JPH0573167B2 - - Google Patents
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- JPH0573167B2 JPH0573167B2 JP61262121A JP26212186A JPH0573167B2 JP H0573167 B2 JPH0573167 B2 JP H0573167B2 JP 61262121 A JP61262121 A JP 61262121A JP 26212186 A JP26212186 A JP 26212186A JP H0573167 B2 JPH0573167 B2 JP H0573167B2
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- JP
- Japan
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- resistor
- filament
- calibration
- radiation thermometer
- radiance
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 19
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、温度校正用ランプを用いて放射温度
計の校正を行う放射温度計等の校正装置に関する
ものである。
計の校正を行う放射温度計等の校正装置に関する
ものである。
[従来の技術]
従来、放射温度計の校正装置の照射源の形式と
しては、黒体炉を用いる方法の他に、波長帯域を
制限する放射温度計では、その波長帯域によつて
黒体炉と同等の放射輝度が得られる電球を用いる
ことが知られている。
しては、黒体炉を用いる方法の他に、波長帯域を
制限する放射温度計では、その波長帯域によつて
黒体炉と同等の放射輝度が得られる電球を用いる
ことが知られている。
現場で使用中に校正するなど簡単な校正を行う
際には、使い易さの点から電球が多く用いられ、
電球を放射温度計の校正用輝度発生源とて用いた
場合に、ランプのフイラメントに定電圧を印加し
ても放射輝度に変動が生じてしまうので、例えば
JIS−Z8706−1980光高温計による温度測定方法
のように、定電流を供給することによつてランプ
の放射輝度の安定化を行つている。しかし、放射
輝度の変動はランプに一定電流を流していても、
周囲温度の変化によつて放射状態が変わることに
より発生し、温度が高くなると輝度が増加する。
際には、使い易さの点から電球が多く用いられ、
電球を放射温度計の校正用輝度発生源とて用いた
場合に、ランプのフイラメントに定電圧を印加し
ても放射輝度に変動が生じてしまうので、例えば
JIS−Z8706−1980光高温計による温度測定方法
のように、定電流を供給することによつてランプ
の放射輝度の安定化を行つている。しかし、放射
輝度の変動はランプに一定電流を流していても、
周囲温度の変化によつて放射状態が変わることに
より発生し、温度が高くなると輝度が増加する。
この周囲温度による影響はJISに表すように、
高い温度を校正するときには無視できるが、低い
温度では周囲温度による影響を無視できない。特
に、300℃以下の校正温度をランプ輝度によつて
代行するときには、周囲温度によつて大きい誤差
を生ずる。
高い温度を校正するときには無視できるが、低い
温度では周囲温度による影響を無視できない。特
に、300℃以下の校正温度をランプ輝度によつて
代行するときには、周囲温度によつて大きい誤差
を生ずる。
[発明の目的]
本発明の目的は、校正用ランプを用いて放射温
度計の簡便な校正を行う場合において、周囲温度
が変化してもランプの放射輝度を安定させること
ができる放射温度計等の校正装置を提供すること
にある。
度計の簡便な校正を行う場合において、周囲温度
が変化してもランプの放射輝度を安定させること
ができる放射温度計等の校正装置を提供すること
にある。
[発明の概要]
上述の目的を達成するための本発明の要旨は、
校正用ランプのフイラメントに定電流を流し、そ
の放射輝度によつて放射温度計等の校正を行う装
置において、周囲温度に対して抵抗値変化が大き
い温度補償用の第1抵抗と、温度による抵抗値変
化が殆どない第2抵抗とを並列に接続した合成抵
抗により前記フイラメントに流れる定電流値を補
正し、周囲温度変化による前記フイラメントの放
射輝度変化を補償する電気回路を有することを特
徴とする放射温度計等の校正装置である。
校正用ランプのフイラメントに定電流を流し、そ
の放射輝度によつて放射温度計等の校正を行う装
置において、周囲温度に対して抵抗値変化が大き
い温度補償用の第1抵抗と、温度による抵抗値変
化が殆どない第2抵抗とを並列に接続した合成抵
