能にした密着型イメ
−ジセンサの構造に関する。
等に用いられるいわゆる密着型イメ−ジセンサに係り、
特に、同時に２つの原稿を読取り可能にした密着型イメ
−ジセンサの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ファクシミリやスキャナ等に使用
されるいわゆる密着型イメ−ジセンサとしては、複数の
受光素子を原稿幅長にかつ直線状に配置してなるものが
既に公知となっている（特開昭５８−５６３６３号公報
参照）。図７には、このような密着型イメ−ジセンサを
用いた原稿読取装置の概略構成の一例が示されており、
同図を参照しながらその動作を概略的に説明すれば、原
稿３０の下面（図７において紙面下方向）側には光源３
１が設けられており、この光源３１によって原稿３０が
照射され、その反射光（図７において点線で表示）は、
集束性ロットレンズアレイ３２によって、密着型イメ−
ジセンサ３３の長手軸方向（図７において紙面表裏方
向）において密着型イメ−ジセンサ３３を構成する各受
光素子３４へ導かれることにより、原稿３０の読取りが
行われるようになっている。
されるいわゆる密着型イメ−ジセンサとしては、複数の
受光素子を原稿幅長にかつ直線状に配置してなるものが
既に公知となっている（特開昭５８−５６３６３号公報
参照）。図７には、このような密着型イメ−ジセンサを
用いた原稿読取装置の概略構成の一例が示されており、
同図を参照しながらその動作を概略的に説明すれば、原
稿３０の下面（図７において紙面下方向）側には光源３
１が設けられており、この光源３１によって原稿３０が
照射され、その反射光（図７において点線で表示）は、
集束性ロットレンズアレイ３２によって、密着型イメ−
ジセンサ３３の長手軸方向（図７において紙面表裏方
向）において密着型イメ−ジセンサ３３を構成する各受
光素子３４へ導かれることにより、原稿３０の読取りが
行われるようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構造のイメ−ジセ
ンサにおいては、一面に受光素子が配されているだけの
ものであるので、当然のことながら一度に読み取ること
のできる原稿は、一枚だけである。したがって、数多く
の原稿がある場合、前記イメ−ジセンサを用いた原稿読
取装置においては、これら複数の原稿を一枚づつ読み取
りを行う外なく、このため原稿読取の作業の効率が悪い
という問題があった。
ンサにおいては、一面に受光素子が配されているだけの
ものであるので、当然のことながら一度に読み取ること
のできる原稿は、一枚だけである。したがって、数多く
の原稿がある場合、前記イメ−ジセンサを用いた原稿読
取装置においては、これら複数の原稿を一枚づつ読み取
りを行う外なく、このため原稿読取の作業の効率が悪い
という問題があった。
【０００４】本発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、同時に複数の原稿の読取りが可能な密着型イメ−ジ
センサを提供することを目的とするものである。
で、同時に複数の原稿の読取りが可能な密着型イメ−ジ
センサを提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め本発明に係る密着型イメ−ジセンサは、発光素子をそ
の光の射出方向において２つの受光素子で挟持してなる
ものである。
め本発明に係る密着型イメ−ジセンサは、発光素子をそ
の光の射出方向において２つの受光素子で挟持してなる
ものである。
【０００６】
【作用】本発明によれば、一つの発光素子から二方向に
出た光は、この発光素子を挟むようにして設けられた受
光素子の近傍に、それぞれおかれた原稿に入射し、その
原稿からの反射光を、上述の発光素子を挟むように設け
られた受光素子でそれぞれ補足するように作用するの
で、内容の異なる２枚の原稿を同時に読み取ることがで
きるものである。
出た光は、この発光素子を挟むようにして設けられた受
光素子の近傍に、それぞれおかれた原稿に入射し、その
原稿からの反射光を、上述の発光素子を挟むように設け
られた受光素子でそれぞれ補足するように作用するの
で、内容の異なる２枚の原稿を同時に読み取ることがで
