JPH0568168B2 - - Google Patents

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JPH0568168B2
JPH0568168B2 JP62324219A JP32421987A JPH0568168B2 JP H0568168 B2 JPH0568168 B2 JP H0568168B2 JP 62324219 A JP62324219 A JP 62324219A JP 32421987 A JP32421987 A JP 32421987A JP H0568168 B2 JPH0568168 B2 JP H0568168B2
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Puraisu Yoozefu
Shuarutsu Urufu
Shutorutsu Geruharuto
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Siemens Corp
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  • Control Of Eletrric Generators (AREA)
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  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、接続されている電流供給装置に対す
る低抵抗の電圧源を形成する蓄積コンデンサを備
え、該蓄積コンデンサに流れる充電電流を遅延す
るために、給電電圧源と前記蓄積コンデンサとの
間に電界効果トランジスタのソース−ドレイン間
が設けられておりかつ該電界効果トランジスタの
ゲートは遅延素子の出力側に接続されており、該
遅延素子は、放電されている蓄積コンデンサと前
記給電電圧源とが接続された際、前以つて決めら
れた遅延時間の経過後その前記出力側から前記電
界効果トランジスタを導通制御する電位を該電界
効果トランジスタのゲートに加える、電流供給装
置における突入電流制限および過電圧保護回路装
置に関する。
従来の技術 このような回路装置は既に、実願昭60−65450
号（実開昭61−180556号公報）から公知である。
この公知の回路装置は遅延素子として、抵抗とコ
ンデンサとから成る、給電電圧源に接続されてい
る直列接続を含んでいる。この回路装置の直列分
岐には電界効果トランジスタのドレイン−ソース
間が設けられている。遅延素子のコンデンサが十
分に大きな電圧に充電されたときはじめて電界効
果トランジスタを介して後置接続されている蓄積
コンデンサに充電電流が流れる。この充電電流は
最初、電界効果トランジスタが阻止状態から飽和
状態に移行する際に有限抵抗として作用すること
によつて一時的に制限される。電界効果トランジ
スタが飽和状態にあるとき、流れる最大の充電電
流は実際には、回路装置の比較的低い内部ないし
損失抵抗によつてしか制御されない。この作動状
態において回路装置の入力側に過電圧パルスが発
生すると、このパルスは飽和している電界効果ト
ランジスタを介して実際には妨げられずに蓄積コ
ンデンサに達する。
クロツク制御される電流供給装置は、一般に入
力回路において比較的大きな容量を含んでおり、
通例電解コンデンサによつて形成されている。こ
の容量は、インバータ回路の１次側のプラス電流
に対する低抵抗のソースとして用いられかつ、そ
れに前置接続されている、反作用フイルタのイン
ダクタンスとともに、実質的に突入電流の高さお
よび形を規定する。
発明が解決しようとする問題点 当該の電流供給機器の差し込み接続または投入
接続の際蓄積コンデンサを流れる充電電流は、前
置接続された安全装置をトリガする可能性があり
かつ差し込み接続可能な電流供給機器において、
抽斗式差し込み体、挿入体または差し込み可能な
構成群として形成されている機器に電圧がかかる
と、コネクタピンを破壊することがある。
