JPH0568542B2 - - Google Patents
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- JPH0568542B2 JPH0568542B2 JP62121456A JP12145687A JPH0568542B2 JP H0568542 B2 JPH0568542 B2 JP H0568542B2 JP 62121456 A JP62121456 A JP 62121456A JP 12145687 A JP12145687 A JP 12145687A JP H0568542 B2 JPH0568542 B2 JP H0568542B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0688—Cermets, e.g. mixtures of metal and one or more of carbides, nitrides, oxides or borides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/021—Composite material
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/261—In terms of molecular thickness or light wave length
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Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
本発明は、スパツタリングによつて得られる組
成物に関し、具体的には、低い電気接触抵抗を示
す組成物に関する。
成物に関し、具体的には、低い電気接触抵抗を示
す組成物に関する。
Ｂ 従来技術
電気接点、特に、ミリアンペア程度の比較的小
さな電流を流すように設計された電気接点は、電
圧降下を極めて小さくすることが必要である。す
なわち、電気の流れに対する接点の抵抗ができる
だけゼロに近くなければならない。この抵抗は、
接触抵抗と呼ばれている。
さな電流を流すように設計された電気接点は、電
圧降下を極めて小さくすることが必要である。す
なわち、電気の流れに対する接点の抵抗ができる
だけゼロに近くなければならない。この抵抗は、
接触抵抗と呼ばれている。
接触抵抗が比較的低いために、金、白金、パラ
ジウムなどの貴金属のコンタクト表面は、電子産
業の応用分野で大いに使われている。こうした貴
金属から成る表面は、極めて低い接触抵抗を示す
だけでなく、耐酸化性があるので、低い抵抗を保
持する。
ジウムなどの貴金属のコンタクト表面は、電子産
業の応用分野で大いに使われている。こうした貴
金属から成る表面は、極めて低い接触抵抗を示す
だけでなく、耐酸化性があるので、低い抵抗を保
持する。
Ｃ 発明が解決しようとする問題
しかし、こうした貴金属は高いので、こうした
物質を使わず、または、少なくともその量を減ら
そうとする試みや提案が行なわれてきた。こうし
た従来の提案は、完全に満足できるものではなか
つた。
物質を使わず、または、少なくともその量を減ら
そうとする試みや提案が行なわれてきた。こうし
た従来の提案は、完全に満足できるものではなか
つた。
比較的低い電気抵抗を示すだけではなく、比較
的高い耐摩耗性と耐酸化性をも示す表面を提供す
るのが望ましい場合には、問題は一層難しくな
る。
的高い耐摩耗性と耐酸化性をも示す表面を提供す
るのが望ましい場合には、問題は一層難しくな
る。
Ｄ 問題を解決するための手段
本発明によれば、低い接触抵抗と耐酸化性を示
し、かつ使用する貴金属の量が大幅に減つた組成
物がもたらされる。本発明に従う組成物は、使用
する貴金属の量を減らし、かつ、満足できる接触
抵抗の値を達成することができる。
し、かつ使用する貴金属の量が大幅に減つた組成
物がもたらされる。本発明に従う組成物は、使用
する貴金属の量を減らし、かつ、満足できる接触
抵抗の値を達成することができる。
さらに、本発明に従う組成物は、優れた耐摩耗
性をもたらす。
性をもたらす。
本発明は、式MTおよびＧによつて表わされる
金属化合物の組成に関する。Ｍは、チタン、ハフ
ニウム、ジルコニウムおよびそれらの混合物のう
ちから選んだある金属を表わす。Ｔは、Ｎ、Ｃお
よびそれらの混合物のうちから選ばれる。Ｇは、
金、白金、パラジウムのうちから選んだある金属
を表わす。
金属化合物の組成に関する。Ｍは、チタン、ハフ
ニウム、ジルコニウムおよびそれらの混合物のう
ちから選んだある金属を表わす。Ｔは、Ｎ、Ｃお
よびそれらの混合物のうちから選ばれる。Ｇは、
金、白金、パラジウムのうちから選んだある金属
を表わす。
本発明に従う組成物は、MXG100-Xのターゲツ
トをスパツタすることによつて得られる。ｘは、
約65から約95までの整数である。以下で説明する
実施例では、組成物が基板上に付着される。その
際、MXG100-Xのターゲツトに、Ｎ、Ｃ、または
それらの混合物の発生源を含むガスを用いて反応
性スパツタを施す。ガスが基板に向つて流れ、こ
の基板上に組成物を付着させる。
トをスパツタすることによつて得られる。ｘは、
約65から約95までの整数である。以下で説明する
