JPH0570709A - Chlorinated indium phthalocyanine, its production, and electrophotographic photoreceptor containing the same - Google Patents

Chlorinated indium phthalocyanine, its production, and electrophotographic photoreceptor containing the same

Info

Publication number
JPH0570709A
JPH0570709A JP23194891A JP23194891A JPH0570709A JP H0570709 A JPH0570709 A JP H0570709A JP 23194891 A JP23194891 A JP 23194891A JP 23194891 A JP23194891 A JP 23194891A JP H0570709 A JPH0570709 A JP H0570709A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
degrees
phthalocyanine
layer
charge
chlorinated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23194891A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeru Hayashida
茂 林田
Yoshii Morishita
芳伊 森下
Hiroko Ishikawa
裕子 石川
Mikio Itagaki
幹雄 板垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP23194891A priority Critical patent/JPH0570709A/en
Publication of JPH0570709A publication Critical patent/JPH0570709A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a novel chlorinated indium phthalocyanine and an electrophotographic photoreceptor containing the phthalocyanine and having high sensitivity to long-wavelength light of around 800nm. CONSTITUTION:A chlorinated indium phthalocyanine whose Cu Ka X-ray diffraction spectrum has diffraction peaks at Bragg angles (2theta+ or -0.2 deg.) of 7.0 deg., 9.4 deg., 14.1 deg., 15.4 deg., 18.0 deg., 19.4 deg., 23.8 deg., 26.1 deg., 27.9 deg., and 30.2 deg.; a process for producing the same; and an electrophotographic photoreceptor containing the same as an organic photoconductive substance.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電荷発生能が優れた新
規な塩素化インジウムフタロシアニン、その製造法およ
びそれを用いた半導体レーザ発振領域である800nm
前後の長波長光に対して高感度を有する電子写真感光体
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel chlorinated indium phthalocyanine excellent in charge generating ability, a method for producing the same, and a semiconductor laser oscillation region using the same, 800 nm
The present invention relates to an electrophotographic photosensitive member having high sensitivity to front and rear long wavelength light.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の電子写真感光体としては、アルミ
ニウム等の導電性基板の上に50μm程度のセレン(S
e)膜を真空蒸着法により形成したものがある。しか
し、このSe感光体は、波長500nm付近までしか感
度を有していない等の問題がある。また、導電性基板の
上に50μm程度のSe層を形成し、この上に更に数μ
mのセレン−テルル(Se−Te)合金層を形成した感
光体があるが、この感光体は上記Se−Te合金のTe
の含有率が高い程、分光感度が長波長にまで伸びる反
面、Teの添加量が増加するにつれて表面電荷の保持特
性が不良となり、事実上、感光体として使用できなくな
るという重大な問題がある。
2. Description of the Related Art As a conventional electrophotographic photosensitive member, selenium (S) of about 50 μm is formed on a conductive substrate such as aluminum.
e) There is a film formed by a vacuum deposition method. However, this Se photoconductor has a problem that it has sensitivity only up to a wavelength of about 500 nm. Moreover, a Se layer of about 50 μm is formed on the conductive substrate, and several μ is further formed on this.
There is a photoconductor on which a selenium-tellurium (Se-Te) alloy layer of m is formed. This photoconductor is Te of the above Se-Te alloy.
The higher the content ratio of the, the spectral sensitivity extends to a longer wavelength, but on the other hand, as the amount of Te added increases, the surface charge retention property becomes poor, and there is a serious problem that it cannot be used as a photoconductor in practice.

【0003】また、アルミニウム基板の上に1μm程度
のクロロシアンブルー又はスクウアリリウム酸誘導体を
コーティングして電荷発生層を形成し、この上に絶縁抵
抗の高いポリビニルカルバゾール又はピラゾリン誘導体
とポリカーボネート樹脂との混合物を10〜20μmコ
ーティングして電荷輸送層を形成した所謂複合二層型の
感光体もあるが、この感光体は700nm以上の光に対
して感度を有していないのが実状である。
Further, a charge generation layer is formed by coating a chlorocyan blue or squarylium acid derivative of about 1 μm on an aluminum substrate, and a mixture of a polyvinylcarbazole or pyrazoline derivative having a high insulation resistance and a polycarbonate resin is formed on the charge generation layer. There is a so-called composite two-layer type photoconductor in which a charge transport layer is formed by coating 10 to 20 μm, but in reality, this photoconductor does not have sensitivity to light of 700 nm or more.

【0004】近年、この複合二層型の感光体において、
上記欠点を改善した、即ち、半導体レーザ発振領域80
0nm前後に感度を有する感光体も多く報告されている
が、これらのうち多くのものが電荷発生材料としてフタ
ロシアニン顔料を用い、その膜厚0.5〜1μm程度の
電荷発生層上にポリビニルカルバゾール、ピラゾリン誘
導体又はヒドラゾン誘導体とポリカーボネート樹脂又は
ポリエステル樹脂との絶縁抵抗の高い混合物を10〜2
0μmコーティングして電荷輸送層を形成し複合二層型
の感光体を形成している。
In recent years, in this composite two-layer type photoreceptor,
The above drawbacks are improved, that is, the semiconductor laser oscillation region 80.
Although many photoreceptors having a sensitivity of around 0 nm have been reported, most of them use a phthalocyanine pigment as a charge generating material, and polyvinylcarbazole, which has a thickness of about 0.5 to 1 μm, is formed on the charge generating layer. A mixture of a pyrazoline derivative or a hydrazone derivative and a polycarbonate resin or a polyester resin having a high insulation resistance is used in an amount of 10 to 2
A coating of 0 μm is formed to form a charge transport layer to form a composite two-layer type photoreceptor.

【0005】フタロシアニン類は、中心金属の種類によ
り吸収スペクトルや、光導電性が異なるだけでなく、結
晶型によってもこれらの物性には差があり、同じ中心金
属のフタロシアニンでも、特定の結晶型が電子写真用感
光体用に選択されている例がいくつか報告されている。
無金属フタロシアニンではX型の結晶型のものが、光導
電性が高く、かつ800nm以上にも感度があるとの報
告があり、又、銅フタロシアニンでは、多くの結晶型の
内ε型が最も長波長域迄感度を有していると報告されて
いる。
Phthalocyanines differ not only in their absorption spectra and photoconductivity depending on the type of central metal, but also in their physical properties depending on the crystal type. Even for phthalocyanines of the same central metal, there are specific crystal types. Several examples have been reported that have been selected for electrophotographic photoreceptors.
Among the metal-free phthalocyanines, it has been reported that the X-type crystal type has high photoconductivity and is sensitive to 800 nm or more. In copper phthalocyanine, ε-type is the longest among many crystal types. It is reported to have sensitivity up to the wavelength range.

【0006】しかし、X型無金属フタロシアニンは準安
定型の結晶型であって、その製造が困難であり、又、安
定した品質のものが得にくいという欠点がある。一方、
ε型銅フタロシアニンは、αやβ型銅フタロシアニンに
比べれば分光感度は長波長に伸びているが、800nm
では感度が780nmに比べ急激に低下しており、発振
波長に振れのある現在の半導体レーザー用には使いにく
い性能となっている。このため、多くの金属フタロシア
ニンが検討され、オキシバナジルフタロシアニン、クロ
ロアルミニウムフタロシアニン、クロロインジウムフタ
ロシアニン、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロ
ガリウムフタロシアニン、マグネシウムフタロシアニン
などが、半導体レーザーの様な近赤外光に対して高感度
なフタロシアニン類として報告されている。しかし、こ
れらのフタロシアニンを複写機やプリンター用の電子写
真用感光体の電荷発生材料として用いるには、感度だけ
でなく、多くの要求性能を満足しなければならない。こ
の点ではまだ十分に満足できるものではない。
However, the X-type metal-free phthalocyanine is a metastable crystal type, and its production is difficult, and it is difficult to obtain stable quality. on the other hand,
ε-type copper phthalocyanine has a spectral sensitivity extending to a longer wavelength than that of α- and β-type copper phthalocyanine, but has a wavelength of 800 nm.
The sensitivity is drastically lower than that of 780 nm, which makes it difficult to use for the current semiconductor lasers that have fluctuations in the oscillation wavelength. For this reason, many metal phthalocyanines have been investigated, and oxyvanadyl phthalocyanine, chloroaluminum phthalocyanine, chloroindium phthalocyanine, oxytitanium phthalocyanine, chlorogallium phthalocyanine, magnesium phthalocyanine, etc. have high sensitivity to near infrared light such as semiconductor lasers. Phthalocyanines have been reported. However, in order to use these phthalocyanines as charge generating materials for electrophotographic photoreceptors for copying machines and printers, not only sensitivity but also many required performances must be satisfied. In this respect, I am still not fully satisfied.