更に通例は、冒頭に述べた形式の電圧供給機器
に、電流供給機器の入力側に所定の形状および高
さの電流パルスを印加する試験を行う。上記パル
スは例えば半導体のような敏感な素子を破壊する
ことがある。
本発明の課題は、特許請求の範囲第１項の上位
概念に記載のような電流供給機器に、突入電流を
制限し、同時に蓄積コンデンサにおける過電圧か
ら保護する回路を備えるようにすることである。
この目的のために、突入電流と関連して相応に
大きな自動安全装置を選択しかつ過電圧保護回路
としてＺダイオードを使用することができるが、
このＺダイオードは電圧パルスの高さに過比例し
て上昇するエネルギを消費しなければならず、従
つて場合によつてはそれだけ危険である。
問題点を解決するための手段、発明の作用および
発明の効果 本発明の範囲内における思想により、上記課題
を解決するために次のようにすれば有利であるこ
とが明らかである。即ち蓄積コンデンサに調整素
子を前置接続しかつ ａ） 電流供給機器の差し込みまたは投入接続の
瞬間に入力電流を、零または選択可能な、差し
込みまたは切換が比較的頻繁に生じる場合でも
差し込み接点またはスイツチの寿命にとつて十
分に低い値に制限し、 ｂ） 選択可能な時間の後入力電流を、一方にお
いて電流供給装置のスタートに対して十分に大
きくかつ他方において前以て決められた突入電
流に対する要請との関連において許容できる比
較的高い値に制限することである。この値は必
要に応じて、差し込まれた状態において許容さ
れる差し込み接点負荷を上回ることがないよう
なところにあるべきであり、 ｃ） 電流供給のスタート後、上記調整素子を、
そのことに出来るだけ僅かな損失しか生じない
ように導通制御し、 ｄ） 過電圧パルスおよびこれにより生じる電流
過上昇の発生の際、ｂ）で述べた電流制限が再
び作用するようにし、それにより短時間の入力
側の電圧過上昇が入力側容量のため後続の電流
供給装置の入力側には実質的に作用することは
ない。
本発明によれば電流供給機器は特許請求の範囲
第１項の特徴部分に記載のように構成されてい
る。その際蓄積コンデンサはスイツチおよび／ま
たはコネクタを介して給電電圧源に接続可能であ
る。電界効果トランジスタのソース−ドレイン間
および電流測定電流は給電回路の同じまたは異な
つた分岐に設けることができる。
この構成により、同一の調整素子を用いて同時
に時間的に段階付けられた過電流保護および過電
圧に対する効果的な保護が実現されるという利点
が生じる。その際電流制限装置は電界効果トラン
ジスタのゲートに直接作用しかつ電流を遅延なく
しかも、遅延素子に含まれているコンデンサの容
量およびそのときの充電状態に無関係に決められ
た値に制限する。
本発明の有利な実施例は特許請求の範囲の実施
態様項から明らかである。
特許請求の範囲第２項に記載の実施例によれ
ば、増幅器は外部の基準電圧源に接続されてい
る。特許請求の範囲第３項に記載の実施例におい
て有利にも外部基準電圧源が不要である。
特許請求の範囲第４項に記載の本発明の実施例
において遅延素子は、遅延時間の経過の前は電界
効果トランジスタを遮断する電位を送出するよう
に構成されている。特許請求の範囲第６項に記載
の実施例によれば、遅延時間の経過の前は導通制
御する電位は遮断されている。この場合ゲートお
よびソースの間にて作用する抵抗との関連におい
て導通制御する電位が消失することにより電界効
果トランジスタの遮断が行われる。
特許請求の範囲第９項に記載の構成により有利
にも、蓄積コンデンサの充電回路に逆電流が生じ
た際に回路装置の保護が行われる。
実施例 次に本発明を図示の実施例につき図面を用いて
詳細に説明する。
第１図ないし第３図はそれぞれ、蓄積コンデン
サの充電電流回路に調整素子として用いられる電
界効果トランジスタが設けられている、クロツク
制御される電流供給装置における突入電流制限お
よび過電圧保護回路装置を示している。
第１図に図示の、突入電流を制限しかつ過電圧
を保護するための回路装置が、給電網ないし給電
電圧源１と電流供給装置１３の蓄積コンデンサ１