実施例では、組成物が基板上に付着される。その
際、MXG100-Xのターゲツトに、Ｎ、Ｃ、または
それらの混合物の発生源を含むガスを用いて反応
性スパツタを施す。ガスが基板に向つて流れ、こ
の基板上に組成物を付着させる。
Ｅ 実施例
第１図には、本発明を実施するための代表的な
構造の概略図が示されている。真空室１が、図示
されてない真空プロセス２によつて真空にされ
る。ガス供給部３と４は、それぞれ不活性ガスと
活性ガスのスパツタ源として使用される。ターゲ
ツト支持材５は、絶縁材６で室１から電気絶縁さ
れ、冷媒供給部７で冷却され、電源８から電力を
供電される。MXG100-Xのターゲツト９は、ター
ゲツト支持材５に固定されている。基板１０は、
絶縁材６で室１から絶縁された電極１１上に載せ
られる。基板保持部材としても働く電極１１は、
電源１２から電力を供給される。加熱器１３は、
工程中に基板１０を加熱する。接地シールド１４
が、電極板９と１１の間に放電を閉じ込め、した
がつてこれらの表面全体にわたる電力損失を防止
する。第１図に示す装置とその動作は、当分野で
は周知であり、本発明の新しい材料を製造するた
めに直流、高周波、またはこの２つの組合せで実
施することができる。たとえば、ジヨン L.ボツ
セン（John L.Vossen）とワーナー・カーン
（Werner Kern）編「薄膜処理（Thin Film
Processes）」アカデミツク・プレス（Academic
Press）社刊、ニユーヨーク、1978年、の章−
１を参照のこと。
構造の概略図が示されている。真空室１が、図示
されてない真空プロセス２によつて真空にされ
る。ガス供給部３と４は、それぞれ不活性ガスと
活性ガスのスパツタ源として使用される。ターゲ
ツト支持材５は、絶縁材６で室１から電気絶縁さ
れ、冷媒供給部７で冷却され、電源８から電力を
供電される。MXG100-Xのターゲツト９は、ター
ゲツト支持材５に固定されている。基板１０は、
絶縁材６で室１から絶縁された電極１１上に載せ
られる。基板保持部材としても働く電極１１は、
電源１２から電力を供給される。加熱器１３は、
工程中に基板１０を加熱する。接地シールド１４
が、電極板９と１１の間に放電を閉じ込め、した
がつてこれらの表面全体にわたる電力損失を防止
する。第１図に示す装置とその動作は、当分野で
は周知であり、本発明の新しい材料を製造するた
めに直流、高周波、またはこの２つの組合せで実
施することができる。たとえば、ジヨン L.ボツ
セン（John L.Vossen）とワーナー・カーン
（Werner Kern）編「薄膜処理（Thin Film
Processes）」アカデミツク・プレス（Academic
Press）社刊、ニユーヨーク、1978年、の章−
１を参照のこと。
基板１０は、本方法の条件下では溶融しない物
質からなり、シリコ、多結晶シリコン、サフアイ
ア、銅およびベリリウム銅を含む。
質からなり、シリコ、多結晶シリコン、サフアイ
ア、銅およびベリリウム銅を含む。
本発明の方法を実施する際、MXG100-Xのター
ゲツトを使つて組成物がもたらされる。ただし、
Ｍは、チタン、ハフニウム、ジルコニウムおよび
それらの混合物のうちから選んだある金属であ
り、Ｇは、金、白金およびパラジウムのうちから
選んだある金属である。ｘは約65から約95の間の
整数であるが、約70から約80の間にあるのが好ま
しく、75前後が最も好ましい。ｘが95よりも大き
いと所望の低接触抵抗が得られず、ｘが65よりも
小さいと耐摩耗性が悪くなる。使用される代表的
なターゲツト材料は、ジルコニウム−パラジウ
ム、チタン−金、ジルコニウム−金、ハフニウム
−金およびチタン−白金である。
ゲツトを使つて組成物がもたらされる。ただし、
Ｍは、チタン、ハフニウム、ジルコニウムおよび
それらの混合物のうちから選んだある金属であ
り、Ｇは、金、白金およびパラジウムのうちから
選んだある金属である。ｘは約65から約95の間の
整数であるが、約70から約80の間にあるのが好ま
しく、75前後が最も好ましい。ｘが95よりも大き
いと所望の低接触抵抗が得られず、ｘが65よりも
小さいと耐摩耗性が悪くなる。使用される代表的
なターゲツト材料は、ジルコニウム−パラジウ
ム、チタン−金、ジルコニウム−金、ハフニウム
−金およびチタン−白金である。
一般に、ターゲツト材料は、基板１０から約４
〜10cm隔置される。
〜10cm隔置される。
本発明の組成物を形成するスパツタ反応は、た
とえば、約500から約4000ボルト、通常は2000ボ
ルトの比較的高い電圧（半サイクルごとに測定さ
れる）にターゲツトをさらし、約50ボルト〜300
ボルト、通常は100ボルト前後のバイアス電圧を
基板にかけることによつて行なわれる。基板は、
約20℃から約500℃の間、好ましくは約20℃から
約300℃の間、通常は300℃前後の温度に加熱す
る。
とえば、約500から約4000ボルト、通常は2000ボ
ルトの比較的高い電圧（半サイクルごとに測定さ
れる）にターゲツトをさらし、約50ボルト〜300
ボルト、通常は100ボルト前後のバイアス電圧を
基板にかけることによつて行なわれる。基板は、
約20℃から約500℃の間、好ましくは約20℃から
約300℃の間、通常は300℃前後の温度に加熱す
る。
反応性スパツタを得るために、たとえば直流ま
たは高周波バイアス電圧をかけて高周波放電また