抗により前記フイラメントに流れる定電流値を補
正し、周囲温度変化による前記フイラメントの放
射輝度変化を補償する電気回路を有することを特
徴とする放射温度計等の校正装置である。
[発明の実施例]
本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第1図は放射温度計の校正装置の校正用ランプ
を作動させる基本回路図であり、放射温度計の校
正値の温度設定電圧VSが抵抗1を介して増幅器
2の+入力端子に入力されており、増幅器2の出
力はトランジスタ3にベース電流を供給してい
る。トランジスタ3のコレクタ端子には電流計4
を介して校正用ランプ5のフイラメント5aが接
続され、トランジスタ3のエミツタ端子には、抵
抗6及び温度補償用抵抗として作用する例えばシ
リコン温度センサ7が接続されている。増幅器2
の−入力端子は、ダイオード8を介して増幅器2
の+入力端子に、またダイオード9を介して増幅
器2の出力端子に、更にトランジスタ3のエミツ
タ端子に接続されている。
を作動させる基本回路図であり、放射温度計の校
正値の温度設定電圧VSが抵抗1を介して増幅器
2の+入力端子に入力されており、増幅器2の出
力はトランジスタ3にベース電流を供給してい
る。トランジスタ3のコレクタ端子には電流計4
を介して校正用ランプ5のフイラメント5aが接
続され、トランジスタ3のエミツタ端子には、抵
抗6及び温度補償用抵抗として作用する例えばシ
リコン温度センサ7が接続されている。増幅器2
の−入力端子は、ダイオード8を介して増幅器2
の+入力端子に、またダイオード9を介して増幅
器2の出力端子に、更にトランジスタ3のエミツ
タ端子に接続されている。
このような構成において、校正値の温度設定電
圧VSは増幅器2によるボルテージフオロワ回路
により、トランジスタ3のベース端子に加わり、
トランジスタ3のベース・エミツタ端子間にベー
ス電流を供給する。このベース電流により、フイ
ラメント5a及び電流計4を通してトランジスタ
3のコレクタ・エミツタ端子間にコレクタ電流I
が流れ、このコレクタ電流Iは抵抗6と温度セン
サ7にも流れ込み、抵抗6、温度センサ7の抵抗
値をそれぞれr1,r2とすると、コレクタ電流
Iは次式で与えられる。
圧VSは増幅器2によるボルテージフオロワ回路
により、トランジスタ3のベース端子に加わり、
トランジスタ3のベース・エミツタ端子間にベー
ス電流を供給する。このベース電流により、フイ
ラメント5a及び電流計4を通してトランジスタ
3のコレクタ・エミツタ端子間にコレクタ電流I
が流れ、このコレクタ電流Iは抵抗6と温度セン
サ7にも流れ込み、抵抗6、温度センサ7の抵抗
値をそれぞれr1,r2とすると、コレクタ電流
Iは次式で与えられる。
I=VS・(r1+r2)/(r1・r2)
抵抗6は周囲温度に殆ど依存しない抵抗係数を
有しており、温度センサ7は例えば約+7.5 Ω/℃のPTC特性、即ち周囲温度が上昇するこ
とにより抵抗値r2が上昇する特性を有し、周囲
温度が上昇するとフイラメント5aに流れる電流
Iは減少する。従つて、抵抗6の抵抗値r1と温
度センサ7の抵抗値r2を適宜設定することによ
り、周囲温度の校正用ランプ5に及ぼす輝度変化
を補償することができる。また、抵抗6の抵抗値
r1を可変とすることにより、周囲温度変化に対
する電流Iの補正率を任意に調整することができ
る。
有しており、温度センサ7は例えば約+7.5 Ω/℃のPTC特性、即ち周囲温度が上昇するこ
とにより抵抗値r2が上昇する特性を有し、周囲
温度が上昇するとフイラメント5aに流れる電流
Iは減少する。従つて、抵抗6の抵抗値r1と温
度センサ7の抵抗値r2を適宜設定することによ
り、周囲温度の校正用ランプ5に及ぼす輝度変化
を補償することができる。また、抵抗6の抵抗値
r1を可変とすることにより、周囲温度変化に対
する電流Iの補正率を任意に調整することができ
る。
第2図は更に具体的な電気回路図であり、電気
回路と外部を結ぶために6個の端子a〜fが用意
されており、端子a−b間には温度センサ7を、
端子c−d間には校正用ランプ5のフイラメント
5aを接続し、端子e−f間に外部から直流電圧
を供給するようになつている。抵抗R4,R5,
R6は温度センサ7と並列に配置され、ロータリ
スイツチSWによつて抵抗R4〜R5のうち1個
が温度センサ7と並列に接続される。また、ロー
タリスイツチSWは連動して増幅器A1のフイー
ドバツク抵抗を抵抗R1,R2,R3のうちから
1個を選択することも兼ねている。なお、ロータ
リスイツチSWの3つの接点は、例えば放射温度
計での測定温度230℃、280℃、330℃に対応する
放射輝度を校正用ランプ5が放射することと対応
している。
回路と外部を結ぶために6個の端子a〜fが用意
