JPH0573434A - メモリカードの不良記憶素子代替回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 メモリカードの内部に複数の記憶素子の不良
があっても、メモリカードを使用可能にする。 【構成】 １個の記憶素子をセグメントという情報単位
で８個に分割する。ＳＲＡＭ６を用いて、ＳＲＡＭ上に
インデックステーブルを作成し、テーブルを書き替える
ことによって、記憶素子１〜４の任意の不良部分を、予
備用記憶素子５に置き替える。 【効果】 １個の記憶素子のみならず、複数個の記憶素
子に不良が発見された場合でも、データの代替が可能と
なる。また、本方法ではＳＲＡＭ上にテーブルを作成す
るだけでよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、メモリカードに係り、
特に内部記憶素子の不良部分を代替するメモリカードの
不良記憶素子代替回路及びメモリカードの不良記憶素子
代替方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のメモリカードは、内部に複数個の
記憶素子を持ち、メモリカードに割り当てられたアドレ
ス空間に対して必要数の記憶素子のみが存在していた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のメモ
リカードでは、カードの内部に一つでも記憶素子の不良
があると、使用不可能であった。そこで、第１の発明の
目的は、ごく一部の不良素子があっても、メモリカード
を使用可能にすることのできるメモリカードの不良記憶
素子代替回路を得ることであり、第２の発明の目的は、
ごく一部の不良素子があっても、メモリカードを使用す
ることのできるメモリカードの不良記憶素子代替方法を
得ることである。

【０００４】

【課題を解決するための手段及び作用】第１の発明は、
記憶素子を内蔵し外部から書き込み読み出し可能なメモ
リカードの不良素子代替回路において、記憶素子の任意
の不良部分を代替する予備用記憶素子と、内蔵電池で記
憶内容が保持される専用メモリと、この専用メモリに書
き込みを行うことで記憶素子の任意の不良部分を予備用
記憶素子に置き替える手段を備えることで、１個の記憶
素子の記憶領域をセグメントという手法を用いて分割
し、不良セグメントだけを予備用記憶素子のセグメント
に書き替え、連続した一つのアドレス空間としてのデー
タの読み出し／書き込みを可能として、ごく一部の不良
素子があっても、メモリカードの使用を可能にしたメモ
リカードの不良記憶素子代替回路である。

【０００５】第２の発明は、記憶素子を内蔵し外部から
書き込み読み出し可能なメモリカードの不良素子代替方
法において、メモリカード内に電池でバックアップされ
内容が保持される専用メモリを設け、セグメント分割に
よる記憶領域管理手法で専用メモリにセグメント管理テ
ーブルを作成し、記憶素子をセグメント単位に分割し、
各セグメントを管理テーブルで指示されたアドレスに対
応させることで、記憶素子の任意の不良部分を予備用記
憶素子に置き替え、連続した一つのアドレス空間として
のデータの読み出し書き込みを可能にして、ごく一部の
不良素子があっても、メモリカードの使用を可能にした
メモリカードの不良記憶素子代替方法である。

【０００６】

【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。図１は、本発明の一実施例を示すブロッ
ク図であり、読みだし／書き込みに関する制御信号を一
部省略した全回路を示している。１〜５は記憶素子で、
５が予備用記憶素子である。通常書き込み時、つまり記
憶素子に不良部分が存在しない場合は記憶素子１〜４の
み使用され、任意のアドレス部分にデータを書き込んで
動作する。

【０００７】図２に記憶素子の分割方法の一例を示す。
１個の記憶素子を八つのセグメントに分割して、１セグ
メントを記憶領域の単位として扱う。ここでセグメント
とは、アドレス空間を任意の領域で区切った情報の単位
のことである。

【０００８】また、不良セグメントを予備用の記憶素子
５のセグメントに書き替えるために、図３のようにＳＲ
ＡＭ（消去可能なランダムアクセスメモリ）上にインデ
ックステーブルを作成する。このインデックステーブル
は、上位５ビットがメモリチップ番号，下位３ビットが
セグメント番号に対応して、３２バイトで構成されてい
る。通常動作時の、ＳＲＡＭのインデックステーブル
と、それに対応する記憶素子のセグメントを図４に示
す。

【０００９】ここで、記憶素子１〜４のうち、任意のチ
ップの部分が不良になったとすると、不良部分を予備の
記憶素子５に置き替えて使用する。実際には以下に示す
とおり、ＳＲＡＭ上に配置された３２バイトのインデッ
クステーブルを書き替えることで実現される。

