JPH056881A - 半導体ウエーハの製造装置 - Google Patents
半導体ウエーハの製造装置Info
- Publication number
- JPH056881A JPH056881A JP3185593A JP18559391A JPH056881A JP H056881 A JPH056881 A JP H056881A JP 3185593 A JP3185593 A JP 3185593A JP 18559391 A JP18559391 A JP 18559391A JP H056881 A JPH056881 A JP H056881A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- bevel
- polishing
- bevel surface
- mirror
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハのエッジ部に形成されたベベル
面を容易かつ確実に鏡面仕上げすることができるように
したものを提供する。 【構成】 半導体ウェーハ２のエッジ部に形成されたベ
ベル面２ｃを鏡面仕上げする半導体ウェーハの製造装置
であって、半導体ウェーハ２を水平軸に対して交叉した
状態に保持して回転させる回転装置１１と、この回転装
置１１に保持された半導体ウェーハ２のベベル面２ｃに
接触するよう配置され、このベベル面２ｃとの接触部表
面に該ベベル面２ｃを研磨する研磨布１４を貼設した研
磨装置１５とを備えたことを特徴とする。
面を容易かつ確実に鏡面仕上げすることができるように
したものを提供する。 【構成】 半導体ウェーハ２のエッジ部に形成されたベ
ベル面２ｃを鏡面仕上げする半導体ウェーハの製造装置
であって、半導体ウェーハ２を水平軸に対して交叉した
状態に保持して回転させる回転装置１１と、この回転装
置１１に保持された半導体ウェーハ２のベベル面２ｃに
接触するよう配置され、このベベル面２ｃとの接触部表
面に該ベベル面２ｃを研磨する研磨布１４を貼設した研
磨装置１５とを備えたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン、サファイヤ
或いはヒ化ガリウム等からなる半導体ウェーハの製造す
るのに使用して最適な半導体ウェーハの製造装置に関す
る。
或いはヒ化ガリウム等からなる半導体ウェーハの製造す
るのに使用して最適な半導体ウェーハの製造装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩなどの大集積回路を製作する材料
である半導体ウェーハの製造方法として、出願人は、特
願昭５７−１６９１０５号として、図２に示すようなも
のを提案した。
である半導体ウェーハの製造方法として、出願人は、特
願昭５７−１６９１０５号として、図２に示すようなも
のを提案した。
【０００３】即ち、先ず同図（Ａ）に示すシリコン等の
単結晶半導体棒１から、ダイヤモンドカッタ等を用いて
同図（Ｂ）に示すスライス片１ａを切り出して薄板状の
半導体ウェーハ２を作り出す。次に、同図（Ｃ）に示す
ように、半導体ウェーハ２のエッジ部にベベル加工（面
取り）を施してベベル面２ｃを形成する。
単結晶半導体棒１から、ダイヤモンドカッタ等を用いて
同図（Ｂ）に示すスライス片１ａを切り出して薄板状の
半導体ウェーハ２を作り出す。次に、同図（Ｃ）に示す
ように、半導体ウェーハ２のエッジ部にベベル加工（面
取り）を施してベベル面２ｃを形成する。
【０００４】ここでベベル加工は、例えば図３に示すベ
ベル装置３を用いて行われる。つまり、このベベル装置
３は、ステンレス或いはニッケル等からなる台金４の上
面に両側を傾斜面とした凹部５を形成し、この凹部５の
表面にダイヤモンド６，６…をニッケルメッキして付着
させて、＃５０〜１００程度のメッシュの砥石面とした
ものである。そして、上記凹部５に回転する半導体ウェ
ーハ２のエッジ部を押し当てて研削することによりベベ
ル加工を施す。
ベル装置３を用いて行われる。つまり、このベベル装置
３は、ステンレス或いはニッケル等からなる台金４の上
面に両側を傾斜面とした凹部５を形成し、この凹部５の
表面にダイヤモンド６，６…をニッケルメッキして付着
させて、＃５０〜１００程度のメッシュの砥石面とした
ものである。そして、上記凹部５に回転する半導体ウェ
