JPH056861A - 半導体製造管理装置 - Google Patents
半導体製造管理装置Info
- Publication number
- JPH056861A JPH056861A JP3183212A JP18321291A JPH056861A JP H056861 A JPH056861 A JP H056861A JP 3183212 A JP3183212 A JP 3183212A JP 18321291 A JP18321291 A JP 18321291A JP H056861 A JPH056861 A JP H056861A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion
- layer resistance
- resistance value
- wafer
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 70
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 12
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハの層抵抗値のばらつきによる電流増
幅率のばらつきを最小に抑え歩留りの向上を図る。 【構成】 エミッタ拡散前のベース領域の層抵抗値をウ
ェーハごとに測定しウェーハの識別番号とともに履歴フ
ァイル８に格納する。一方拡散時間ファイル６には層抵
抗値と拡散時間の関係を示すデータを格納しておく。そ
して、エミッタ拡散時に、拡散装置２側では当該ウェー
ハの識別番号をホストコンピュータ５に入力し、ホスト
コンピュータ５は入力された識別番号をもとに履歴ファ
イル８より当該ウェーハの層抵抗値を読み出し、その層
抵抗値に対す拡散時間を拡散時間ファイル６より読み出
し、拡散装置２の拡散条件を設定する。
幅率のばらつきを最小に抑え歩留りの向上を図る。 【構成】 エミッタ拡散前のベース領域の層抵抗値をウ
ェーハごとに測定しウェーハの識別番号とともに履歴フ
ァイル８に格納する。一方拡散時間ファイル６には層抵
抗値と拡散時間の関係を示すデータを格納しておく。そ
して、エミッタ拡散時に、拡散装置２側では当該ウェー
ハの識別番号をホストコンピュータ５に入力し、ホスト
コンピュータ５は入力された識別番号をもとに履歴ファ
イル８より当該ウェーハの層抵抗値を読み出し、その層
抵抗値に対す拡散時間を拡散時間ファイル６より読み出
し、拡散装置２の拡散条件を設定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
の管理に利用され、特に、拡散工程の管理を行う半導体
製造管理装置に関する。
の管理に利用され、特に、拡散工程の管理を行う半導体
製造管理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、拡散工程では拡散前のベース層抵
抗値に関係なく、品種ごとにエミッタ拡散時間を一定に
設定して拡散を行っていた。図３、表１および表２を参
照しながら従来技術を説明する。トランジスタの特性上
で極めて重要な特性要因となる電流増幅率は、ベース１
２の持つベースの層抵抗値ＲS およびベース幅ＷB によ
って決定される。すなわち、表１に示すように、層抵抗
値が小さければ電流増幅率は小さくなり、層抵抗値が大
きければ電流増幅率は大きくなるという正の相関をもつ
ことが知られている。
抗値に関係なく、品種ごとにエミッタ拡散時間を一定に
設定して拡散を行っていた。図３、表１および表２を参
照しながら従来技術を説明する。トランジスタの特性上
で極めて重要な特性要因となる電流増幅率は、ベース１
２の持つベースの層抵抗値ＲS およびベース幅ＷB によ
って決定される。すなわち、表１に示すように、層抵抗
値が小さければ電流増幅率は小さくなり、層抵抗値が大
きければ電流増幅率は大きくなるという正の相関をもつ
ことが知られている。
【０００３】
【表１】
【０００４】
【表２】 また、表２に示すように、拡散時間が短ければエミッタ
深さＸjEが浅くなり、電流増幅率が小さくなり、拡散時
間が長ければエミッタ深さＸjEが深くなり、電流増幅率
が大きくなるという正の相関をもつことも知られてい
る。これにより、エミッタ拡散時間が一定ということは
エミッタ深さＸjEが一定ということになり、それにとも
ないベース幅ＷB も一定となってしまう。このことは、
ベース１２の持つベースの層抵抗値ＲS のばらつきによ
って電流増幅率にもばらつきがでるというトランジスタ
にとって大きな弊害となる。
深さＸjEが浅くなり、電流増幅率が小さくなり、拡散時
間が長ければエミッタ深さＸjEが深くなり、電流増幅率
が大きくなるという正の相関をもつことも知られてい
る。これにより、エミッタ拡散時間が一定ということは
エミッタ深さＸjEが一定ということになり、それにとも
ないベース幅ＷB も一定となってしまう。このことは、
ベース１２の持つベースの層抵抗値ＲS のばらつきによ
って電流増幅率にもばらつきがでるというトランジスタ
にとって大きな弊害となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、従来
技術では、エミッタ深さ、ベース幅が一定のため、ベー
スの層抵抗値のばらつきによる電流増幅率のばらつきが
発生し歩留りが低下する欠点がある。
技術では、エミッタ深さ、ベース幅が一定のため、ベー
スの層抵抗値のばらつきによる電流増幅率のばらつきが
発生し歩留りが低下する欠点がある。
【０００６】本発明の目的は、前記の欠点を除去するこ
とにより、電流増幅率のばらつきを最小とし歩留りを向
上できる半導体製造管理装置を提供することにある。