は単純直流グロー放電を行なうことによつて、ガ
ス中でグロー放電を発生させる。
たは高周波バイアス電圧をかけて高周波放電また
は単純直流グロー放電を行なうことによつて、ガ
ス中でグロー放電を発生させる。
使用するガスは、イオン化可能な不活性のガス
と、ターゲツト金属Ｍと化学的に反応して窒化
物、炭化物または炭化窒化物を形成できるガスの
混合物である。イオン化可能ガスは、基板材料と
化学的に反応しないガスでなければならず、容易
にイオン化され原子番号が大きく、ターゲツトか
ら金属原子とイオンを放出できる比較的高い運動
量をもつイオンを形成するものであることが好ま
しい。好ましいイオン化可能ガスは、クリプトン
であるが、希望するなら、アルゴンなど他の不活
性ガスも使用できる。ガス混合物中のもう一方の
ガスは、ターゲツトの金属Ｍと反応して、窒化
物、炭化物または炭化窒化物あるいはそれらの混
合物をもたらすものである。好ましい反応性ガス
は窒素である。
と、ターゲツト金属Ｍと化学的に反応して窒化
物、炭化物または炭化窒化物を形成できるガスの
混合物である。イオン化可能ガスは、基板材料と
化学的に反応しないガスでなければならず、容易
にイオン化され原子番号が大きく、ターゲツトか
ら金属原子とイオンを放出できる比較的高い運動
量をもつイオンを形成するものであることが好ま
しい。好ましいイオン化可能ガスは、クリプトン
であるが、希望するなら、アルゴンなど他の不活
性ガスも使用できる。ガス混合物中のもう一方の
ガスは、ターゲツトの金属Ｍと反応して、窒化
物、炭化物または炭化窒化物あるいはそれらの混
合物をもたらすものである。好ましい反応性ガス
は窒素である。
ガス混合物は、通常約10〜85体積％、好ましく
は約10〜40体積％の反応性ガスを含み、残りはイ
オン化可能な不活性ガスである。
は約10〜40体積％の反応性ガスを含み、残りはイ
オン化可能な不活性ガスである。
基板上への被膜の積着速度は、一般的に毎分約
10〜10000オングストローム、好ましくは、毎分
60〜1000オングストロームである。典型的な被膜
は、厚さが約100〜10000オングストローム、通常
は、約5000〜10000オングストロームである。
10〜10000オングストローム、好ましくは、毎分
60〜1000オングストロームである。典型的な被膜
は、厚さが約100〜10000オングストローム、通常
は、約5000〜10000オングストロームである。
被膜は、金、白金またはパラジウムあるいはそ
れらの混合物を含み、それらの金属は他の金属物
質の基質に粒子として含まれている。さらに、
金、白金またはパラジウムは、結晶粒の境界にあ
ると考えられている。また、被膜における金属Ｍ
と金、白金またはパラジウムとの比は、必ずしも
ターゲツトにおけるこれらの比と同じではないこ
とが注目される。それは、プラズマからのイオン
が被膜から一方の金属を他方の金属に比べて大き
な速度で抽出するからである。ただ、被膜中に含
まれる金属の比率は、通常、ターゲツト中にある
金属の比率の約50％以内である。
れらの混合物を含み、それらの金属は他の金属物
質の基質に粒子として含まれている。さらに、
金、白金またはパラジウムは、結晶粒の境界にあ
ると考えられている。また、被膜における金属Ｍ
と金、白金またはパラジウムとの比は、必ずしも
ターゲツトにおけるこれらの比と同じではないこ
とが注目される。それは、プラズマからのイオン
が被膜から一方の金属を他方の金属に比べて大き
な速度で抽出するからである。ただ、被膜中に含
まれる金属の比率は、通常、ターゲツト中にある
金属の比率の約50％以内である。
さらに、金、白金またはパラジウムは、反応性
ガスとは反応しない。ただ、上述の反応性ガス
は、ターゲツト材料の金属Ｍとは反応する。
ガスとは反応しない。ただ、上述の反応性ガス
は、ターゲツト材料の金属Ｍとは反応する。
本発明をさらに説明するために、下記に非限定
点に例を示す。
点に例を示す。
例 １
Ti75Au25のターゲツト９を、第１図に示した
型式の装置に導入する。電源８から印加されるタ
ーゲツト電圧は、約2000ボルトである。使用する
基板１０は、ベリリウム−銅基板で、約１〜３重
量％のベリリウムを含む。電源１２から基板に印
加されるバイアス電圧は約100ボルトで、基板温
度はヒーター１３によつて加工中約300℃に保た
れる。ガス供給源３からのクリプトンおよびガス
供給源４からの窒素を約８体１の体積比で含むガ
ス混合物を装置に導入する。圧力は、処理の始め
には約30ミリトルである。約13.56メガヘルツの
高周波を使つて、放電を行なう。被膜の付着速度
は、毎分約100オングストロームである。被膜中
のAuとTiの比率は約2.6：１である。被膜抵抗率
は約49.8μΩ／cmであり、純粋な金接点で試験し
た接触抵抗は約25ミリオームである。接触抵抗
は、低抵抗率測定用のASTM手順番号B667−80
の４点試験法によつて測定する。金メツキしたル
ープを、ライダ部材として使い、スパツタ被覆
は、手順中にフラツト・クーポンである。
型式の装置に導入する。電源８から印加されるタ
ーゲツト電圧は、約2000ボルトである。使用する
基板１０は、ベリリウム−銅基板で、約１〜３重
量％のベリリウムを含む。電源１２から基板に印
加されるバイアス電圧は約100ボルトで、基板温