２との間に配置されている。突入電流を制限しか
つ過電圧を保護するための回路装置は保護すべき
電流供給装置とともに同一の機器内に収容されて
おりかつ図示されていないマルチコネクタの１つ
の接点２を介して給電電圧源１に接続可能であ
る。蓄積コンデンサ１２は一方の電極が差し込み
接点を介して給電電圧源１のプラス極に接続され
ておりかつ他方の電極が線路MOS−FETとして
構成されている電界効果トランジスタ１１のドレ
イン−ソース間と、それに直列接続されている、
実際値発生器として用いられる電流測定抵抗４と
マルチコネクタの別の接点とを介して給電電圧源
１のマイナス極に接続されている。
調整素子として用いられる電界効果トランジス
タ１１のゲートＧは一方においてダイオード６を
介して増幅素子５の出力側に接続されておりかつ
他方において抵抗１０を介して抵抗９およびコン
デンサ８から成るRC素子の出力側Ａに接続され
ている。コンデンサ８および抵抗９の直列回路は
給電電圧源１に接続されている。コンデンサ８お
よび抵抗９の接続点は遅延素子の出力側Ａを形成
する。コンデンサ８に並列に、Ｚダイオード７が
設けられている。このＺダイオード７は、コンデ
ンサ８にて生じる電圧をそのツエナー電圧の値に
制限するように極性付けられている。
目標−実際値比較のために用いられる増幅素子
５は、非反転入力側＋が目標値発生器３に接続さ
れておりかつ反転入力側−が電流測定抵抗４と電
界効果トランジスタ１１のソースとの接続点に接
続されている差動増幅器によつて形成されてい
る。目標値発生器３および増幅素子５には−場合
におうじて適当な給電装置を介して−給電電圧源
１から作動電圧が供給される。ダイオード６は、
差動増幅器５の出力側におけるプラス電位に対し
て阻止されておりかつ差動増幅器５の出力側にお
けるマイナス電位においてそれが導通するように
極性付けられている。差動増幅器５がオープンコ
レクタ出力側を有し、その結果その出力側に付加
的な減結合手段が必要でないとき、ダイオード６
を省略することができる。
回路装置の接点２によつて形成される入力側に
電圧が加わると、まずまだ放電していないコンデ
ンサ８のためまだ充電電流はコンデンサ１２に流
れない。その際増幅器５は出力側に正の電圧を発
生する。しかしこの電圧は減結合ダイオードとし
て用いられるダイオード６のため電界効果トラン
ジスタないしMOS−FET１１のゲートには作用
することができない。
コンデンサ８は同時に、充電抵抗として用いら
れる抵抗９を介して緩慢に充電される。充電時定
数によつて決められている遅延時間の後、コンデ
ンサ８における電圧および従つてMOS−FET１
１のゲート電圧が約3VのMOS−FET１１のしき
い電圧に高められるや否や、このMOS−FETは
低抵抗になり始めかつ電流が接続された電流供給
装置１３に流れるようにする。
この電流が、電流測定抵抗４におけるその電圧
降下が目標値ないし基準電圧発生器３から送出さ
れる基準電圧に達する高さに達したならば、増幅
器５の出力電圧はマイナス電位になりかつMOS
−FET１１のゲートへの直接介入により電流を
このように固定された値に制限する。コンデンサ
８および減結合ダイオード６の間にある抵抗１０
によつて規定されて、この介入はコンデンサ８に
おける電圧に無関係に行うことができる。電流供
給装置１３の入力コンデンサ１２が充電されかつ
電流供給装置が作動状態になるや否や、電流はそ
のスタチツクな入力電流に低下し、増幅器５はそ
の出力側が再び正になりかつコンデンサ８は充電
抵抗９を介して今や完全に、Ｚダイオード７によ
つて決められている電圧にまで充電することがで
きる。この電圧が十分に高い、例えば約10Vであ
れば、MOS−FET１１は低抵抗でありかつ従つ
て損失の少ない作動が保証される。
過電圧パルスの到来の際、接続されている電流
供給装置が作動状態になり、コンデンサ８は制限
電圧に充電され、増幅器５は正に過制御されかつ
出力側は無電流状態になりかつ従つてMOS−
FET１１が低抵抗になる。しかし回路装置の入
力側ないし接点２における迅速な電圧上昇によつ