きるものである。
【０００７】
【実施例】以下、本発明に係る密着型イメ−ジセンサの
第１の実施例について図１乃至図３を参照しながら説明
する。ここで、図１は本発明に係る密着型イメ−ジセン
サの平面概略図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図、図３は
図１のＢ−Ｂ線断面図である。この密着型イメ−ジセン
サは、ガラス等の透光性部材からなる絶縁基板１上に、
薄膜ＥＬ素子２と、この薄膜ＥＬ素子２の光の射出方向
（図１において紙面上下方向）において、上下に積層さ
れた第１及び第２受光素子アレイ３，４と、薄膜ＥＬ素
子２と第１及び第２受光素子アレイ３，４との間に配さ
れた第１及び第２遮光層５，６と、から構成されてなる
ものである。
第１の実施例について図１乃至図３を参照しながら説明
する。ここで、図１は本発明に係る密着型イメ−ジセン
サの平面概略図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図、図３は
図１のＢ−Ｂ線断面図である。この密着型イメ−ジセン
サは、ガラス等の透光性部材からなる絶縁基板１上に、
薄膜ＥＬ素子２と、この薄膜ＥＬ素子２の光の射出方向
（図１において紙面上下方向）において、上下に積層さ
れた第１及び第２受光素子アレイ３，４と、薄膜ＥＬ素
子２と第１及び第２受光素子アレイ３，４との間に配さ
れた第１及び第２遮光層５，６と、から構成されてなる
ものである。
【０００８】絶縁基板１上には、先ず第１受光素子アレ
イ３が配されている。この第１受光素子アレイ３は、例
えば、横方向（図１において紙面左右方向）に帯状に配
した酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）等の透明電極（図
示せず）と、同じく横方向に画素毎に離散的に配された
クロム（Ｃｒ）等からなる個別電極（図示せず）とで、
アモルファスシリコン等からなる半導体層を上下（図２
において紙面上下方向）に積層してなる受光素子７を、
図２で言えば紙面左右方向に直線状に複数配すると共
に、これら複数の受光素子７を覆うように、例えば、ポ
リイミドからなる第１透明絶縁層８を形成してなる公知
・周知のものである。尚、第１透明絶縁層８を形成する
部材としては、上述のポリイミドに代えて、例えば、酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）
等であってもよい。本実施例においては、絶縁基板１側
より原稿２２ｂ（図３参照）からの反射光が、上述の第
１受光素子アレイ３へ入射するようになっているので、
この第１受光素子アレイ３を構成する各受光素子７の受
光面Ｐは、絶縁基板１側に配されている（図２参照）。
イ３が配されている。この第１受光素子アレイ３は、例
えば、横方向（図１において紙面左右方向）に帯状に配
した酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）等の透明電極（図
示せず）と、同じく横方向に画素毎に離散的に配された
クロム（Ｃｒ）等からなる個別電極（図示せず）とで、
アモルファスシリコン等からなる半導体層を上下（図２
において紙面上下方向）に積層してなる受光素子７を、
図２で言えば紙面左右方向に直線状に複数配すると共
に、これら複数の受光素子７を覆うように、例えば、ポ
リイミドからなる第１透明絶縁層８を形成してなる公知
・周知のものである。尚、第１透明絶縁層８を形成する
部材としては、上述のポリイミドに代えて、例えば、酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）
等であってもよい。本実施例においては、絶縁基板１側
より原稿２２ｂ（図３参照）からの反射光が、上述の第
１受光素子アレイ３へ入射するようになっているので、
この第１受光素子アレイ３を構成する各受光素子７の受
光面Ｐは、絶縁基板１側に配されている（図２参照）。
【０００９】第１遮光層５は、例えば、クロム（Ｃ
ｒ）、アルミニウム（Ａｌ）等の非透光性の金属又は窒
化ゲルマニウム（ＧｅＮｘ）や酸化ゲルマニウム（Ｇｅ