とにより、電流増幅率のばらつきを最小とし歩留りを向
上できる半導体製造管理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、拡散装置にお
ける不純物拡散工程を管理する手段を備えた半導体製造
管理装置において、半導体素子が形成されるウェーハご
とに所定の不純物拡散前に測定されたウェーハの所定領
域の層抵抗値を格納する層抵抗格納手段と、層抵抗値と
拡散時間の関係を含む拡散条件を格納する拡散条件格納
手段と、前記拡散装置で拡散しようとするウェーハにつ
いて、前記層抵抗格納手段より当該ウェーハの層抵抗値
を読み出し、その層抵抗値に対する拡散時間を前記拡散
条件格納手段より読み出して前記拡散装置の拡散条件を
設定する拡散条件設定手段とを備えたことを特徴とす
る。
ける不純物拡散工程を管理する手段を備えた半導体製造
管理装置において、半導体素子が形成されるウェーハご
とに所定の不純物拡散前に測定されたウェーハの所定領
域の層抵抗値を格納する層抵抗格納手段と、層抵抗値と
拡散時間の関係を含む拡散条件を格納する拡散条件格納
手段と、前記拡散装置で拡散しようとするウェーハにつ
いて、前記層抵抗格納手段より当該ウェーハの層抵抗値
を読み出し、その層抵抗値に対する拡散時間を前記拡散
条件格納手段より読み出して前記拡散装置の拡散条件を
設定する拡散条件設定手段とを備えたことを特徴とす
る。
【０００８】
【作用】層抵抗格納手段は、ウェーハごとに測定された
ベースの層抵抗値をウェーハの識別番号と一緒にして格
納する。一方、拡散条件格納手段は、ベースの層抵抗値
と拡散時間の関係を含む拡散条件を格納しておく。そし
て拡散条件設定手段は、次に拡散装置が拡散しようとす
るウェーハについて、ウェーハの識別番号を入力するこ
とで当該ウェーハの層抵抗値を層抵抗格納手段より読み
出し、その層抵抗値に対する拡散時間を拡散条件格納手
段から読み出して、拡散装置の拡散条件を設定する。
ベースの層抵抗値をウェーハの識別番号と一緒にして格
納する。一方、拡散条件格納手段は、ベースの層抵抗値
と拡散時間の関係を含む拡散条件を格納しておく。そし
て拡散条件設定手段は、次に拡散装置が拡散しようとす
るウェーハについて、ウェーハの識別番号を入力するこ
とで当該ウェーハの層抵抗値を層抵抗格納手段より読み
出し、その層抵抗値に対する拡散時間を拡散条件格納手
段から読み出して、拡散装置の拡散条件を設定する。
【０００９】従って、ウェーハごとに層抵抗値に基づい
て拡散時間を設定するので、トランジスタの電流増幅率
のばらつきを最小に抑え歩留りの向上を図ることが可能
となる。
て拡散時間を設定するので、トランジスタの電流増幅率
のばらつきを最小に抑え歩留りの向上を図ることが可能
となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例を示すブロック構
成図である。
成図である。
【００１２】本実施例は、拡散装置２における不純物拡
散工程を管理する手段を備えた半導体製造管理装置にお
いて、本発明の特徴とするところの、層抵抗測定装置１
によりウェーハごとにエミッタ不純物拡散前に測定され
たウェーハ中のベース領域の層抵抗値をウェーハの番号
とともに格納する層抵抗格納手段としての、データ入出
力装置３、通信回線７、ホストコンピュータ５および履
歴ファイル８と、層抵抗値と拡散時間の関係を含む拡散
条件を格納する拡散条件格納手段としての拡散時間ファ
イル６と、拡散装置で拡散しようとするウェーハについ
て、履歴ファイル８より当該ウェーハの層抵抗値を読み
出し、その層抵抗値に対する拡散時間を拡散時間ファイ
ル６より読み出して拡散装置２の拡散条件を設定する拡
散条件設定手段としての、データ入出力装置４、ホスト
コンピュータ５、および通信回線７とを備えている。
散工程を管理する手段を備えた半導体製造管理装置にお
いて、本発明の特徴とするところの、層抵抗測定装置１
によりウェーハごとにエミッタ不純物拡散前に測定され
たウェーハ中のベース領域の層抵抗値をウェーハの番号
とともに格納する層抵抗格納手段としての、データ入出
力装置３、通信回線７、ホストコンピュータ５および履
歴ファイル８と、層抵抗値と拡散時間の関係を含む拡散
条件を格納する拡散条件格納手段としての拡散時間ファ
イル６と、拡散装置で拡散しようとするウェーハについ
て、履歴ファイル８より当該ウェーハの層抵抗値を読み
出し、その層抵抗値に対する拡散時間を拡散時間ファイ
ル６より読み出して拡散装置２の拡散条件を設定する拡
散条件設定手段としての、データ入出力装置４、ホスト
コンピュータ５、および通信回線７とを備えている。
【００１３】次に、本実施例の動作について図２に示す
流れ図を参照して説明する。図２において、ステップＳ
１からステップＳ３までは前段の作業で、ステップＳ４
かステップＳ８までは後段の作業である。
流れ図を参照して説明する。図２において、ステップＳ
１からステップＳ３までは前段の作業で、ステップＳ４
かステップＳ８までは後段の作業である。
【００１４】まず、ウェーハが層抵抗値を測定する工程
に送られてくる。これを層抵抗測定装置１において、層
抵抗値を測定し、測定値をウェーハ識別番号とともにデ
ータ入出力装置３より入力し（ステップＳ１）、通信回
線７を介してホストコンピュータ５に送信する（ステッ
プＳ２）。送信されたデータはウェーハの加工履歴とし
て履歴ファイル８に格納される。次に、ウェーハが拡散
工程に送られてくる。ここで、データ入出力装置４を介
してウェーハ識別番号を入力すると（ステップＳ４）、
通信回線７を介してホストコンピュータ５に送信され、
ホストコンピュータ５は識別番号により履歴ファイル８
を検索し、当該層抵抗値を読み出し（ステップＳ５）、