されており、端子a−b間には温度センサ7を、
端子c−d間には校正用ランプ5のフイラメント
5aを接続し、端子e−f間に外部から直流電圧
を供給するようになつている。抵抗R4,R5,
R6は温度センサ7と並列に配置され、ロータリ
スイツチSWによつて抵抗R4〜R5のうち1個
が温度センサ7と並列に接続される。また、ロー
タリスイツチSWは連動して増幅器A1のフイー
ドバツク抵抗を抵抗R1,R2,R3のうちから
1個を選択することも兼ねている。なお、ロータ
リスイツチSWの3つの接点は、例えば放射温度
計での測定温度230℃、280℃、330℃に対応する
放射輝度を校正用ランプ5が放射することと対応
している。
増幅器A1の出力は抵抗R10を介して増幅器
A2に入力され、その出力は抵抗R11を介し
て、FETトランジスタQ1のゲート端子に入力
される。なお、ここでは、FETトランジスタQ
1のソース端子にフイラメント5a及びトランジ
スタQ2のコレクタ端子が接続され、FETトラ
ンジスタQ1のドレイン端子にはトランジスタQ
2のベース端子が接続されるダーリントン接続が
なされている。
A2に入力され、その出力は抵抗R11を介し
て、FETトランジスタQ1のゲート端子に入力
される。なお、ここでは、FETトランジスタQ
1のソース端子にフイラメント5a及びトランジ
スタQ2のコレクタ端子が接続され、FETトラ
ンジスタQ1のドレイン端子にはトランジスタQ
2のベース端子が接続されるダーリントン接続が
なされている。
抵抗R12とツエナダイオードD1によつて作
られた定電圧をロータリスイツチSWによつて、
抵抗R4〜R6の中から選択された抵抗と温度セ
ンサ7との並列合成抵抗と抵抗R8で分圧し、こ
の分圧した電圧を増幅器A1に入力する。この入
力電圧はロータリスイツチSWによつて、抵抗R
1〜R3、R4〜R6、VR1〜VR3の中から
選択された抵抗と抵抗R8,R9によつて決まる
増幅度で増幅される増幅器A1の出力となり、こ
の出力は増幅器A2に入力される。FETトラン
ジスタQ1とトランジスタQ2とはダーリントン
接続されており、増幅器A2の出力はFETトラ
ンジスタQ1のゲート端子に入力されている。こ
のため、温度センサ7の抵抗値が周囲温度上昇に
よつて増加するとフイラメント5aに流れる電流
が減少し、周囲温度の下降によつて温度センサ7
の抵抗値が減少すると、フイラメント5aに流れ
る電流が増加して、周囲温度の変化による校正用
ランプ5の放射輝度の狂いが補正される。
られた定電圧をロータリスイツチSWによつて、
抵抗R4〜R6の中から選択された抵抗と温度セ
ンサ7との並列合成抵抗と抵抗R8で分圧し、こ
の分圧した電圧を増幅器A1に入力する。この入
力電圧はロータリスイツチSWによつて、抵抗R
1〜R3、R4〜R6、VR1〜VR3の中から
選択された抵抗と抵抗R8,R9によつて決まる
増幅度で増幅される増幅器A1の出力となり、こ
の出力は増幅器A2に入力される。FETトラン
ジスタQ1とトランジスタQ2とはダーリントン
接続されており、増幅器A2の出力はFETトラ
ンジスタQ1のゲート端子に入力されている。こ
のため、温度センサ7の抵抗値が周囲温度上昇に
よつて増加するとフイラメント5aに流れる電流
が減少し、周囲温度の下降によつて温度センサ7
の抵抗値が減少すると、フイラメント5aに流れ
る電流が増加して、周囲温度の変化による校正用
ランプ5の放射輝度の狂いが補正される。
また、フイラメント5aに流れる電流をFET
トランジスタQ1を用いたダーリントン接続の第
1段目に供給しているため、定電流値設定側の回
路への負担が低減され、より安定な校正用ランプ
5の放射輝度の制御が可能となつている。更に、
ロータリスイツチSWによつて校正用ランプ5に
加えるエネルギレベル設定用の抵抗R4〜R6の
中から1個を選択することと、校正用ランプ5の
周囲温度依存性に対応した抵抗R1〜R3の中か
ら1個を選択することを同時に行うことができる
ため便利である。
トランジスタQ1を用いたダーリントン接続の第
1段目に供給しているため、定電流値設定側の回
路への負担が低減され、より安定な校正用ランプ
5の放射輝度の制御が可能となつている。更に、
ロータリスイツチSWによつて校正用ランプ5に
加えるエネルギレベル設定用の抵抗R4〜R6の
中から1個を選択することと、校正用ランプ5の
周囲温度依存性に対応した抵抗R1〜R3の中か
ら1個を選択することを同時に行うことができる
ため便利である。
なお、この校正装置は赤外パワーメータの校
正、熱伝導率測定装置の放射輝度を用いた校正等
に応用することも可能である。
正、熱伝導率測定装置の放射輝度を用いた校正等
に応用することも可能である。
[発明の効果]
以上説明したように本発明に係る放射温度計等
の校正装置は、周囲温度により抵抗値が大きく変
