JPH0572537A

JPH0572537A - 液晶表示素子

Info

Publication number: JPH0572537A
Application number: JP20390491A
Authority: JP
Inventors: Masahide Yamamoto; 雅英山本; Shinsaburo Ito; 紳三郎伊藤; Tatsuro Yanagi; 達朗柳; Kunikiyo Yoshio; 邦清吉尾
Original assignee: Sanyo Chemical Industries Ltd
Current assignee: Sanyo Chemical Industries Ltd
Priority date: 1991-07-16
Filing date: 1991-07-17
Publication date: 1993-03-26

Abstract

(57)【要約】【構成】表面に液晶配向膜が形成された一対の電極基
板（９）を対向して配設し、この間に液晶（１３）を挟
持した液晶表示素子であり、この液晶配向膜（９）が分
子内に蛍光を発するペリレン環を有するポリアミック酸
を水面展開法で高分子膜とし、イミド化した膜である。【効果】この液晶表示素子に用いている液晶配向膜
は、その膜厚が均一であり、ラビング処理を行わないで
も、液晶分子に対する良好な液晶配向能を示す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶配向膜を有する電
極基板を用いた液晶表示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】電界の作用により駆動する電気光学的効
果を利用した液晶表示素子においては、液晶分子を均一
に配向させ、良好な表示品質を得るために、電極基板上
に液晶配向膜を設けている。

【０００３】液晶配向膜としては、無機質保護層を設け
たガラス基板上に電極膜を形成した後、ＳｉＯなどの無
機化合物を斜方蒸着法により形成する無機液晶配向膜が
ある。しかしながら、この無機液晶配向膜は、液晶配向
性において液晶の種類に対する選択性を持っているため
に、全ての液晶組成物の配向を良好に行うことが困難で
ある。また、斜方蒸着法は、蒸着装置などの真空装置を
必要とするため、製造コストが高くなり、さらに量産性
の点からも十分な形成法とは言えない。無機液晶配向膜
の形成法には以上の問題点があるために、現在では有機
液晶配向膜が主流となっている。

【０００４】この有機液晶配向膜の製法として、電極基
板上にポリアミック酸やポリイミドなどを印刷法やスピ
ンコーター法により製膜し、熱イミド化あるいは乾燥し
てポリイミド膜を形成した後、その膜をテトロンやナイ
ロン布などで一方向にラビング処理して、液晶配向膜と
する方法が知られている。表面にこの様な方法で得られ
る液晶配向膜が形成された一対の電極基板を対向して配
設し、液晶表示セルを構成した後、液晶組成物を封入し
て、液晶表示素子が製造されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
有機液晶配向膜を形成した液晶表示素子では、電極基板
が大型になるほど、高分子膜を均一な膜厚で形成させる
ことが困難であり、膜厚に起因する閾値電圧の不均一に
よる表示ムラが生じたりする。さらに、布などで擦るラ
ビング処理の際、静電気の発生による基板の静電破壊、
ゴミの付着による点灯不良や液晶配向膜に傷を生じさせ
てしまうなどの問題が起こっている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の問
題点を解決するために鋭意検討した結果、その膜厚が均
一であって、ラビング処理が不要で、かつ液晶分子に対
する配向能が優れた液晶配向膜を有する電極基板を用い
た液晶表示素子を見い出し、本発明に到達した。

【０００７】すなわち本発明は、表面に液晶配向膜を有
する少なくとも一対の電極基板が対向して配設され、こ
の電極基板間に液晶が挟持された液晶表示素子におい
て、該液晶配向膜が、下記ポリアミック酸（Ａ）および
／または下記変性ポリアミック酸（Ｂ）のイミド化物か
らなることを特徴とする液晶表示素子である。ポリアミック酸（Ａ）：一般式

【０００８】

【化２】

【０００９】（式中、Ｚは多核芳香族テトラカルボン酸
残基を表す。）で示されるジアミン化合物（１）とテト
ラカルボン酸類（２）とからのポリアミック酸。変性ポリアミック酸（Ｂ）：（Ａ）と炭素数１〜４０の
炭化水素基を有するアミン化合物（３）とからの変性ポ
リアミック酸。