Ｏｘ）等の光吸収性部材からなるもので、複数のスリッ
ト９ａが穿設されており、上述した第１受光素子アレイ
３の上に配されているものである。本実施例における第
１遮光層５におけるスリット９ａは、薄膜ＥＬ素子２か
らの射出光を絶縁基板１側へ出すためのもので、略矩形
状に形成されて、各受光素子７毎に一つずつ図１に示さ
れるように受光素子７に隣接して設けられている。ま
た、後述する第２遮光層６にも、同様にスリット９ｂが
設けられるが、この第１遮光層５のスリット９ａと第２
遮光層６のスリット９ｂとは、本センサの積層方向（図
３おいて紙面上下方向）おいて、同一直線上に位置しな
いように、互いにずれて配置されている（図１及び図３
参照）。
ｒ）、アルミニウム（Ａｌ）等の非透光性の金属又は窒
化ゲルマニウム（ＧｅＮｘ）や酸化ゲルマニウム（Ｇｅ
Ｏｘ）等の光吸収性部材からなるもので、複数のスリッ
ト９ａが穿設されており、上述した第１受光素子アレイ
３の上に配されているものである。本実施例における第
１遮光層５におけるスリット９ａは、薄膜ＥＬ素子２か
らの射出光を絶縁基板１側へ出すためのもので、略矩形
状に形成されて、各受光素子７毎に一つずつ図１に示さ
れるように受光素子７に隣接して設けられている。ま
た、後述する第２遮光層６にも、同様にスリット９ｂが
設けられるが、この第１遮光層５のスリット９ａと第２
遮光層６のスリット９ｂとは、本センサの積層方向（図
３おいて紙面上下方向）おいて、同一直線上に位置しな
いように、互いにずれて配置されている（図１及び図３
参照）。
【００１０】第１遮光層５の上には、第１透明絶縁層８
と同一の透光性部材からなる第２透明絶縁層１０が積層
され、この第２透明絶縁層１０の上に薄膜ＥＬ素子２が
積層されている。本実施例の薄膜ＥＬ素子２は、公知・
周知のものであるので、ここでは、概略構成を説明する
に止め詳細な説明は省略する。すなわち、この薄膜ＥＬ
素子２は、上述した第２透明絶縁層１０の上に、ＩＴＯ
等の透光部材からなる第１透明電極１１と、ＴａＯ5 、
Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 からなる下部透明絶縁層１２
と、ＺｎＳ：Ｍｎ等からなる発光層１３と、下部透明絶
縁層１２と同一の部材からなる上部透明絶縁層１４と、
ＩＴＯ等の透光性部材からなる第２透明電極１５と、を
順次積層してなるものである。そして、この薄膜ＥＬ素
子２は、その積層方向に光を射出するようになってい
る。
と同一の透光性部材からなる第２透明絶縁層１０が積層
され、この第２透明絶縁層１０の上に薄膜ＥＬ素子２が
積層されている。本実施例の薄膜ＥＬ素子２は、公知・
周知のものであるので、ここでは、概略構成を説明する
に止め詳細な説明は省略する。すなわち、この薄膜ＥＬ
素子２は、上述した第２透明絶縁層１０の上に、ＩＴＯ
等の透光部材からなる第１透明電極１１と、ＴａＯ5 、
Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 からなる下部透明絶縁層１２
と、ＺｎＳ：Ｍｎ等からなる発光層１３と、下部透明絶
縁層１２と同一の部材からなる上部透明絶縁層１４と、
ＩＴＯ等の透光性部材からなる第２透明電極１５と、を
順次積層してなるものである。そして、この薄膜ＥＬ素
子２は、その積層方向に光を射出するようになってい
る。
【００１１】薄膜ＥＬ素子２の上には、前述した第２透
明絶縁層１０と同一の部材からなる第３透明絶縁層１６
と、第２遮光層６が順次積層されている。ここで、第２
遮光層６は、基本的に前述した第１遮光層５と同一の構
成を有するものであるが、スリット９ｂの位置が、第１
遮光層５のスリット９ａと異なっているものである。そ
して、この第２遮光層６の上には、第２及び第３透明絶
縁層１０，１６と同一の部材からなる第４透明絶縁層１
７が形成されており、さらに、その上に第２受光素子ア
レイ４が積層されている。第２受光素子アレイ４は、基
本的には、第１受光素子アレイ３と同一の構成を有する
もので、直線状に配された複数の受光素子７と、この受
光素子７を覆うように形成された透明絶縁保護層１８と
から構成されているものである。尚、受光素子７の構造