ーハ２のエッジ部を押し当てて研削することによりベベ
ル加工を施す。
【０００５】そして、同図（Ｄ）に示すように、この半
導体ウェーハ２の表面２ａ及び裏面２ｂの両面を同時に
研磨するラッピング加工を施した後、同図（Ｅ）に示す
如く、半導体ウェーハ２の全外周面、即ち表面２ａ，裏
面２ｂ及びベベル面２ｃの全ての面を酢酸とフッ酸の混
液等によってエッチングし、これによってカッタ跡等を
除去して平滑面となす。
導体ウェーハ２の表面２ａ及び裏面２ｂの両面を同時に
研磨するラッピング加工を施した後、同図（Ｅ）に示す
如く、半導体ウェーハ２の全外周面、即ち表面２ａ，裏
面２ｂ及びベベル面２ｃの全ての面を酢酸とフッ酸の混
液等によってエッチングし、これによってカッタ跡等を
除去して平滑面となす。
【０００６】しかる後、同図（Ｆ）に示すように、少な
くとも表面２ａとベベル面２ｃとを、更には必要に応じ
て裏面２ｂをも、研磨布を用いて鏡面に研磨する鏡面仕
上げを施し、これをその後のデバイスプロセスに供する
半導体ウェーハ７とするようにしたものである。
くとも表面２ａとベベル面２ｃとを、更には必要に応じ
て裏面２ｂをも、研磨布を用いて鏡面に研磨する鏡面仕
上げを施し、これをその後のデバイスプロセスに供する
半導体ウェーハ７とするようにしたものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように半導体ウェーハのエッジ部に形成されたベベル面
を研磨布を用いて鏡面仕上げしようとしても、この鏡面
仕上げを行うための装置が存在していないのが現状であ
る。
ように半導体ウェーハのエッジ部に形成されたベベル面
を研磨布を用いて鏡面仕上げしようとしても、この鏡面
仕上げを行うための装置が存在していないのが現状であ
る。
【０００８】本発明は上記に鑑み、半導体ウェハのエッ
ジ部に形成されたベベル面を容易かつ確実に鏡面仕上げ
することができるようにした半導体ウェーハの製造装置
を提供することを目的とする。
ジ部に形成されたベベル面を容易かつ確実に鏡面仕上げ
することができるようにした半導体ウェーハの製造装置
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体ウェーハの製造装置は、半導体
ウェーハのエッジ部に形成されたベベル面を鏡面仕上げ
する半導体ウェーハの製造装置であって、半導体ウェー
ハを水平軸に対して交叉した状態に保持して回転させる
回転装置と、この回転装置に保持された半導体ウェーハ
のベベル面に接触するよう配置され、このベベル面との
接触部表面に該ベベル面を研磨する研磨布を貼設した研
磨装置とを備えたものである。
め、本発明に係る半導体ウェーハの製造装置は、半導体
ウェーハのエッジ部に形成されたベベル面を鏡面仕上げ
する半導体ウェーハの製造装置であって、半導体ウェー
ハを水平軸に対して交叉した状態に保持して回転させる
回転装置と、この回転装置に保持された半導体ウェーハ
のベベル面に接触するよう配置され、このベベル面との
接触部表面に該ベベル面を研磨する研磨布を貼設した研
磨装置とを備えたものである。
【００１０】
【作用】上記のように構成した本発明によれば、回転装
置で半導体ウェーハを水平軸に対して交叉した状態で保
持し、この状態で回転装置を介して半導体ウェーハを回
転させることにより、ベベル面に接触するよう研磨装置
の表面に貼設された研磨布でベベル面を研磨してこの鏡
面仕上げを行うことができる。
置で半導体ウェーハを水平軸に対して交叉した状態で保
持し、この状態で回転装置を介して半導体ウェーハを回
転させることにより、ベベル面に接触するよう研磨装置
の表面に貼設された研磨布でベベル面を研磨してこの鏡
面仕上げを行うことができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１を参照して説
明する。
明する。
【００１２】図１は、本発明に係る半導体ウェーハの製
造装置の側面図を示すもので、この製造装置は、横置き
に配置されたモータ８の水平方向に延びる回転軸９の先
端にウェーハ固定治具１０を連接した回転装置１１と、
この回転装置１１の近傍に配置され、研磨用台金１２の
表面に凹部１３を設けるとともに、この凹部１３内の表
面に研磨布１４を貼設した研磨装置１５とから主に構成
されている。
造装置の側面図を示すもので、この製造装置は、横置き
に配置されたモータ８の水平方向に延びる回転軸９の先