度はヒーター１３によつて加工中約300℃に保た
れる。ガス供給源３からのクリプトンおよびガス
供給源４からの窒素を約８体１の体積比で含むガ
ス混合物を装置に導入する。圧力は、処理の始め
には約30ミリトルである。約13.56メガヘルツの
高周波を使つて、放電を行なう。被膜の付着速度
は、毎分約100オングストロームである。被膜中
のAuとTiの比率は約2.6：１である。被膜抵抗率
は約49.8μΩ／cmであり、純粋な金接点で試験し
た接触抵抗は約25ミリオームである。接触抵抗
は、低抵抗率測定用のASTM手順番号B667−80
の４点試験法によつて測定する。金メツキしたル
ープを、ライダ部材として使い、スパツタ被覆
は、手順中にフラツト・クーポンである。
例 ２
例１をくり返す。ただし、ターゲツトは
Zr75Pd25からなる。得られる被膜組成は、パラジ
ウムを含む窒化ジルコニウムであり、ジルコニウ
ムとパラジウムの比率は、約4.69対１である。被
膜抵抗率は、約159μΩ／cmである。
Zr75Pd25からなる。得られる被膜組成は、パラジ
ウムを含む窒化ジルコニウムであり、ジルコニウ
ムとパラジウムの比率は、約4.69対１である。被
膜抵抗率は、約159μΩ／cmである。
第１図は、本発明を実施するのに適した装置の
概略断面図である。
概略断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ MXG100-Xで表され、前記Ｍはチタン、ハフ
ニウム、ジルコニウムおよびそれらの混合物から
選ばれた第１金属であり、前記Ｇは金、白金およ
びパラジウムから選ばれた第２金属であり、前記
Ｘは約65から約95までの整数である、ターゲツト
をスパツタすることにより得られる、低接触抵抗
組成物被膜であつて、前記第１金属の窒化物、炭
化物又は炭化窒化物から成る基質と、前記基質中
の前記第２金属の粒子と、を含む低接触抵抗組成
物被膜。 ２ Ｎ、Ｃ又はその両方を含むガスを使用し、タ
ーゲツトをスパツタする工程を含む低接触抵抗組
成膜の製造方法であつて、 前記ターゲツトはMXG100-Xで表され、前記Ｍ
はチタン、ハフニウム、ジルコニウムおよびそれ
らの混合物から選ばれた第１金属であり、前記Ｇ
は金、白金およびパラジウムから選ばれた第２金
属であり、前記Ｘは約65から約95までの整数であ
ることを特徴とする低接触抵抗組成膜の製造方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/866,554 US4774151A (en) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | Low contact electrical resistant composition, substrates coated therewith, and process for preparing such |
| US866554 | 1992-04-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62294163A JPS62294163A (ja) | 1987-12-21 |
| JPH0568542B2 true JPH0568542B2 (ja) | 1993-09-29 |
Family
ID=25347857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62121456A Granted JPS62294163A (ja) | 1986-05-23 | 1987-05-20 | 低接触低抗組成物及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4774151A (ja) |
| EP (1) | EP0247413B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62294163A (ja) |
| CA (1) | CA1263217A (ja) |
| DE (1) | DE3772845D1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| GB8801366D0 (en) * | 1988-01-21 | 1988-02-17 | Secr Defence | Infra red transparent materials |
| US5597064A (en) * | 1989-05-10 | 1997-01-28 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Electric contact materials, production methods thereof and electric contacts used these |
| EP0428740A1 (en) * | 1989-05-10 | 1991-05-29 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Electric contact material, method of producing said material, and electric contact produced therefrom |