化する温度補償用の第1抵抗と周囲温度に抵抗値
が依存しない第2抵抗とを組合わせた合成抵抗を
用いることにより、周囲温度の変化による校正用
ランプの放射輝度の変化が少なく、安定性を有し
実用上問題のない校正を行うことができる。
の校正装置は、周囲温度により抵抗値が大きく変
化する温度補償用の第1抵抗と周囲温度に抵抗値
が依存しない第2抵抗とを組合わせた合成抵抗を
用いることにより、周囲温度の変化による校正用
ランプの放射輝度の変化が少なく、安定性を有し
実用上問題のない校正を行うことができる。
図面は本発明に係る放射温度計等の校正装置の
実施例を示すものであり、第1図は基本回路図、
第2図は具体的な電気回路図である。 符号2は増幅器、3はトランジスタ、4は電流
計、5は校正用ランプ、6は抵抗、7は温度検出
センサ、SWはロータリスイツチ、D1はツエナ
ダイオード、A1,A2は増幅器、Q1はFET
トランジスタ、Q2はトランジスタである。
実施例を示すものであり、第1図は基本回路図、
第2図は具体的な電気回路図である。 符号2は増幅器、3はトランジスタ、4は電流
計、5は校正用ランプ、6は抵抗、7は温度検出
センサ、SWはロータリスイツチ、D1はツエナ
ダイオード、A1,A2は増幅器、Q1はFET
トランジスタ、Q2はトランジスタである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 校正用ランプのフイラメントに定電流を流
し、その放射輝度によつて放射温度計等の校正を
行う装置において、周囲温度に対して抵抗値変化
が大きい温度補償用の第1抵抗と、温度による抵
抗値変化が殆どない第2抵抗とを並列に接続した
合成抵抗により前記フイラメントに流れる定電流
値を補正し、周囲温度変化による前記フイラメン
トの放射輝度変化を補償する電気回路を有するこ
とを特徴とする放射温度計等の校正装置。 2 前記第2抵抗は抵抗値を複数段階に可変と
し、各放射輝度に対応して前記フイラメントに流
れる定電流値を調整するようにした特許請求の範
囲第1項に記載の放射温度計等の校正装置。 3 前記第1抵抗は半導体とした特許請求の範囲
第1項に記載の放射温度計等の校正装置。 4 前記フイラメントにFETトランジスタをダ
ーリントン接続して定電流を加えるようにした特
許請求の範囲第1項に記載の放射温度計等の校正
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61262121A JPS63117225A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 放射温度計等の校正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61262121A JPS63117225A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 放射温度計等の校正装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63117225A JPS63117225A (ja) | 1988-05-21 |
| JPH0573167B2 true JPH0573167B2 (ja) | 1993-10-13 |
Family
ID=17371339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61262121A Granted JPS63117225A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 放射温度計等の校正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63117225A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2989530B2 (ja) * | 1995-10-27 | 1999-12-13 | 矢崎総業株式会社 | クリップ |
| JP3121249B2 (ja) * | 1995-11-02 | 2000-12-25 | 矢崎総業株式会社 | クリップ |
| JP4250194B1 (ja) | 2007-12-28 | 2009-04-08 | 住友電装株式会社 | アース接続具 |
-
1986
- 1986-11-04 JP JP61262121A patent/JPS63117225A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63117225A (ja) | 1988-05-21 |
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