【００１０】本発明において、ジアミン化合物（１）を
表す一般式中において、Ｚで示される多核芳香族テトラ
カルボン酸残基は、多核芳香族テトラカルボン酸から四
個のカルボキシル基の部分を除いた基である。このよう
な多核芳香族テトラカルボン酸としては、３，４，９，
１０−ペリレンテトラカルボン酸、１，２，５，６−ナ
フタレンテトラカルボン酸、１，４，５，６−ナフタレ
ンテトラカルボン酸および２，３，６，７−ナフタレン
テトラカルボン酸などが挙げられる。これらのうち、好
ましいものは、３，４，９，１０−ペリレンテトラカル
ボン酸である。該ジアミン化合物（１）は、前記の多核
芳香族テトラカルボン酸１モルに４，４’−ジアミノジ
フェニルスルホン２モルが脱水縮合した化学構造を有し
ている。該ジアミン化合物（１）の製法を例示すると、
前記に例示したような多核芳香族テトラカルボン酸の二
無水物と４，４’−ジアミノジフェニルスルホンとを１
８０〜２３０℃にて、１〜２時間反応させることによ
り、該ジアミン化合物（１）を得ることができる。

【００１１】本発明において、テトラカルボン酸類
（２）としては、例えば、芳香族テトラカルボン酸〔ピ
ロメリット酸、３，４，９，１０−ペリレンテトラカル
ボン酸、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン
酸、１，４，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸、
２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸、２，
２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸、チオフ
ェン−２，３，４，５−テトラカルボン酸、２，２’−
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン、２，２−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、３，
３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸な
ど〕；脂肪族・脂環式テトラカルボン酸〔ブタンテトラ
カルボン酸、エタンテトラカルボン酸、シクロブタン−
１，２，３，４−テトラカルボン酸、シクロペンタン−
１，２，３，４−テトラカルボン酸など〕；これらテト
ラカルボン酸の二無水物；これらテトラカルボン酸のカ
ルボキシル基を酸ハライド（クロライド、ブロマイドな
ど）基に置き換えた化合物；ならびにこれらの２種類以
上の混合物が挙げられる。これらうち好ましいものは、
テトラカルボン酸二無水物である。

【００１２】該ポリアミック酸（Ａ）の製法を例示する
と、前記ジアミン化合物（１）とテトラカルボン酸類
（２）とを重合溶媒（４）中で０〜８０℃にて、１〜１
２時間攪拌して、重縮合することにより、ポリアミック
酸（Ａ）が得られる。上記の重合溶媒（４）としては、
生成ポリアミック酸（Ａ）を溶解しうるものであればよ
く、特に限定しない。このような重合溶媒（４）の具体
例としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド、クレゾールおよびフェノールなどが挙げられる。

【００１３】本発明において、炭素数１〜４０の炭化水
素基を有するアルキルアミン化合物（３）としては、例
えば、第一級アミン化合物〔ｎ−ブチルアミン、ｎ−デ
シルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミ
ン、Ｎ−テトラデシルアミン、ｎ−ヘキサデシルアミ
ン、ｎ−オクタデシルアミンなど〕；第二級アミン化合
物〔ジｎ−ブチルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−オクチルア
ミン、Ｎ−メチル−ｎ−デシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ
−ドデシルアミン、Ｎ−メチルテトラデシルアミン、Ｎ
−メチル−ｎ−ヘキサデシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−
オクタデシルアミンなど〕；第三級アミン化合物〔トリ
メチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−
ｎ−オクチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−デシルア
ミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−ドデシルアミン、Ｎ，Ｎ
−ジメチル−ｎ−テトラデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ル−ｎ−オクタデシルアミン、アニリンなど〕；ならび
にこれらの２種類以上の混合物が挙げられる。これらの
うち好ましいものは、炭素数１０〜３０の炭化水素基を
１個以上有するアルキルアミン化合物である。

【００１４】該変性ポリアミック酸（Ｂ）の製法を例示
すると、ポリアミック酸（Ａ）とアミン化合物（３）と
を、室温下で攪拌して、反応させることにより、変性ポ
リアミック酸（Ｂ）が得られる。この際に、ポリアミッ
ク酸（Ａ）のカルボキシル基に対して過小量のアミン化
合物（３）を反応させた場合、ポリアミック酸（Ａ）と
変性ポリアミック酸（Ｂ）の混合物が生成するが、その
まま用いてもよい。また、ポリアミック酸（Ａ）のカル
ボキシル基に対して過剰量のアミン化合物（３）を反応
させた場合、変性ポリアミック酸内にアミン化合物が残
存し、液晶表示素子の表示特性や液晶自体に影響を与え
るため、好ましくない。アミン化合物（３）の使用量
は、ポリアミック酸（Ａ）のカルボキシル基に対して、
通常０．０１〜２．５モル当量、好ましくは０．１〜
２．０モル当量となる量を用いればよい。

【００１５】本発明において、該ポリアミック酸（Ａ）
と変性ポリアミック酸（Ｂ）は、何れか単独で用いても
よいが、これらの任意の割合の混合物を用いてもよい。
さらに、必要により皮膜形成性高分子化合物（Ｃ）を該
ポリアミック酸（Ａ）および／または該変性ポリアミッ
ク酸（Ｂ）と併用してもよい。このような皮膜形成性高
分子化合物（Ｃ）としては、後述の展開溶媒に可溶のも
のであればよく、特に限定しない。これを例示すれば、
フッ素樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹
脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂、アルキッド樹脂、ウレ
タン樹脂、レゾルシン樹脂、フラン樹脂、ポリエステ
ル、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアル
コール、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポ
リエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポ
リビニルピロリドン、ポリビニルブチラート、ポリスル
ホン、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、セルロース系樹脂、天然ゴム、ス
チレン−ブタジエンゴム、アクリロニトリル−ブタジエ
ンゴム、ポリブタジエン、ポリイソプレンなどが挙げら
れる。また、これらの２種類以上を併用してもよい。こ
れらの皮膜形成性高分子化合物（Ｃ）は、特に後述の水
面展開法などの方法により製膜する際に、該ポリアミッ
ク酸（Ａ）および／または該変性ポリアミック酸（Ｂ）
の造膜性や膜強度を高める必要がある場合などに併用す
るとよい。

【００１６】本発明において、該ポリアミック酸（Ａ）
および／または該変性ポリアミック酸（Ｂ）、ならびに
必要により併用する皮膜形成性高分子化合物（Ｃ）を用
いて製膜する方法としては、刷毛塗り法、浸せき法、ス
ピンコート法、印刷法、蒸着法、水面展開法、ラングミ
ュアー−ブロジェット法など公知の如何なる手段も用い
ることができる。刷毛塗り法、浸せき法、スピンコート
法、印刷法などで製膜し、イミド化した後、ラビング処
理して液晶表示素子としてもよいが、均一な高分子膜を
製造しやすいこと、ラビング処理をしなくても液晶配向
膜の分子配列制御ができることなどから、ラングミュア
ー−ブロジェット法（Langumuir-Blodgett法、以下ＬＢ
法と略記）、あるいはＬＢ法を工業化した技術である水
面展開法が好ましい。これらのうち、連続製膜できる点
から、水面展開法が特に好ましい。

【００１７】水面展開法では、該ポリアミック酸（Ａ）
および／または該変性ポリアミック酸（Ｂ）、ならびに
必要により併用する皮膜形成性高分子化合物（Ｃ）を展
開溶媒で溶解した高分子溶液を水面上に連続的に展開
し、展開方向に延展しながら、展開溶媒を揮発させて高
分子膜とし、それを連続的に巻取ることにより製膜でき
る。この水面展開法では、１回で５０〜３０００オング
ストロームの範囲内の所望する膜厚の高分子膜が形成で
きる。また、ＬＢ法では、上述の水面展開法の場合と同
様の高分子溶液を水面上に展開し、次いで一定の表面圧
で圧縮しながら、展開溶媒を揮発させて高分子膜とし、
支持体に移し取ることにより単分子層レベルで製膜でき
る。このＬＢ法では、約５オングストロームの単分子膜
が形成でき、これを積層することで任意の膜厚とするこ
とができる。

【００１８】一般的に、ポリイミドは、その構造から比
較的剛直なポリマーと言われている。本発明によるポリ
アミック酸（Ａ）および／または変性ポリアミック酸
（Ｂ）は、分子内に多核芳香族残基を有するため、一次
元方向の配列に加えて、二次元（平面）方向への配列が
可能になると考える。これを実現するために、本発明に
よるポリアミック酸（Ａ）および／または変性ポリアミ
ック酸（Ｂ）を水面展開法やＬＢ法と組み合わせて製膜
することにより、平面的に分子配向した高分子膜とな
り、液晶分子はラビング処理を行わなくても、この配列
方向に沿って配向する。

【００１９】本発明の液晶表示素子の液晶配向膜の膜厚
は、通常５〜３０００オングストローム、好ましくは５
０〜１０００オングストロームである。

【００２０】水面展開法またはＬＢ法における展開溶媒
としては、該ポリアミック酸（Ａ）および／または該変
性ポリアミック酸（Ｂ）、ならびに必要により併用する
皮膜形成性高分子化合物（Ｃ）を溶解させる溶媒であれ
ばよく、特に限定しない。このような展開溶媒として
は、例えば、水と非相溶の有機溶媒〔ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素；ジクロロメタン、
ジクロロエタン、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水
素；シクロヘキサノールなどの脂環式アルコールな
ど〕；水と相溶性の有機溶媒〔Ｎ−メチルピロリドン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、テトラメチル尿素、Ｎ−メチルカプロラクタ
ム、ヘキサメチルホスホルアミドなどのアミド化合物；
ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホランなどのスル
ホキシド化合物；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ブ
チロラクトンなどの環状エーテル、ラクトン化合物な
ど〕；ならびにこれらの２種類以上の混合物が挙げられ
る。

【００２１】また、水面展開法において、高分子溶液が
自発展開しにくいときには、高分子溶液に展開助剤を添
加してもよい。展開助剤として、例えば、脂肪族、脂環
式または芳香族のケトン、エステル、アルコール、アミ
ン、アルデヒド、エーテル、パーオキサイドおよびこれ
らの２種類以上の混合物が挙げられる。

【００２２】さらに、水面展開法において、高分子溶液
の展開性を良くするために、高分子溶液に界面活性剤を
添加してもよい。界面活性剤としては、水面展開法で使
用できる界面活性剤であればよく、特に限定しないが、
好ましいものはノニオン系もしくはアニオン系界面活性
剤である。

【００２３】ＬＢ法において、下層水相には、通常、蒸
留水やイオン交換水を用いるが、場合により、下層水相
にカリウムイオン、ナトリウムイオン、カルシウムイオ
ン、バリウムイオン、カドミウムイオンなどの一価およ
び多価の無機イオンやポリジメチルジアリルアンモニウ
ム塩、ポリアクリル酸ナトリウムなどのポリマーイオン
を共存せしめてもよい。

【００２４】本発明において、電極基板は、特に限定は
なく、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃などの透
明電極を形成したガラス基板；前記の透明電極上にカラ
ーフィルターを形成したガラス基板；ポリエステルなど
のプラスチックス基板；薄膜トランジスターや薄膜ダイ
オードなどを形成したガラス基板；シリコーンウエハー
などが挙げられる。

【００２５】本発明による液晶配向膜は、上記のような
電極基板上に直接形成することができるが、電極の上層
または下層に無機絶縁膜としてＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔ
ｉＯ₂などの膜を設けたものの上に液晶配向膜を形成す
ることもできる。また、液晶配向膜と電極基板との接着
を高めるために、シランカップリング剤〔例えば、３−
アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノ
エチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３
−ウレイドプロピルトリエトキシシランおよびＮ−トリ
エトキシシリルプロピル−トリエチレントリアミン〕を
１種類以上用いてもよい。さらに、チタネート化合物
〔例えば、イソプロピルトリイソステアロイルチタネー
ト、ビス（トリエタノールアミン）ジイソプロピルチタ
ネートおよびジイソプロピルジラウリルチタネート〕も
１種類以上用いてもよい。

【００２６】上記に例示した様な方法で製膜された高分
子膜を電極基板上に貼合わせる方法としては、水面上の
高分子膜を直接積層しても良いし、予め高分子膜を支持
フィルム（ポリエチレンテレフタレートなど）上に積層
しておいたものを電極基板に転写する方法を用いても良
い。電極基板上に形成される高分子膜は、単層、複層の
いずれであっても良く、複層の場合は、転写した高分子
膜に付着した水分を完全に除去してから次を積層するこ
とが望ましい。

【００２７】電極基板上に形成された高分子膜をイミド
化する方法としては、化学的方法でも物理的方法でもよ
い。化学的方法としては、酸無水物中に上記高分子膜を
貼合わせた基板を浸せきし、高分子膜中のポリアミック
酸（Ａ）および／または変性ポリアミック酸（Ｂ）を閉
環させることによりイミド化された膜が得られる。この
際、トリエチルアミン、ピリジンなどの第三級アミンを
添加すると反応が促進される。また、必要に応じて溶媒
を添加することもできる。溶媒はポリアミック酸や変性
ポリアミック酸を溶解させるものは使用できない。この
場合、閉環する温度は２０〜７０℃程度の温度が必要で
ある。例えば、無水酢酸：ピリジン：ベンゼン（１：
１：３）混合物では、４０℃で１時間程度で反応が終了
する。また、物理的方法としては、上記高分子膜を貼合
わせた基板を、通常１００〜４００℃で加熱焼成するこ
とによりイミド化された膜が得られる。この加熱焼成温
度は、電極基板保護のため、好ましくは１５０〜２５０
℃で行うとよい。加熱時間は、通常１分〜１２時間、好
ましくは１０分〜６時間である。

【００２８】以上の様にして、電極基板表面上に形成さ
れたポリイミド膜は、蛍光を発するため、従来公知の方
法でこのポリイミド膜の二色性比や二次配向係数を測定
することにより、液晶配向能が良いことが容易に確認で
きる。

【００２９】本発明における液晶としては、例えば、ネ
マチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶
および強誘電性液晶が挙げられる。また、本発明の液晶
表示素子は、強誘電性液晶を用いた液晶表示素子、アク
ティブマトリックス駆動による液晶表示素子、スーパー
ツイスティドネマティックタイプの液晶表示素子、ツイ
スティドネマティックタイプの液晶表示素子、ゲスト−
ホスト方式による液晶表示素子などの幅広いタイプの液
晶表示素子として有用である。さらに、本発明の液晶表
示素子は、電卓や時計などの分野からカラーテレビ、ワ
ープロ、パソコンなど幅広い用途に有用である。

【００３０】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されない。

【００３１】実施例１下記の構造式

【００３２】

【化３】

【００３３】で示される分子内に蛍光を発するペリレン
環を有するジアミンと３，４，３’，４’−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物（各々当量）とを重縮合して
ポリアミック酸を得た後、展開溶媒としてジメチルホル
ムアミド／アセトフェノン（１：１）を用いて、濃度２
％の高分子溶液を作成した。

【００３４】次にこの高分子溶液を用いて、図１に示す
ような水面展開製膜装置で製膜した。図１において、１
は定量ポンプ、２は供給口、３は水槽、４は水面、５は
高分子膜、６は転写ローラー、７はフィルム状基材、８
は堰を表している。図１の水面展開製膜装置における定
量ポンプ（１）により、上記の高分子溶液を供給口
（２）から水槽（３）内の水面（４）上に放出した結
果、高分子溶液が水面上に自発的に展開して、高分子膜
（５）が生成した。このようにして生成した高分子膜
（５）を、転写ローラー（６）によりフィルム状基材
（７）上に予め付設しておいた電極基板に直接接触さ
せ、転写した。

【００３５】この高分子膜を転写した電極基板の水分を
乾燥除去した後、２００℃で４時間イミド化し、ポリイ
ミドが形成された電極基板を得た。電極基板上に形成さ
れた高分子膜の膜厚は、約１３０オングストローム程度
であった。なお、イミド環の形成は、１７２０ｃｍ^-1の
カルボニル基に起因する赤外吸収スペクトルで確認し
た。続いて、図２に示すような液晶表示素子を作成し
た。図２において、９は電極基板、１０は透明電極、１
１は液晶配向膜、１２はスペーサー、１３は液晶、１４
はシール剤、１５は偏向板を表している。上下の電極基
板（９）上の各々の液晶配向膜（１１）は、製膜方向が
直交するように配設してある。また、電極基板間には、
１０μｍのアルミナスペーサー（１１）を介在させてあ
る。電極基板間には、フェニルシクロヘキサン系のネマ
ティック液晶（１３）が注入され、液晶注入口はエポキ
シ樹脂で封止してある。また、各偏向板（１５）は、そ
の偏向軸が液晶配向膜の製膜方向と同方向となるように
貼付けてある。この液晶表示素子を用いて駆動した結
果、配向ムラは見られず、均一な配向性を示した。ま
た、電極間のショート、電極破壊による点灯不良は一切
見られなかった。

【００３６】実施例２実施例１と同様のジアミンとこれに対して０．５モル％
の４，４’−ジアミノジフェニルエーテルからなる混合
物に３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物を重縮合して、ポリアミック酸を得た後、ジメ
チルヘキサデシルアミンで変性したポリアミック酸を得
た。展開溶媒にジメチルアセトアミド／ベンゼン（１：
１）で溶解し、濃度０．５％の高分子溶液を作成した。
次に、該ポリアミック酸組成物をＬＢ法により製膜し
た。具体的には、純水を水相とし、水温１０℃の水面上
に展開し、表面圧を１２．５ｍＮ／ｍまで高め、水面に
単分子膜を形成した。なお、占有面積は１．３５ｎｍ²
／ｕｎｉｔであった。表面圧を一定に保ちながら、水面
に垂直に電極基板（９）を上下方向に１０ｍｍ／ｍｉｎ
で浸せきを行い、２層の単分子累積膜の形成を行った。
係る操作を繰り返すことで、９８層累積膜を形成した。
この高分子膜が形成された電極基板（９）の水分を乾燥
除去した後、無水酢酸：ピリジン：ベンゼン（１：１：
３）混合物に、３０℃１時間浸せきし、イミド化を行っ
た。なお、イミド環の形成は、１７２０ｃｍ^-1のカルボ
ニル基に起因する赤外吸収スペクトルで確認した。純水
で洗浄し、乾燥してた時の膜厚は、約４００オングスト
ロームであった。該液晶配向膜は、蛍光を発するため、
その配向状態を蛍光偏光測定法で測定したところ、該液
晶配向膜（ＬＢ膜の引き上げ方向に対して）の二次配向
係数は約０．６であった。（引き上げ方向に対して、二
次配向係数が１．０の時、完全配向状態であり、０．５
の場合は無配向状態を示す。）

【００３７】この電極基板を用いたことと液晶にアゾメ
チン系ネマティック液晶を用いた以外、実施例１と同様
にして、液晶表示素子を作成した。この液晶表示素子も
実施例１と同様に、配向ムラは見られず、均一な配向性
を示し、電極間のショート、電極破壊による点灯不良は
一切見られなかった。

【００３８】

【発明の効果】本発明の液晶表示素子は、ラビング処理
を行わないでも、液晶組成物を良好に配向させうる液晶
配向膜を有してなるものである。そのため、静電気の発
生によって電極や薄膜トランジスターなどを破壊するこ
となく、液晶配向膜表面を汚染することなどもない。さ
らに、液晶配向膜を水面展開法により製膜する場合、一
回の処理で均一な約５０オングストローム以上の任意の
膜厚の高分子膜を形成できる。従って、本発明の液晶表
示素子は、表示品質を低下させることなく、量産性にも
優れた液晶配向膜を有するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１における組成物を製膜するための水面
展開製膜装置の概要図である。

【図２】実施例１および２における液晶表示素子の基本
構成図（断面図）である。

【符号の説明】

１定量ポンプ２供給口３水槽４水面５高分子膜６転写ローラー７フィルム状基材８堰９電極基板１０透明電極１１液晶配向膜１２スペーサー１３液晶１４シール剤１５偏向板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面に液晶配向膜を有する少なくとも一
対の電極基板が対向して配設され、この電極基板間に液
晶が挟持された液晶表示素子において、該液晶配向膜
が、下記ポリアミック酸（Ａ）および／または下記変性
ポリアミック酸（Ｂ）のイミド化物からなることを特徴
とする液晶表示素子。ポリアミック酸（Ａ）：一般式【化１】（式中、Ｚは多核芳香族テトラカルボン酸残基を表
す。）で示されるジアミン化合物（１）とテトラカルボ
ン酸類（２）とからのポリアミック酸。変性ポリアミック酸（Ｂ）：（Ａ）と炭素数１〜４０の
炭化水素基を有するアミン化合物（３）とからの変性ポ
リアミック酸。
【請求項２】該液晶配向膜が、水面展開膜もしくはラ
ングミュアー−ブロジェット膜のイミド化物である請求
項１記載の液晶表示素子。