て−電流供給装置の入力容量によつて規定されて
−入力電流が迅速に上昇すると、比較回路による
投入接続の際と同様に、増幅器５、減結合ダイオ
ード６およびMOS−FET１１は固定された値に
制限され、その際抵抗１０が増幅器５の遅延され
ない介入を可能にする。
回路装置の電流制限作用によつて、給電網にお
いて生じる高いが短い過電圧は、電流供給装置１
３の入力側における電圧の僅かな上昇Ｕ１２しか
来さない。電圧差は、この電圧に対して選定する
ことができる保護回路のMOS−FET１１に加わ
る。過電圧の終了回路遅延は再び、MOS−FET
１１は完全導通制御される正常状態に戻る。
第２図に図示の回路装置は第１図の回路装置と
大幅に同じである。第１図と異なつているのは増
幅器として、エミツタが給電電圧源１のマイナス
極に導かれており、コレクタが電界効果トランジ
スタ１１の制御電極に導かれておりかつベースが
抵抗１８を介して電流測定抵抗４と電界効果トラ
ンジスタ１１のソースＳとの接続点に導かれてい
るバイポーラトランジスタ１７が設けられている
ことである。更に第１図に設けられているＺダイ
オードに代わつて、コンデンサ８の、RC素子の
出力側Ａに接続されている側の電極が順方向に極
性付けられているダイオード１６を介して電圧安
定化装置の出力側に導かれている電圧制限装置が
設けられている。電圧安定化装置として、給電電
圧源１に接続されている、抵抗１４と給電電圧に
対して阻止方向に極性付けられているＺダイオー
ド１５とから成る直列回路が用いられる。その際
Ｚダイオード１５およびダイオード１６のカソー
ドは相互に接続されている。Ｚダイオード１５の
アノードは給電電圧源１のマイナス極に接続され
ている。第２図とは異なつてＺダイオード１５
は、マイナス極ではなくて電界効果トランジスタ
１１のソースＳに接続することができる。
更に電界効果トランジスタ１１のドレイン−ソ
ース間に並列に、負荷軽減抵抗として抵抗２０が
設けられている。この抵抗２０はMOS−FET１
１のパルス負荷を低減するために用いられる。こ
れにより電流Ｏの際にではなく、入力電圧および
抵抗２０の大きさによつて決められている電流に
よつて投入接続される。第１図の目標値ないし基
準電圧発生器３および増幅器５は唯一のトランジ
スタ１７によつて実現されている。そのベース−
エミツタ間におけるしきい電圧が目標値を形成す
る。抵抗１８はベース保護抵抗として設けられて
いる。第１図の減結合ダイオード６は不要であ
る。
回路素子１４，１５，１６から成る、ゲート電
圧を制限するための制限回路は殊に、比較的長い
遅延時間、即ち非常に高抵抗の充電抵抗９に対し
て設けられている。この理由から、Ｚダイオード
１５に抵抗１４を介して別個に給電するようにな
つている。充電コンデンサ８における電圧の制限
はフリーホイールダイオード１６を用いて行われ
る。
MOS−FET１１の電圧保護のために、相応の
電圧のＺダイオード１９が保護回路の負の分岐を
介して接続されている。このＺダイオード１９は
同時に、逆方向の電流の際の保護として用いられ
る。
第３図に図示の回路装置は、第２図の回路装置
と大幅に一致する。第２図と異なつているのは、
蓄積コンデンサ１２が付加的に遅延素子の構成部
分として利用されることである。蓄積コンデンサ
１２に並列に、抵抗２３、Ｚダイオード２４およ
び抵抗２５から成る分圧器が設けられている。Ｚ
ダイオード２４は２つの抵抗２３および２５の間
にありかつ蓄積コンデンサ１２にて発生する充電
電圧に対して阻止方向に極性付けられている。ト
ランジスタ２２はそのエミツタが給電電圧源１の
プラス電位に接続されておりかつそのベースが抵
抗２３とＺダイオード２４との接続点に接続され
ている。電界効果トランジスタ１１のゲートＧと
ソースＳとの間に抵抗３３が設けられている。
トランジスタ２２のコレクタは遅延回路の出力
側を形成しかつこのようなものとして抵抗１０を
介して電界効果トランジスタ１１のゲートＧに導
かれている。更にトランジスタ１７のエミツタ−
コレクタ間に並列に、Ｚダイオード２１が設けら