【0007】電気特性は、フタロシアニンの配位金属の
種類で大きく異なるが、同じ金属フタロシアニンでも結
晶形による特性の差は大きい。例えば、銅フタロシアニ
ンでは、α、β、γ、ε型等の結晶形の違いにより、帯
電性、暗減衰、感度等に大きな差があることが知られて
いる(澤田学;「染料と薬品」第24巻第6号、p.1
22(1979))。また、結晶形により吸収スペクト
ルが異なることにより、分光感度も変化し、銅フタロシ
アニンではε型の吸収が最も長波長側にあり、分光感度
も最も長波長側に伸びている(熊野勇夫;電子写真学会
誌第22巻、第2号、p.111(1984))。
The electrical characteristics are largely different depending on the kind of coordination metal of phthalocyanine, but even the same metal phthalocyanine has a large difference in characteristics depending on the crystal form. For example, copper phthalocyanine is known to have a large difference in chargeability, dark decay, sensitivity, etc. due to differences in crystal forms such as α, β, γ, and ε type (Sawada Manabu; “Dyes and chemicals”). Vol. 24, No. 6, p. 1
22 (1979)). In addition, since the absorption spectrum varies depending on the crystal form, the spectral sensitivity also changes, and in copper phthalocyanine, the ε-type absorption is at the longest wavelength side, and the spectral sensitivity is also the longest wavelength side (Yuo Kumano; Electrophotography Academic Journal Volume 22, No. 2, p. 111 (1984)).

【0008】この様に結晶形による電気特性の違いは、
無金属フタロシアニンや、他の多くの金属フタロシアニ
ンに関し公知であり、電気特性の良好な結晶形をいかに
して作るかという点に、多くの努力がなされている。例
えば、金属フタロシアニンの蒸着膜を電荷発生層にする
例が多いが、この蒸着膜をジクロロメタンやテトラヒド
ロフラン等の有機溶剤に浸漬したり、溶剤蒸気にさらす
ことにより、結晶転移をおこさせ、電気特性を改良する
例がアルミニウム、インジウム、チタニウムのフタロシ
アニンについて報告されている(特開昭58−1586
49号公報、特開昭59−44054号公報、特開昭5
9−49544号公報、特開昭59−155851号公
報、特開昭59−166959号公報参照)。
As described above, the difference in the electrical characteristics depending on the crystal form is
There are many known metal-free phthalocyanines and many other metal phthalocyanines, and much effort has been made in how to form a crystalline form with good electrical properties. For example, there are many cases in which a vapor-deposited film of metal phthalocyanine is used as the charge generation layer, but the vapor-deposited film is immersed in an organic solvent such as dichloromethane or tetrahydrofuran, or is exposed to a solvent vapor to cause a crystal transition, thereby improving the electrical characteristics. An improved example has been reported for aluminum, indium and titanium phthalocyanines (Japanese Patent Laid-Open No. 58-1586).
49, JP-A-59-44054, JP-A-5
9-49544, JP-A-59-155851, JP-A-59-166959).

【0009】しかしながら、インジウムフタロシアニン
に関しては、特開昭60−59355号公報およびジャ
ーナル オブ イメージング サイエンス〔Journ
alof Imaging Science、29、1
48(1985)〕において、インジウムフタロシアニ
ン粉末および蒸着膜を溶剤蒸気曝露あるいは溶剤浸漬し
ても、吸収波長は長波長にシフトするものの結晶型は変
化しないと報告されている。前記ジャーナル オブ イ
メージング サイエンスでは、クロロインジウムフタロ
シアニンの結晶型として、ブラッグ角(2θ±0.2
度)が7.4度、12.6度、16.7度、21.4
度、23.4度、25.3度および27.9度に強い回
折ピークを与えるCuKαのX線回折スペクトル図が示
されている。
However, regarding indium phthalocyanine, Japanese Patent Laid-Open No. 60-59355 and Journal of Imaging Science [Journ.
alof Imaging Science, 29 , 1
48 (1985)], it is reported that even if the indium phthalocyanine powder and the vapor-deposited film are exposed to a solvent vapor or immersed in a solvent, the absorption wavelength shifts to a long wavelength but the crystal form does not change. In the Journal of Imaging Science, the Bragg angle (2θ ± 0.2
Degree) is 7.4 degrees, 12.6 degrees, 16.7 degrees, 21.4 degrees
The X-ray diffraction spectrum of CuKα giving strong diffraction peaks at degrees, 23.4 degrees, 25.3 degrees, and 27.9 degrees is shown.

【0010】また、特開昭59−174845号公報、
特開昭61−45249号公報、特開昭63−1415
4号公報、特開昭63−56564号公報、特開昭63
−261267号、特開昭63−261266号公報お
よび特開平1−312552号公報では、クロロインジ
ウムフタロシアニンの蒸着膜をテトラヒドロフランの蒸
気に20時間曝露し、電子スペクトルの吸収極大ピーク
を半導体レーザ発振波長領域である800nm前後にシ
フトさせ電荷発生層としている。
Further, Japanese Patent Laid-Open No. 174845/1984,
JP-A-61-45249, JP-A-63-1415
4, JP-A-63-56564, JP-A-63
In JP-A-261267, JP-A-63-261266 and JP-A-1-125552, a vapor-deposited film of chloroindium phthalocyanine was exposed to tetrahydrofuran vapor for 20 hours, and an absorption maximum peak of an electronic spectrum was detected in a semiconductor laser oscillation wavelength region. , Which is about 800 nm, to form a charge generation layer.

【0011】これら、公知のインジウムフタロシアニン
は、主に蒸着により、電荷発生層を形成するものであ
り、しかも蒸着後に溶媒蒸気にさらして電荷発生層を得
ているが、蒸着法は塗布方式に比べ、設備投資額が大き
く、しかも量産性に劣るためコスト高になる傾向があ
る。
These known indium phthalocyanines form a charge generation layer mainly by vapor deposition and are exposed to a solvent vapor after vapor deposition to obtain a charge generation layer. However, the vapor deposition method is different from the coating method. However, the amount of capital investment is large and the mass productivity is poor, so that the cost tends to be high.

【0012】レーザ光を光源とし、電子写真感光体を用
いたレーザビームプリンタ等では、近年、半導体レーザ
を光源に用いることが種々試みられており、この場合、
該光源の波長は800nm前後であることから、800
nm前後の長波長光に対して高感度な特性を有する電子
写真感光体が強く要求されている。
In a laser beam printer or the like using a laser beam as a light source and an electrophotographic photosensitive member, various attempts have recently been made to use a semiconductor laser as a light source. In this case,
Since the wavelength of the light source is around 800 nm,
There is a strong demand for an electrophotographic photosensitive member having high sensitivity to long-wavelength light of around nm.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、800nm
前後の長波長の光に対して高い感度を有する電子写真感
光体を提供するものである。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention is 800 nm.
It is intended to provide an electrophotographic photosensitive member having high sensitivity to light having long and short wavelengths.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、CuKαのX
線回折スペクトルにおいてブラッグ角(2θ±0.2
度)が7.0度、9.0度、14.1度、15.4度、
18.0度、19.4度、23.8度、26.1度、2
7.9度および30.2度に回折ピークを有する塩素化
インジウムフタロシアニンに関する。
The present invention relates to CuKα X
In the line diffraction spectrum, the Bragg angle (2θ ± 0.2
Degree) is 7.0 degrees, 9.0 degrees, 14.1 degrees, 15.4 degrees,
18.0 degrees, 19.4 degrees, 23.8 degrees, 26.1 degrees, 2
It relates to chlorinated indium phthalocyanine having diffraction peaks at 7.9 degrees and 30.2 degrees.

【0015】また、本発明は、アモルファス状態の塩素
化インジウムフタロシアニンを、芳香族系溶媒および/
または含チツ素溶媒で処理することを特徴とするCuK
αのX線回折スペクトルにおいてブラッグ角(2θ±
0.2度)が7.0度、9.0度、14.1度、15.
4度、18.0度、19.4度、23.8度、26.1
度、27.9度および30.2度に回折ピークを有する
塩素化インジウムフタロシアニンの製造法に関する。
In the present invention, chlorinated indium phthalocyanine in an amorphous state is mixed with an aromatic solvent and / or
Or CuK characterized by being treated with a solvent containing titanium
In the X-ray diffraction spectrum of α, the Bragg angle (2θ ±
0.2 degree) is 7.0 degrees, 9.0 degrees, 14.1 degrees, 15.
4 degrees, 18.0 degrees, 19.4 degrees, 23.8 degrees, 26.1
And a method for producing chlorinated indium phthalocyanine having diffraction peaks at 27.9 degrees and 30.2 degrees.