端にウェーハ固定治具１０を連接した回転装置１１と、
この回転装置１１の近傍に配置され、研磨用台金１２の
表面に凹部１３を設けるとともに、この凹部１３内の表
面に研磨布１４を貼設した研磨装置１５とから主に構成
されている。
【００１３】前記ウェーハ固定治具１０は、半導体ウェ
ーハ２のほぼ中央部を前後方向から挟持してこれを保持
するものであり、これにより半導体ウェーハ２は、水平
軸と直角に交叉する鉛直方向に配置された状態で保持さ
れることになる。
ーハ２のほぼ中央部を前後方向から挟持してこれを保持
するものであり、これにより半導体ウェーハ２は、水平
軸と直角に交叉する鉛直方向に配置された状態で保持さ
れることになる。
【００１４】また、前記研磨布１４は、ベベル面２ｃを
研磨して鏡面仕上げするためのものであり、固定治具１
０で半導体ウェーハ２を保持した際、このエッジ部に形
成されたベベル面２ｃとこの研磨布１４とが接触する位
置に、即ち半導体ウェーハ２のエッジ部が凹部１３内に
入り込んで、この凹部１３の表面に貼設された研磨布１
４とベベル面２ｃとが接触する位置に配置されている。
研磨して鏡面仕上げするためのものであり、固定治具１
０で半導体ウェーハ２を保持した際、このエッジ部に形
成されたベベル面２ｃとこの研磨布１４とが接触する位
置に、即ち半導体ウェーハ２のエッジ部が凹部１３内に
入り込んで、この凹部１３の表面に貼設された研磨布１
４とベベル面２ｃとが接触する位置に配置されている。
【００１５】これにより、回転装置１１のウェーハ固定
治具１０で半導体ウェーハ２を鉛直状態に保持し、この
状態でモータ８を介して半導体ウェーハ２を回転させる
ことにより、この半導体ウェーハ２のベベル面２ｃに接
触するよう研磨装置１５の表面に貼設された研磨布１４
で該ベベル面２ｃを研磨してこの鏡面仕上げを行うこと
ができるようなされている。
治具１０で半導体ウェーハ２を鉛直状態に保持し、この
状態でモータ８を介して半導体ウェーハ２を回転させる
ことにより、この半導体ウェーハ２のベベル面２ｃに接
触するよう研磨装置１５の表面に貼設された研磨布１４
で該ベベル面２ｃを研磨してこの鏡面仕上げを行うこと
ができるようなされている。
【００１６】このように、モータ８を駆動せしめて半導
体ウェーハ２のベベル面２ｃを研磨布１４で鏡面仕上げ
することにより、化学エッチング即ちケミカルポリッシ
ングしてもなお小さな凹凸及び粉砕層が残るエッジ部の
ベベル面２ｃを平滑な鏡面となすことができる。
体ウェーハ２のベベル面２ｃを研磨布１４で鏡面仕上げ
することにより、化学エッチング即ちケミカルポリッシ
ングしてもなお小さな凹凸及び粉砕層が残るエッジ部の
ベベル面２ｃを平滑な鏡面となすことができる。
【００１７】而して、図２（Ａ）に示すシリコン等の単
結晶半導体棒１から、ダイヤモンドカッタ等を用いて同
図（Ｂ）に示すスライス片１ａを切り出して薄板状の半
導体ウェーハ２を作り出し、同図（Ｃ）に示すように、
半導体ウェーハ２のエッジ部に例えば図３に示すベベル
装置３を用いてベベル加工（面取り）を施すことによ
り、ベベル面２ｃを形成する。そして、同図（Ｄ）に示
すように、この半導体ウェーハ２の表面２ａ及び裏面２
ｂの両面を同時に研磨するラッピング加工を施した後、
同図（Ｅ）に示す如く、半導体ウェーハ２の全外周面、
即ち表面２ａ，裏面２ｂ及びベベル面２ｃの全ての面を
酢酸とフッ酸の混液等によってエッチングし、これによ
ってカッタ跡等を除去して平滑面となす。
結晶半導体棒１から、ダイヤモンドカッタ等を用いて同
図（Ｂ）に示すスライス片１ａを切り出して薄板状の半
導体ウェーハ２を作り出し、同図（Ｃ）に示すように、
半導体ウェーハ２のエッジ部に例えば図３に示すベベル
装置３を用いてベベル加工（面取り）を施すことによ
り、ベベル面２ｃを形成する。そして、同図（Ｄ）に示
すように、この半導体ウェーハ２の表面２ａ及び裏面２
ｂの両面を同時に研磨するラッピング加工を施した後、
同図（Ｅ）に示す如く、半導体ウェーハ２の全外周面、
即ち表面２ａ，裏面２ｂ及びベベル面２ｃの全ての面を
酢酸とフッ酸の混液等によってエッチングし、これによ
ってカッタ跡等を除去して平滑面となす。
【００１８】しかる後、同図（Ｆ）に示すように、少な
くとも表面２ａとベベル面２ｃとを、更には必要に応じ
て裏面２ｂをも、研磨布を用いて鏡面に研磨する鏡面仕
上げを施して、これをその後のデバイスプロセスに供す