【００１０】今、記憶素子１のセグメント０と記憶素子
２のセグメント１に不良が発見されたとする。このと
き、記憶素子１のセグメント０を記憶素子５のセグメン
ト０に、記憶素子２のセグメント１を記憶素子５のセグ
メント１に置き替える。具体的には、ＳＲＡＭ上のイン
デックステーブルの０番地と９番地を図５のように書き
替える。

【００１１】一方、メモリカード読みだし時には、ＳＲ
ＡＭ上に作成されたインデックステーブルに従って、不
良部分を予備用記憶素子に代替させるように、内蔵され
た記憶素子を読み込みにいく。

【００１２】このように第１及び第２の発明は、１個の
記憶素子の記憶領域をセグメントという手法を用いて分
割することにより、不良セグメントのみを予備用の記憶
素子のセグメントに書き替えて、連続した一つのアドレ
ス空間としてデータの読みだし／書き込みが可能とな
る。

【００１３】また、この方法では、データの置き換えの
ために、ＳＲＡＭ上にインデックステーブルを作成して
やるだけでよい。

【００１４】

【発明の効果】以上、第１の発明によれば、記憶素子を
内蔵し、外部から書き込み読み出し可能なメモリカード
の不良素子代替回路において、記憶素子の任意の不良部
分を代替する予備用記憶素子と、内蔵電池で記憶内容が
保持される専用メモリと、この専用メモリに書き込みを
行うことで記憶素子の任意の不良部分を予備用記憶素子
に置き替える手段を備えることで、１個の記憶素子の記
憶領域をセグメントという手法を用いて分割し、不良セ
グメントだけを予備用記憶素子のセグメントに書き替
え、連続した一つのアドレス空間としてのデータの読み
出し／書き込みを可能としたので、ごく一部の不良素子
があっても、メモリカードの使用を可能にすることので
きるメモリカードの不良記憶素子代替回路を得ることが
できる。

【００１５】また、第２の発明によれば、記憶素子を内
蔵し外部から書き込み読み出し可能なメモリカードの不
良素子代替方法において、メモリカード内に電池でバッ
クアップされ内容が保持される専用メモリを設け、セグ
メント分割による記憶領域管理手法で専用メモリにセグ
メント管理テーブルを作成し、記憶素子をセグメント単
位に分割し、各セグメントを管理テーブルで指示された
アドレスに対応させることで、記憶素子の任意の不良部
分を予備用記憶素子に置き替えることで、連続した一つ
のアドレス空間としてのデータの読み出し書き込みを可
能にしたので、ごく一部の不良素子があっても、メモリ
カードの使用を可能にすることのできるメモリカードの
不良記憶素子代替方法を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１及び第２の発明の一実施例を示すブロック
図。

【図２】図１の記憶素子のセグメントによる分割図。

【図３】図１のＳＲＡＭのインデックステーブルの内容
を示す図。

【図４】図１の記憶素子１〜４のセグメントに対応する
正常動作時のＳＲＡＭのインデックステーブルの内容を
示す図。

【図５】ＳＲＡＭのインデックステーブルを変更した内
容を示す図。

【符号の説明】

１，２，３，４，５…記憶素子、６…ＳＲＡＭ、７…Ｓ
ＲＡＭ書き込み許可信号、８…データバス、９，１０…
アドレスバス。

フロントページの続き (72)発明者 仁科 博行 東京都港区三田一丁目４番28号 日本電気 トランスミツシヨンエンジニアリング株式 会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の記憶素子を内蔵し、外部から書き
   込み読み出し可能なメモリカードの不良記憶素子代替回
   路において、前記記憶素子の任意の不良部分を代替する
   予備用記憶素子と、内蔵電池により記憶内容が保持され
   る専用メモリと、この専用メモリに書き込みを行うこと
   で前記記憶素子の任意の不良部分を前記予備用記憶素子
   に置き替える手段を備えたことを特徴とするメモリカー
   ドの不良記憶素子代替回路。
2. 【請求項２】 複数の記憶素子を内蔵し、外部から書き
   込み読み出し可能なメモリカードの不良素子代替方法に
   おいて、前記メモリカード内に電池でバックアップされ
   記憶内容が保持される専用メモリを設け、セグメント分
   割による記憶領域管理手法で前記専用メモリにセグメン
   ト管理テーブルを作成し、前記記憶素子をセグメント単
   位に分割し、各セグメントを前記管理テーブルで指し示
   されたアドレスに対応させることで、前記記憶素子の任
   意の不良部分を予備用記憶素子に置き替えるメモリカー
   ドの不良記憶素子代替方法。