【0016】また、本発明は、導電性支持体上に有機光
導電性物質を含有する光導電層を有する電子写真感光体
において、前記有機光導電性物質がCuKαのX線回折
スペクトルにおいてブラッグ角(2θ±0.2度)が
7.0度、9.0度、14.1度、15.4度、18.
0度、19.4度、23.8度、26.1度、27.9
度および30.2度に回折ピークを有する塩素化インジ
ウムフタロシアニンである電子写真感光体に関する。
The present invention also provides an electrophotographic photoreceptor having a photoconductive layer containing an organic photoconductive substance on a conductive support, wherein the organic photoconductive substance has a Bragg angle in an X-ray diffraction spectrum of CuKα. (2θ ± 0.2 degrees) is 7.0 degrees, 9.0 degrees, 14.1 degrees, 15.4 degrees, 18.
0 degree, 19.4 degree, 23.8 degree, 26.1 degree, 27.9 degree
And an electrophotographic photoreceptor which is a chlorinated indium phthalocyanine having a diffraction peak at 30.2 degrees.

【0017】以下、本発明について詳述する。本発明の
特定のX線回折スペクトルを示す塩素化インジウムフタ
ロシアニンを製造するために用いられる前駆体としての
インジウムフタロシアニン化合物(モノクロロインジウ
ムフタロシアニン、モノクロロインジウムクロロフタロ
シアニン)の合成法は、インオーガニックケミストリー
〔Inorganic・Chemistry19、31
31(1980)〕および特開昭59−44054号公
報に記載されている。
The present invention will be described in detail below. The method for synthesizing an indium phthalocyanine compound (monochloroindium phthalocyanine, monochloroindium chlorophthalocyanine) as a precursor used for producing a chlorinated indium phthalocyanine showing a specific X-ray diffraction spectrum of the present invention is described in Inorganic Chemistry [Inorganic. Chemistry 19 , 31
31 (1980)] and JP-A-59-44054.

【0018】モノクロロインジウムフタロシアニンは、
例えば、次のようにして製造することができる。フタロ
ニトリル10gおよび三塩化インジウム3.5gを二回
蒸留し脱酸素したキノリン100ml中に入れ、1時間
加熱還流した後徐冷、続いて0℃まで冷した後ろ過し、
暗紫色の結晶をメタノール、トルエン、アセトンで洗浄
した後、110℃で乾燥する(収量は6.3g)。
Monochloroindium phthalocyanine is
For example, it can be manufactured as follows. 10 g of phthalonitrile and 3.5 g of indium trichloride were placed in 100 ml of quinoline that had been distilled and deoxygenated twice, and the mixture was heated under reflux for 1 hour, then gradually cooled, then cooled to 0 ° C., and then filtered.
The dark purple crystals are washed with methanol, toluene and acetone, and then dried at 110 ° C. (yield 6.3 g).

【0019】また、モノクロロインジウムクロロフタロ
シアニンは、次のようにして製造することができる。フ
タロニトリル20gおよび三塩化インジウム8.3gを
混合して300℃で、溶融してから60分加熱してモノ
クロロインジウムクロロフタロシアニンの粗製物23.
0gを得、これをソックスレー抽出器を用いてα−クロ
ロナフタレンで洗浄する(収量14.0g)。
Further, monochloroindium chlorophthalocyanine can be produced as follows. 20 g of phthalonitrile and 8.3 g of indium trichloride are mixed and melted at 300 ° C. and heated for 60 minutes to obtain a crude product of monochloroindium chlorophthalocyanine 23.
0 g is obtained, which is washed with α-chloronaphthalene using a Soxhlet extractor (yield 14.0 g).

【0020】このように製造したインジウムフタロシア
ニン化合物は、X線回折スペクトルにおいてブラッグ角
が7.4度に非常に強い回折ピークを有するものであ
る。
The indium phthalocyanine compound produced in this manner has a very strong diffraction peak at a Bragg angle of 7.4 degrees in the X-ray diffraction spectrum.

【0021】本発明に係るCuKαのX線回折スペクト
ルにおいてブラッグ角(2θ±0.2度)が7.0度、
9.0度、14.1度、15.4度、18.0度、1
9.4度、23.8度、26.1度、27.9度および
30.2度に回折ピークを有する塩素化インジウムフタ
ロシアニンは、前記X線回折スペクトルにおいてブラッ
グ角が7.4度に非常に強い回折ピークを有するインジ
ウムフタロシアニン化合物の結晶を用いて、例えば、次
のように製造することができる。
In the X-ray diffraction spectrum of CuKα according to the present invention, the Bragg angle (2θ ± 0.2 degrees) is 7.0 degrees,
9.0 degrees, 14.1 degrees, 15.4 degrees, 18.0 degrees, 1
The chlorinated indium phthalocyanine having diffraction peaks at 9.4 degrees, 23.8 degrees, 26.1 degrees, 27.9 degrees and 30.2 degrees has a Bragg angle of 7.4 degrees in the X-ray diffraction spectrum. By using a crystal of an indium phthalocyanine compound having a strong diffraction peak, it can be produced, for example, as follows.

【0022】ブラッグ角が7.4度に強いピークを有す
るインジウムフタロシアニン化合物の結晶5.0gを濃
硫酸500mlに溶解し、これを氷水で冷却した純水5
lに滴下し塩素化インジウムフタロシアニンを再沈させ
る。ろ過後沈殿を純水およびメタノール・純水混合液で
充分に洗浄した後110℃で乾燥し3.9gの塩素化イ
ンジウムフタロシアニン粉末を得る。このようにして得
られる塩素化インジウムフタロシアニンのX線回折スペ
クトルは、明確な鋭いピークがなくなり幅の広いアモル
ファス状態を表わすスペクトルである。アモルファス状
態を得る方法としては、上記濃硫酸を用いるアシッドペ
ースティング法以外に乾式のミリングによる方法もあ
る。
5.0 g of crystals of an indium phthalocyanine compound having a strong Bragg angle of 7.4 degrees was dissolved in 500 ml of concentrated sulfuric acid, and this was cooled with ice water to obtain pure water 5.
It is dripped at 1 l to reprecipitate chlorinated indium phthalocyanine. After filtration, the precipitate is thoroughly washed with pure water and a mixed solution of methanol and pure water, and then dried at 110 ° C. to obtain 3.9 g of chlorinated indium phthalocyanine powder. The X-ray diffraction spectrum of the chlorinated indium phthalocyanine thus obtained is a spectrum showing a wide amorphous state without a clear sharp peak. As a method for obtaining an amorphous state, there is a method by dry milling other than the acid pasting method using concentrated sulfuric acid.

【0023】このようにして得られるアモルファス状態
の塩素化インジウムフタロシアニンを、芳香族系溶媒お
よび/又は含チッ素溶媒で処理することによって、本発
明の特定のX線回折スペクトルを示す塩素化インジウム
フタロシアニンを製造できる。例えば、アモルファス状
態の塩素化インジウムフタロシアニン粉末1gを芳香族
系溶媒としてのテトラリン120mlに入れ加熱撹拌す
る(前記粉末/溶媒(重量比)は、1/1〜1/100
である)。加熱温度は100℃〜200℃、好ましくは
110℃〜150℃であり、加熱時間は1時間〜12時
間、好ましくは2時間〜8時間である。加熱撹拌終了後
ろ過しメタノールで洗浄し60℃で真空乾燥し本発明の
塩素化インジウムフタロシアニン結晶700mgを得る
ことができる。本処理に用いられる芳香族系溶媒として
は、例えば、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、テ
トラリン等が挙げられる。また、含チッ素溶媒として
は、例えば、N−メチルピロリドン等が挙げられる。
The amorphous chlorinated indium phthalocyanine thus obtained is treated with an aromatic solvent and / or a nitrogen-containing solvent to give a specific X-ray diffraction spectrum of the present invention. Can be manufactured. For example, 1 g of amorphous chlorinated indium phthalocyanine powder is placed in 120 ml of tetralin as an aromatic solvent and heated and stirred (the powder / solvent (weight ratio) is 1/1 to 1/100.
Is). The heating temperature is 100 ° C to 200 ° C, preferably 110 ° C to 150 ° C, and the heating time is 1 hour to 12 hours, preferably 2 hours to 8 hours. After completion of heating and stirring, filtration, washing with methanol, and vacuum drying at 60 ° C. can give 700 mg of chlorinated indium phthalocyanine crystals of the present invention. Examples of the aromatic solvent used in this treatment include toluene, xylene, chlorobenzene, and tetralin. Examples of the nitrogen-containing solvent include N-methylpyrrolidone.