は、第１受光素子アレイ３において、説明したのと同一
であるのでここでの説明は省略する。また、透明絶縁保
護層１８は、第１透明絶縁層８と同様な部材、すなわ
ち、ポリイミド、ＳｉＯ2 等からなるものである。
明絶縁層１０と同一の部材からなる第３透明絶縁層１６
と、第２遮光層６が順次積層されている。ここで、第２
遮光層６は、基本的に前述した第１遮光層５と同一の構
成を有するものであるが、スリット９ｂの位置が、第１
遮光層５のスリット９ａと異なっているものである。そ
して、この第２遮光層６の上には、第２及び第３透明絶
縁層１０，１６と同一の部材からなる第４透明絶縁層１
７が形成されており、さらに、その上に第２受光素子ア
レイ４が積層されている。第２受光素子アレイ４は、基
本的には、第１受光素子アレイ３と同一の構成を有する
もので、直線状に配された複数の受光素子７と、この受
光素子７を覆うように形成された透明絶縁保護層１８と
から構成されているものである。尚、受光素子７の構造
は、第１受光素子アレイ３において、説明したのと同一
であるのでここでの説明は省略する。また、透明絶縁保
護層１８は、第１透明絶縁層８と同様な部材、すなわ
ち、ポリイミド、ＳｉＯ2 等からなるものである。
【００１２】次に、上記構成における本センサの動作
を、図４に示された本センサを用いた原稿読取装置の動
作概略の説明と併せて説明する。図４に示された画像読
取装置は、本センサＳを挟んで上下（図４において紙面
上下）に原稿載置台としてのプラテンガラス１９ａ，１
９ｂが設けられており、本センサＳは、移動手段２０に
よりこれら２つのプラテンガラス１９ａ，１９ｂの間
で、原稿の長手軸方向（図４において紙面左右方向）に
移動可能になっている。尚、移動手段２０は、図示しな
いが、例えば、２つのプ−リの間にベルトを掛け回して
一方のプ−リをモ−タで駆動し、ベルトを往復動させる
ことにより、このベルトに連結されたセンサを原稿の長
手軸方向、すなわち、副走査方向（図４において白抜き
矢印）に移動させるようにした公知・周知の構成のもの
であればよく、特に、本発明のために特有の構成を必要
とするものではない。また、図４において、本センサＳ
は、長手軸方向、すなわち、主走査方向が紙面表裏方向
に一致して配置されている。さらに、下側（図４におい
て本センサの下側）のプラテンガラス１９ａの近傍には
原稿を押えるための押さ板２１が図示しない装置ハウジ
ングに固着されて、プラテンガラス１９ｂと略平行する
ように設けられており、プラテンガラス１９ｂと押え板
２１との間に原稿２２ｂが保持されるようになってい
る。
を、図４に示された本センサを用いた原稿読取装置の動
作概略の説明と併せて説明する。図４に示された画像読
取装置は、本センサＳを挟んで上下（図４において紙面
上下）に原稿載置台としてのプラテンガラス１９ａ，１
９ｂが設けられており、本センサＳは、移動手段２０に
よりこれら２つのプラテンガラス１９ａ，１９ｂの間
で、原稿の長手軸方向（図４において紙面左右方向）に
移動可能になっている。尚、移動手段２０は、図示しな
いが、例えば、２つのプ−リの間にベルトを掛け回して
一方のプ−リをモ−タで駆動し、ベルトを往復動させる
ことにより、このベルトに連結されたセンサを原稿の長
手軸方向、すなわち、副走査方向（図４において白抜き
矢印）に移動させるようにした公知・周知の構成のもの
であればよく、特に、本発明のために特有の構成を必要
とするものではない。また、図４において、本センサＳ
は、長手軸方向、すなわち、主走査方向が紙面表裏方向
に一致して配置されている。さらに、下側（図４におい
て本センサの下側）のプラテンガラス１９ａの近傍には
原稿を押えるための押さ板２１が図示しない装置ハウジ
ングに固着されて、プラテンガラス１９ｂと略平行する
ように設けられており、プラテンガラス１９ｂと押え板
２１との間に原稿２２ｂが保持されるようになってい
る。
【００１３】しかして、図示しない始動スイッチが投入
されると、薄膜ＥＬ素子２が発光し、例えば、図３に示
されるように下方向（図３において紙面下方向）に射出
された光は、スリット９ａを通過し、プラテンガラス１
９ｂを介して原稿２２ｂへ入射する。そして、原稿２２