| US5409762A (en) * | 1989-05-10 | 1995-04-25 | The Furukawa Electric Company, Ltd. | Electric contact materials, production methods thereof and electric contacts used these |
| US5242753A (en) * | 1991-07-11 | 1993-09-07 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Substoichiometric zirconium nitride coating |
| EP0575003B1 (de) * | 1992-06-16 | 1999-02-17 | Philips Patentverwaltung GmbH | Elektrische Widerstandsschicht |
| US5367285A (en) * | 1993-02-26 | 1994-11-22 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Metal oxy-nitride resistance films and methods of making the same |
| CA2233390A1 (en) | 1997-05-02 | 1998-11-02 | William F. Quinn | Thermal switch assembly |
| US6069551A (en) * | 1997-05-02 | 2000-05-30 | Therm-O-Disc, Incorporated | Thermal switch assembly |
| US5844464A (en) * | 1997-11-24 | 1998-12-01 | Therm-O-Disc, Incorporated | Thermal switch |
| US6360423B1 (en) | 1997-12-16 | 2002-03-26 | Clad Metals Llc | Stick resistant coating for cookware |
| US7093340B2 (en) | 1997-12-16 | 2006-08-22 | All-Clad Metalcrafters Llc | Stick resistant ceramic coating for cookware |
| US6067999A (en) * | 1998-04-23 | 2000-05-30 | International Business Machines Corporation | Method for deposition tool cleaning |
| US6262440B1 (en) * | 1998-06-29 | 2001-07-17 | Philips Electronics North America Corp. | Metal electrical contact for high current density applications in LED and laser devices |
| US6018286A (en) * | 1998-11-20 | 2000-01-25 | Therm-O-Disc, Incorporated | Thermal switch |
| EP1184879A4 (en) * | 1999-02-10 | 2003-04-23 | Asahi Glass Co Ltd | CONDUCTIVE NITRIDE FILM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND ANTI-REFLECTING DEVICE |
| US6239686B1 (en) | 1999-08-06 | 2001-05-29 | Therm-O-Disc, Incorporated | Temperature responsive switch with shape memory actuator |
| US6342826B1 (en) | 1999-08-11 | 2002-01-29 | Therm-O-Disc, Incorporated | Pressure and temperature responsive switch assembly |
| EP1136585A1 (de) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Logotherm AG | Hartstoffschicht mit selbstschmierenden Eigenschaften |
| WO2001073153A1 (en) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | Trikon Holdings Limited | Method of depositing metal films |