【0024】本発明に係る電子写真感光体は、導電性支
持体の上に光導電層を設けたものである。本発明におい
て、光導電層は、有機光導電性物質を含む層であり、有
機光導電性物質の被膜、有機光導電性物質と結合剤を含
む被膜、電荷発生層及び電荷輸送層からなる複合型被膜
等がある。
The electrophotographic photosensitive member according to the present invention has a photoconductive layer provided on a conductive support. In the present invention, the photoconductive layer is a layer containing an organic photoconductive substance, and is a composite film comprising an organic photoconductive substance film, a film containing an organic photoconductive substance and a binder, a charge generation layer and a charge transport layer. Mold coating etc.

【0025】上記有機光導電性物質としては、前記塩素
化インジウムフタロシアニンが必須成分として用いら
れ、さらに公知のものを併用することができる。また、
有機光導電性物質としては前記塩素化インジウムフタロ
シアニン又は該フタロシアニン及び電荷を発生する有機
顔料と電荷輸送性物質を併用するのが好ましい。なお、
上記電荷発生層には該フタロシアニン又はこれと電荷を
発生する有機顔料が含まれ、電荷輸送層には電荷輸送性
物質が含まれる。
As the organic photoconductive substance, the chlorinated indium phthalocyanine is used as an essential component, and known substances can be used in combination. Also,
As the organic photoconductive substance, it is preferable to use the chlorinated indium phthalocyanine or the phthalocyanine and the charge-generating organic pigment in combination with the charge-transporting substance. In addition,
The charge generating layer contains the phthalocyanine or an organic pigment that generates a charge with the phthalocyanine, and the charge transporting layer contains a charge transporting substance.

【0026】前記電荷を発生する有機顔料としては、ア
ゾキシベンゼン系、ジスアゾ系、トリスアゾ系、ベンズ
イミダゾール系、多環キノン系、インジゴイド系、キナ
クリドン系、ペリレン系、メチン系、α型、β型、γ
型、δ型、ε型、χ型等の各種結晶構造を有する無金属
タイプ又は金属タイプのフタロシアニン系などの電荷を
発生することが知られている顔料が使用できる。これら
の顔料は、例えば、特開昭47−37543号公報、特
開昭47−37544号公報、特開昭47−18543
号公報、特開昭47−18544号公報、特開昭48−
43942号公報、特開昭48−70538号公報、特
開昭49−1231号公報、特開昭49−105536
号公報、特開昭50−75214号公報、特開昭53−
44028号公報、特開昭54−17732号公報等に
開示されている。また、特開昭58−182640号公
報及びヨーロッパ特許公開第92,255号公報などに
開示されているτ、τ′、η及びη′型無金属フタロシ
アニンも使用可能である。このようなもののほか、光照
射により電荷担体を発生する有機願料はいずれも使用可
能である。
The charge-generating organic pigments include azoxybenzene type, disazo type, trisazo type, benzimidazole type, polycyclic quinone type, indigoid type, quinacridone type, perylene type, methine type, α type, β type , Γ
Pigments known to generate electric charges, such as metal-free or metal-type phthalocyanine-based pigments having various crystal structures such as type, δ type, ε type, and χ type can be used. These pigments are disclosed, for example, in JP-A-47-37543, JP-A-47-37544, and JP-A-47-18543.
JP-A-47-18544, JP-A-48-
No. 43942, No. 48-70538, No. 49-1231, No. 49-105536.
JP-A-50-75214, JP-A-53-
No. 44028, JP-A No. 54-17732, and the like. Further, τ, τ ′, η and η ′ type metal-free phthalocyanines disclosed in JP-A-58-182640 and European Patent Publication No. 92,255 can also be used. In addition to the above, any organic application that generates a charge carrier by light irradiation can be used.

【0027】前記電荷輸送性物質としては高分子化合物
のものではポリ−N−ビニルカルバゾール、ハロゲン化
ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポ
リビニルインドロキノキサリン、ポリビニルベンゾチオ
フエン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジ
ン、ポリビニルピラゾリン等が、低分子化合物のもので
はフルオレノン、フルオレン、2,7−ジニトロ−9−
フルオレノン、4H−インデノ(1,2,6)チオフエ
ン−4−オン、3,7−ジニトロ−ジベンゾチオフエン
−5−オキサイド、1−ブロムピレン、2−フェニルピ
レン、カルバゾール、N−エチルカルバゾール、3−フ
ェニルカルバゾール、3−(N−メチル−N−フェニル
ヒドラゾン)メチル−9−エチルカルバゾール、2−フ
ェニルインドール、2−フェニルナフタレン、オキサジ
アゾール、2,5−ビス(4−ジエチルアミノフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾール、1−フェニル−
3−(4−ジエチルアミノスチリル)−5−(4−ジエ
チルアミノスチリル)−5−(4−ジエチルアミノフェ
ニル)ピラゾリン、1−フェニル−3−(p−ジエチル
アミノフェニル)ピラゾリン、p−(ジメチルアミノ)
−スチルベン、2−(4−ジプロピルアミノフェニル)
−4−(4−ジメチルアミノフェニル)−5−(2−ク
ロロフェニル)−1,3−オキサゾール、2−(4−ジ
メチルアミノフェニル)−4−(4−ジメチルアミノフ
ェニル)−5−(2−フルオロフェニル)−1,3−オ
キサゾール、2−(4−ジエチルアミノフェニル)−4
−(4−ジメチルアミノフェニル)−5−(2−フルオ
ロフェニル)−1,3−オキサゾール、2−(4−ジプ
ロピルアミノフェニル)−4−(4−ジメチルアミノフ
ェニル)−5−(2−フルオロフェニル)−1,3−オ
キサゾール、イミダゾール、クリセン、テトラフェン、
アクリデン、トリフェニルアミン、これらの誘導体等が
ある。
As the charge-transporting substance, polymer compounds such as poly-N-vinylcarbazole, halogenated poly-N-vinylcarbazole, polyvinylpyrene, polyvinylindroquinoxaline, polyvinylbenzothiophene, polyvinylanthracene, polyvinylacridine are used. , Polyvinylpyrazoline and the like are low molecular weight compounds such as fluorenone, fluorene and 2,7-dinitro-9-
Fluorenone, 4H-indeno (1,2,6) thiophen-4-one, 3,7-dinitro-dibenzothiophen-5-oxide, 1-bromopyrene, 2-phenylpyrene, carbazole, N-ethylcarbazole, 3- Phenylcarbazole, 3- (N-methyl-N-phenylhydrazone) methyl-9-ethylcarbazole, 2-phenylindole, 2-phenylnaphthalene, oxadiazole, 2,5-bis (4-diethylaminophenyl) -1, 3,4-oxadiazole, 1-phenyl-
3- (4-diethylaminostyryl) -5- (4-diethylaminostyryl) -5- (4-diethylaminophenyl) pyrazoline, 1-phenyl-3- (p-diethylaminophenyl) pyrazoline, p- (dimethylamino)
-Stilbene, 2- (4-dipropylaminophenyl)
-4- (4-Dimethylaminophenyl) -5- (2-chlorophenyl) -1,3-oxazole, 2- (4-dimethylaminophenyl) -4- (4-dimethylaminophenyl) -5- (2- Fluorophenyl) -1,3-oxazole, 2- (4-diethylaminophenyl) -4
-(4-Dimethylaminophenyl) -5- (2-fluorophenyl) -1,3-oxazole, 2- (4-dipropylaminophenyl) -4- (4-dimethylaminophenyl) -5- (2- Fluorophenyl) -1,3-oxazole, imidazole, chrysene, tetraphene,
There are acridene, triphenylamine, derivatives thereof and the like.

【0028】前記フタロシアニン又は該フタロシアニン
及び電荷を発生する有機顔料と電荷輸送性物質とを混合
して使用する場合は、後者/前者が重量比で10/1〜
2/1の割合で配合するのが好ましい。このとき、電荷
輸送性物質が高分子化合物のものであれば、結合剤を使
用しなくてもよいが、この場合でも又は電荷輸送性物質
が低分子化合物の場合でも、結合剤をこれらの化合物全
量に対して500重量%以下で使用するのが好ましい。
また、電荷輸送性物質として低分子化合物を使用する場
合は、結合剤を30重量%以上使用するのが好ましい。
また、電荷輸送性物質を用いない場合でも同様の量で結
合剤を使用してもよい。これらの結合剤を使用する場
合、さらに、可塑剤、流動性付与剤、ピンホール抑制剤
等の添加剤を必要に応じて添加することができる。
When the phthalocyanine or the phthalocyanine and the organic pigment that generates an electric charge and the charge-transporting substance are mixed and used, the latter / the former is in a weight ratio of 10/1 to
It is preferable to mix it in a ratio of 2/1. At this time, if the charge-transporting substance is a polymer compound, the binder may not be used, but even in this case or when the charge-transporting substance is a low-molecular compound, the binder may be a compound of these compounds. It is preferably used in an amount of 500% by weight or less based on the total amount.
When a low molecular weight compound is used as the charge transporting substance, it is preferable to use the binder in an amount of 30% by weight or more.
Further, the binder may be used in the same amount even when the charge transporting substance is not used. When using these binders, additives such as a plasticizer, a fluidity-imparting agent, and a pinhole suppressor can be added as required.

【0029】電荷発生層及び電荷輸送層からなる複合型
の光導電層を形成する場合、電荷発生層中には、前記し
たフタロシアニン又はこれと電荷を発生する有機顔料が
含有させられ、結合剤を該有機顔料に対して500重量
%以下の量で含有させてもよく、また、前記した添加剤
を該フタロシアニン又はこれと有機顔料の総量に対し
て、5重量%以下で添加してもよい。また、電荷輸送層
には、前記した電荷輸送性物質が含有させられ、結合剤
を該電荷輸送性物質に対して500重量%以下で含有さ
せてもよい。電荷輸送性物質が低分子量化合物の場合
は、結合剤を該化合物に対して50重量%以上含有させ
るのが好ましい。電荷輸送層には、前記した添加剤を電
荷輸送性物質に対して5重量%以下で含有させてもよ
い。
When a composite photoconductive layer comprising a charge generating layer and a charge transporting layer is formed, the charge generating layer contains the above-mentioned phthalocyanine or an organic pigment which generates a charge and a binder. The organic pigment may be contained in an amount of 500% by weight or less, and the above-mentioned additive may be added in an amount of 5% by weight or less based on the total amount of the phthalocyanine or the phthalocyanine and the organic pigment. The charge transport layer may contain the above-mentioned charge transport material, and the binder may be contained in an amount of 500% by weight or less based on the charge transport material. When the charge transporting substance is a low molecular weight compound, it is preferable that the binder is contained in an amount of 50% by weight or more based on the compound. The charge transport layer may contain the above-mentioned additive in an amount of 5% by weight or less based on the charge transport material.

【0030】前記した場合すべてに使用し得る結合剤と
しては、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタ
ン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリ
スチレン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、ポリメ
タクリル酸メチル樹脂、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢
酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポ
リビニルピラゾリン、ポリビニルピレン等が挙げられ
る。また、熱及び/又は光によって架橋される熱硬化型
樹脂及び光硬化型樹脂も使用できる。
Binders that can be used in all of the above cases include silicone resin, polyamide resin, polyurethane resin, polyester resin, epoxy resin, polyketone resin, polycarbonate resin, polyacrylic resin, polystyrene resin, styrene-butadiene copolymer. , Polymethylmethacrylate resin, polyvinyl chloride, ethylene-vinyl acetate copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer,
Examples thereof include polyacrylamide resin, polyvinyl carbazole, polyvinyl pyrazoline, polyvinyl pyrene and the like. Further, a thermosetting resin and a photocurable resin which are crosslinked by heat and / or light can also be used.

【0031】いずれにしても絶縁性で通常の状態で被膜
を形成しうる樹脂、並びに熱及び/又は光によつて硬化
し、被膜を形成する樹脂であれば特に制限はない。可塑
剤としては、ハロゲン化パラフィン、ジメチルナフタリ
ン、ジブチルフタレート等が挙げられる。流動性付与剤
としては、モダフロー(モンサントケミカル社製)、ア
クロナール4F(バスフ社製)等が挙げられ、ピンホー
ル抑制剤としては、ベンゾイン、ジメチルフタレート等
が挙げられる。これらは適宜選択して使用され、その量
も適宜決定されればよい。
In any case, there is no particular limitation as long as it is an insulating resin capable of forming a coating in a normal state and a resin which is cured by heat and / or light to form a coating. Examples of the plasticizer include halogenated paraffin, dimethyl naphthalene, dibutyl phthalate and the like. Examples of the fluidity-imparting agent include Modaflow (manufactured by Monsanto Chemical Co., Ltd.) and Acronal 4F (manufactured by Basuf Co.), and the pinhole inhibitor includes benzoin, dimethyl phthalate and the like. These may be appropriately selected and used, and the amount thereof may be appropriately determined.

【0032】本発明において導電層とは、導電処理した
紙又はプラスチツクフィルム、アルミニウムのような金
属箔を積層したプラスチツクフィルム、金属板等の導電
体である。
In the present invention, the conductive layer is a conductive material such as paper or plastic film that has been subjected to conductive treatment, a plastic film in which a metal foil such as aluminum is laminated, or a metal plate.

【0033】本発明の電子写真感光体は、導電層の上に
光導電層を形成したものである。光導電層の厚さは5〜
50μが好ましい。光導電層として電荷発生層及び電荷
輸送層の複合型を使用する場合、電荷発生層は好ましく
は0.001〜10μm、特に好ましくは0.2〜5μ
mの厚さにする。0.001μm未満では、電荷発生層
を均一に形成するのが困難になり、10μmを越える
と、電子写真特性が低下する傾向にある。電荷輸送層の
厚さは好ましくは5〜50μm、特に好ましくは8〜2
5μmである。5μm未満の厚さでは、初期電位が低く
なり、50μmを越えると、感度が低下する傾向があ
る。
The electrophotographic photoreceptor of the present invention comprises a photoconductive layer formed on a conductive layer. The thickness of the photoconductive layer is 5
50μ is preferable. When the composite type of the charge generation layer and the charge transport layer is used as the photoconductive layer, the charge generation layer is preferably 0.001 to 10 μm, particularly preferably 0.2 to 5 μm.
The thickness is m. If it is less than 0.001 μm, it is difficult to uniformly form the charge generation layer, and if it exceeds 10 μm, the electrophotographic properties tend to deteriorate. The thickness of the charge transport layer is preferably 5 to 50 μm, particularly preferably 8 to 2
It is 5 μm. If the thickness is less than 5 μm, the initial potential tends to be low, and if it exceeds 50 μm, the sensitivity tends to decrease.

【0034】導電層上に、光導電層を形成するには、有
機光導電性物質を導電層に蒸着する方法、有機光導電性
物質及び必要に応じその他の成分をトルエン、キシレン
等の芳香族系溶剤、塩化メチレン、四塩化炭素等のハロ
ゲン化炭化水素系溶剤、メタノール、エタノール、プロ
パノール等のアルコール系溶剤に均一に溶解又は分散さ
せて導電層上に塗布し、乾燥する方法などがある。塗布
法としては、スピンコート法、浸漬法等を採用できる。
電荷発生層及び電荷輸送層を形成する場合も同様に行う
ことができるが、この場合、電荷発生層と電荷輸送層
は、どちらを上層としてもよく、電荷発生層を二層の電
荷輸送層ではさむようにしてもよい。
To form a photoconductive layer on the conductive layer, an organic photoconductive substance is vapor-deposited on the conductive layer, an organic photoconductive substance and, if necessary, other components are aromatic such as toluene and xylene. There is a method of uniformly dissolving or dispersing in a system solvent, a halogenated hydrocarbon system solvent such as methylene chloride or carbon tetrachloride, or an alcohol system solvent such as methanol, ethanol or propanol, coating on the conductive layer, and drying. As a coating method, a spin coating method, a dipping method or the like can be adopted.
When the charge generation layer and the charge transport layer are formed in the same manner, either the charge generation layer or the charge transport layer may be the upper layer, and the charge generation layer may be a two-layer charge transport layer. It may be sandwiched.

【0035】本発明の塩素化インジウムフタロシアニン
化合物をスピンコート法により塗布する場合、塩素化イ
ンジウムフタロシアニン化合物をクロロホルム等又はト
ルエン等のハロゲン化溶剤又は非極性溶剤に溶かして得
た塗布液を用いて回転数3000〜7000rpmでス
ピンコーティングするのが好ましく、また、浸漬法によ
って塗布する場合には、塩素化インジウムフタロシアニ
ン化合物をメタノール、ジメチルホルムアミド、クロロ
ホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン等のハ
ロゲン溶剤にボールミル、超音波等を用いて分散させた
塗液に導電性基板を浸漬するのが好ましい。
When the chlorinated indium phthalocyanine compound of the present invention is applied by a spin coating method, the chlorinated indium phthalocyanine compound is dissolved in a halogenated solvent such as chloroform or toluene or a non-polar solvent to obtain a coating solution, which is rotated. Spin coating at several 3,000 to 7,000 rpm is preferable, and when applying by a dipping method, a chlorinated indium phthalocyanine compound is ball-milled in a halogen solvent such as methanol, dimethylformamide, chloroform, methylene chloride or 1,2-dichloroethane. It is preferable to immerse the conductive substrate in the coating liquid dispersed by using ultrasonic waves or the like.

【0036】保護層の形成は、光導電層の形成における
塗布、乾燥方法と同様にすればよい。本発明に係る電子
写真感光体は、更に、導電層のすぐ上に薄い接着層又は
バリア層を有していてもよく、表面に保護層を有してい
てもよい。
The protective layer may be formed in the same manner as the coating and drying methods in forming the photoconductive layer. The electrophotographic photosensitive member according to the present invention may further have a thin adhesive layer or a barrier layer immediately above the conductive layer, and may have a protective layer on the surface.

【0037】[0037]

【実施例】以下、製造例、実施例によって本発明を説明
する。まず、本発明の塩素化インジウムフタロシアニン
の製造例を示す。
EXAMPLES The present invention will be described below with reference to production examples and examples. First, a production example of the chlorinated indium phthalocyanine of the present invention will be shown.

【0038】製造例1 前記インオーガニック ケミストリーに記載された方法
に準じて合成したモノクロロインジウムフタロシアニン
1.0g(X線回折スペクトルを図1として示した)を
濃硫酸100mlを溶解しこれを氷水で冷却した純水1
lに滴下しモノクロロインジウムフタロシアニンを再沈
させた。ろ過後沈殿を純水およびメタノール/純水混合
液で充分に洗浄した後110℃で乾燥し、アモルファス
状態のモノクロロインジウムフタロシアニン粉末0.8
5gを得た(X線回折スペクトルを図2として示し
た)。次いでこの粉末をテトラリン100ml中に入
れ、150℃で5時間加熱撹拌した後直ちにろ過しメタ
ノールで洗浄し60℃で真空乾燥し本発明のモノクロロ
インジウムフタロシアニンの結晶0.59gを得た。こ
の結晶X線回折スペクトルを図3として示した。また、
この結晶とポリ(クロロトリフルオロエチレン)オイル
〔商品名フルオロルーベ、セントラル薬品社製〕から調
製された膜の電子スペクトルを図4として示した。
Production Example 1 1.0 g of monochloroindium phthalocyanine synthesized according to the method described in the above Inorganic Chemistry (X-ray diffraction spectrum is shown in FIG. 1) was dissolved in 100 ml of concentrated sulfuric acid and cooled with ice water. Pure water 1
It was added dropwise to 1 to re-precipitate monochloroindium phthalocyanine. After filtration, the precipitate was thoroughly washed with pure water and a mixed solution of methanol / pure water, dried at 110 ° C., and amorphous monochloroindium phthalocyanine powder 0.8.
5 g was obtained (X-ray diffraction spectrum is shown as FIG. 2). Then, this powder was put into 100 ml of tetralin, heated and stirred at 150 ° C. for 5 hours, immediately filtered, washed with methanol and vacuum dried at 60 ° C. to obtain 0.59 g of crystals of monochloroindium phthalocyanine of the present invention. The crystal X-ray diffraction spectrum is shown in FIG. Also,
An electronic spectrum of a film prepared from this crystal and poly (chlorotrifluoroethylene) oil [trade name: Fluorolove, manufactured by Central Chemical Co.] is shown in FIG.

【0039】製造例2 製造例1において、テトラリンの代わりにN−メチルピ
ロリドンを使用した以外は製造例1に準じて本発明のモ
ノクロロインジウムフタロシアニン結晶を製造した。こ
の結晶のX線回折スペクトルを図5として示した。ま
た、この結晶とポリ(クロロトリフルオロエチレン)オ
イル〔商品名フルオロルーベ、セントラル薬品社製〕か
ら調製された膜の電子スペクトルを図6として示した。
Production Example 2 A monochloroindium phthalocyanine crystal of the present invention was produced according to Production Example 1 except that N-methylpyrrolidone was used instead of tetralin. The X-ray diffraction spectrum of this crystal is shown in FIG. Further, the electron spectrum of a film prepared from this crystal and poly (chlorotrifluoroethylene) oil [trade name: Fluorolove, manufactured by Central Chemical Co.] is shown in FIG.

【0040】製造例3 製造例1において、テトラリンの代わりにトルエンを使
用し加熱温度を120℃にした以外は製造例1に準じて
本発明のモノクロロインジウムフタロシアニン結晶を製
造した。この結晶のX線回折スペクトルおよび電子スペ
クトルは図3および図4とそれぞれ同等であった。
Production Example 3 A monochloroindium phthalocyanine crystal of the present invention was produced according to Production Example 1 except that toluene was used in place of tetralin and the heating temperature was 120 ° C. The X-ray diffraction spectrum and electron spectrum of this crystal were equivalent to those in FIGS. 3 and 4, respectively.

【0041】製造例4 製造例1においてモノクロロインジウムフタロシアニン
の代わりに特開昭59−44054号公報に記載された
方法に準じて合成したモノクロロインジウムクロロフタ
ロシアニンを使用した以外は製造例1に準じて本発明の
モノクロロインジウムクロロフタロシアニンの結晶を製
造した。この結晶のX線回折スペクトルおよび電子スペ
クトルは図3および図4とそれぞれ同等であった。
Production Example 4 This example was prepared according to Production Example 1 except that monochloroindium chlorophthalocyanine synthesized according to the method described in JP-A-59-44054 was used instead of monochloroindium phthalocyanine in Production Example 1. Crystals of the inventive monochloroindium chlorophthalocyanine were prepared. The X-ray diffraction spectrum and electron spectrum of this crystal were equivalent to those in FIGS. 3 and 4, respectively.

【0042】実施例1 製造例1で製造したモノクロロインジウムフタロシアニ
ン化合物2.5gシリコン樹脂KR−255〔信越化学
工業社製 商品名〕(固形分50重量%)5.0gおよ
び1,2−ジクロロエタン92.5gを配合し、この混
合液をボールミル(日本化学陶業社製3寸ポットミル)
を用いて8時間混練した。得られた顔料分散液をアプリ
ケータによりアルミニウム板(導電性支持体100mm
×70mm×0.1mm)上に塗工し、90℃で15分
間乾燥して厚さ0.5μmの電荷発生層を形成した。
Example 1 2.5 g of monochloroindium phthalocyanine compound produced in Production Example 1 5.0 g of silicon resin KR-255 [trade name of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.] (solid content 50% by weight) and 1,2-dichloroethane 92 0.5g was blended, and this mixture was ball milled (Nippon Kagaku Sangyo Co., Ltd. 3 inch pot mill).
Was kneaded for 8 hours. The obtained pigment dispersion is applied to an aluminum plate (conductive support 100 mm by an applicator).
(× 70 mm × 0.1 mm), and dried at 90 ° C. for 15 minutes to form a charge generation layer having a thickness of 0.5 μm.

【0043】1−フェニル−3−(p−ジエチルアミノ
スチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラ
ゾリン5gおよびポリカーボネート樹脂ユーピロンS−
3000〔三菱瓦斯化学社製 商品名〕(固形分100
重量%) 10gを塩化メチレンと1,1,1−トリク
ロロエタンの1:1(重量比)混合溶剤85gに溶解し
て得られた塗布液を用いて、上記基板の電荷発生層上に
浸漬塗工し、120℃で30分間乾燥し、厚さ20μm
の電荷輸送層を形成した。
5 g of 1-phenyl-3- (p-diethylaminostyryl) -5- (p-diethylaminophenyl) pyrazoline and polycarbonate resin Iupilon S-
3000 [trade name of Mitsubishi Gas Chemical Company] (solid content 100
(Wt%) 10 g was dissolved in 85 g of a 1: 1 (weight ratio) mixed solvent of methylene chloride and 1,1,1-trichloroethane, and a dipping coating was performed on the charge generation layer of the above substrate using a coating solution obtained. And dried for 30 minutes at 120 ℃, thickness 20μm
Was formed on the charge transport layer.

【0044】静電気帯電試験装置(川口電機社製)を用
い、前記感光体を5KWのコロナ放電で負に帯電させ
た。その後、ハロゲンランプを外部光源とし、モノクロ
メーター(リツ−応用光学社製)で単色光にして照射す
ることにより、該感光体の表面電位の光減衰を測定し
た。
The photoreceptor was negatively charged by corona discharge of 5 KW using an electrostatic charging tester (manufactured by Kawaguchi Electric Co., Ltd.). After that, a halogen lamp was used as an external light source, and monochromatic light was irradiated with a monochromator (manufactured by Ritsu-Applied Optical Co., Ltd.) to irradiate the light, and the light attenuation of the surface potential of the photoconductor was measured.

【0045】その結果、近赤外域の800nmの単色光
を用いた場合、半減露光量(E1/2)(電位残留率が1
/2になる時間と光強度の積)は5.0mJ/m2であ
った。このときの感光体の帯電圧(初期の表面電位
0)は−980V、暗減衰(VD)は7.3V/se
c、露光20秒後の表面電位(残留電位VR)は−5V
であった。
As a result, when monochromatic light of 800 nm in the near infrared region is used, the half-exposure amount (E 1/2 ) (the potential residual ratio is 1
The product of the time for becoming 1/2 and the light intensity) was 5.0 mJ / m 2 . At this time, the charged voltage (initial surface potential V 0 ) of the photoconductor is −980 V, and the dark decay (V D ) is 7.3 V / se.
c, the surface potential after exposure 20 seconds (residual potential V R) is -5V
Met.

【0046】実施例2〜4 製造例2乃至4で製造したモノクロロインジウムフタロ
シアニン化合物を用いてそれぞれ実施例1と同様の方法
で電荷発生層を形成した。この電荷発生層上に実施例1
と同様の方法で厚さ20μmの電荷輸送層を形成した。
こうして得られた感光体について、実施例1と同様にし
て、近赤外域の800nmの単色光を用いて測定した電
子写真特性の結果を表1として示した。
Examples 2 to 4 A charge generation layer was formed in the same manner as in Example 1 using the monochloroindium phthalocyanine compounds produced in Production Examples 2 to 4, respectively. Example 1 is formed on this charge generation layer.
A charge transport layer having a thickness of 20 μm was formed in the same manner as in.
Table 1 shows the results of electrophotographic characteristics of the thus obtained photoconductor, which were measured in the same manner as in Example 1 by using monochromatic light of 800 nm in the near infrared region.

【0047】[0047]

【表1】 [Table 1]

【0048】実施例5〜8 実施例1乃至4に用いたモノクロロインジウムフタロシ
アニン化合物を用いてそれぞれ実施例1と同様の方法で
電荷発生層を形成した。次にp−ジエチルアミノベンズ
アルデヒド−ジフェニルヒドラゾン5gおよびポリカー
ボネート樹脂ユーピロンS−3000 10gを塩化メ
チレンと1,1,2−トリクロロエタンの1:1(重量
比)混合溶剤85gに溶解して得られた塗布液を用い
て、上記基板の電荷発生層上に浸漬塗工し、120℃で
30分間乾燥し、厚さ20μmの電荷輸送層を形成し
た。こうして得られた感光体について、実施例1と同様
にして、近赤外域の800nmの単色光を用いて測定し
た電子写真特性の結果を表2として示した。
Examples 5 to 8 Using the monochloroindium phthalocyanine compound used in Examples 1 to 4, a charge generation layer was formed in the same manner as in Example 1. Next, 5 g of p-diethylaminobenzaldehyde-diphenylhydrazone and 10 g of polycarbonate resin Iupilon S-3000 were dissolved in 85 g of a mixed solvent of 1: 1 (weight ratio) of methylene chloride and 1,1,2-trichloroethane to obtain a coating solution. By using the above, dip coating was performed on the charge generation layer of the substrate and dried at 120 ° C. for 30 minutes to form a charge transport layer having a thickness of 20 μm. Table 2 shows the results of electrophotographic characteristics of the photoreceptor thus obtained, which were measured by using monochromatic light of 800 nm in the near infrared region in the same manner as in Example 1.

【0049】[0049]

【表2】 [Table 2]

【0050】比較例1 インオーガニック ケミストリーに記載された方法に準
じて合成したモノクロロインジウムフタロシアニン(X
線回折スペクトルが図1のもの)を2×10-5mmHg
の真空下で、アルミ蒸着基板上に真空蒸着して電荷発生
層を形成した。この電荷発生層上に実施例1と同様の方
法で厚さ20μmの電荷輸送層を形成した。こうして得
られた感光体について、実施例1と同様にして近赤外域
の800nmの単色光を用いて電子写真特性を測定した
ところ、初期帯電V0は−900V、暗減衰VDは27V
/sec、感度E1/2は31mJ/m2、残留電位−10
Vであった。
Comparative Example 1 Monochloroindium phthalocyanine (X was synthesized according to the method described in Inorganic Chemistry.
2 x 10 -5 mmHg (line diffraction spectrum of Fig. 1)
Under vacuum, a charge generation layer was formed by vacuum vapor deposition on an aluminum vapor deposition substrate. A charge transport layer having a thickness of 20 μm was formed on this charge generation layer by the same method as in Example 1. Electrophotographic characteristics of the thus-obtained photoreceptor were measured by using monochromatic light of 800 nm in the near infrared region in the same manner as in Example 1. Initial charging V 0 was −900 V and dark decay V D was 27 V.
/ Sec, sensitivity E 1/2 is 31 mJ / m 2 , residual potential -10
It was V.

【0051】比較例2 比較例1に用いたモノクロロインジウムフタロシアニン
化合物の代わりに特開昭59−44054号公報に記載
された方法に準じて合成したモノクロロインジウムクロ
ロフタロシアニン化合物を用いて比較例1と同様の方法
で電荷発生層を形成した。この電荷発生層上に実施例5
と同様の方法で厚さ20μmの電荷輸送層を形成した。
こうして得られた感光体について、実施例1と同様にし
て近赤外域の800nmの単色光を用いて電子写真特性
を測定したところ、初期帯電V0は−800V、暗減衰
Dは30V/sec、感度E1/2は35mJ/m2、残
留電位は−15Vであった。
Comparative Example 2 The same as Comparative Example 1 except that the monochloroindium chlorophthalocyanine compound synthesized according to the method described in JP-A-59-44054 was used in place of the monochloroindium phthalocyanine compound used in Comparative Example 1. The charge generation layer was formed by the above method. Example 5 is formed on this charge generation layer.
A charge transport layer having a thickness of 20 μm was formed in the same manner as in.
Electrophotographic characteristics of the thus obtained photoconductor were measured by using monochromatic light of 800 nm in the near infrared region in the same manner as in Example 1. Initial charging V 0 was −800 V and dark decay V D was 30 V / sec. , The sensitivity E 1/2 was 35 mJ / m 2 , and the residual potential was −15 V.

【0052】[0052]

【発明の効果】本発明の製造法によって得られる新規な
塩素化インジウムフタロシアニンを用いた電子写真感光
体は、半導体レーザ発振領域である800nm前後の長
波長域に対して高い感度を示す特性を有し、特にレーザ
ビームプリンタに用いた場合、優れた効果を発揮する。
また、本発明の電子写真感光体は、上述のレーザビーム
プリンタのみでなく、LEDを光源としたプリンタ、更
には半導体レーザを光源としてその他の光記録デバイス
にも好適に応用することができる。
The electrophotographic photosensitive member using the novel chlorinated indium phthalocyanine obtained by the production method of the present invention has a characteristic of showing high sensitivity in a long wavelength region around 800 nm which is a semiconductor laser oscillation region. However, particularly when used in a laser beam printer, excellent effects are exhibited.
Further, the electrophotographic photosensitive member of the present invention can be suitably applied not only to the above-described laser beam printer but also to a printer using an LED as a light source, and further to other optical recording devices using a semiconductor laser as a light source.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】モノクロロインジウムフタロシアニンのX線回
折スペクトル。
FIG. 1 is an X-ray diffraction spectrum of monochloroindium phthalocyanine.

【図2】濃硫酸で処理したモノクロロインジウムフタロ
シアニンのX線回折スペクトル。
FIG. 2 is an X-ray diffraction spectrum of monochloroindium phthalocyanine treated with concentrated sulfuric acid.

【図3】テトラリンで処理したモノクロロインジウムフ
タロシアニンのX線回折スペクトル。
FIG. 3 is an X-ray diffraction spectrum of monochloroindium phthalocyanine treated with tetralin.

【図4】テトラリンで処理したモノクロロインジウムフ
タロシアニンの電子スペクトル。
FIG. 4 Electronic spectrum of monochloroindium phthalocyanine treated with tetralin.

【図5】N−メチルピロリドンで処理したモノクロロイ
ンジウムフタロシアニンのX線回折スペクトル。
FIG. 5: X-ray diffraction spectrum of monochloroindium phthalocyanine treated with N-methylpyrrolidone.

【図6】N−メチルピロリドンで処理したモノクロロイ
ンジウムフタロシアニンの電子スペクトル。
FIG. 6 Electronic spectrum of monochloroindium phthalocyanine treated with N-methylpyrrolidone.

フロントページの続き (72)発明者 板垣 幹雄 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内Front Page Continuation (72) Inventor Mikio Itagaki 4-13-1, Higashimachi, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi Chemical Co., Ltd. Ibaraki Research Center

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 CuKαのX線回折スペクトルにおいて
ブラッグ角(2θ±0.2度)が7.0度、9.0度、
14.1度、15.4度、18.0度、19.4度、2
3.8度、26.1度、27.9度および30.2度に
回折ピークを有する塩素化インジウムフタロシアニン。
1. An X-ray diffraction spectrum of CuKα having a Bragg angle (2θ ± 0.2 degrees) of 7.0 degrees, 9.0 degrees,
14.1 degrees, 15.4 degrees, 18.0 degrees, 19.4 degrees, 2
Chlorinated indium phthalocyanine having diffraction peaks at 3.8 degrees, 26.1 degrees, 27.9 degrees and 30.2 degrees.
【請求項2】 アモルファス状態の塩素化インジウムフ
タロシアニンを、芳香族系溶媒および/または含チッ素
溶媒で処理することを特徴とするCuKαのX線回折ス
ペクトルにおいてブラッグ角(2θ±0.2度)が7.
0度、9.0度、14.1度、15.4度、18.0
度、19.4度、23.8度、26.1度、27.9度
および30.2度に回折ピークを有する塩素化インジウ
ムフタロシアニンの製造法。
2. A Bragg angle (2θ ± 0.2 degrees) in an X-ray diffraction spectrum of CuKα, which is characterized by treating chlorinated indium phthalocyanine in an amorphous state with an aromatic solvent and / or a nitrogen-containing solvent. Is 7.
0 degree, 9.0 degree, 14.1 degree, 15.4 degree, 18.0
A process for producing chlorinated indium phthalocyanine having diffraction peaks at 19.4 degrees, 19.4 degrees, 23.8 degrees, 26.1 degrees, 27.9 degrees and 30.2 degrees.
【請求項3】 導電性支持体上に有機光導電性物質を含
有する光導電層を有する電子写真感光体において、前記
有機光導電性物質がCuKαのX線回折スペクトルにお
いてブラッグ角(2θ±0.2度)が7.0度、9.0
度、14.1度、15.4度、18.0度、19.4
度、23.8度、26.1度、27.9度および30.
2度に回折ピークを有する塩素化インジウムフタロシア
ニンである電子写真感光体。
3. An electrophotographic photosensitive member having a photoconductive layer containing an organic photoconductive substance on a conductive support, wherein the organic photoconductive substance has a Bragg angle (2θ ± 0) in an X-ray diffraction spectrum of CuKα. .2 degrees) is 7.0 degrees and 9.0 degrees
Degrees, 14.1 degrees, 15.4 degrees, 18.0 degrees, 19.4 degrees
Degrees, 23.8 degrees, 26.1 degrees, 27.9 degrees and 30.degree.
An electrophotographic photoreceptor which is a chlorinated indium phthalocyanine having a diffraction peak at 2 degrees.
【請求項4】 塩素化インジウムフタロシアニンがモノ
クロロインジウムフタロシアニン又はモノクロロインジ
ウムクロロフタロシアニンである請求項3記載の電子写
真感光体。
4. The electrophotographic photosensitive member according to claim 3, wherein the chlorinated indium phthalocyanine is monochloroindium phthalocyanine or monochloroindium chlorophthalocyanine.
JP23194891A 1991-09-11 1991-09-11 Chlorinated indium phthalocyanine, its production, and electrophotographic photoreceptor containing the same Pending JPH0570709A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23194891A JPH0570709A (en) 1991-09-11 1991-09-11 Chlorinated indium phthalocyanine, its production, and electrophotographic photoreceptor containing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23194891A JPH0570709A (en) 1991-09-11 1991-09-11 Chlorinated indium phthalocyanine, its production, and electrophotographic photoreceptor containing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0570709A true JPH0570709A (en) 1993-03-23

Family

ID=16931578

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23194891A Pending JPH0570709A (en) 1991-09-11 1991-09-11 Chlorinated indium phthalocyanine, its production, and electrophotographic photoreceptor containing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0570709A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0742269A1 (en) * 1995-05-11 1996-11-13 Xerox Corporation Halogenindium phthalocyanine crystals
JP2005240032A (en) * 2004-01-29 2005-09-08 Mitsubishi Chemicals Corp Fluorine-substituted indium phthalocyanine, and electrophotographic photosensitive member, electrophotographic photosensitive member cartridge, and image forming apparatus using the same
US8931321B2 (en) 2009-03-30 2015-01-13 Jfe Steel Corporation Hot rolled steel sheet cooling apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0742269A1 (en) * 1995-05-11 1996-11-13 Xerox Corporation Halogenindium phthalocyanine crystals
JP2005240032A (en) * 2004-01-29 2005-09-08 Mitsubishi Chemicals Corp Fluorine-substituted indium phthalocyanine, and electrophotographic photosensitive member, electrophotographic photosensitive member cartridge, and image forming apparatus using the same
US8931321B2 (en) 2009-03-30 2015-01-13 Jfe Steel Corporation Hot rolled steel sheet cooling apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0228265A (en) Phthalocyanine crystal, its production and photosensitive material for electrophotography reduced by using the same crystal
US5304445A (en) Phthalocyanine composition, process for preparing the same and electrophotographic photoreceptor using the same
JPH0560863B2 (en)
JP3343275B2 (en) Phthalocyanine composition, method for producing the same, electrophotographic photoreceptor using the same, and coating liquid for charge generation layer
JPH09157540A (en) Phthalocyanine composition, its production, and electrophotographic photoreceptor and coating fluid for charge generation layer each using the same
JP3343268B2 (en) Phthalocyanine composition, process for producing the same, electrophotographic photoreceptor using the same, and coating solution for charge generation layer
JPH0570709A (en) Chlorinated indium phthalocyanine, its production, and electrophotographic photoreceptor containing the same
JP3219492B2 (en) Electrophotographic photoreceptor
JPH0598179A (en) Brominated indium phthalocyanine, its production and electrophotographic photoreceptor using the same
JP3232738B2 (en) Phthalocyanine composition, method for producing the same, electrophotographic photoreceptor using the same, and coating solution for charge generation layer
JP2867045B2 (en) Electrophotographic photoreceptor
JP3343277B2 (en) Method for producing phthalocyanine composition intermediate
JPH0570710A (en) Chlorinated indium phthalocyanine, its production, and electrophotographic photoreceptor containing the same
JP2944717B2 (en) Dichlorotin phthalocyanine and electrophotographic photoreceptor using the same
JPH0598180A (en) Brominated indium phthalocyanine, its production and electrophotographic photoreceptor using the same
JP3284637B2 (en) Method for producing phthalocyanine composition and electrophotographic photoreceptor using the same
JPH07104490A (en) Coating liquid for photosensitive layer and coating liquid for charge transport layer and electrophotographic photoreceptor using the liquid
JPH0841373A (en) Phthalocyanine composition, its production, and electrophotographic photoreceptor using the same
JP2001154387A (en) Electrophotographic photoreceptor
JPH08176455A (en) Production of phthalocyanine composition, electrophotographic photoreceptor containing the same, and coating fluid used for charge generating layer and containing the same
JP2693955B2 (en) Titanium phthalocyanine compound, method for producing the same, and electrophotographic photoreceptor using the same
JP2001033999A (en) Electrophotographic photoreceptor
JPH10142818A (en) Electrophotographic photoreceptor
JPH07191475A (en) Electrophotographic photoreceptor and coating liquid for photoconductive layer
JPH075703A (en) Electrophotographic sensitive body