当該層抵抗値をもとに拡散時間ファイル６を検索し、所
望の拡散時間を読み出す（ステップＳ６）。ホストコン
ピュータ５は通信回線７およびデータ入出力装置４を介
して、拡散装置２に所望の拡散時間を設定する（ステッ
プＳ７、Ｓ８）。
に送られてくる。これを層抵抗測定装置１において、層
抵抗値を測定し、測定値をウェーハ識別番号とともにデ
ータ入出力装置３より入力し（ステップＳ１）、通信回
線７を介してホストコンピュータ５に送信する（ステッ
プＳ２）。送信されたデータはウェーハの加工履歴とし
て履歴ファイル８に格納される。次に、ウェーハが拡散
工程に送られてくる。ここで、データ入出力装置４を介
してウェーハ識別番号を入力すると（ステップＳ４）、
通信回線７を介してホストコンピュータ５に送信され、
ホストコンピュータ５は識別番号により履歴ファイル８
を検索し、当該層抵抗値を読み出し（ステップＳ５）、
当該層抵抗値をもとに拡散時間ファイル６を検索し、所
望の拡散時間を読み出す（ステップＳ６）。ホストコン
ピュータ５は通信回線７およびデータ入出力装置４を介
して、拡散装置２に所望の拡散時間を設定する（ステッ
プＳ７、Ｓ８）。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、拡散時
間を変化させることで、層抵抗値のばらつきによる電流
増幅率のばらつきを最小に抑え、特性不良となる素子を
少なくすることができ、歩留り向上と拡散作業の能率向
上とを図ることができる効果がある。
間を変化させることで、層抵抗値のばらつきによる電流
増幅率のばらつきを最小に抑え、特性不良となる素子を
少なくすることができ、歩留り向上と拡散作業の能率向
上とを図ることができる効果がある。
【００１６】従って、本発明によれば、半導体装置の品
質を向上させ、製造コストを低減できる半導体製造管理
装置を得ることができ、その効果は大である。
質を向上させ、製造コストを低減できる半導体製造管理
装置を得ることができ、その効果は大である。
【図１】本発明の一実施例を示すブロック構成図。
【図２】その動作を示す流れ図。
【図３】トランジスタの電流増幅率を決定する要因の説
明図。
明図。
１ 層抵抗測定装置 ２ 拡散装置 ３、４ データ入出力装置 ５ ホストコンピュータ ６ 拡散時間ファイル ７ 通信回線 ８ 履歴ファイル １１ エミッタ １２ ベース Ｓ１〜Ｓ８ ステップ ＲS 層抵抗値 ＷB ベース幅 ＸjE エミッタ深さ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 拡散装置における不純物拡散工程を管理
する手段を備えた半導体製造管理装置において、半導体
素子が形成されるウェーハごとに所定の不純物拡散前に
測定されたウェーハの所定領域の層抵抗値を格納する層
抵抗格納手段と、層抵抗値と拡散時間の関係を含む拡散
条件を格納する拡散条件格納手段と、前記拡散装置で拡
散しようとするウェーハについて、前記層抵抗格納手段
より当該ウェーハの層抵抗値を読み出し、その層抵抗値
に対する拡散時間を前記拡散条件格納手段より読み出し
て前記拡散装置の拡散条件を設定する拡散条件設定手段
とを備えたことを特徴とする半導体製造管理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183212A JP2989939B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 半導体製造管理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183212A JP2989939B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 半導体製造管理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056861A true JPH056861A (ja) | 1993-01-14 |
| JP2989939B2 JP2989939B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=16131745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3183212A Expired - Fee Related JP2989939B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 半導体製造管理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2989939B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148927A (ja) * | 1984-08-16 | 1986-03-10 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| JPS6164138A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-02 | Nec Corp | モノリシツク集積回路 |
| JPS61150324A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-09 | Toshiba Corp | 拡散制御装置 |
| JPS6222471A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-30 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPS6316619A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Yokogawa Electric Corp | 半導体拡散炉制御方法 |
