JPH0572636B2

JPH0572636B2 -

Info

Publication number: JPH0572636B2
Application number: JP60191813A
Authority: JP
Inventors: Rii Deebisu Uorutaa
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1984-08-31
Filing date: 1985-08-30
Publication date: 1993-10-12
Also published as: US4660027A; JPS6187437A; CA1224526A

Description

【発明の詳細な説明】発明の背景発明の分野本発明は無線呼出受信機のための警報装置、特
にその中の警報器（アナンシエータ回路）の電力
消費低減に関するものであり、更に詳しく云うと
アナンシエータ回路の電力消費を減らしその結果
バツテリ電力低下警報を発生することができる時
間間隔を長くするために、アナンシエータ出力信
号の振幅を小さくするバツテリ電圧低下アナンシ
エータ回路に関する。

発明の概要好ましい実施例において可聴警報を発するため
にトランスジユーサを駆動させるトランスジユー
サドライバを含む電力消費の少ないバツテリ電力
低下インジケータを示す。バツテリが第１の所定
レベルにまで消耗すると方形波信号を発生させて
トランスジユーサドライバに動力を与えるために
マイクロプロセツサが用いられている。バツテリ
が第１所定レベルまで消耗した時を決定し、マイ
クロプロセツサへ向けられる信号を発生させてト
ランスジユーサドライバを駆動させる信号の発生
を開始させるために第１バツテリ電力低下センサ
が用いられている。バツテリが第２所定レベルに
まで消耗した時を決定し、トランスジユーサドラ
イバへ向けられる信号を発生させ、次にこの信号
がより遅い電力消費速度でトランスジユーサドラ
イバを駆動させるために第２バツテリ電力低下セ
ンサが用いられている。

先行技術の説明過去においては、特にページング環境において
は、無線ページング装置に電力を供給するバツテ
リを再充電又は交換する必要があることをユーザ
に知らせるために可聴バツテリ電圧低下警報を出
す必要があつた。そのような先行技術回路は、バ
ツテリ電力レベルが所定のレベルにまで低下する
と、ユーザが無線ページング装置をオフにしバツ
テリを交換又は再充電することによつて警報に対
して肯定応答するまでトランスジユーサドライバ
増幅器が起動され比較的一定した振幅でトランス
ジユーサを駆動させるように設計されている。

しかし多くの場合、ページング装置のユーザ
は、バツテリ電源が警報信号が起動される所定の
電圧レベルにまで消耗する時に無線ページング装
置を身につけていない。従つてユーザが無線ペー
ジング装置から離れた場所にいる間に電圧低下警
報が鳴ると、バツテリ電源警報がもはや鳴らない
レベルにまで急速に消耗するかもしれない。ユー
ザがページング装置のある場所に戻つても、その
時にはユーザ無線ページング装置がバツテリの消
耗によつて動作しなくなつていることに気づか
ず、重要なメツセージを聞きもらすかもしれな
い。

そのような１つの先行技術装置はその入力をバ
ツテリ電源電圧と基準電圧源にそれぞれ接続させ
ている電圧比較器を含む。バツテリ電圧が基準電
圧のレベルまで低下すると、比較器はトリガさ
れ、出力信号を発生させる。電圧比較器からの出
力信号は、比較器出力を感知すると方形波出力信
号を発生さるマイクロプロセツサへ向けられる。
この方形波信号はトランスジユーサドライバへ向
けられる。このトランスジユーサドライバは方形
波信号によつてオンにされ、トランスジユーサを
駆動させる出力信号を発生させ、このトランスジ
ユーサが可聴警報を発生させる。この可聴警報
は、手動でページヤをオフにするまで、又はバツ
テリがトランスジユーサを駆動させるのに充分な
電力を供給することができない低レベルにまでバ
ツテリが消耗するまで発生しつづける。

発明の要約従つて、本発明の１つの目的は、従来のそのよ
うな装置よりも電力消費量の少ない新規なバツテ
リ電力低下感知およびアナンシエータ回路を提供
することである。

本発明のもう１つの目的は、バツテリ電圧低下
警報を長時間にわたり発生させることができる新
規なバツテリ電圧低下感知およびアナンシエータ
回路を提供することである。

本発明の更にもう１つの目的は、バツテリ電圧
が最初の所定のレベルにまで低下すると第１振幅
で警報を発生させ、バツテリ電圧が第２の所定の
レベルに達すると第１振幅より小さい第２振幅で
警報を発生させる新規なバツテリ電力低下感知お
よびアナンシエータ回路を提供することである。

本発明の上記の、およびその他の目的および利
点は、マイクロプロセツサの入力に接続されバツ
テリが第１所定レベルにまで消耗した時を決定し
てバツテリが第１所定レベルにまで消耗したこと
を示す第１信号を発生させる第１バツテリ電力低
下センサによつて好ましい実施例において達成さ
れる。この信号はマイクロプロセツサの入力へ向
けられ、このマイクロプロセツサはこの信号に応
答してトランスジユーサドライバの入力への方形
波信号を発生させる。次にトランスジユーサドラ
イバは第１電力レベルにおいてトランスジユーサ
を駆動させる。第２バツテリ電力低下センサは、
バツテリが第２所定レベルにまで消耗した時を決
定するのに用いられ、バツテリが第２所定レベル
にまで消耗したことを示す第２信号を発生させ
る。第２信号はトランスジユーサドライバのもう
一方の入力へ向けられ、トランスジユーサドライ
バの出力信号の振幅を小さくし、その結果トラン
スジユーサを低下した第２電力レベルで駆動する
ようにさせる。従つてバツテリのそれ以上の消耗
はより遅い速度で起きる。

参考例においも、第１バツテリ電力低下センサ
はバツテリが第１所定レベルにまで消耗した時を
決定するのに用いられ、マイクロプロセツサへ向
けられる第１信号を発生させる。しかしこの参考
例では、マイクロプロセツサは第１信号を受信す
るとトランスジユーサドライバの入力への方形波
信号を発生させるのに加えて、所定のカウント数
の後にタイムアウトするようにプログラムされて
いる内部タイマを始動させる。マイクロプロセツ
サの内部タイマがタイムアウトすると、マイクロ
プロセツサはトランスジユーサドライバのもう一
方の入力へ向けられたもう１つの信号を発生さ
せ、この信号はトランスジユーサドライバの出力
信号の振幅を小さくさせるので、バツテリ電力低
下警報がトランスジユーサによつて発生されてい
る間にバツテリはより遅い速度で消耗する。

好ましい実施例の説明同一参照数字がいくつかの図面を通じて同一
の、又は対応する部品を示しているこれらの図
面、更に具体的に云うと第１図を参照すると、本
発明の実施例にしたがつたバツテリ消耗警報装置
のブロツク図が示されている。本発明のこの実施
例は、適当にアドレスされた選択的呼出信号を受
信すると通常は可聴警報を発生させる無線ページ
ング装置に用いることが意図されている。しか
し、オーデイオ型、視覚型の両方を含めていかな
るアナンシエータもバツテリ電力低下を示す表示
を発生させるのに用いられるということをはつき
りと理解すべきである。バツテリ電力低下または
バツテリ消耗検出回路は、その１入力を基準電圧
V_REF1を発生させる第１基準電圧源に接続させて
いる第１バツテリ電力低下センサ１０を含み、そ
のような基準電圧源は当業者には周知である。セ
ンサ１０のもう一方の入力はバツテリ電圧
V_BATTERYを発生させるバツテリに接続されてい
る。第１比較器としての第１電力低下センサ１０
は当業者には周知の種類の比較器回路であり、分
割されたバツテリ電圧V_BATTERYが基準レベルV_REF1
にまで低下すると必ず出力信号を発生させる。次
に第１バツテリ電力低下センサ１０の出力は、モ
トローラ社製の型式番号146805のようなマイクロ
プロセツサ２０の入力へ向けられる。第１バツテ
リ電力低下センサ１０の能動高第１信号（active
high first signal）がマイクロプロセツサ２０の
適当な入力によつて受信されると、マイクロプロ
セツサ２０は方形波を発生させる。マイクロプロ
セツサ２０からの方形波出力は、警報器としての
トランスジユーサ４０を駆動させて可聴警報を出
すのに用いられる警報器ドライバとしてのトラン
スジユーサドライバ３０の入力へ向けられる。ト
ランスジユーサドライバ３０はマイクロプロセツ
サ２０が方形波信号を発生させるとオンになり、
第１所定振幅でトランスジユーサを駆動させる。
第２比較器第２バツテリ電力低下センサ５０は一
方の入力を第２基準電圧V_REF2を発生させる第２
基準電圧源に接続させており、もう一方の入力を
電圧レベルV_BATTERYを有する電圧源に接続させて
いる。第２バツテリ電力低下センサもまた当業者
に周知である電圧比較器であり、分割されたバツ
テリ電圧V_BATTERYが電圧レベルV_REF2にまで低下す
ると出力信号を発生させる。第２バツテリ電力低
下センサ５０から出力はトランスジユーサドライ
３０のもう一方の入力へ向けられる。第２バツテ
リ電力低下センサ５０から出力信号が発生する
と、トランスジユーサドライバの出力信号振幅は
小さくなり、従つてより低い電力レベルでトラン
スジユーサドライバ４０を駆動させバツテリがよ
り遅い速度で消耗できるようになる。

要するに、第１バツテリ電力低下センサは分割
されたバツテリ電圧が第１基準電圧レベルにまで
低下する時を決定し、そのことを示す出力信号を
発生させる。マイクロプロセツサ２０は第１バツ
テリ電力低下センサ１０からの出力信号を受信す
ると方形波信号を発生させ、この信号はトランス
ジユーサドライバ３０の入力へ向けられる。マイ
クロプロセツサから方形波を受信すると、トラン
スジユーサドライバは第１振幅レベルでトランス
ジユーサ４０への出力信号を発生させる。分割さ
れたバツテリ電圧が第２基準電圧V_REF2のレベル
にまで低下したことを第２バツテリ電力低下セン
サ５０が決定すると、このセンサ５０はトランス
ジユーサドライバ３０のもう一方の入力へ向けら
れる出力信号を発生させる。第２バツテリ電力低
下センサ５０からの出力信号はトランスジユーサ
ドライバ３０の出力信号の振幅を小さくし、トラ
ンスジユーサ４０が出す可聴信号の量を減らし、
従つて通常より遅い速度でバツテリを消耗させ
る。

さて第２図を参照すると、第１バツテリ電力低
下センサ１０および第２バツテリ電力低下センサ
５０として用いられる比較器回路の概略図が示さ
れている。この比較器は、そのベースを基準電圧
源に接続させ、そのエミツタを好ましい実施例で
は74キロオームの値を有する抵抗Ｒ１を介して接
地させているトランジスタＱ１を含む。トランジ
スタＱ２はそのエミツタをバツテリ電源電圧Ｂ＋
に接続されており、そのコレクタの１つをトラン
ジスタＱ１のコレクタに接続させている。トラン
ジスタＱ３はそのエミツタを抵抗Ｒ１を介して接
地させており、そのエミツタをトランジスタＱ２
の第２コレクタおよび第２トランジスタＱ２のベ
ースに接続させている。トランジスタＱ３のベー
スはデイバイダ抵抗Ｒ２とＲ３の間のノードに接
続されている。抵抗Ｒ２はそのもう一方の端末を
トランジスタＱ４のエミツタおよびバツテリ電源
電圧Ｂ＋に接続させているが、抵抗Ｒ３のもう一
方の端末はもう１つのデイバイダ抵抗Ｒ４の一端
とトランジスタＱ５のコレクタとの間のノードに
接続されている。デイバイダ抵抗Ｒ４のもう一方
の端末は接地されている。トランジスタＱ４のベ
ースはトランジスタＱ１のコレクタに接続されて
いるが、トランジスタＱ５のベースは抵抗Ｒ５の
一方の端末に接続されている。抵抗Ｒ５のもう一
方の端末はトランジスタＱ４のコレクタを抵抗Ｒ
６の一方の端末に接続させているノードに接続さ
れている。抵抗Ｒ６のもう一方おの端末は接地さ
れている。トランジスタＱ５のエミツタもまた接
地されている。第１バツテリセンサ１０として用
いられる場合比較器の抵抗Ｒ２〜Ｒ６の値はそれ
ぞれ47キロオーム，130キロオーム，10キロオー
ム，50キロオームおよび100キロオームである。
第１バツテリ電力低下センサ１０の基準電圧入力
の値は0.825ボルトであり、比較器をトリガする
しきいバツテリ電圧Ｂ＋は1.1ボツトである。

第２図の電圧比較器はまた第２バツテリ電力低
下センサ５０としても用いられるが、但し抵抗値
Ｒ１〜Ｒ６は74キロオーム，30キロオーム，130
キロオーム，10キロオーム，50キロオームおよび
100キロオームにそれぞれ変更されている点に注
目すべきであり、基準電圧V_REF2は0.825ボルトで
あり、第２バツテリ電力低下センサ５０をトリガ
するバツテリ電源電圧Ｂ＋のしきい電圧は1.00ボ
ルトである。

第１バツテリセンサとして用いる場合第２図の
電圧比較器は下記のように動作する。抵抗Ｒ２，
Ｒ３およびＲ４によつて形成される電圧デイバイ
ダはデイバイダ比＝（Ｒ３＋Ｒ４）／（Ｒ２＋Ｒ
３＋Ｒ４）＝0.825／1.10＝0.75の因子（factor）
によつてバツテリ電圧を分割する。

デイバイダ比の値がこの値であり基準電圧が
0.825ボルトとすると、トランジスタＱ１，Ｑ２
およびＱ３によつて形成された差動比較器段は
1.10ボルトを上回るバツテリ電圧値に対してトラ
ンジスタＱ４をオフ又は非導通状態に保つ。

電源電圧が1.10ボルト又はそれ以下に低下する
と、差動比較器はトランジスタＱ４をオンに切換
え、今度はＱ４がV_OUTと指定された出力電圧を
発生させる。トランジスタＱ４がオンになると、
Ｑ４はまたトランジスタＱ５をオンにし、これは
Ｒ２，Ｒ３およびＲ４の電圧デイバイダ抵抗組合
せの抵抗Ｒ４を短絡させる。これはバツテリ電源
電圧がひとたびV_RFEレベルにまで低下した場合に
比較器がオン／オフをチヤタリング
（chattering）するのを防ぐために行われる。も
つと簡単に云うと、トランジスタＱ５は比較器に
対するヒステリシスを与えるのに用いられるの
で、電圧は比較器をトリガしてオフにする電圧よ
りも高い電圧に上昇させなければならず、このこ
とがまた更に実際的に比較器がチヤタリングする
ことを防止する。もう一方の比較器も同様な方法
で動作するが、第２バツテリ電力低下センサとし
て用いられる場合には異なるデイバイダ抵抗値を
有する。

さて第３図を参照すると、トランスジユーサド
ライバ回路３０の概略図が示されている。トラン
ジスタＱ６のベースは抵抗Ｒ７を介して第２図に
示されている比較器回路のV_OUT端子に接続され
ている。トランジスタＱ６のエミツタは接地され
ている。トランジスタＱ６のコレクタはダイオー
ドＱ７に接続されているが、ダイオードＱ７のも
う一方の端末は抵抗Ｒ８の一方の端末に接続され
ている。抵抗Ｒ８のもう一方の端末は抵抗Ｒ９お
よびＲ１０の接合部に接続されている。トランス
ジユーサドライバ回路のもう一方の入力はマイク
ロプロセツサの出力に接続されており、この出力
はバツテリ電圧が第１しきい電圧レベルにまで低
下すると方形波信号を発生させる。このもう一方
のトランスジユーサドライバ入力は抵抗Ｒ９およ
びＲ１０を介してトランジスタＱ８に接続されて
いる。マイクロプロセツサからの入力はまた抵抗
１１を介して接地されている。トランジスタＱ８
はそのベースおよびコレクタを抵抗Ｒ１０の一方
の端末に接続させ、そのエミツタを接地させてい
る。トランジスタＱ９のベースはトランジスタＱ
８のベースに接続されているが、そのエミツタは
接地されている。トランジスタＱ９のコレクタは
トランジスタＱ１０のベースおよび一方のコレク
タに接続されている。トランジスタＱ１０のエミ
ツタはバツテリ電源電圧Ｂ＋に接続されている
が、そのもう一方のコレクタは抵抗Ｒ１２を介し
てトランジスタＱ１１のベースおよびコレクタに
接続されている。トランジスタＱ１１のエミツタ
は接地されているが、そのベースおよびコレクタ
はまたトランジスタＱ１２のベースに接続されて
いる。トランジスタＱ１２のエミツタは接地され
ているが、トランジスタＱ１２のコレクタはトラ
ンジスタＱ１３のコレクタおよびベースに接続さ
れている。トランジスタＱ１３のエミツタはバツ
テリ電源電圧Ｂ＋に接続されているが、そのベー
スはトランジスタＱ１４のベースに接続されてい
る。抵抗Ｒ１３はバツテリ電源電圧Ｂ＋とトラン
ジスタＱ１３およびＱ１４のベースとの間に接続
されている。トランジスタＱ１４のコレクタはト
ランジスタＱ１５のコレクタに接続されている。
トランジスタＱ１５のベースは抵抗Ｒ１４を介し
てトランジスタＱ１４およびＱ１５のコレクタに
接続されている。トランジスタＱ１６のベースは
トランジスタＱ１４およびＱ１５のコレクタに接
続されており、抵抗Ｒ１５の一方の端末に接続さ
れており、この抵抗Ｒ１５はそのもう一方の端末
を接地させている。トランジスタＱ１６のコレク
タはツエナーダイオード１７の正又は陽極端子に
接続されており、このノードはまたトランスジユ
ーサへの出力を表わす。トランジスタＱ１６のエ
ミツタは接地されている。ツエナーダイオード１
７の負又は陰極端子もまた接地されている。

トランスジユーサドライバ３０は通常は方形波
電圧波形がマイクロプロセツサ２０から受信され
るまでオフになつている。方形波信号が受信され
ると、トランスジユーサドライバはその信号によ
つてオフおよびオフに切換えられる。高レベルの
入力信号は抵抗Ｒ９およびＲ１０を介して電流を
ダイオードＱ８へ印加する。Ｑ８およびＱ９によ
つて形成された電流ミラーは増幅された信号を発
生させ、この信号はトランジスタＱ１０〜Ｑ１７
からなる増幅器段の各段を通つて流れ、更に電流
波形が最後にトランスジユーサ４０に印加される
まで各段を介して増幅される。第１バツテリ電力
低下センサ１０はバツテリ電圧が第１しきい電圧
レベル、この場合には1.1ボルトにまで低下する
と信号を発生させマイクロプロセツサによる方形
波信号の発生を開始させることを忘れてはならな
い。バツテリ電圧が第２しきい値1.0ボルトにま
で低下すると、第２バツテリ電力低下センサ５０
はトリガされて信号を発生させ、この信号は抵抗
Ｒ７の一方の端末にあるトランスジユーサドライ
バ回路へもう一方の入力において受信される。比
較器からの出力信号は抵抗７を介して電流をトラ
ンジスタＱ６のベースに印加する。このことが次
にトランジスタＱ６にオンにし、トランスジユー
サドライバの入力電流ネツトワークにおける大地
への分路経路を与える。特に、マイクロプロセツ
サが発生させる電流の大部分は抵抗Ｒ８、ダイオ
ードＱ７およびトランジスタＱ６を介して抵抗Ｒ
９およびＲ１０の接合部から大地へ分流される。
これは増幅器の入力に印加される入力電流を大幅
に減少させ、トランスジユーサに印加される出力
電流の値を小さくし、トランスジユーサドライバ
によつて消費される電力を著しく少なくする。ダ
イオードＱ７はバイアス等化素子であるので、こ
のデバイスが出力低下モードにある場合には、ダ
イオードＱ８両端の電圧はダイオードＱ７両端の
電圧と一致し、Ｒ８，Ｒ９およびＲ１０によつて
形成される入力電流減衰器における明確な電流分
割比を与える点に注目すべきである。

第２バツテリ電力低下センサ５０からの出力が
ない場合には、トランスジユーサドライバの増幅
器部分はトランジスタＱ８〜Ｑ１４を介して電流
ミラーのように働くことを更に理解すべきであ
る。更に正確に云うと、集積回路設計技術上周知
である電流ミラーリング技術を用いることによつ
て、トランジスタＱ９のコレクタ電流はダイオー
ドＱ８に流れた電流の２倍になり、Ｑ１１に流れ
るダイオード電流はトランジスタＱ１０のベース
電流の３倍になる。Ｑ１２のコレクタ電流はダイ
オードＱ１１に流れる電流の10倍であり、トラン
ジスタＱ１４のコレクタ電流はダイオードＱ１３
に流れる電流の８倍である。しかしマイクロプロ
セツサからの信号の振幅を小さくするための比較
器からの入力がないことを思うと、トランジスタ
Ｑ１４が発生させた十分な電流があるので、抵抗
Ｒ１４はトランジスタＱ１５およびＱ１６によつ
て形成される組合せが電流ミラー回路のように働
くことを防止する。その代わりにこの状態では、
トランジスタＱ１４のコレクタ電流の殆んど全部
がトランジスタＱ１６のベースに流れる。このこ
とはトランジスタＱ１６を電流ミラーのようにで
はなくスイツチのように働くようにさせ、その結
果Ｑ１６はＱ１６における最小の電力損でトラン
スジユーサを駆動させる方法でオンおよびオフに
駆動される。従つてマイクロプロセツサからの全
出力信号がトランスジユーサドライバの増幅器段
を通つて流れると、トランスジユーサ出力トラン
ジスタＱ１６はスイツチとして機能し、トランス
ジユーサ両端に全電源電圧を印加する。ツエナー
ダイオード１７は、この方法でトランスジユーサ
をオンおよびオフに切換えることによつて発生す
るかもしれないフライバツク電圧エクスカーシヨ
ンを制限するように機能する。

更に具体的に云うと、第３図に示してある増幅
器の高出力モードでは、マイクロコンピユータは
15マイクロアンペアの入力電流をＲ８およびＲ９
の直列組合せを介してダイオードＱ８に印加す
る。この電流は、Ｑ８と整合している（match）
が機能サイズが２倍大きいトランジスタＱ９によ
つて30マイクロアンペアに増幅又はミラー
（mirror）される。Ｑ９の出力電流は利得係数
（gain factor）３を有する電流ミラーとして構成
されているトランジスタＱ１０によつて90マイク
ロアンペアに更に増幅され、トランジスタＱ１１
およびＱ１２によつて消費割当（ration）される
ことによつて900マイクロアンペアに増幅される。

Ｑ１２からの電流のうちの30マイクロアンペア
は抵抗Ｒ１３を通つて流れ、残りの870マイクロ
アンペアはトランジスタＱ１３およびＱ１４によ
つて6.9ミリアンペアのレベルにまで増幅される。
Ｒ１３の目的は分路漏れ経路を設けて、増幅器が
オフ状態にある場合に僅かな漏れ電流が出力電流
を発生させないように保証することである。最後
に、Ｑ１４からの電流のうち100マイクロアンペ
アは抵抗Ｒ１５を介して大地へ流れ、約２ミリア
ンペアはトランジスタＱ１５を通つて流れ、残り
の4.7ミリアンペアはトランジスタＱ１６のベー
スへ流れる。Ｑ１６のこの後者のベース電流はこ
のデバイスが公称回路値に対する最大200ミリア
ンペアまでの出力電流を効果的に切換えることが
できるようにさせる。

他方、第２比較器からの制御信号が受信される
と、トランジスタＱ６はオンに切換えられ、抵抗
Ｒ９を介して流れるマイクロプロセツサからの入
力電流の大部分は抵抗Ｒ８およびダイオードＱ７
を介して大地へ向けられる。その結果著しく低下
したレベルの電流がＲ１０を通つてトランスジユ
ーサドライバ増幅器の入力に流れる。本発明の１
実施例においては、抵抗Ｒ８，Ｒ９およびＲ１０
はそれぞれ７キロオーム，80キロオームおよび80
キロオームの値を有する。これらの抵抗値および
3.0ボルトのマイクロプロセツサ電源電圧では、
マイクロプロセツサは比較器からのボリユーム調
節信号（volume control signal）が低出力状態
又は全出力状態にあると15マイクロアンペアの入
力電流をＲ８およびＲ９の直列組合せを介して増
幅器入力へ印加する。比較器からのボリユーム調
節信号が能動（active）又は低出力状態に切換え
られると、増幅器への入力電流は2.2マイクロア
ンペアに減少する。

低ボリユーム状態では、ダイオードＱ８への入
力電流は、入力電流が高ボリユーム状態において
増幅されるのと殆ど同じ方法でトランスジユーサ
増幅器を形成する電流ミラー段によつて増幅され
るが、但し１つの大きな例外がある。この例外と
は、出力低下モードでは、Ｒ１４，Ｑ１５および
Ｑ１６の組合せからなる回路構成は、トランジス
タＱ１６の出力コレクタ電流がトランジスタＱ１
５のコレクタ電流を正確に比率で示し高出力状態
ではトランジスタＱ１４からの比較的少量の電流
がＱ１５を通つて流れ出力段はトランジスタＱ１
６の飽和電圧が最小になる効率的なパワースイツ
チとして機能する電流ミラーとして機能するとい
う点である。

特に低電流モードでは、2.2マイクロアンペア
の電流がダイオードＱ８に流れる。この電流は約
4.4マイクロアンペアのコレクタ電流を有するデ
バイスＱ９によつてミラーされる。Ｑ９からのこ
の電流はPNPトランジスタＱ１０によつて約17.6
マイクロアンペアに更に増幅される。

Ｑ１０からの出力電流は面積比10を有するトラ
ンジスタＱ１１およびＱ１２によつて形成される
電流ミラーによつて更に増幅される。従つてこの
段の出力コレクタ電流は約176マイクロアンペア
である。

Ｑ１２からの出力電流は次にＱ１３およびＱ１
４によつて形成される電流ミラーに印加され、こ
れらのＱ１３およびＱ１４はまたそれらのエミツ
タ−ベース接合部を横切つて20キロオームコレク
タの値を有する抵抗Ｒ１３を有する。この段に印
加される176マイクロアンペアのうちの約30マイ
クロアンペアはＲ１３を通つて流れ146マイクロ
アンペアがダイオードＱ１３に流れる。トランジ
スタＱよ８倍の面積差でトランジスタＱ１３と整
合している（match）ので、Ｑ１４の出力電流は
約1.2ミリアンペアである。

この電流はトランジスタＱ１６およびＱ１７お
よび抵抗Ｒ１４およびＲ１５からなる次の段に印
加される。Ｒ１５は漏れ経路として機能し、少量
の漏れ電流が出力トランジスタＱ１６を起動又は
オンにさせないように保証する。

トランジスタＱ１５およびＱ１６および抵抗Ｒ
１４は、Ｑ１５の入力コレクタ電流に対するＱ１
６の出力コレクタ電流の比率が入力電流の絶対レ
ベルの関数である変更電流ミラー回路を形成す
る。従つて高入力電流レベルでは、トランジスタ
Ｑ１５のベース電流は抵抗Ｒ１４の両端にやゝ大
きな電圧を生じさせ、その結果トランジスタＱ１
６はトランジスタＱ１５よりも著しく高ベース−
エミツタ電圧を有する。直接的結果としてトラン
ジスタＱ１６はトランジスタＱ１５よりも著しく
高い接合部電流密度を有し、最終的結果として高
入力電流レベルでは比較的少量の電流がトランジ
スタＱ１５に流れ、電流の大部分はＱ１６のベー
スに流れる。この動作モードはトランジスタＱ１
６の切換え特性を最適化し、全ボリユーム出力モ
ードにおいて増幅器の効率的な動作を与える。

トランジスタＱ１４からの入力電流の値がより
小さい場合には、Ｑ１５，Ｑ１６およびＲ１４に
よつて形成された変更電流ミラー回路は、トラン
ジスタＱ１６に対する出力コレクタ電流の固定さ
れた値を設定する電流ミラーとして機能する。

特に、低ボリユームモードにおいてＱ１４のコ
レクタに現われる1.2ミリアンペアのうちの約100
マイクロアンペアは抵抗Ｒ１５を通つて大地へ流
れる。公称トランジスタベータが100，Ｑ１５に
対するＱ１６のデバイス面積比が10である場合
に、約240マイクロアンペアがＱ１６のベースに
流れ、860マイクロアンペアがＱ１５のコレクタ
に流れる。従つて、Ｑ１５のベースで8.6マイク
ロアンペアであり、Ｒ１４両端の電圧低下は8.6
ミリボルトである。これらの電圧および電流レベ
ルはバイポーラトランジスタの電流および電圧関
係を説明する周知の理論と一致するものであり、
この同じ理論は出力段が動作する電流レベルを変
更するのに用いることができる。

従つて低ボリユーム出力モードでは、トランジ
スタＱ１６によつてトランジスタに印加された出
力信号は、全出力モードに用いられる電圧ドライ
ブ状態から電流の方形波が印加される電流ドライ
ブモードに切換わる。図示した実施例では、この
電流波形は約30ミリアンペアのピーク値を有す
る。

さて第４図を参照すると、参考例１がブロツク
図で示されている。この参考例では、バツテリ電
圧が第１基準電圧V_REF1にまで低下すると、第１
バツテリ電力低下センサ１０は出力信号を発生さ
せる。第１バツテリ電力低下センサ１０からの出
力信号を受信すると、マイクロプロセツサ２０は
トランスジユーサドライバ４０を付勢する方形波
信号を発生させるほかに、所定の時間間隔でタイ
ムアウトする内部タイマを始動させる。ひとたび
マイクロプロセツサ２０の内部タイマがタイムア
ウトすると、マイクロプロセツサはトランスジユ
ーサドライバ３０の入力ネツトワークに対するも
う１つの信号を発生させ、この信号は第３図に示
すようにトランジスタＱ６をオンにする。次にト
ランスジユーサ４０はより低い電力レベルにおい
てトランスジユーサドライバ３０によつて駆動さ
れる。マイクロプロセツサの内部タイマのための
フローチヤートが第５図に示されている。

明らかに本発明の（多数の追加の）変更および
変形が上記の教示にてらして可能である。従つ
て、添付した特許請求の範囲内において本発明は
こゝに具体的に延べたものとは違つた方法で実施
しうることを理解すべきである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の１実施例のブロツク図であ
る。第２図は、第１図の第１および第２バツテリ
電力低下センサの概略図である。第３図は、第１
図のトランスジユーサドライバの概略図である。
第４図は参考例の概略図である。第５図は、第４
図のマイクロプロセツサの内部タイマの動作を示
すプローチヤートである。

Claims

【特許請求の範囲】１少なくとも１個のバツテリによつて電力供給
される無線呼出受信機のためのバツテリ消耗警報
装置であつて：可聴警報を発報する警報器；該警報器に接続され、第１電力レベルとそれよ
り低い第２電力レベルとで前記警報器を選択的に
駆動する警報器ドライバ；および該警報器ドライバに起動信号を供給するバツテ
リ消耗検出回路；から成り、該バツテリ消耗検出回路が、バツテリ電圧が第１電力レベルにまで消耗した
時を検出し、前記警報器ドライバに接続した第１
起動信号を発生し、前記警報器をして前記第１電
力レベルで警報を発報させる第１比較器と、前記バツテリ電圧が前記第１電力レベル以下の
第２電力レベルにまで消耗した時を検出し、前記
警報器ドライバに接続した第２起動信号を発生
し、前記警報器をして前記第２電力レベルで警報
を発報させる第２比較器とから成り、前記警報器ドライバが、前記バツテリ消耗検出回路からの前記第１およ
び第２起動信号を受信する入力段Ｑ６，Ｑ７，Ｒ
８，Ｒ９，Ｒ１０と、受信した起動信号を増幅す
るミラー増幅段Ｑ８，Ｑ９，Ｑ１０，Ｑ１１，Ｑ
１２，Ｑ１３，Ｑ１４と、出力段Ｑ１５，Ｑ１６
とから成り；前記出力段が、前記第１起動信号を受信したと
きに前記警報器を前記第１電力レベルで駆動し、
前記第２起動信号を受信したときに前記警報器を
前記第２電力レベルで駆動する；ことを特徴とするバツテリ消耗警報装置。