る半導体ウェハ７とするのであるが、この時、半導体ウ
ェーハ２のエッジ部に形成されたベベル面２ｃの鏡面仕
上げを上記のように構成した半導体ウェーハ製造装置を
用いて行うのである。
くとも表面２ａとベベル面２ｃとを、更には必要に応じ
て裏面２ｂをも、研磨布を用いて鏡面に研磨する鏡面仕
上げを施して、これをその後のデバイスプロセスに供す
る半導体ウェハ７とするのであるが、この時、半導体ウ
ェーハ２のエッジ部に形成されたベベル面２ｃの鏡面仕
上げを上記のように構成した半導体ウェーハ製造装置を
用いて行うのである。
【００１９】このように鏡面仕上げしたベベル面２ｃに
は、チッ化シリコン或いはポリシリコンの蒸着時にデン
ドライト結晶が発生しないことが実験によって確かめら
れている。
は、チッ化シリコン或いはポリシリコンの蒸着時にデン
ドライト結晶が発生しないことが実験によって確かめら
れている。
【００２０】なお、上記実地例においては、半導体ウェ
ーハ２を鉛直状態に保持するようにした例を示している
が、これを傾斜した状態で保持するよう、即ち図１にお
けるモータ８を鉛直方向に９０度未満回転させた状態で
配置するようにすることもできる。
ーハ２を鉛直状態に保持するようにした例を示している
が、これを傾斜した状態で保持するよう、即ち図１にお
けるモータ８を鉛直方向に９０度未満回転させた状態で
配置するようにすることもできる。
【００２１】また、凹部１３を設けることなく、台金１
２の表面の半導体ウェーハ２のエッジ部に形成されたベ
ベル面２ｃとの接触位置に研磨布１４を貼設するように
しても良いことは勿論である。
２の表面の半導体ウェーハ２のエッジ部に形成されたベ
ベル面２ｃとの接触位置に研磨布１４を貼設するように
しても良いことは勿論である。
【００２２】
【発明の効果】本発明は、上記のような構成であるの
で、ベベル面を鏡面仕上げすることにより、ウェーハ製
造時及びこのウェーハからデバイスを製作する際に、エ
ッジ部にチップや欠けが生じることなく、且つ窒化シリ
コン、ポリシリコンの蒸着時にベベル面にデンドライト
結晶が成長しにくく、しかもその後のデバイスプロセス
において微粒子が発生せず高デバイス歩留を得ることが
できるようにした半導体ウェーハのベベル面における鏡
面仕上げを、容易かつ確実に行って、半導体ウェーハを
製造することができる。
で、ベベル面を鏡面仕上げすることにより、ウェーハ製
造時及びこのウェーハからデバイスを製作する際に、エ
ッジ部にチップや欠けが生じることなく、且つ窒化シリ
コン、ポリシリコンの蒸着時にベベル面にデンドライト
結晶が成長しにくく、しかもその後のデバイスプロセス
において微粒子が発生せず高デバイス歩留を得ることが
できるようにした半導体ウェーハのベベル面における鏡
面仕上げを、容易かつ確実に行って、半導体ウェーハを
製造することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す側面図。
【図２】本発明に供される半導体ウェーハの製造を工程
順に示す図。
順に示す図。
【図３】ベベル装置の側面図。
２ 半導体ウェーハ ２ｃ 同ベベル面 ８ モータ １０ ウェーハ固定治具 １１ 回転装置 １４ 研磨布 １５ 研磨装置
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】半導体ウェーハのエッジ部に形成されたベ
ベル面を鏡面仕上げする半導体ウェーハの製造装置であ
って、半導体ウェーハを水平軸に対して交叉した状態に
保持して回転させる回転装置と、この回転装置に保持さ
れた半導体ウェーハのベベル面に接触するよう配置さ
れ、このベベル面との接触部表面に該ベベル面を研磨す
る研磨布を貼設した研磨装置とを備えたことを特徴とす
る半導体ウェーハの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3185593A JP2642538B2 (ja) | 1991-06-29 | 1991-06-29 | 半導体ウエーハの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3185593A JP2642538B2 (ja) | 1991-06-29 | 1991-06-29 | 半導体ウエーハの製造装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57169105A Division JPS5958827A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 半導体ウエ−ハ、半導体ウエ−ハの製造方法及び半導体ウエ−ハの製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056881A true JPH056881A (ja) | 1993-01-14 |
| JP2642538B2 JP2642538B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=16173519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3185593A Expired - Lifetime JP2642538B2 (ja) | 1991-06-29 | 1991-06-29 | 半導体ウエーハの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2642538B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030043697A (ko) * | 2001-11-26 | 2003-06-02 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치의 제조 방법 및 연마 장치 |
| US6685539B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
| US6722964B2 (en) | 2000-04-04 | 2004-04-20 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and method |
| US7559825B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632267A (en) * | 1979-08-15 | 1981-04-01 | Sekisui Plastics | Vessel for transporting vegetable |
-
1991
- 1991-06-29 JP JP3185593A patent/JP2642538B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632267A (en) * | 1979-08-15 | 1981-04-01 | Sekisui Plastics | Vessel for transporting vegetable |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6685539B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
| US6722964B2 (en) | 2000-04-04 | 2004-04-20 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and method |
| US6935932B2 (en) | 2000-04-04 | 2005-08-30 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and method |
| US7108589B2 (en) | 2000-04-04 | 2006-09-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and method |
| KR20030043697A (ko) * | 2001-11-26 | 2003-06-02 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치의 제조 방법 및 연마 장치 |
| US7559825B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2642538B2 (ja) | 1997-08-20 |
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