| RU2226227C1 (ru) * | 2002-08-05 | 2004-03-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Уралавиаспецтехнология" | Способ защиты стальных деталей машин от солевой коррозии, пылевой и капельно-ударной эрозии |
| US20060273876A1 (en) * | 2005-06-02 | 2006-12-07 | Pachla Timothy E | Over-temperature protection devices, applications and circuits |
| KR20110055399A (ko) * | 2009-11-19 | 2011-05-25 | 한국생산기술연구원 | 다성분 합금계 스퍼터링 타겟 모물질 및 다기능성 복합코팅 박막 제조방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1802932B2 (de) * | 1968-10-14 | 1974-11-14 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Schaltkontaktes |
| US3829969A (en) * | 1969-07-28 | 1974-08-20 | Gillette Co | Cutting tool with alloy coated sharpened edge |
| FR2112667A5 (ja) * | 1970-11-05 | 1972-06-23 | Lignes Telegraph Telephon | |
| US4209375A (en) * | 1979-08-02 | 1980-06-24 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Sputter target |
| DE3011694C2 (de) * | 1980-03-26 | 1986-01-16 | Mengelberg, Hans, Dr., 8000 München | Verfahren zur Beschichtung von Verschleißflächen, z.B. Kontaktflächen für die Schwachstromtechnik |
| US4419202A (en) * | 1980-12-22 | 1983-12-06 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Metal coatings |
| AT377786B (de) * | 1981-12-24 | 1985-04-25 | Plansee Metallwerk | Verschleissteil, insbesondere hartmetall -schneideinsatz zur spanabhebenden bearbeitung |
| US4475983A (en) * | 1982-09-03 | 1984-10-09 | At&T Bell Laboratories | Base metal composite electrical contact material |
| US4535029A (en) * | 1983-09-15 | 1985-08-13 | Advanced Technology, Inc. | Method of catalyzing metal depositions on ceramic substrates |
| JPS61183458A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Citizen Watch Co Ltd | 黒色イオンプレ−テイング膜 |
-
1986
- 1986-05-23 US US06/866,554 patent/US4774151A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-04-01 CA CA000533596A patent/CA1263217A/en not_active Expired
- 1987-05-08 DE DE8787106699T patent/DE3772845D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-08 EP EP87106699A patent/EP0247413B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-20 JP JP62121456A patent/JPS62294163A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0247413A1 (en) | 1987-12-02 |
| EP0247413B1 (en) | 1991-09-11 |
| CA1263217A (en) | 1989-11-28 |
| US4774151A (en) | 1988-09-27 |
| JPS62294163A (ja) | 1987-12-21 |
| DE3772845D1 (de) | 1991-10-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |