JPH0570932A

JPH0570932A - 蒸着装置

Info

Publication number: JPH0570932A
Application number: JP25868491A
Authority: JP
Inventors: Kuniaki Nakano; 中野　　邦昭; Katsuichi Kawabata; 勝一川端
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1991-09-11
Filing date: 1991-09-11
Publication date: 1993-03-23
Anticipated expiration: 2016-12-25
Also published as: JP3242427B2

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、蒸着効率が高く、また大面積の基
板上へも均一な膜厚分布で効率的に蒸着することがで
き、さらに堆積物の除去、回収作業が容易となる蒸着装
置を提供することにある。【構成】蒸発源に対向する蒸着位置に基板を位置させ
て、この基板上に蒸発源物質を蒸着する蒸着装置におい
て、前記蒸発源から前記基板が位置される蒸着位置に至
る空間を取り囲むよう防着板を配置し、この防着板に加
熱手段を設けたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、蒸発源から基板が位置
される蒸着位置に至る空間を取り囲むよう防着板を配置
し、この防着板に加熱手段を設けた点に特徴を有する蒸
着装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】蒸着装置は、一般に、蒸発源を加熱して
蒸気流を形成し、この蒸気流を基板面に当てて当該基板
上に蒸発源物質を堆積させて蒸着膜を形成する装置であ
る。蒸着装置による蒸着膜の形成において、生産コスト
の観点からみると蒸着効率（基板上への堆積量／蒸発
量）は重要な問題である。一方、蒸着膜の特性からみる
と、膜厚の均一性も重要である。一般に、蒸着効率は、
基板−蒸発源の距離、所望とする膜厚分布の許容範囲に
よって決定され、基板−蒸発源距離は短いほど蒸着効率
は向上するが、その反面蒸発源からの微粒子の飛散など
により均一な構造を有する蒸着膜を得ることが困難とな
る。また、蒸着膜の膜厚は蒸着膜の特性を左右するの
で、できるだけ均一な厚さの膜厚が好ましいが、均一な
膜厚を得ようとすれば蒸着効率は低下してしまう。特
に、年々大面積の基板上に均一な膜厚の蒸着膜を形成す
る放射線画像変換パネル、ＥＬパネル、ＬＣＤパネルな
どにおいては、膜厚の均一化と、蒸着効率の向上の２点
の両立は困難であり、従来の蒸着装置においては、膜厚
の均一化と蒸着効率の向上の両立は大きな課題であっ
た。

【０００３】かかる事情から、従来においては、蒸着膜
の膜厚の均一化を図るようにした以下の蒸着装置が知ら
れている。蒸発源から基板に至る空間を遮断するようにスリッ
トを有する防着板を固定配置し、このスリットの直上を
基板を往復移動させながら、スリットを通過した蒸気流
によって均一な膜厚の蒸着膜を形成するようにした蒸着
装置（特開昭６３−８９６６０号公報，特開平２−９７
６６５号公報参照）。蒸発源から基板に至る空間を遮断するように遮蔽板
を配置し、この遮蔽板を往復移動させながら、その上部
に固定配置した基板上に均一な膜厚の蒸着膜を形成する
ようにした蒸着装置（特公昭６０−１４８３２号公
報）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記または
の蒸着装置では、以下の問題がある。（１）防着板または遮蔽板によって蒸気流の一部のみを
利用して蒸着膜を形成するようにしているため、蒸着効
率が低い。（２）大量の蒸発源を蒸発させて蒸着を行う場合には、
防着板または遮蔽板に付着した堆積物の除去、回収作業
に要する時間が相当に長くなる。従来の蒸着装置におい
ては、膜厚分布の均一化には注意が払われているもの
の、蒸着効率の積極的な改善はなされていない。そこ
で、本発明の目的は、蒸着効率を向上させた蒸着装置を
提供することにある。さらに本発明の目的は、大面積の
基板上への蒸着において、膜厚分布を均一に保ちつつ蒸
着効率を向上させる蒸着装置を提供することにある。さ
らに本発明の目的は、堆積物の除去、回収作業が容易と
なるような蒸着装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の蒸着装置は、蒸発源に対向する蒸着位置に
基板を位置させて、この基板上に蒸発源物質を蒸着する
蒸着装置において、前記蒸発源から前記基板が位置され
る蒸着位置に至る空間を取り囲むよう防着板を配置し、
この防着板に加熱手段を設けたことを特徴とする。

【０００６】

【作用】防着板を蒸発源から基板が位置される蒸着位置
に至る空間を取り囲むように配置したので、防着板によ
り蒸気流が規制されて装置内壁等への蒸発源物質の付着
堆積が少なくなる。防着板に加熱手段を設けたので、防
着板に付着した蒸発源物質が再蒸発して基板上に付着す
るようになり、蒸着効率が向上する。防着板に付着した
蒸発源物質が再蒸発して利用されることから、装置のメ
ンテナンスの際の堆積物の除去、回収作業を短時間で行
うことができ、装置の稼働率が向上する。また、基板を
固定させた状態でも膜厚分布の均一化が可能となり、大
面積の基板において複雑な搬送機構などが不要となるた
めに、装置の低コスト化、蒸着作業の簡便化が図られ
る。

【０００７】

【実施例】以下、本発明の実施例を具体的に説明する。〔実施例１〕図１は、本実施例に係る蒸着装置の概略図
である。本実施例の装置は、基板および蒸発源を固定し
て蒸着を行うものである。図１において、１はベルジャ
ー、２はピアス式電子銃、３は電子ビーム、４は蒸発
源、５はルツボ、６は水冷用パイプ、７は膜厚モニタ、
８は防着板、９は基板、１０はメインバルブ、１１は補
助バルブ、１２はリークバルブ、１３は加熱手段であ
る。メインバルブ１０、補助バルブ１１は、排気装置
(図示省略) と連動して、ベルジャー１内を所定の真空
度にするために使用されるものである。

【０００８】ベルジャー１内の例えば下部に蒸発源４が
固定配置され、この蒸発源４の例えば上方の蒸着位置に
基板９が固定して配置されている。蒸発源４から基板９
が位置される蒸着位置に至る空間Ｓを取り囲むよう防着
板８が配置されている。この防着板８は、図２に示すよ
うに四角筒状の形態であってもよいし、図３に示すよう
に円筒状の形態であってもよい。また、防着板８は一体
的である必要はなく、分割された複数の部材により構成
されていてもよい。

【０００９】この防着板８には、加熱手段１３が設けら
れている。加熱手段１３としては、例えば抵抗発熱体
と、加熱用電源とにより構成することができる。例え
ば、図４に示すように、防着板８自体を、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ等の抵抗発熱体により構成して、これに加熱用電源１
４を接続してもよいし、図５または図６に示すように、
防着板８の例えば裏面側にＴａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｎｔ
−Ｃｒ等の抵抗発熱体１５を設置して、これに加熱用電
源１４を接続してもよい。１７は防着板８に堆積した蒸
発源物質である。蒸着期間中は、加熱手段１３により防
着板８を常時加熱しておいて、これに付着した蒸発源物
質を常時蒸発させるようにしてもよいし、基板９上の蒸
着膜の膜厚が所定値に到達した時から防着板８の加熱を
開始して、これに付着した蒸発源物質を蒸発させるよう
にしてもよい。防着板８の加熱温度は、蒸発源物質の蒸
気圧あるいは融点、および防着板８の材質により適宜設
定される。一般的には、３００〜２０００℃の範囲から
選択され、より好ましくは４００〜１０００℃の範囲で
ある。

【００１０】図７は、蒸着過程を示す説明図であり、蒸
発源４からの蒸気流は、基板９およびその周辺の防着板
８に向かい、基板９および防着板８に蒸発源物質が徐々
に堆積していくが、防着板８に付着した蒸発源物質１７
は、加熱手段１３により加熱されることにより再度蒸発
して、その蒸気流が基板９にも向かうようになる。従っ
て、基板９の主として中央部は蒸発源４からの蒸気流に
より、基板９の周辺はさらに防着板８からの蒸気流によ
っても蒸着膜１６が形成されていくことになる。

【００１１】従来のように、防着板８からの蒸気流がな
い状態では、蒸発源４のみにより蒸着膜が形成されるた
め、図２および図７の点線で示したように基板９の中央
部に比して周辺部の膜厚が薄くなる傾向にあるが、本実
施例の装置では、防着板８からの蒸気流が基板９の周辺
部の蒸着膜の形成に寄与するので、基板９上の蒸着膜１
６の膜厚が均一化されるようになる。また、蒸発源４か
らの蒸気流のうち防着板８に付着したものは、加熱手段
１３により加熱されて再蒸発することにより基板９上の
蒸着膜１６の形成に利用されることになるので、蒸着効
率が向上する。また、装置の内壁等への蒸発源物質の付
着量も少なくなるため、メンテナンスの際、蒸発源物質
の除去、回収作業が容易となり、装置の稼働率も高くす
ることができる。この効果は、特に、高価な輝尽性蛍光
体を蒸発源として用いる場合に著しく大きなものとな
る。

【００１２】輝尽性蛍光体の蒸着膜を形成する場合に
は、図７において、蒸発源４から基板９面までの距離Ｈ
は、通常、３００〜６００ｍｍ、基板９の端部から防着
板８面に至る垂直距離Ｔ１は、通常、０〜３００ｍｍ、
防着板８の上端から基板９の下面に至る垂直距離Ｔ２
は、通常、０〜１００ｍｍ、防着板８の長さＬは、通
常、５０〜６００ｍｍである。これらの距離Ｔ１，Ｔ２
および長さＬを適宜調整することにより、蒸着膜の膜厚
を相当に大きな自由度でコントロールすることができ
る。

【００１３】〔実施例２〕図８は、本実施例に係る蒸着
装置の要部を示す説明図である。この例では、防着板８
を分割された複数の部材８Ａ（例えば４枚）により構成
し、各部材８Ａをそれぞれ回転できるように配置して、
蒸着開始時は各部材８Ａを図８の点線で示すように斜め
に傾斜した姿勢とし、基板９上の蒸着膜が所定膜厚に達
した時に、各部材８Ａを起立させて図８の実線で示す姿
勢とし、加熱手段１３により各部材８Ａの堆積物を加熱
して蒸発させるように構成している。このような構成に
よれば、斜めに傾斜した状態では各部材８Ａの基板９に
近い部分ほど堆積物の膜厚が厚くなるので、各部材８Ａ
を起立させて加熱して再蒸発させると、再蒸発物が基板
９の周辺部に効率よく付着するようになり、さらに膜厚
の均一な蒸着膜が得られる。

【００１４】〔実施例３〕図９は、本実施例に係る蒸着
装置の要部を示す説明図である。この例では、防着板８
の一端８Ｂが蒸発源４に接近して位置され、他端８Ｃが
基板９の端部に接近して位置されている。このような構
成の防着板８によれば、さらに十分な防着効果が得られ
る。以上の実施例１〜３においては、蒸着効率の向上が
図られるとともに、基板を固定した状態でも膜厚分布の
均一化が可能となる。従って、基板搬送などに係わる複
雑な機構が不必要となり、装置の低コスト化、蒸着作業
の簡便化が達成される。

【００１５】〔実施例４〕図１０は、本実施例に係る蒸
着装置の要部を示す説明図である。この例では、蒸発源
４を下部に固定配置し、この蒸発源４に対向する上方の
蒸着位置において基板９を水平方向に往復移動させなが
ら蒸着を行うように構成したものである。１８，１９は
搬送ロール、２０は搬送ベルトである。基板９は搬送ベ
ルト２０に固定され、この搬送ベルト２０が搬送ロール
１８，１９によって矢印方向に往復移動されることによ
って基板９の各部分が順次蒸着位置を通過するように構
成されている。加熱手段１３が設けられた防着板８は、
蒸発源４から基板９が位置される蒸着位置に至る空間Ｓ
を取り囲むよう固定配置され、この防着板８の上方に
は、スリット２１を備えた遮蔽板２２が固定配置されて
いる。基板９がスリット２１の直上において往復移動さ
れることにより、当該スリット２１を通過した蒸気流が
基板９上に付着して蒸着膜が形成される。防着板８の外
側には、チャンバ内の不必要な加熱を防ぐために、水冷
パイプ２３を備えた水冷バッフル板２４が防着板８を取
り囲むように配置されている。このように基板９を往復
移動させる構成とする場合においても、蒸着効率の向上
を図ることができる。

【００１６】〔実施例５〕図１１は、本実施例に係る蒸
着装置の要部を示す説明図である。この例では、蒸発源
４を下部に固定配置し、この蒸発源４に対向する上方の
蒸着位置において、多数の円形状の基板９を保持した球
面状の基台２５を配置し、この基台２５をその中心の周
りに回転させながら蒸着を行うように構成したものであ
る。加熱手段１３が設けられた防着板８は、蒸発源４か
ら基板９が位置される蒸着位置に至る空間Ｓを取り囲む
よう固定配置されている。防着板８の外側には、図１０
と同様に水冷パイプ２３を備えた水冷バッフル板２４が
防着板８を取り囲むように配置されている。このように
多数の基板９が保持された基台２５を蒸着位置において
回転させる構成とする場合においても、蒸着効率の向上
を図ることができる。

【００１７】〔各実施例に共通事項〕蒸発源４として
は、蒸着材料として従来から用いられているものを用い
ることができ、その種類は特に限定されない。例えば、
Ｘ線デバイス、特に放射線画像変換パネルの記録層を形
成する場合には、輝尽性蛍光体が好ましく用いられ、特
に、昇華性のものが好ましく用いられる。蒸発源４とし
て、輝尽性蛍光体を用いる場合は、輝尽性蛍光体を均一
に溶解させるか、プレスまたはホットプレスにより成形
された形態でルツボ５に仕込むことが好ましい。また、
この際、脱ガス処理を行うことが好ましい。なお、輝尽
性蛍光体の蒸着膜を形成するための蒸発源４としては、
輝尽性蛍光体そのものである必要はなく、輝尽性蛍光体
を構成する原料を混和したものであってもよい。

【００１８】蒸着時においては、基板９は、加熱ヒータ
（図示省略）によって加熱してもよい。蒸着を開始する
前においては、メインバルブ１０等を操作してベルジャ
ー１内の気体を排除し、１０^-4〜１０^-6Ｔｏｒｒ程度の
真空度に維持するのがよい。なお、この際、アルゴン等
の不活性ガスをベルジャー１内に混入してもよい。

【００１９】また、互いに異なる蒸発源４を仕込んだル
ツボ５の複数個をベルジャー１内に設置し、これらの蒸
発源４を順次蒸発させて蒸着を行い、基板９上に複数種
の輝尽性蛍光体からなる堆積層を形成してもよい。

【００２０】蒸着時においては、必要に応じて基板９を
冷却してもよい。蒸着終了後は、必要に応じて蒸着膜を
加熱処理（アニリーング）してもよい。また蒸着時に
は、ベルジャー１内に必要に応じてＯ₂、Ｈ₂等のガス
を導入して反応性蒸着を行ってもよい。また蒸発源４の
加熱手段としては、電子ビームのほかに、抵抗加熱手段
を採用してもよい。

【００２１】例えば放射線画像変換パネルの記録層を輝
尽性蛍光体により形成する場合において、その膜厚は、
放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異
なるが、放射線の吸収率を高めて放射線感度を向上さ
せ、また画像の粒状性を良好にし、さらに輝尽性蛍光体
層中での横方向への光の広がりを防止して画像の鮮鋭性
を良好にする観点から、２００μｍ以上であることが好
ましい。放射線画像変換パネルに使用される輝尽性蛍光
体層の堆積速度は、輝尽性蛍光体の種類等によって異な
るが、０．０１〜１０００μｍ／分が好ましく、特に
０．１〜１００μｍ／分が好ましい。堆積速度が０．０
１μｍ／分未満の場合は輝尽性蛍光体層の形成効率が悪
く、逆に堆積速度が１０００μｍ／分を超える場合は堆
積速度のコントロールが困難となり好ましくない。

【００２２】放射線画像変換パネルに使用される輝尽性
蛍光体は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射
された後に、光的、熱的、機械的、化学的または電気的
等の刺激（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネ
ルギー放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体
であるが、実用的な面からは５００ｎｍ以上の輝尽励起
光によって輝尽発光を示す蛍光体が好ましい。

【００２３】このような輝尽性蛍光体としては、例えば
特開昭４８−８０４８７号公報に記載されているＢａＳ
Ｏ₄：ＡＸ、特開昭４８−８０４８９号公報に記載されているＳｒＳ
Ｏ₄：ＡＸ、特開昭５３−３９２７７号公報に記載されているＬｉ₂
Ｂ₄Ｏ₇：Ｃｕ，Ａｇ等、特開昭５４−４７８８３号公報に記載されているＬｉ₂
Ｏ・（Ｂ₂Ｏ₂）_x：ＣｕおよびＬｉ₂Ｏ・（Ｂ
₂Ｏ₂）_x：Ｃｕ，Ａｇ等、米国特許第３，８５９，５２７号明細書に記載されてい
るＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｌａ₂Ｏ
₂Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍおよび（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎで表さ
れる蛍光体、特開昭５５−１２１４２号公報に記載されているＺｎ
Ｓ：Ｃｕ，Ｐｂ蛍光体、一般式ＢａＯ・ｘＡｌ₂Ｏ₃：Ｅｕで表されるアルミン
酸バリウム蛍光体、一般式Ｍ^IIＯ・ｘＳｉＯ₂：Ａで表
されるアルカリ土類金属ケイ酸塩系蛍光体、特開昭５５−１２１４３号公報に記載されている一般式
（Ｂａ_1-x-yＭｇ_xＣａ_y）ＦＸ：ｅＥｕ²⁺で表される
アルカリ土類フッ化ハロゲン化物蛍光体、特開昭５５−１２１４４号公報に記載されている一般式
ＬｎＯＸ：ｘＡで表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号公報に記載されている一般式
（Ｂａ_1-xＭ_x）ＦＸ：ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−８４３８９号公報に記載されている一般式
ＢａＦＸ：ｘＣｅ，ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号公報に記載されている一般
式Ｍ^IIＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎで表される希土類元素付活２
価金属フルオロハライド蛍光体、一般式ＺｎＳ：Ａ、Ｃ
ｄＳ：Ａ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ、Ｓ：Ａ，ＺｎＳ：
Ａ，ＸおよびＣｄＳ：Ａ，Ｘで表される蛍光体、特開昭５９−３８２７８号公報に記載されている一般式
ｘＭ₃（ＰＯ₄）₂・ＮＸ₂：ｙＡおよびＭ₃（Ｐ
Ｏ₄）₂：ｙＡで表される蛍光体、一般式ｎＲｅＸ₃・
ｍＡＸ' ₂ ：ｘＥｕおよびｎＲｅＸ₃・ｍＡＸ' ₂ ：ｘ
Ｅｕ，ｙＳｍで表される蛍光体、および一般式Ｍ^IＸ・
ａＭ^IIＸ' ₂ ・ｂＭ^IIIＸ" ₃ ：ｃＡで表されるアルカ
リハライド蛍光体等が挙げられる。

【００２４】特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸着法
により輝尽性蛍光体層を容易に形成することができるの
で好ましい。

【００２５】放射線画像変換パネルに使用される輝尽性
蛍光体としては、以上の蛍光体に限定されるものではな
く、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場合に
輝尽発光を示す蛍光体であればよい。蒸着膜は、上記の
輝尽性蛍光体の少なくとも１種を含む１つもしくは２つ
以上の輝尽性蛍光体層からなる輝尽性蛍光体層群であっ
てもよい。また、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる
輝尽性蛍光体は同一であってもよいが異なっていてもよ
い。

【００２６】基板９の材料は特に限定されないが、例え
ば放射線画像変換パネルに使用される場合には、例えば
アルミナ等のセラミックス板、化学強化ガラス、結晶化
ガラス等のガラス板、アルミニウム、鉄、銅、クロム等
の金属板あるいは当該金属酸化物の被覆層を有する金属
板、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィ
ルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミ
ドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリカーボネートフ
ィルム等のプラスチックフィルム等を用いることができ
る。また、基板９の厚さは、その材質等によっても異な
るが、放射線画像変換パネルに使用される場合には、通
常、８０〜３０００μｍである。基板９の表面は滑面で
あってもよいし、輝尽性蛍光体層との接着性を向上させ
る目的でマット面としてもよい。また、基板９の表面は
特開昭６１−１４２４９７号公報に述べられているよう
な凹凸面としてもよいし、特開昭６１−１４２４９８号
公報に述べられているように隔絶されたタイル状板を敷
き詰めた構造でもよい。さらに、基板９上には、必要に
応じて光反射層、光吸収層、接着層等を設けてもよい。

【００２７】本発明の蒸着装置により形成された輝尽性
蛍光体層の表面には、これを物理的にあるいは化学的に
保護するための保護層を設けることが好ましい。この保
護層は、保護層用の塗布液を輝尽性蛍光体層の上に直接
塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保
護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。また、特開
昭６１−１７６９００号公報で提案されている放射線お
よび／または熱によって硬化される樹脂を用いてもよ
い。保護層の材料としては、酢酸セルロース、ニトロセ
ルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチ
ラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポ
リエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、
ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化一塩化エチレン、
四フッ化エチレン／六フッ化プロピレン共重合体、塩化
ビニリデン／塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン／ア
クリロニトリル共重合体等を挙げることができる。

【００２８】また、この保護層は、真空蒸着法、スパッ
タリング法等により、ＳｉＣ，ＳｉＯ₂，ＳｉＮ，Ａｌ
₂Ｏ₃等の無機物質を積層して形成してもよい。また、
透光性に優れたシート状に成形できるものを輝尽性蛍光
体層上に密着させて、あるいは距離をおいて配設して保
護層とすることもできる。保護層は、輝尽励起光および
輝尽発光を効率よく透過するために、広い波長範囲で高
い光透過率を示すことが望ましく、光透過率は８０％以
上が好ましい。そのようなものとしては、例えば、石
英、ホウケイ酸ガラス、化学的強化ガラス等の板ガラス
や、ＰＥＴ、延伸ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等の
有機高分子化合物が挙げられる。ホウケイ酸ガラスは３
３０ｎｍ〜２．６μｍの波長範囲で８０％以上の光透過
率を示し、石英ガラスではさらに短波長においても高い
光透過率を示す。

【００２９】さらに、保護層の表面に、ＭｇＦ₂等の反
射防止層を設けると、輝尽励起光および輝尽発光を効率
よく透過すると共に、鮮鋭性の低下を小さくする効果も
あり好ましい。また、保護層の厚さは、５０μｍ〜５ｍ
ｍであり、１００μｍ〜３ｍｍが好ましい。保護層を輝
尽性蛍光体層に対して距離をおいて配設する場合には、
基板と保護層との間に、蛍光体層を取り囲んでスペーサ
を設けるのがよく、そのようなスペーサとしては、輝尽
性蛍光体層を外部雰囲気から遮断した状態で保持するこ
とができるものであれば特に制限されず、ガラス、セラ
ミックス、金属、プラスチック等を用いることができ、
厚さは輝尽性蛍光体層の厚さ以上であることが好まし
い。

【００３０】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の蒸
着装置によれば、蒸着効率を高めることができ、省資
源、低コスト化が達成できる。また、大面積の基板にお
いても膜厚の均一化と蒸着効率の向上が可能となる。特
に、基板を固定させた状態でも可能で、搬送などの複雑
な機構が不要となり、装置の低コスト化、作業の簡便化
が達成できる。また、装置のメンテナンスの際の堆積物
の除去、回収作業を短時間で行うことができ、装置の稼
働率が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１に係る蒸着装置の概略図である。

【図２】防着板の形態の一例を示す説明図である。

【図３】防着板の形態の他の例を示す説明図である。

【図４】加熱手段の一例を示す説明図である。

【図５】加熱手段の他の例を示す説明図である。

【図６】加熱手段のさらに他の例を示す説明図である。

【図７】蒸着過程を示す説明図である。

【図８】実施例２に係る蒸着装置の要部を示す説明図で
ある。

【図９】実施例３に係る蒸着装置の要部を示す説明図で
ある。

【図１０】実施例４に係る蒸着装置の要部を示す説明図
である。

【図１１】実施例５に係る蒸着装置の要部を示す説明図
である。

【符号の説明】

１ベルジャー２ピアス式
電子銃３電子ビーム４蒸発源５ルツボ６水冷用パ
イプ７膜厚モニタ８防着板８Ａ防着板８Ｂ防着板の
一端８Ｃ防着板の他端９基板１０メインバルブ１１補助バル
ブ１２リークバルブ１３加熱手段１４加熱用電源１５抵抗発熱
体１６蒸着膜１７堆積した
蒸発源物質１８搬送ロール１９搬送ロー
ル２０搬送ベルト２１スリット２２遮蔽板２３水冷パイ
プ２４水冷バッフル板２５基台

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】蒸発源に対向する蒸着位置に基板を位置
させて、この基板上に蒸発源物質を蒸着する蒸着装置に
おいて、前記蒸発源から前記基板が位置される蒸着位置に至る空
間を取り囲むよう防着板を配置し、この防着板に加熱手
段を設けたことを特徴とする蒸着装置。