れており、その際Ｚダイオード２１のアノードは
トランジスタ１７のエミツタに接続されている。
抵抗２０との関連において、第２図の充電コン
デンサ８に代わつて、蓄積コンデンサ１２それ自
体が遅延素子のコンデンサとして用いられる。分
圧器２３…２５を用いて、保護回路の出力側にお
ける電圧が検出される。前以て決められた値を上
回つた際、ゲートＧには抵抗１０およびバイポー
ラトランジスタ２２を介して正の入力電圧が印加
される。ゲート電圧の制限のためにＺダイオード
２１が用いられる。
過電圧パルスにおけるこの回路装置の特性は第
１図および第２図の回路装置と一致する。
第４図は、第１図ないし第３図に図示の回路装
置に対する電流供給装置１３を自動的に作動制御
するための装置を図示する。電流供給装置１３な
いし電流供給機器の本来のインバータ回路の電気
的な作動制御は、蓄積コンデンサ１２がほぼ完全
に給電電圧のその都度の値に充電されたとき初め
て行われる。この状態に対する判定基準として、
電界効果トランジスタ１１のドレイン−ソース間
にて降下する電圧が用いられる。
電流供給装置１３は例えば、集積された制御回
路として型名TDA4718の制御モジユール３２を
含んでいる。この制御モジユール３２は、従来の
形式のクロツク制御されるインバータなどの構成
部分であるので、詳しく図示されていない。
制御モジユール３２の接続端子のうち接続端子
ａ１，ａ６およびａ７しか図示されていない。こ
の記号の数は集積されたモジユールTDA4718の
接続番号とそれぞれ一致する。接続端子ａ６は不
足電圧の際の遮断のために用いられ、接続端子ａ
７は過電圧の際の遮断のために用いられる。遮断
はその都度、電流供給装置１３が電力を消費しな
いように作用する。
基準電位ないしOVに対する接続端子ａ１はコ
ンデンサ１２のマイナス極に接続されている。蓄
積コンデンサ１２のプラス接続端子と制御モジユ
ール３２の接続端子との間に抵抗２９，３０およ
び３１から成る分圧器が設けられている。この分
圧器において、蓄積コンデンサ１２と接続端子ａ
６との間の抵抗２９、接続端子ａ６とａ７との間
の抵抗３０および接続端子ａ７とａ１との間の抵
抗３１が設けられている。
最初まだ放電されている蓄積コンデンサ１２が
充電されると、分圧器の分圧比に応じて分割され
た、接続端子ａ６における電圧がまず不足電圧遮
断の領域に移行し、その結果制御ないし調整が停
止する。分圧器は、オプトカツプラ２８のトラン
ジスタ部分が非導通状態である場合接続端子ａ６
に供給される電圧が、蓄積コンデンサ１２が電圧
の前以て決められた値に充電されるや否や、不足
電圧の領域を離れるように、選定されている。コ
ンデンサ電圧の前以て決められた上側制限値を上
回ると、接続端子ａ７に発生する電圧は過電圧遮
断の領域において生じる。
オプトカツプラ２８は接続端子ａ６およびａ１
の間においてそのトランジスタ部分のエミツタコ
レクタ間に設けられている。トランジスタ部分の
導通状態において接続端子ａ６における電圧が消
失し、その結果不足電圧の際の制御モジユールの
遮断が有効になる。このことは、MOS−FET１
１におけるドレイン−ソース電圧が実質的にＺダ
イオード２７のツエナー電圧によつて前以て幸決
められる値を上回つたときに生じる。
電界効果トランジスタ１１のドレイン接続端子
Ｄは、抵抗２６、Ｚダイオード２７およびオプト
カツプラ２８のダイオード部分から成る直列回路
を介してソースＳに導かれている。Ｚダイオード
２７およびオプトカツプラ２８のダイオードは、
Ｚダイオードおよびダイオード部分が互いに逆極
性で直列接続されておりかつダイオード部分が、
蓄積コンデンサ１２の充電電流に関連して、順方
向に向くように、極性付けられている。
オプトカツプラ２８のトランジスタ部分は、
MOS−FET１１のドレイン−ソース電圧によつ
て制御可能である電子スイツチを形成する。
第４図に図示の装置を用いて、クロツク制御さ
れる電流供給装置１３が、MOS−FET１１のド
レイン−ソース間における電圧が前以て決められ
た値を下回るとき初めて、即ち蓄積コンデンサ１
２が給電電圧源１の電圧にほぼ一致するや否や、
作動制御される。これにより、スタート期間中比
較的短い充電時間のため調節素子が僅かしか負荷
されないという利点が生じる。
MOS−FETのゲート電圧を制限する回路とし
て、第１図ではＺダイオード７が用いられ、第２
図によれば抵抗１４、ダイオード１５，１６が用
いられ、第３図によればダイオード２１が用いら
れる。既述の回路装置において交換可能なこれら
装置に代わつて、場合におうじて別の適当な電圧
制限器を使用することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は電圧制限用の増幅器として差動増幅器
および遅延素子としてRC素子を備えた回路装置
の回路略図であり、第２図はバイポーラトランジ
スタが同時に基準電圧発生器および電流制限用コ
ンパレータとして用いられる回路装置の回路略図
であり、第３図は蓄積コンデンサが遅延素子の構
成部分である回路装置の回路略図であり、第４図
は第１図−第３図による回路装置に対して、調整
素子として設けられている電界効果トランジスタ
が同時に電流供給装置の投入接続／遮断のための
制御電圧発生器として用いられる装置の回路略図
である。 １…給電電圧源、４…電流測定抵抗、５，１７
…電流制限増幅器、１１…電界効果トランジス
タ、１２…蓄積コンデンサ、１３…電流供給装
置、Ａ…遅延回路の出力側。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 接続されている電流供給装置に対する低抵抗
    の電圧源を形成する蓄積コンデンサ１２を備え、
    該蓄積コンデンサ１２に流れる充電電流を遅延す
    るために、給電電圧源１と前記蓄積コンデンサ１
    ２との間に電界効果トランジスタ１１のソース−
    ドレイン間が設けられておりかつ該電界効果トラ
    ンジスタ１１のゲートＧは遅延素子８，９；４，
    ２０，１２，２３，２４，２５，２２の出力側Ａ
    に接続されており、該遅延素子は、放電されてい
    る蓄積コンデンサ１２と前記給電電圧源１とが接
    続された際、前以つて決められた遅延時間の経過
    後その前記出力側Ａから前記電界効果トランジス
    タを導通制御する電位（＋）を該電界効果トラン
    ジスタ１１のゲートに送出する、電流供給装置に
    おける突入電流制限および過電圧保護回路装置に
    おいて、突入電流を制限しかつ入力電圧パルスに
    おいて前記蓄積コンデンサ１２に発生する充電電
    圧Ｕ１２を制限するために、前記電界効果トラン
    ジスタ１１のソース−ドレイン間に直列に接続さ
    れている電流測定抵抗４と該電流測定抵抗４に接
    続されておりかつ電流制限器を形成する増幅器
    ５，６；１７とを含んでおり、該増幅器装置は前
    記電流測定抵抗４における降下電圧が前以つて決
    められた電圧を下回る場合その出力側が高抵抗に
    前記電界効果トランジスタ１１のゲートに接続さ
    れかつ電流測定抵抗４における降下電圧が前以つ
    て決められた電圧を上回る場合前記電界効果トラ
    ンジスタを電流制限する方向に制御する電位をゲ
    ートに供給し、かつ前記遅延回路８，９；４，２
    ０，１２，２３，２４，２５，２２の出力側Ａは
    減結合抵抗１０を介して前記電界効果トランジス
    タ１１のゲートＧに導かれておりかつ前記増幅器
    装置５，６；１７の出力側は前記電界効果トラン
    ジスタのゲートＧに導かれていることを特徴とす
    る突入電流制限および過電圧保護回路装置。 ２ 電流測定抵抗４は給電電圧源１と電界効果ト
    ランジスタ１１との間に設けられており、かつ増
    幅器はその反転入力側（−）がが電流測定抵抗４
    とソースとの接続点に接続されており、かつ増幅
    器はオープンコレクタ出力側または後置接続され
    た減結合ダイオード６を有する差動増幅器５によ
    つて形成されておりかつ差動増幅器５の非反転入
    力側（＋）は基準電圧発生器３の出力側に接続さ
    れている特許請求の範囲第１項記載の突入電流制
    限および過電圧保護回路装置。 ３ 増幅器はバイポーラトランジスタ１７によつ
    て形成されており、該トランジスタのエミツタ−
    ベース間は基準電圧発生器として用いられかつ上
    記トランジスタのエミツタは電流測定抵抗４の一
    方の端子および給電電圧源１に導かれており、コ
    レクタは電界効果トランジスタ１１のゲートＧに
    導かれておりかつベースは抵抗１８を介して電流
    測定抵抗４と電界効果トランジスタ１１のソース
    との接続点に導かれている特許請求の範囲第１項
    記載の突入電流制限および過電圧保護回路装置。 ４ 遅延素子はRC素子によつて形成されており、
    該RC素子はコンデンサ８とそれに直列接続され
    た抵抗９とから成りかつ給電電圧源１と電流測定
    抵抗４とから成る直列回路に並列に設けられてお
    りかつ上記RC素子のコンデンサ８は電界効果ト
    ランジスタ１１のソースＳに接続されている特許
    請求の範囲第１項から第３項までのいずれか１項
    に記載の突入電流制限および過電圧保護回路装
    置。 ５ 電界効果トランジスタ１１のソース−ドレイ
    ン間に並列に、抵抗２０が設けられている特許請
    求の範囲第１項から第４項までのいずれか１項に
    記載の突入電流制限および過電圧保護回路装置。 ６ 遅延回路は、蓄積コンデンサ１２とその充電
    電流回路にある回路素子４，２０と、上記蓄積コ
    ンデンサ１２の電圧によつて制御可能であり、電
    界効果トランジスタ１１を導通制御する電位
    （＋）に接続されている電子スイツチとによつて
    形成されている特許請求の範囲第５項に記載の突
    入電流制限および過電圧保護回路装置。 ７ 電子スイツチはバイポーラトランジスタ２２
    によつて形成されており、該バイポーラトランジ
    スタのベースは蓄電コンデンサ１２に並列に接続
    されている分圧器のタツプに接続されておりかつ
    上記のバイポーラトランジスタのエミツタは給電
    電圧源１に接続されておりかつコレクタは遅延回
    路の出力側Ａを形成する特許請求の範囲第６項に
    記載の突入電流制限および過電圧保護回路装置。 ８ 分圧器はトランジスタ２２のベースおよびエ
    ミツタの間において抵抗２３と別の分岐において
    Ｚダイオード２４と抵抗２５とから成る直列回路
    を含んでいる特許請求の範囲第７項に記載の突入
    電流制限および過電圧保護回路装置。 ９ 電流測定抵抗４と電界効果トランジスタ１１
    のソース−ドレイン間とから成る直列回路に並列
    に、蓄積コンデンサ１２の充電電流に対して阻止
    方向に極性付けられているダイオードまたにＺダ
    イオード１９が設けられている特許請求の範囲第
    １項から第８項までのいずれか１項に記載の突入
    電流制限および過電圧保護回路装置。 １０ 電流供給装置１３は蓄積コンデンサ１２の
    電圧によつて制御可能な、入力側に不足電圧が生
    じた際に電流供給装置１３を遮断するための装置
    を含んでおりかつ該電流供給装置を遮断するため
    の装置は付加的に電界効果トランジスタ１１のド
    レイン−ソース電圧UDSによつて、該ドレイン−
    ソース電圧UDSが前以つて決められた限界値を上
    回つた際に上記電流供給装置１３が遮断されるよ
    うに制御可能である特許請求の範囲第１項から第
    ９項までのいずれか１項に記載の突入電流制限お
    よび過電圧保護回路装置。
JP62324219A 1986-12-23 1987-12-23 突入電流制限および過電圧保護回路装置 Granted JPS63171119A (ja)

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