ｂからの反射光は、第１受光素子アレイ３に入射して画
象信号として出力されることとなる。薄膜ＥＬ素子２か
ら上方向へ射出された光についても、第２遮光層６のス
リット９ａを通過して、上述の場合同様に原稿２２ａを
照射し、反射光が第２受光素子アレイ４に入射するよう
になっている。このようにして、主走査方向における原
稿２２ａ，２２ｂの読取りが完了すると、センサＳは図
４に示される始動位置から副走査方向において、図４で
言えば、左方向へ、移動手段２０により一ライン分だけ
移動されて、前述と同様にして、原稿２２ａ，２２ｂの
新たな一ライン分の読取りが行なわれることとなる。そ
して、以下同様な動作が繰り返されて原稿２２ａ，２２
ｂ全体の読取りが完了する。
されると、薄膜ＥＬ素子２が発光し、例えば、図３に示
されるように下方向（図３において紙面下方向）に射出
された光は、スリット９ａを通過し、プラテンガラス１
９ｂを介して原稿２２ｂへ入射する。そして、原稿２２
ｂからの反射光は、第１受光素子アレイ３に入射して画
象信号として出力されることとなる。薄膜ＥＬ素子２か
ら上方向へ射出された光についても、第２遮光層６のス
リット９ａを通過して、上述の場合同様に原稿２２ａを
照射し、反射光が第２受光素子アレイ４に入射するよう
になっている。このようにして、主走査方向における原
稿２２ａ，２２ｂの読取りが完了すると、センサＳは図
４に示される始動位置から副走査方向において、図４で
言えば、左方向へ、移動手段２０により一ライン分だけ
移動されて、前述と同様にして、原稿２２ａ，２２ｂの
新たな一ライン分の読取りが行なわれることとなる。そ
して、以下同様な動作が繰り返されて原稿２２ａ，２２
ｂ全体の読取りが完了する。
【００１４】このように、この第１の実施例において
は、薄膜ＥＬ素子２の２つの発光面側に、それぞれ、受
光素子アレイ３，４を配し、しかも薄膜ＥＬ素子２と第
１及び第２受光素子アレイ３，４との間には、薄膜ＥＬ
素子２の射出光を外部へ導くスリット９ａ，９ｂが形成
された遮光層５，６を設けたので、薄膜ＥＬ素子２から
射出された光が、直接受光素子７に入射することなく、
原稿を照射することができ、しかも同時に２枚の原稿の
読取りを行うことができ、多量の原稿読取りを短時間で
処理することができ、その上、原稿を照射する光源を別
個に必要とせず、画像読取装置の構成が簡素になるもの
である。
は、薄膜ＥＬ素子２の２つの発光面側に、それぞれ、受
光素子アレイ３，４を配し、しかも薄膜ＥＬ素子２と第
１及び第２受光素子アレイ３，４との間には、薄膜ＥＬ
素子２の射出光を外部へ導くスリット９ａ，９ｂが形成
された遮光層５，６を設けたので、薄膜ＥＬ素子２から
射出された光が、直接受光素子７に入射することなく、
原稿を照射することができ、しかも同時に２枚の原稿の
読取りを行うことができ、多量の原稿読取りを短時間で
処理することができ、その上、原稿を照射する光源を別
個に必要とせず、画像読取装置の構成が簡素になるもの
である。
【００１５】図５及び図６には、第２の実施例に係る密
着型イメ−ジセンサの一例が示されており、以下、同図
を参照しつつ第２の実施例について説明する。ここで、
図５は第２の実施例に係る密着型イメ−ジセンサの縦断
面図、図６は図５のＣ−Ｃ線断面図である。尚、図１及
び図２において説明した第１の実施例と同一の構成要素
については同一符号を付してその説明を省略し、以下、
異なる点を中心に説明する。この第２の実施例に係る密
着型イメ−ジセンサは、第１の実施例に係る密着型イメ
−ジセンサが絶縁基板１の一方の面上に構成したもので
あるのに対して、絶縁基板１の両面を用いて構成されて
いる点が異なっているものである。すなわち、この第２
の実施例に係る密着型イメ−ジセンサは、絶縁基板１の
一方の面（図５において絶縁基板１の下側）に、第１受
光素子アレイ３ａを配し、他方の面（図５において絶縁
基板１の上側）に薄膜ＥＬ素子２、第２受光素子アレイ
４等の第１の実施例と基本的に同一構成要素が積層され
てなるものである。そして、第１受光素子アレイ３ａの
各受光素子７は、絶縁基板１に接合している面と対向す
る面Ｐを受光面として、基本的には、図２及び図３で説
明したと同様に原稿からの反射光を受光する。尚、この
第２の実施例に係る密着型イメ−ジセンサの動作は、第
１の実施例に係る密着型イメ−ジセンサと基本的に同一
であるので、ここでの詳細な説明は省略する。
着型イメ−ジセンサの一例が示されており、以下、同図
を参照しつつ第２の実施例について説明する。ここで、
図５は第２の実施例に係る密着型イメ−ジセンサの縦断
面図、図６は図５のＣ−Ｃ線断面図である。尚、図１及
び図２において説明した第１の実施例と同一の構成要素
については同一符号を付してその説明を省略し、以下、
異なる点を中心に説明する。この第２の実施例に係る密
着型イメ−ジセンサは、第１の実施例に係る密着型イメ
−ジセンサが絶縁基板１の一方の面上に構成したもので
あるのに対して、絶縁基板１の両面を用いて構成されて
いる点が異なっているものである。すなわち、この第２
の実施例に係る密着型イメ−ジセンサは、絶縁基板１の
一方の面（図５において絶縁基板１の下側）に、第１受
光素子アレイ３ａを配し、他方の面（図５において絶縁
基板１の上側）に薄膜ＥＬ素子２、第２受光素子アレイ
４等の第１の実施例と基本的に同一構成要素が積層され
てなるものである。そして、第１受光素子アレイ３ａの
各受光素子７は、絶縁基板１に接合している面と対向す
る面Ｐを受光面として、基本的には、図２及び図３で説
明したと同様に原稿からの反射光を受光する。尚、この
第２の実施例に係る密着型イメ−ジセンサの動作は、第
１の実施例に係る密着型イメ−ジセンサと基本的に同一
であるので、ここでの詳細な説明は省略する。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、発光素子を受光素子で
挟持するように構成することにより、一つの発光素子で
同時に２枚の原稿を照射して、その２枚の原稿からの反
射光を発光素子の両面にそれぞれ設けられた受光素子に
よってそれぞれ受光できるようにしたので、同時に２枚
の原稿の読取りを行うことができ、大量の原稿の読取り
を短時間で処理することができ、原稿読取り作業の効率
化を図れ、しかも、原稿照射用の光源は、従来と異なり
受光素子と別個に設ける必要がなく、その上、一つの発
光素子で済むので、画像読取装置の構成が簡素になると
共に小型化が容易となり、そのため、廉価な価格の装置
を提供することができるという種々の顕著な効果を奏す
るものである。
挟持するように構成することにより、一つの発光素子で
同時に２枚の原稿を照射して、その２枚の原稿からの反
射光を発光素子の両面にそれぞれ設けられた受光素子に
よってそれぞれ受光できるようにしたので、同時に２枚
の原稿の読取りを行うことができ、大量の原稿の読取り
を短時間で処理することができ、原稿読取り作業の効率
化を図れ、しかも、原稿照射用の光源は、従来と異なり
受光素子と別個に設ける必要がなく、その上、一つの発
光素子で済むので、画像読取装置の構成が簡素になると
共に小型化が容易となり、そのため、廉価な価格の装置
を提供することができるという種々の顕著な効果を奏す
るものである。
【図１】 本発明に係る密着型イメ−ジセンサの第１の
実施例における平面図である。
実施例における平面図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】 図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】 本発明に係る密着型イメ−ジッセンサを用い
た画像読取装置の主要部の概略構成を説明する説明縦断
面図である。
た画像読取装置の主要部の概略構成を説明する説明縦断
面図である。
【図５】 本発明の係る密着型イメ−ジセンサの第２の
実施例を示す縦断面図である。
実施例を示す縦断面図である。
【図６】 図５のＣ−Ｃ線断面図である。
【図７】 従来の画像読取装置の概略構成を説明する説
明図。
明図。
１…絶縁基板、 ２…薄膜ＥＬ素子、 ３…第１受光素
子アレイ、 ４…第２受光素子アレイ、 ５…第１遮光
層、 ６…第２遮光層、 ９ａ，９ｂ…スリット、 １
３…発光素子
子アレイ、 ４…第２受光素子アレイ、 ５…第１遮光
層、 ６…第２遮光層、 ９ａ，９ｂ…スリット、 １
３…発光素子
Claims (1)
- 【請求項１】 発光素子をその光の射出方向において２
つの受光素子で挟持したことを特徴とする密着型イメ−
ジセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25277891A JPH0568130A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25277891A JPH0568130A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0568130A true JPH0568130A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=17242153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25277891A Pending JPH0568130A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0568130A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7148673B2 (en) | 2002-10-25 | 2006-12-12 | Marvell World Trade Ltd. | Method and apparatus including low loss DC/DC converter |
| JP2013110400A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-06-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 撮像装置 |
-
1991
- 1991-09-05 JP JP25277891A patent/JPH0568130A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7148673B2 (en) | 2002-10-25 | 2006-12-12 | Marvell World Trade Ltd. | Method and apparatus including low loss DC/DC converter |
| US7161342B2 (en) | 2002-10-25 | 2007-01-09 | Marvell World Trade Ltd. | Low loss DC/DC converter |
| US7271573B2 (en) | 2002-10-25 | 2007-09-18 | Marvell World Trade Ltd. | Low loss DC/DC converter including a multi-level controller that applies a monotonic sequence of voltage levels |
| JP2013110400A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-06-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 撮像装置 |
| US8847245B2 (en) | 2011-10-28 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device including light-emitting element and light receiving element |
| US9728589B2 (en) | 2011-10-28 | 2017-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device comprising light-emitting element and light-receiving element |
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