-
1991
- 1991-06-26 JP JP3183212A patent/JP2989939B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148927A (ja) * | 1984-08-16 | 1986-03-10 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| JPS6164138A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-02 | Nec Corp | モノリシツク集積回路 |
| JPS61150324A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-09 | Toshiba Corp | 拡散制御装置 |
| JPS6222471A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-30 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPS6316619A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Yokogawa Electric Corp | 半導体拡散炉制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2989939B2 (ja) | 1999-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3309478B2 (ja) | チップ管理システムおよびその入力処理方法とロット処理方法およびチップ管理システムによるチップ製造方法 | |
| CN114138098B (zh) | 功耗调节方法、装置、存储设备及可读存储介质 | |
| CN112306004B (zh) | 半导体制程工艺配方管理方法与系统 | |
| JP2003506900A (ja) | 半導体装置を特徴付けるための方法および装置 | |
| US6907306B2 (en) | Process tool throughput monitoring system and method | |
| TWI222662B (en) | Semiconductor wafer manufacturing execution system with special engineer requirement database | |
| JPH056861A (ja) | 半導体製造管理装置 | |
| CN112115677A (zh) | 芯片修调的方法、装置、存储介质和电子设备 | |
| CN120048753A (zh) | 半导体产品量测方法、装置、存储介质及电子设备 | |
| US12205834B2 (en) | Temperature calibration methods for semiconductor machine | |
| CN119375523A (zh) | 一种晶圆测试轨迹生成方法、系统、电子设备和存储介质 | |
| US20020138818A1 (en) | Method and system for determining the best integral process path to process semiconductor products to improve yield | |
| JP2582906B2 (ja) | 半導体装置の直流電流・電圧特性の測定方法 | |
| CN116908651A (zh) | 一种芯片的动态Trimming方法及Trimming装置 | |
| US6577993B1 (en) | Method of extracting parameters of diffusion model capable of extracting the parameters quickly | |
| JPH09186151A (ja) | 半導体素子の酸化装置及びこれを用いた酸化膜形成方法 | |
| JPH11195566A (ja) | 半導体製造装置制御システム | |
| JP2693880B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び膜生長装置 | |
| CN119916090B (zh) | 晶圆的电容测试方法、装置、电子设备和存储介质 | |
| CN115510087B (zh) | 晶片搜寻方法及装置 | |
| CN120980038B (zh) | 晶圆测试数据传输方法、装置、计算机设备及存储介质 | |
| JP3033769B2 (ja) | エミッタ拡散時間管理方法及びエミッタ拡散時間管理システム | |
| US11734622B2 (en) | Method, apparatus and device for determining production capacity boundaries | |
| CN118393815A (zh) | 晶圆加热控制方法、系统及存储介质 | |
| JP3237252B2 (ja) | 微細装置の製造方法及び工程管理システム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970916 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |