JPH0573061B2 - - Google Patents
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- JPH0573061B2 JPH0573061B2 JP60131717A JP13171785A JPH0573061B2 JP H0573061 B2 JPH0573061 B2 JP H0573061B2 JP 60131717 A JP60131717 A JP 60131717A JP 13171785 A JP13171785 A JP 13171785A JP H0573061 B2 JPH0573061 B2 JP H0573061B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体デバイスの冷却装置に係り、
特に、半導体チツプあるいは半導体パツケージか
ら発生する熱を除去するのに好適な半導体デバイ
スの冷却装置に関するものである。
特に、半導体チツプあるいは半導体パツケージか
ら発生する熱を除去するのに好適な半導体デバイ
スの冷却装置に関するものである。
まず、従来の半導体デバイスの冷却装置を第５
図および第６図を参照して説明する。
図および第６図を参照して説明する。
第５図は、一般的な半導体チツプの冷却装置の
略示構成図、第６図は、従来の半導体パツケージ
の冷却構成を示す構成図である。
略示構成図、第６図は、従来の半導体パツケージ
の冷却構成を示す構成図である。
従来の基本的な半導体チツプの冷却装置は、第
５図に示すように、半導体チツプ１は、多数の導
体層および絶縁層からばる基板２の上に微小な半
田ボール３を介してフエイスダウンボンデイング
加工により面間の接合がなされ、基板２の裏面の
多数のピン４に電気接続されている。半導体チツ
プ１の背面には熱伝導体１２が接触している。
５図に示すように、半導体チツプ１は、多数の導
体層および絶縁層からばる基板２の上に微小な半
田ボール３を介してフエイスダウンボンデイング
加工により面間の接合がなされ、基板２の裏面の
多数のピン４に電気接続されている。半導体チツ
プ１の背面には熱伝導体１２が接触している。
半導体チツプ１で発生した熱は、半導体チツプ
１の背面に接触している前記熱伝導体１２に伝え
られ、熱伝導体１２の周囲に配置される各種の冷
却媒体（図示せず）によつて外部に放散されるよ
うに構成されていた。
１の背面に接触している前記熱伝導体１２に伝え
られ、熱伝導体１２の周囲に配置される各種の冷
却媒体（図示せず）によつて外部に放散されるよ
うに構成されていた。
このように、半導体チツプ１に熱伝導体１２を
接合する構成のものは、次に述べる点で冷却構造
に制約を受けていた。
接合する構成のものは、次に述べる点で冷却構造
に制約を受けていた。
(1) 基板２に実装された各半導体チツプ１の高
さ、傾きはそれぞれ異なつている。
さ、傾きはそれぞれ異なつている。
(2) 半田ボール３は非常に小さいものであるた
め、半導体チツプ１には大きな荷重を加えるこ
とができない。
め、半導体チツプ１には大きな荷重を加えるこ
とができない。
このような制約条件に加えて、基板２は多層配
線構造となつているため、一般に製造時に、基板
２に反りが発生するので、熱伝導体１２には可撓
性が要求される。また、半導体チツプ１、熱伝導
体１２、基板２、熱伝導体１２を支持する部材
（図示せず）などの構成部材は、半導体チツプ１
の発熱によつて温度分布が生じる。このため、半
導体チツプ１に対し各構成部材から熱応力が加わ
る。
線構造となつているため、一般に製造時に、基板
２に反りが発生するので、熱伝導体１２には可撓
性が要求される。また、半導体チツプ１、熱伝導
体１２、基板２、熱伝導体１２を支持する部材
（図示せず）などの構成部材は、半導体チツプ１
の発熱によつて温度分布が生じる。このため、半
導体チツプ１に対し各構成部材から熱応力が加わ
る。
以上の諸条件を緩和させるため、熱伝導体１２
に可撓性を持たせ、かつ熱伝導体１２は半導体チ
ツプ１面に対して低荷重で接触し、半導体チツプ
１面上をなめらかに滑るようになつている。
に可撓性を持たせ、かつ熱伝導体１２は半導体チ
ツプ１面に対して低荷重で接触し、半導体チツプ
１面上をなめらかに滑るようになつている。
このような構造のもとでは、熱伝導体１２と半
導体チツプ１の面との間に接触熱抵抗が生じ、そ
の値は一般に大きい。この接触熱抵抗を小さくす
るため、接触面は高精度に、かつ、低い面粗さに
仕上げる必要があり、また、少しでも傷が付いた
り、あるいは接触界面間に塵埃などが介在する
と、接触熱抵抗が上昇してしまう欠点があつた。
導体チツプ１の面との間に接触熱抵抗が生じ、そ
の値は一般に大きい。この接触熱抵抗を小さくす
るため、接触面は高精度に、かつ、低い面粗さに
仕上げる必要があり、また、少しでも傷が付いた
り、あるいは接触界面間に塵埃などが介在する
と、接触熱抵抗が上昇してしまう欠点があつた。
そこで、上記の制約条件を満足させるものとし
て、特公昭56−2419号公報記載の半導体パツケー
ジが提案されており、その半導体パツケージの冷
却構造の一例を示したものが第６図である。
て、特公昭56−2419号公報記載の半導体パツケー
ジが提案されており、その半導体パツケージの冷
却構造の一例を示したものが第６図である。
第６図において、半導体チツプ１は、多数の導
体層および絶縁層からなる基板２の上に微小な半
田ボール３を介してフエイスダウンボンデイング
され、基板２の裏面の多数のピン４に電気接続さ
れている。基板２は下部ケーシング５によつて支
持され、その上から半導体チツプ１を覆うよう
に、キヤツプ６が装着されている。キヤツプ６の
内部には、半導体チツプ１の上方に配置されたシ
リンダ７を有しており、このシリンダ７内にはス
プリング８により半導体チツプの方向にバイアス
されている移動可能なピストン９が設けられてい
る。各ピストン９と各半導体チツプ１との間に
は、多孔性材料のブロツク１０が配置されてお
り、この多孔性材料のブロツク１０は、半導体チ
ツプ１と適合する界面を形成する適当な液体で含
浸されている。半導体チツプ１で発生した熱は、
半導体チツプ１の背面に接触しているブロツク１
０を介してピストン９に伝えられ、ピストン９か
らガス層を介してキヤツプ６に伝えられる。キヤ
ツプ６に伝えられた熱は、最終的にキヤツプ６の
上部に取り付けられた、冷却液１１ａの流通する
冷却器１１によつて除去される。
体層および絶縁層からなる基板２の上に微小な半
田ボール３を介してフエイスダウンボンデイング
され、基板２の裏面の多数のピン４に電気接続さ
れている。基板２は下部ケーシング５によつて支
持され、その上から半導体チツプ１を覆うよう
に、キヤツプ６が装着されている。キヤツプ６の
内部には、半導体チツプ１の上方に配置されたシ
リンダ７を有しており、このシリンダ７内にはス
プリング８により半導体チツプの方向にバイアス
されている移動可能なピストン９が設けられてい
る。各ピストン９と各半導体チツプ１との間に
は、多孔性材料のブロツク１０が配置されてお
り、この多孔性材料のブロツク１０は、半導体チ
ツプ１と適合する界面を形成する適当な液体で含
浸されている。半導体チツプ１で発生した熱は、
半導体チツプ１の背面に接触しているブロツク１
０を介してピストン９に伝えられ、ピストン９か
らガス層を介してキヤツプ６に伝えられる。キヤ
ツプ６に伝えられた熱は、最終的にキヤツプ６の
上部に取り付けられた、冷却液１１ａの流通する
冷却器１１によつて除去される。
しかし、このような冷却構造では、多孔性材料
のブロツク１０に含浸されている液体が、振動ま
たは熱膨張などによつてブロツク１０の内部から
飛び出し、基板２に滞留して汚染の問題を生じう
ることについて配慮されていなかつた。
のブロツク１０に含浸されている液体が、振動ま
たは熱膨張などによつてブロツク１０の内部から
飛び出し、基板２に滞留して汚染の問題を生じう
ることについて配慮されていなかつた。
本発明は、前述の従来技術の問題点を解決する
ためになされたもので、半導体チツプあるいは半
導体パツケージから発生する熱を冷却媒体へ伝導
するについで、熱抵抗が小さく、かつ、汚染や腐
食に対する信頼性の高い半導体デバイスの冷却装
置の提供を、その目的としている。
ためになされたもので、半導体チツプあるいは半
導体パツケージから発生する熱を冷却媒体へ伝導
するについで、熱抵抗が小さく、かつ、汚染や腐
食に対する信頼性の高い半導体デバイスの冷却装
置の提供を、その目的としている。
本発明に係る半導体の冷却装置の構成は、半導
体チツプあるいは半導体パツケージの背面に、当
該半導体チツプあるいは半導体パツケージからの
発生熱を除去する熱伝導体を設けてなる半導体の
冷却装置において、前記半導体チツプあるいは半
導体パツケージと前記熱伝導体との間に、その両
者に接触して介在すべき高熱伝導性のシートを設
け、当該高熱伝導性のシートに、熱伝導性流体を
充填すべき多数の微細な貫通穴と、これら貫通穴
を互いに連通し合う多数の連通溝と、前記多数の
貫通穴の穴群を包囲み、かつ前記多数の連通溝と
連通する周囲溝とを備えたものである。
体チツプあるいは半導体パツケージの背面に、当
該半導体チツプあるいは半導体パツケージからの
発生熱を除去する熱伝導体を設けてなる半導体の
冷却装置において、前記半導体チツプあるいは半
導体パツケージと前記熱伝導体との間に、その両
者に接触して介在すべき高熱伝導性のシートを設
け、当該高熱伝導性のシートに、熱伝導性流体を
充填すべき多数の微細な貫通穴と、これら貫通穴
を互いに連通し合う多数の連通溝と、前記多数の
貫通穴の穴群を包囲み、かつ前記多数の連通溝と
連通する周囲溝とを備えたものである。
なお付記すると、本発明は、半導体チツプある
いは半導体パツケージと柔軟性を有する熱伝導体
との間に、熱伝導性に富み、多数の微細な貫通穴
を有するシートをはさみ、その微細な貫通穴に熱
伝導性流体を充填することにより、半導体と熱伝
導体との熱抵抗を小さくするものである。加え
て、前記シートには、各微細な貫通穴を互いに連
通する多数の連通溝が設けられ、前記貫通穴群を
囲むように設けられた液溜の溝と連通している。
このため、前記シートに充填される熱伝導性流体
がシートの外部に飛び出さず、汚染や腐食に対し
信頼性の高いものである。
いは半導体パツケージと柔軟性を有する熱伝導体
との間に、熱伝導性に富み、多数の微細な貫通穴
を有するシートをはさみ、その微細な貫通穴に熱
伝導性流体を充填することにより、半導体と熱伝
導体との熱抵抗を小さくするものである。加え
て、前記シートには、各微細な貫通穴を互いに連
通する多数の連通溝が設けられ、前記貫通穴群を
囲むように設けられた液溜の溝と連通している。
このため、前記シートに充填される熱伝導性流体
がシートの外部に飛び出さず、汚染や腐食に対し
信頼性の高いものである。
以下、本発明の各実施例を第１図ないし第４図
を参照して説明する。
を参照して説明する。
まず、第１図は、本発明の一実施例に係る半導
体チツプの冷却装置の断面図、第２図は、その高
熱伝導性のシート部の斜視図である。第１図中、
第５図と同一符号のものは従来の基本構成と同等
部分であるから、その説明を省略する。
体チツプの冷却装置の断面図、第２図は、その高
熱伝導性のシート部の斜視図である。第１図中、
第５図と同一符号のものは従来の基本構成と同等
部分であるから、その説明を省略する。
第１，２図において、１３は、半導体チツプ１
と柔軟性を有する構造の熱伝導体１２との間に、
その両者に接触してはさみ込まれた高熱伝導性の
シートである。このシート１３は、電気絶縁性に
富み、高熱伝導性の特性を有する、ベリリウムを
含有したシリコンカーバイド合金で形成されてい
る。
と柔軟性を有する構造の熱伝導体１２との間に、
その両者に接触してはさみ込まれた高熱伝導性の
シートである。このシート１３は、電気絶縁性に
富み、高熱伝導性の特性を有する、ベリリウムを
含有したシリコンカーバイド合金で形成されてい
る。
１４は、シート１３に設けられた多数の微細な
貫通穴で、これら貫通穴１４は、半導体チツプ１
の背面に対向して垂直状に穿孔された円孔であ
る。
貫通穴で、これら貫通穴１４は、半導体チツプ１
の背面に対向して垂直状に穿孔された円孔であ
る。
１６は、前記多数の微細な貫通穴１４を互いに
連通し合う多数の連通溝、１７は、前記多数の貫
通穴１５の穴群を四周からとり囲むように位置
し、かつ、前記多数の連通溝１６と連通する液溜
め溝となる周囲溝である。
連通し合う多数の連通溝、１７は、前記多数の貫
通穴１５の穴群を四周からとり囲むように位置
し、かつ、前記多数の連通溝１６と連通する液溜
め溝となる周囲溝である。
前記多数の貫通穴１４には、熱伝導性流体１８
が充填されている。熱伝導体流体１８は、例え
ば、グリス、液体金属などが用いられるもので、
半導体チツプ１と熱伝導体１２を互いに密着させ
たとき、半導体チツプ１と熱伝導体１２との間の
熱抵抗を低減させるものである。
が充填されている。熱伝導体流体１８は、例え
ば、グリス、液体金属などが用いられるもので、
半導体チツプ１と熱伝導体１２を互いに密着させ
たとき、半導体チツプ１と熱伝導体１２との間の
熱抵抗を低減させるものである。
多数の貫通穴１４の穴群は、半導体チツプ１の
背面の外周より内側の小さい面積の範囲に位置す
るように設けられ、貫通穴１４から溢れ出す熱伝
導性流体１８が、半導体チツプ１の外に飛散しな
いように構成されている。
背面の外周より内側の小さい面積の範囲に位置す
るように設けられ、貫通穴１４から溢れ出す熱伝
導性流体１８が、半導体チツプ１の外に飛散しな
いように構成されている。
また、前記シート１３は、熱伝導体１２から外
れないようにずれ止め用の縁部１９がシート１３
の四周に形成されている。
れないようにずれ止め用の縁部１９がシート１３
の四周に形成されている。
次に、このように構成された半導体チツプの冷
却装置の作用および効果を説明する。
却装置の作用および効果を説明する。
半導体チツプ１で発生した熱は、半導体チツプ
１の背面に接続されている高熱伝導性のシート１
３、熱伝導性流体１８を介して熱伝導体１２に伝
えられ、熱伝導体１２に設けられた冷却媒体（図
示せず）によつて外部に放散される。
１の背面に接続されている高熱伝導性のシート１
３、熱伝導性流体１８を介して熱伝導体１２に伝
えられ、熱伝導体１２に設けられた冷却媒体（図
示せず）によつて外部に放散される。
なお、冷却媒体としては、ヒート・シンクすな
わち冷却素子、例えば冷却フイン、冷却板など
や、第６図に示した冷却器１１などがある。
わち冷却素子、例えば冷却フイン、冷却板など
や、第６図に示した冷却器１１などがある。
半導体チツプ１の高さのばらつき、傾きおよび
基板２の反りは、柔軟性のある熱伝導体１２で吸
収される。
基板２の反りは、柔軟性のある熱伝導体１２で吸
収される。
半導体チツプ１で発生する熱によつて多数の貫
通穴１４内の熱伝導性流体１８が膨張する場合、
熱伝導性流体１８は、連通溝１６を通つて周囲溝
１７に至る。
通穴１４内の熱伝導性流体１８が膨張する場合、
熱伝導性流体１８は、連通溝１６を通つて周囲溝
１７に至る。
また、熱伝導性流体１８が動きうる空間の周囲
は密閉されているため、振動や熱膨張などによつ
て熱伝導流体１８がシート１３の外部に飛び出る
心配がない。
は密閉されているため、振動や熱膨張などによつ
て熱伝導流体１８がシート１３の外部に飛び出る
心配がない。
本実施例によれば、多数の微細な貫通穴１４に
熱伝導性流体１８を充填した高熱伝導性のシート
１３を半導体チツプ１と熱伝導体１２との間に設
けることにより、半導体チツプ１と熱伝導体１２
との間の熱抵抗を小さくすることができる。ま
た、前記多数の貫通穴１４と連通する液溜りを前
記シーノ１３に設けることにより、熱伝導性流体
１８はシート１３の外部に出ることがないので、
半導体チツプ１の汚染や腐食に対する信頼性が高
くなつた。
熱伝導性流体１８を充填した高熱伝導性のシート
１３を半導体チツプ１と熱伝導体１２との間に設
けることにより、半導体チツプ１と熱伝導体１２
との間の熱抵抗を小さくすることができる。ま
た、前記多数の貫通穴１４と連通する液溜りを前
記シーノ１３に設けることにより、熱伝導性流体
１８はシート１３の外部に出ることがないので、
半導体チツプ１の汚染や腐食に対する信頼性が高
くなつた。
次に、本発明の他の実施例を第３図を参照して
説明する。
説明する。
第３図は、本発明の他の実施例に係る半導体チ
ツプの冷却装置に供されるシートの断面図で、図
中、第１図と同一符号のものは、第１図の実施例
と同等部分であるから、その説明を省略する。
ツプの冷却装置に供されるシートの断面図で、図
中、第１図と同一符号のものは、第１図の実施例
と同等部分であるから、その説明を省略する。
第３図の実施例で、先の第１図の実施例と相違
するところは、高熱伝導性のシート１３Ａに設け
た多数の微細な貫通穴１５がテーパー状に形成さ
れていることである。
するところは、高熱伝導性のシート１３Ａに設け
た多数の微細な貫通穴１５がテーパー状に形成さ
れていることである。
第３図の実施例によれば、先の第１図の実施例
と同様の効果が期待できる。
と同様の効果が期待できる。
次に、本発明のさらに他の実施例を第４図を参
照して説明する。
照して説明する。
ここに第４図は、本発明のさらに他の実施例に
係る半導体チツプの冷却装置に供されるシートの
斜視図であり、図中、第２図と同一符号のもの
は、先の第１，２図の実施例と同等部分であるか
ら、その説明を省略する。
係る半導体チツプの冷却装置に供されるシートの
斜視図であり、図中、第２図と同一符号のもの
は、先の第１，２図の実施例と同等部分であるか
ら、その説明を省略する。
第４図の実施例で、先の第２図の実施例と相違
するところは、高熱伝導性のシート１３Ｂが熱伝
導体１２から外れないようにするずれ止め手段と
して、縁部ではなく、係止用突起２０を設けたこ
とである。
するところは、高熱伝導性のシート１３Ｂが熱伝
導体１２から外れないようにするずれ止め手段と
して、縁部ではなく、係止用突起２０を設けたこ
とである。
第４図の実施例によれば、先の第１，２図の実
施例と同様の効果が期待できる。
施例と同様の効果が期待できる。
なお、ずれ止め手段は、前述の各実施例のもの
に限らず、シートが熱伝導体１２から外れなけれ
ばどのような形状のものでもよい。
に限らず、シートが熱伝導体１２から外れなけれ
ばどのような形状のものでもよい。
また、前述の各実施例は、半導体チツプと熱伝
導体との間に介在させる高熱伝導性のシートにつ
いて説明したが、本発明は、半導体チツプのみに
適用されるものではなく、前記高熱伝導性のシー
トは、半導体パツケージから発生する熱の外部放
散にも適用できるものである。
導体との間に介在させる高熱伝導性のシートにつ
いて説明したが、本発明は、半導体チツプのみに
適用されるものではなく、前記高熱伝導性のシー
トは、半導体パツケージから発生する熱の外部放
散にも適用できるものである。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本実施例によれば、半導体
チツプあるいは半導体パツケージから発生する熱
を冷却媒体へ伝導するについて、熱抵抗が小さ
く、かつ、汚染や腐触に対する信頼性の高い半導
体デバイスの冷却装置を提供することができる。
チツプあるいは半導体パツケージから発生する熱
を冷却媒体へ伝導するについて、熱抵抗が小さ
く、かつ、汚染や腐触に対する信頼性の高い半導
体デバイスの冷却装置を提供することができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る半導体チツ
プの冷却装置の断面図、第２図は、その高熱伝導
性のシート部の斜視図、第３図は、本発明の他の
実施例に係る半導体チツプの冷却装置に供される
シートの断面図、第４図は、本発明のさらに他の
実施例に係る半導体チツプの冷却装置に供される
シートの斜視図、第５図は、一般的な半導体チツ
プの冷却装置の略示構成図、第６図は、従来の半
導体パツケージの冷却機構を示す構成図である。 １……半導体チツプ、２……基板、１２……熱
伝導体、１３，１３Ａ，１３Ｂ……シート、１
４，１５……貫通穴、１６……連通溝、１７……
周囲溝、１８……熱伝導性流体、１９……縁部、
２０……係止用突起。
プの冷却装置の断面図、第２図は、その高熱伝導
性のシート部の斜視図、第３図は、本発明の他の
実施例に係る半導体チツプの冷却装置に供される
シートの断面図、第４図は、本発明のさらに他の
実施例に係る半導体チツプの冷却装置に供される
シートの斜視図、第５図は、一般的な半導体チツ
プの冷却装置の略示構成図、第６図は、従来の半
導体パツケージの冷却機構を示す構成図である。 １……半導体チツプ、２……基板、１２……熱
伝導体、１３，１３Ａ，１３Ｂ……シート、１
４，１５……貫通穴、１６……連通溝、１７……
周囲溝、１８……熱伝導性流体、１９……縁部、
２０……係止用突起。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体チツプあるいは半導体パツケージの背
面に、当該半導体チツプあるいは半導体パツケー
ジからの発生熱を除去する熱伝導体を設けてなる
半導体デバイスの冷却装置において、前記半導体
チツプあるいは半導体パツケージと前記熱伝導体
との間に、その両者に接触して介在すべき高熱伝
導性のシートを設け、当該高熱伝導性のシート
に、熱伝導性流体を充填すべき多数の微細な貫通
穴と、これら貫通穴を互いに連通し合う多数の連
通溝と、前記多数の貫通穴の穴群をとり囲み、か
つ前記多数の連通溝と連通する周囲溝とを備えた
ことを特徴とする半導体デバイスの冷却装置。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のものにおいて、
多数の貫通穴の穴群が位置する範囲を、半導体チ
ツプあるいは半導体パツケージの背面より小さく
構成したものである半導体デバイスの冷却装置。 ３ 特許請求の範囲第１項記載のものにおいて、
多数の貫通穴は、半導体チツプあるいは半導体パ
ツケージの背面に対向して垂直状に、あるいはテ
ーパー状に穿設されたものである半導体デバイス
の冷却装置。 ４ 特許請求の範囲第１項記載のものにおいて、
高熱伝導性のシートは、ベリリウムを含有したシ
リコンカーバイド合金で形成されたものである半
導体デバイスの冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60131717A JPS61290743A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 半導体デバイスの冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60131717A JPS61290743A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 半導体デバイスの冷却装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61290743A JPS61290743A (ja) | 1986-12-20 |
| JPH0573061B2 true JPH0573061B2 (ja) | 1993-10-13 |
Family
ID=15064552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60131717A Granted JPS61290743A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 半導体デバイスの冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61290743A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010142333A1 (en) * | 2009-06-10 | 2010-12-16 | Robert Bosch Gmbh | Cooling arrangement and method for assembling the cooling arrangement |
| US8957316B2 (en) * | 2010-09-10 | 2015-02-17 | Honeywell International Inc. | Electrical component assembly for thermal transfer |
| DE102011005669A1 (de) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Robert Bosch Gmbh | Wärmeleitfolie für die Entwärmung und Fixierung elektronischer Bauelemente |
| JP7472224B1 (ja) * | 2022-10-05 | 2024-04-22 | レノボ・シンガポール・プライベート・リミテッド | 放熱構造、電子機器、および伝熱構造体 |
-
1985
- 1985-06-19 JP JP60131717A patent/JPS61290743A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61290743A (ja) | 1986-12-20 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |